JP2963041B2

JP2963041B2 - 磁性セラミクスおよび積層型電子部品

Info

Publication number: JP2963041B2
Application number: JP8040103A
Authority: JP
Inventors: 剛志武田; 隆坪井; 博之伊藤; 直樹松井; 徹石田; 光一郎栗原; 淳青柳
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1995-06-15
Filing date: 1996-02-27
Publication date: 1999-10-12
Anticipated expiration: 2016-02-27
Also published as: JPH0963826A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無線機器等に使用
される積層型の電子部品に関するものであり、特に低損
失の磁性セラミクスとそれを用いたコイルやトランス等
の積層型インダクタンス部品、およびそれらを含んで構
成される積層型複合電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から無線機器等の高周波回路に用い
られているコイルやトランスなどのインダクタンス部品
は、図２に例示のようにコアに巻線した構造である。数
百ＭＨｚ以上の高い周波数で使用されるインダクタンス
部品は、空心構造でも所要のインダクタンス値が容易に
得られるため比較的小型に構成することができる。しか
し、中間周波数部など数〜数十ＭＨｚの比較的低い周波
数で使用されるインダクタンス部品では、空心で大きな
インダクタンス値を得ようとすると巻数を多くしなけれ
ばならず、部品が大型化したり導体損失が大きくなった
りするため、フェライトなどの高い比透磁率を有する磁
性材料をコア材として用いて巻数が少なくなるように構
成するのが通常である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、コアへの巻線
は手作業によっているため量産性が低く、コストの低減
や品質管理が難しいばかりでなく、部品の小型化も困難
であり、特に、複数のコイルを相互に結合させて構成す
るトランスは他の電子部品に比べて小型化が著しく遅れ
ている。本発明者らは、このような状況をふまえ、磁性
材料コアに巻線して構成される従来のインダクタンス部
品にかわる表面実装に適する小型の積層型インダクタン
ス部品、特に積層型トランスを提供しようとするもので
ある。一般に、積層型電子部品を構成するためには、ま
ず、ドクターブレード法などにより絶縁性セラミクスの
グリーンシートを形成し、そのグリーンシートに特定の
形状の導体パターンをスクリーン印刷技術等で形成し、
それらを積層圧着し、焼結により一体化して形成する。
積層された各シートの導体パターンどうしは、必要に応
じてスルーホール電極を介して電気的に接続されたり、
電磁気的結合を生じるように積層配置する。また、電気
的に接続されている各導体パターンの両端は外部接続用
の電極に接続される。このような構成において、導体パ
ターンおよび外部電極は、電気伝導性が高く比較的安価
なＡｇを主とするペーストを用いて形成するのが適当で
ある。ＣｕペーストやＡｕ，Ｐｔなどの貴金属ペースト
を用いることもできるが、前者は酸化されやすいために
非酸化性雰囲気中で焼結する必要があり、後者は高価で
焼結温度も高いため、いずれも製造工程が複雑になった
りコストが上昇して好ましくない。一方、Ａｇペースト
を用いる場合、その融点が９６２℃と比較的低く、積層
後のセラミクス焼結工程において融点を越えて劣化し、
電子部品の導体として機能しなくなってしまう恐れがあ
るため、実際には９５０℃以下でセラミクスを焼結しな
ければならないという制約が生じる。Ａｇペーストとな
らんでよく使用されるＰｄを最大２％程度含むＡｇペー
ストについても同様である。しかし、従来の磁性セラミ
クスは１０００〜１２００℃で焼結されるのが通常であ
り、９５０℃以下で焼結した場合、インダクタンス部品
用の磁性材料として必要な比透磁率μ’や磁気損失μ”
などの磁気特性を得ることができないばかりか、密度が
低下して回路基板上に実装して使用するに耐える機械的
強度が得られず、電子部品用材料としての信頼性を確保
することが困難であった。このため、磁性セラミクスを
用いた実用的な積層型電子部品を提供するためには、９
５０℃以下での低温焼結に適する絶縁性の磁性セラミク
スの開発が必要であった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、Ｆ
ｅ₂Ｏ₃,ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯ，ＣｏＯおよびＢｉ₂O₃
からなる９５０℃以下での低温焼結に適した絶縁性の磁
性セラミクスの組成検討を行った。主相をなすＦｅ₂Ｏ₃
は、４０．０モル％より少ないと化学量論的にスピネル
構造の単相にならず、４９．８モル％を越えるとα相ヘ
マタイトが異相として発生し、いずれの場合も比透磁率
μ’が低下し磁気損失μ”が急激に増加する。また、４
９．８モル％を越えると電気抵抗率が低下して渦電流損
失が増加するため、磁気損失μ”の増加につながる。Ｎ
ｉＯが２０．０モル％より少ないと置換されるＺｎＯが
相対的に多くなってキュリー温度Ｔcが１００℃以下と
なるため実用的でなく、３９．５モル％を越えると比透
磁率μ’が低くなりインダクタンス部品として実用的な
電磁気特性が得られない。ＣｕＯが１０．０モル％より
少ない場合には９５０℃以下で焼結したときの密度が
５．０×１０³kｇ／ｍ³未満となり、回路基板に実装し
て使用する電子部品に十分な機械的強度が得られない。
また、２０．０モル％を越えると結晶粒界に異相として
析出し、磁気損失μ”が急激に増加してしまう。ＺｎＯ
の添加により比透磁率μ’を制御することが期待できる
が、２．０モル％より少ないとインダクタンス部品とし
て必要な電磁気特性を得るのに十分な比透磁率μ’が得
られない。また、２０．０モル％を越える場合には、キ
ュリー温度Ｔcが１００℃以下となり実用的でない。Ｃ
ｏＯの添加により、磁気損失μ”の低減が期待される
が、０．３モル％より少ないと十分な効果が得られず、
６．５モル％より多いと比透磁率μ’が低下していずれ
も実用的でない。Ｂｉ₂Ｏ₃は焼結時に液相になり低温焼
結性を向上させるが、添加量が４．０重量％を越えると
磁性セラミクスの結晶粒径が過大になったり、結晶粒界
に異相として析出し、磁気損失μ”が急激に増加する。
なお、この目的のためにＶ₂Ｏ₅を添加することが例えば
特開平６−１１２０３２に記載されているが、Ｖ₂Ｏ₅を
添加すると焼結時にＡｇ導体と反応して導体パターンが
消失してしまうため不適当である。

【０００５】以上の事柄をふまえて、本発明の磁性セラ
ミクスの組成をＦｅ₂Ｏ₃ ４０．０〜４９．８モル
％，ＮｉＯ２０．０〜３９．５モル％，ＣｕＯ
１０．０〜２０．０モル％，ＺｎＯ２．０〜
２０．０モル％，ＣｏＯ０．３〜６．５モ
ル％，Ｂｉ₂Ｏ₃ ４．０重量％未満と決定した。こ
の組成範囲であれば９５０℃以下の低温で焼結した場合
でも積層型電子部品に必要とされる磁気特性と、回路基
板に実装して使用するに十分な機械的強度とを得ること
ができる。なお、上記目的のために特に好ましい組成範
囲はＦｅ₂Ｏ₃ ４５．０〜４９．０モル％，ＮｉＯ
３３．０〜３９．０モル％，ＣｕＯ１０．０〜
１５．０モル％，ＺｎＯ３．０〜１０．０モ
ル％，ＣｏＯ０．３〜６．４モル％，Ｂｉ₂
Ｏ₃ ２．０重量％未満である。所望のインダクタ
ンス値を少ないコイル巻数で得るためには、コアをなす
部材の比透磁率μ’を大きくすればよいが、比透磁率
μ’と磁気損失μ”の間にはクラマース・クローニッヒ
の関係と呼ばれる従属関係があり、前者をむやみに大き
くすると後者が急激な増加を始める周波数が低下してし
まいインダクタンス部品として実用特性が得られない。
この関係は経験的に「スネークの限界」として一般に知
られている。上記の本発明磁性セラミクスの組成範囲
は、もちろんこの関係をふまえて決定されたものであ
り、例えば無線機器の中間周波数のような数〜数１０Ｍ
Ｈｚの比較的低い周波数範囲を含んで使用されるインダ
クタンス部品を構成するために最適なμ’が１５以上，
μ”が５未満の複素透磁率を得るものである。なお、イ
ンダクタンス部品を低損失に構成するために特に好まし
いμ”の値は１以下である。

【０００６】本発明の磁気セラミクスは、いずれもＦｅ
イオンの寄与による電気伝導を抑制するためにＦｅ₂Ｏ₃
が５０％より少ない組成からなる。高周波用の磁性セラ
ミクスは、渦電流損失を抑制することが必須であるが、
本発明の磁性セラミクスの組成範囲であれば、１．０×
１０⁷Ωｍ以上の電気抵抗率を得ることができ、実用性
に優れる。しかし、このために全ての酸化物が同時に化
学量論組成を満足することができず、焼結時の雰囲気や
温度によってはＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯの一部が主相の
スピネル相に固溶し切れずに多量に析出してしまう恐れ
がある。磁性セラミクス中にこれらの酸化物が多量に析
出すると電子部品に要求される磁気特性や機械的特性を
満足することができなくなってしまう。これを抑制する
ために、ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯの含有比がいずれ
もモル比で１．０≦ＮｉＯ／ＣｕＯ≦３．９５，０．５
≦ＣｕＯ／ＺｎＯ≦１０．０，１．０≦ＮｉＯ／ＺｎＯ
≦１９．８であることが必要であり、特に望ましくは
２．２≦ＮｉＯ／ＣｕＯ≦３．９０，１．０≦ＣｕＯ／
ＺｎＯ≦５．０，３．３≦ＮｉＯ／ＺｎＯ≦１３．０で
ある。

【０００７】上記の磁性材料セラミクスをグリーンシー
トに用いて積層型インダクタを構成するためには、シー
トに形成する導体パターンをコイル状とし、それらを必
要なターン数を構成するように積層配置すればよい。こ
のとき、積層される各シートに形成されたコイル状の導
体パターンどうしは、スルーホール電極を介して電気的
に接続され、さらにその両端はそれぞれ部品の外部接続
用電極と電気的に接続されるよう構成する。積層型トラ
ンスを構成する場合には、積層型インダクタを構成する
場合と同様の方法で複数のコイルを構成し、それらが磁
束を介して相互に結合するように各シートを積層配置す
ればよい。コイル間の電磁気的な結合を密にしてトラン
スとしての変換効率など要求される特性を満足するため
には、例えば一枚のシートに形成する導体パターンを１
ターン未満のコイルとし、それらを互いに他のコイルを
なす導体パターンを形成したシートを挟むように積層配
置することが効果的である。また、各コイルどうしが必
要以上の密結合となるのを避けるため、積層間隔を４０
〜１６０μｍとすることが適当である。所要のインダク
タンス部品を構成するのに必要な導体パターンを形成し
たシートを積層し、圧着した後、９５０℃以下で脱脂焼
結し一体化する。その後、外部回路との接続のための外
部電極を同様の技術で形成し、必要に応じてＮｉ，はん
だ，すずめっき等を施して、積層型インダクタンス部品
を得る。もちろん、上記の技術はインダクタやトランス
を得る場合のみに有効なばかりでなく、これらとキャパ
シタや抵抗として機能する素子などが同一部品内に構成
された複合型の積層型電子部品を得る場合にも有効なも
のである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の磁性セラミクスは、９５
０℃以下の低温で焼結した場合でも、従来材料と同等の
５．０×１０³kｇ／ｍ³以上の焼結密度と機械的強度が
得られるため、電気抵抗の小さいＡｇを導体パターン材
料に用いてプリント基板表面に実装される電子部品とし
て必要な機械的強度を有する積層型電子部品を得ること
ができる。また、数〜数十ＭＨｚの比較的低い周波数範
囲を含んで使用されるインダクタンス部品を構成するの
に適当な比透磁率μ’が１５以上，磁気損失μ”が５未
満の複素透磁率を得るように磁性セラミクスの組成が決
定されていることにより、数ターンの少ないコイル巻数
で実用的なインダクタンス値と低損失特性の積層インダ
クタンス部品を得ることができる。特に、従来小型化が
遅れていた高周波トランスを構成する場合、複数のコイ
ルを交互に積層配置してコイル間の結合を密にする等の
構成上の工夫とあいまって、回路基板表面への高密度実
装に適する小型低背化を図ることが可能になった。

【０００９】（実施例１）表１に示すように、本発明に
係る積層型電子部品用の磁性セラミクス４種類を試作し
て、積層型トランスを作成した。また、従来から巻線型
高周波トランスのコア材として使用している１２種類の
磁性セラミクスを比較材料として試作した。これらの材
料の密度はいずれも５．０×１０³kｇ／ｍ³以上、電気
抵抗率はいずれも１．０×１０⁷Ωｍ以上である。原料
粉末は高純度のＦｅ₂Ｏ₃,ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯ，Ｃ
ｏ₃Ｏ₄およびＢｉ₂Ｏ₃を用いた。各原料粉末の平均直径
は、Ｆｅ₂Ｏ₃が０．８μｍ，Ｎｉ０が０．６μ
ｍ，ＣｕＯが０．７μｍ，ＺｎＯが１．０μ
ｍ，Ｃｏ₃Ｏ₄が１．２μｍ，Ｂｉ₂Ｏ₃が２．０μｍ
である。なお、Ｃｏ₃Ｏ₄は（Ｃｏ₂Ｏ₃)０．７５(Ｃｏ
Ｏ）０．２５の混合物であるので全量をＣｏＯに換算し
た場合の値をかっこ内に併記した。これらの原料粉末を
所定量秤量し、乾式振動ミルで１時間混合した後、電気
炉を用いて最高温度８００℃で１．５時間仮焼し、炉冷
した後、４０メッシュのふるいで解砕した。これをボー
ルミルで湿式混合し、しかる後、所定量の水および分散
剤を添加したものをさらに微粉砕し、粒径０．２〜１．
０μｍの原料粉末を得た。これにバインダとしてポリビ
ニルブチラール（ＰＶＢ）および溶剤（エタノール，ブ
タノール）を加えてスラリを得た。本発明に係る磁性セ
ラミクスの密度は、上記のスラリを造粒し、２０００ｋ
ｇｆ／ｃｍ²の圧力で直径１４ｍｍ，厚さ５ｍｍの円盤
状にプレス成形し、焼結した試料を用いて水中置換法に
より測定した。また、複素透磁率は、外形８ｍｍ，内径
１ｍｍ，厚さ３ｍｍの円筒試料を同様に作成して、イン
ピーダンスアナライザを用いて短絡同軸法により測定し
た。いずれも焼結は、本発明に係る積層型部品と同一条
件とし、大気雰囲気の電気炉で昇温１５０℃／ｈ，９０
０℃で１ｈ保持後，降温３００度℃／ｈで行った。比較
材料の密度および複素透磁率の測定方法は本発明材料の
場合と同様であるが、表１に示した比較材料１〜４は最
高温度１０５０℃で焼結し、比較材料５〜７は最高温度
９５０℃で焼結した。また、表３に示した比較材料８〜
１２は最高温度９００度で焼結した。表１に示した磁性
セラミクスの代表的な特性を表２に示す。この表から、
本発明に係る磁性セラミクスは、比較材料と同等の５．
０×１０³kｇ／ｍ³以上の密度と、１２０ＭＨｚにおい
て１．０以下の低い磁気損失項μ”を有することが分か
る。

【００１０】

【表１】

【００１１】

【表２】

【００１２】

【表３】

【００１３】以下に、表１および表２に示した本発明材
料２を用いて積層型トランスを作成した手順を示す。前
述の磁性材料セラミクスのスラリをドクターブレード法
で厚さ９０μｍのグリーンシートに形成した。このシー
トにスクリーン印刷で０．２ｍｍ幅のコイル導体を形成
した。印刷ペーストにはＡｇ１００％のものを使用し
た。各シートに所定の導体パターンを形成した後に、積
層圧着し、チップ部品の形状に切断する。焼結は大気雰
囲気の電気炉中で脱脂に引き続いて行う。昇温は１５０
℃／ｈとし、９００℃で１時間保持した後、約３００℃
／ｈで降温した。なお、積層厚着したグリーンシートを
脱脂焼結した後にダイシングしてチップ部品を得てもよ
い。トランスの外観は図１に示す通りの３２１６形状で
ある。等価回路は図３に示すバルーントランスを構成し
ている。構成の具体的な手順は図４に示すように、グリ
ーンシート１に導体をスクリーン印刷により形成して、
コイルを形成する導体１１ａが形成されている。このコ
イル用導体１１ａは、その一端が側面まで引き出されて
外部端子接続用電極１５ａを形成し、他端はスルーホー
ル電極に対応する円形電極１６ａが形成されている。そ
の上に、グリーンシート２が積層される。このシート２
には、コイル用導体１２と１つの独立したスルーホール
電極１７ａが形成されている。このコイル用導体１２
は、両端が側面まで引き出されて外部端子接続用電極１
５ｂ，１５ｃを形成し、約１ターンのコイルを構成して
いる。その上に、グリーンシート３が積層される。この
シート３には、コイル用導体１１ｂが形成されている。
このコイル用導体１１ｂの一端にはスルーホール電極１
７ｂが、他端は側面まで引き出されて外部端子接続用電
極１５ｄが形成されている。そして、コイル用導体１１
ａとコイル用導体１１ｂとは、スルーホール電極１７
ｂ，１７ａおよび円形電極１６ａを介して導通し、１つ
のコイルを構成している。このコイルとコイル用導体１
２によるコイルとからトランスを構成している。その上
に、導体が形成されていなく、ダミー層となるシート４
が積層される。このダミー層は、複数枚のグリーンシー
トで構成した。その上に、グリーンシート５が積層され
る。このシート５には、コイル用導体１３ａが形成され
ている。このコイル用導体１３ａは、一端が側面まで引
き出されて、外部端子接続用電極１５ｅを形成し、他端
はスルーホールに対応する円形電極１６ｂが形成されて
いる。その上に、グリーンシート６が積層される。この
シート６には、コイル用導体１４と１つの独立したスル
ーホール電極１７ｃが形成されている。このコイル用導
体１４は、両端が側面まで引き出されて外部端子接続用
電極１５ｆ，１５ｇを形成し、約１ターンのコイルを構
成している。その上に、グリーンシート７が積層され
る。このシート７には、コイル用導体１３ｂが形成され
ている。このコイル用導体１３ｂの一端にはスルーホー
ル電極１７ｄが、他端は側面まで引き出されて外部端子
接続用電極１５ｈが形成されている。そして、コイル用
導体１３ａとコイル用導体１３ｂとは、スルーホール電
極１７ｄ，１７ｃ及び円形電極１６ｂを介して導通し、
一つのコイルを構成している。このコイルとコイル用導
体１４によるコイルとからトランスを構成している。そ
の上に、グリーンシート８が積層される。このシート８
には、外部端子電極用の導体１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，
１８ｄ，１８ｅ，１８ｆが形成されている。この積層体
を一体焼結し、外部端子電極１９を側面に形成して、一
対のコイルからなるトランスが２個上下に配置された積
層型高周波トランスを構成した。図１で９ａ，９ｃがそ
れぞれ一対のコイルからなるトランス部であり、９ｂが
ダミー層である。このトランスの電気特性を図５および
図６に示す。電気特性の測定はネットワークアナライザ
を用いて行った。図５は挿入損失特性を示す。本発明の
実施例によれば、５０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚの広い周波
数範囲にわたって実用的な特性が得られることが分か
る。図６はこの実施例の２出力間の位相特性を示す。本
発明の実施例によれば、１０ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの広
い周波数帯で位相差がほぼ１８０度となり、高周波トラ
ンスとして優れた特性であることが分かる。焼結後にお
けるシートの厚さを約８０μｍとし、ダミー層をはさん
だ導体１１ｂと１３ａとの間の焼結後における間隔を約
２４０μｍとした。これにより、それぞれのトランスを
構成する一対のコイル間の結合が良好で、かつ上下２個
のトランス間の不要な結合の少ない高周波トランスを得
ることができた。本実施例の構成においては実用的なト
ランス特性を得るために、トランスを構成する一対のコ
イル間の間隔は３０〜２００μｍの範囲が適当であり、
ダミー層をはさんで積層配置されるトランス間の間隔
は、１６０〜４００μｍが適当であった。また、積層す
るグリーンシートの厚さは３０〜２００μｍの範囲であ
ることが望ましく、特に好ましくは５０〜１５０μｍで
ある。なお、本実施例では、表１に示した本発明材料４
とともに、表３に示した比較材料８〜12も用いて上記積
層トランスを作成し、焼結助剤として添加したＢｉ₂Ｏ₃
およびＶ₂Ｏ₅とＡｇ導体との反応性を確認した。この結
果から、Ｂｉ₂Ｏ₃の添加量の上限は４．０重量％であ
り、Ｖ₂Ｏ₅は実質的に使用できないことが確認された。

【００１４】（実施例２）実施例１で用いた本発明材料
２のグリーンシートを用い、同様の方法により別の積層
型トランスを構成した手順を示す。外観および寸法は図
１に示した実施例１と同一であり、等価回路図は図７の
通りである。図８はこの実施例における積層される各シ
ートの様子を示す平面図である。この実施例の第１次コ
イルは、グリーンシート１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃに形成
されたコイル用導体２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃを接続し、
構成される。このコイル用導体２３Ａ，２３Ｃの一端は
側面まで引き出されて、それぞれ外部引き出し電極４３
Ａ，４３Ｂが形成され、積層後、外部端子接続用電極５
１Ａ，５１Ｂ（図示せず）に接続される。第２次コイル
は、グリーンシート１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄに
形成されたコイル用導体２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２
Ｄを接続し、構成される。同様に第３次コイルは、グリ
ーンシート１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄに形成され
たコイル用導体２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを接続
し、構成される。このとき、コイル用導体２１Ａの一端
は側面まで引き出されて、外部引き出し電極４１Ａが形
成され、他端には円形電極３１ａが形成される。その上
に配置されるグリーンシート１２Ａには、円形電極３１
ａに対応したスルーホール電極３１ｂが形成され、その
上に配置されるグリーンシート１３Ａにはスルーホール
電極３１ｂに対応したスルーホール電極３１ｃが形成さ
れ、さらにその上に配置されるグリーンシート１１Ｂに
は、スルーホール電極３１ｃに対応したスルーホール電
極３１ｄが形成されて、第３次コイル用のコイル用導体
２１Ａと２１Ｂが接続される。またそのコイル用導体２
１Ｂの他端には円形電極３１ｅが形成され、その上に配
置されるグリーンシート１２Ｂ，１３Ｂ，１１Ｃに形成
されたスルーホール電極３１ｆ，３１ｇ，３１ｈを通し
てコイル用導体２１Ｂと２１Ｃが接続される。さらにそ
のコイル用導体２１Ｃの他端には円形電極３１ｉが形成
され、その上に配置されるグリーンシート１２Ｃ，１３
Ｃ，１１Ｄに形成されたスルーホール電極３１ｊ，３１
ｋ，３１ｌを通してコイル用導体２１Ｃと２１Ｄが接続
される。このグリーンシート１１Ｄのコイル用導体２１
Ｄの他端には外部引き出し電極４１Ｂが形成され、積層
後、外部端子接続用電極５１Ｅ（図示せず）に接続され
る。このようにして、３つのコイルが交互に形成され
る。また、この積層体の上下には、保護用グリーンシー
ト１９が配置される。このトランスの挿入損失特性を図
９に示す。測定はネットワークアナライザを用いて行っ
た。本発明の実施例によれば、２００ＭＨｚ〜６００Ｍ
Ｈｚの広い周波数範囲にわたって約３ｄＢの平坦な周波
数特性が得られ実用的な特性を有することが分かる。

【００１５】

【発明の効果】本発明によれば、高透磁率のコアに巻線
した構成によっていた中間周波数回路のように数〜数十
ＭＨｚの比較的低周波数で使用するインダクタンス部
品、特に高周波トランスを表面実装に適した小型低背の
積層型部品として構成することができる。また、従来の
巻線型インダクタンス部品に比べて量産性が格段に向上
し、特性の揃った製品を安価に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の斜視図である。

【図２】従来の巻線型トランスの斜視図である。

【図３】本発明に係る一実施例のトランスの等価回路図
である。

【図４】本発明に係る一実施例の各グリーンシートの様
子を示す平面図である。

【図５】本発明に係る一実施例の挿入損失特性である。

【図６】本発明に係る一実施例の２出力間の位相特性で
ある。

【図７】本発明に係る別の実施例のトランスの等価回路
図である。

【図８】本発明に係る別の実施例の各グリーンシートの
様子を示す平面図である。

【図９】本発明に係る別の実施例のトランスの挿入損失
特性である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石田徹鳥取県鳥取市南栄町33番地12号日立金属株式会社鳥取工場内 (72)発明者栗原光一郎鳥取県鳥取市南栄町33番地12号日立金属株式会社磁性材料研究所鳥取分室内 (72)発明者青柳淳鳥取県鳥取市南栄町33番地12号日立金属株式会社磁性材料研究所鳥取分室内審査官平塚義三 (56)参考文献特開平１−101609（ＪＰ，Ａ) 特開平３−93667（ＪＰ，Ａ) 特開平３−218962（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01F 1/34 C01G 49/00 C04B 35/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｆｅ₂Ｏ₃を４０．０〜４９．８モル
％，ＮｉＯを２０．０〜３９．５モル％，ＣｕＯ
を１０．０〜２０．０モル％，ＺｎＯを
２．０〜２０．０モル％，ＣｏＯを０．３〜
６．５モル％，Ｂｉ₂Ｏ₃を４．０重量％未満含
有し、これらのうちＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯの含有比が
いずれもモル比で１．０≦ＮｉＯ／ＣｕＯ≦３．９５，
０．５≦ＣｕＯ／ＺｎＯ≦１０．０，１．０≦ＮｉＯ／
ＺｎＯ≦１９．８であることを特徴とする磁性セラミク
ス。
【請求項２】１ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの周波数範囲に
おける複素透磁率の実数項が１５以上，虚数項が５未満
で、焼結後の密度が５．０×１０³kｇ／ｍ³以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁性セラミクス。
【請求項３】導体パターンが形成された絶縁性シート
を積層してなる電子部品であって、積層されるシートの
うちの一部または全部が、Ｆｅ₂Ｏ₃を４０．０〜４
９．８モル％，ＮｉＯを２０．０〜３９．５モ
ル％，ＣｕＯを１０．０〜２０．０モル％，Ｚｎ
Ｏを２．０〜２０．０モル％，ＣｏＯを
０．３〜６．５モル％，Ｂｉ₂Ｏ₃を４．０重
量％未満含有し、これらのうちＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯ
の含有比がいずれもモル比で１．０≦ＮｉＯ／ＣｕＯ≦
３．９５，０．５≦ＣｕＯ／ＺｎＯ≦１０．０，１．０
≦ＮｉＯ／ＺｎＯ≦１９．８である磁性セラミクスであ
り、該磁性セラミクスのシートに形成される導体パター
ンがＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金であり、それらが部品の
一部または全部を構成するように積層した後、最高温度
９５０℃以下で焼結することにより一体化して得る積層
型電子部品。