JP2961857B2 - 高分子成形体の製造方法 - Google Patents
高分子成形体の製造方法Info
- Publication number
- JP2961857B2 JP2961857B2 JP26362990A JP26362990A JP2961857B2 JP 2961857 B2 JP2961857 B2 JP 2961857B2 JP 26362990 A JP26362990 A JP 26362990A JP 26362990 A JP26362990 A JP 26362990A JP 2961857 B2 JP2961857 B2 JP 2961857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- magnetic field
- acid
- molded article
- aromatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polyamides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高分子成形体の製造方法に関する。詳しく
は、磁場を用いて高分子成形体を製造する方法に関す
る。
は、磁場を用いて高分子成形体を製造する方法に関す
る。
ポリマー成形体の弾性率は分子鎖の配向に依存する。
高分子の分子鎖の配向を達成する手段としては各種の延
伸、液晶紡糸等が開発されてきた。しかし、これらの技
術によって成形される製品は、フィルムやファイバー等
に限られていた。
高分子の分子鎖の配向を達成する手段としては各種の延
伸、液晶紡糸等が開発されてきた。しかし、これらの技
術によって成形される製品は、フィルムやファイバー等
に限られていた。
一方、磁場を液晶性高分子に作用させる方法が任意の
形状を有する成形体における分子配向手段として注目さ
れる。しかしながら磁場による配向のエネルギーは比較
的小さいことから、液晶性高分子を配向させることには
解決すべき問題が多い。
形状を有する成形体における分子配向手段として注目さ
れる。しかしながら磁場による配向のエネルギーは比較
的小さいことから、液晶性高分子を配向させることには
解決すべき問題が多い。
高弾性率と磁場配向性の両方を満たすポリマーの化学
構造について検討を行った結果、本発明に到達した。
構造について検討を行った結果、本発明に到達した。
即ち、本発明は、熱液晶性高分子に液晶状態で磁場を
印加して高分子成形体を製造する方法において、熱液晶
性高分子が全芳香族ポリエステルアミドであることを特
徴とする高分子成形体の製造方法である。
印加して高分子成形体を製造する方法において、熱液晶
性高分子が全芳香族ポリエステルアミドであることを特
徴とする高分子成形体の製造方法である。
以下、本発明を詳述べる。
熱液晶性高分子は加熱溶融時に液晶を形成する高分子
であり、各種の高分子が知られている。磁場の作用によ
って高分子鎖を高度に配向させるには、磁場による配向
エネルギーが小さいため比較的分子量の低いあるいは低
粘度のポリマーが好ましい。一方、成形体の力学特性に
ついては、一般に分子量の高い方が好ましい。この矛盾
する２つの要求を満たすにはポリマーの化学構造が重要
である。本発明では熱液晶性高分子として全芳香族ポリ
エステルアミドを用いる。
であり、各種の高分子が知られている。磁場の作用によ
って高分子鎖を高度に配向させるには、磁場による配向
エネルギーが小さいため比較的分子量の低いあるいは低
粘度のポリマーが好ましい。一方、成形体の力学特性に
ついては、一般に分子量の高い方が好ましい。この矛盾
する２つの要求を満たすにはポリマーの化学構造が重要
である。本発明では熱液晶性高分子として全芳香族ポリ
エステルアミドを用いる。
全芳香族ポリエステルアミド自体は公知であり、芳香
族環同志をエステル結合とアミド結合で連結した主鎖構
造を有する熱液晶性高分子であり、好ましくは主鎖がエ
ステル結合で構成され50モル％以下のアミド結合を有す
るものがあげられる。
族環同志をエステル結合とアミド結合で連結した主鎖構
造を有する熱液晶性高分子であり、好ましくは主鎖がエ
ステル結合で構成され50モル％以下のアミド結合を有す
るものがあげられる。
全芳香族ポリエステルアミドとして好ましいものとし
ては、以下に示す芳香族ジアミン、芳香族ジカルボン
酸、芳香族ジオール化合物、あるいは芳香族アミノカル
ボン酸、芳香族オキシカルボン酸、芳香族オキシアミノ
化合物あるいはこれらの機能性誘導体、これらの核置換
化合物から選ばれる２種以上の組合せから合成される全
芳香族ポリエステルアミドである。
ては、以下に示す芳香族ジアミン、芳香族ジカルボン
酸、芳香族ジオール化合物、あるいは芳香族アミノカル
ボン酸、芳香族オキシカルボン酸、芳香族オキシアミノ
化合物あるいはこれらの機能性誘導体、これらの核置換
化合物から選ばれる２種以上の組合せから合成される全
芳香族ポリエステルアミドである。
ここで、A,A′：−OH,−COOH,−NH2およびこれらの機
能性誘導体 また芳香環はアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、ハロゲン基で置換されていても良
い。
能性誘導体 また芳香環はアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、ハロゲン基で置換されていても良
い。
芳香族ジアミンの具体例としては、1,4−フェニレン
ジアミン、メチル−1,4−フェニレンジアミン、クロル
−1,4−フェニレンジアミン、3,3′−ジメチル−4,4′
−ジアミノビフェニル、3,3′−ジクロル−4,4′−ジア
ミノビフェニル、2,2′−ジクロル−4,4′−ジアミノビ
フェニル、2,2′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニ
ル、2,6−ナフタレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ビス（４−アミノフェニル）エタン、1,4−ビス
（４−アミノフェニル）ブタン、3,3′−ジアミノベン
ゾフェノン等が挙げられ、このうち好ましいものは1,4
−フェニレンジアミン、メチル−1,4−フェニレンジア
ミン、クロル−1,4−フェニレンジアミン、3,3′−ジメ
チル−4,4′−ジアミノビフェニル、2,6−ナフタレンジ
アミンである。
ジアミン、メチル−1,4−フェニレンジアミン、クロル
−1,4−フェニレンジアミン、3,3′−ジメチル−4,4′
−ジアミノビフェニル、3,3′−ジクロル−4,4′−ジア
ミノビフェニル、2,2′−ジクロル−4,4′−ジアミノビ
フェニル、2,2′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニ
ル、2,6−ナフタレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ビス（４−アミノフェニル）エタン、1,4−ビス
（４−アミノフェニル）ブタン、3,3′−ジアミノベン
ゾフェノン等が挙げられ、このうち好ましいものは1,4
−フェニレンジアミン、メチル−1,4−フェニレンジア
ミン、クロル−1,4−フェニレンジアミン、3,3′−ジメ
チル−4,4′−ジアミノビフェニル、2,6−ナフタレンジ
アミンである。
芳香族ジカルボン酸の好ましい具体例はテレフタル
酸、イソフタル酸、ビス−４−カルボキシルフェニル−
1,4−ベンゼン、4,4′−カルボキシルジフェニル、ナフ
タリン−2,6−ジカルボン酸、ナフタリン−1,5−ジカル
ボン酸、ジフェニルケトン−4,4′−ジカルボン酸、メ
チルテレフタル酸、クロロテレフタル酸、フェニルテレ
フタル酸、2,5−ジメチルテレフタル酸、ジフェニル−
3,3′−ジメチル−4,4′−ジカルボン酸である。
酸、イソフタル酸、ビス−４−カルボキシルフェニル−
1,4−ベンゼン、4,4′−カルボキシルジフェニル、ナフ
タリン−2,6−ジカルボン酸、ナフタリン−1,5−ジカル
ボン酸、ジフェニルケトン−4,4′−ジカルボン酸、メ
チルテレフタル酸、クロロテレフタル酸、フェニルテレ
フタル酸、2,5−ジメチルテレフタル酸、ジフェニル−
3,3′−ジメチル−4,4′−ジカルボン酸である。
芳香族ジオールの好ましい具体例は、クロルハイドロ
キノン、メチルハイドロキノン、2,6−ジヒドロキシナ
フタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、4,4′−ジヒ
ドロキシビフェニル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジヒド
ロキシジフェニル、アセトキシハイドロキノン、ニトロ
ハイドロキノン、ジメチルアミノハイドロキノン、1,5
−ジヒドロキシナフトール、1,6−ジヒドロキシナフト
ール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−1,4−ベンゼ
ンである。
キノン、メチルハイドロキノン、2,6−ジヒドロキシナ
フタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、4,4′−ジヒ
ドロキシビフェニル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジヒド
ロキシジフェニル、アセトキシハイドロキノン、ニトロ
ハイドロキノン、ジメチルアミノハイドロキノン、1,5
−ジヒドロキシナフトール、1,6−ジヒドロキシナフト
ール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−1,4−ベンゼ
ンである。
芳香族アミノカルボン酸の好ましい具体例は、ｐ−ア
ミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、６−アミノ−２−
ナフトエ酸、４−アミノ−１−ナフトエ酸、ｐ−アミノ
−ｏ−メトキシ安息香酸、ｐ−アミノ−ｏ−クロロ安息
香酸等である。
ミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、６−アミノ−２−
ナフトエ酸、４−アミノ−１−ナフトエ酸、ｐ−アミノ
−ｏ−メトキシ安息香酸、ｐ−アミノ−ｏ−クロロ安息
香酸等である。
芳香族オキシカルボン酸の好ましい具体例は、２−ヒ
ドロキシ−６−カルボキシルナフタレン−ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ
ビフェニルカルボン酸、４−ヒドロキシ−４′−カルボ
キシジフェニルエーテル、２−クロロ−ｐ−ヒドロキシ
安息香酸等である。
ドロキシ−６−カルボキシルナフタレン−ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸、ｍ−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ
ビフェニルカルボン酸、４−ヒドロキシ−４′−カルボ
キシジフェニルエーテル、２−クロロ−ｐ−ヒドロキシ
安息香酸等である。
芳香族オキシアミノ化合物の好ましい具体例はｐ−ア
ミノフェニル、４−アミノ−４′−ヒドロキシ−ジフェ
ニル、４−アミノ−１−ナフトール、３−メチル−４−
アミノフェニル、Ｎ−メチル−４−アミノフェノール、
３−アミノフェノール、３−メチル−４−ヒドロキシ−
４′−アミノ−ジフェニルである。
ミノフェニル、４−アミノ−４′−ヒドロキシ−ジフェ
ニル、４−アミノ−１−ナフトール、３−メチル−４−
アミノフェニル、Ｎ−メチル−４−アミノフェノール、
３−アミノフェノール、３−メチル−４−ヒドロキシ−
４′−アミノ−ジフェニルである。
重合は公知の方法に従い、アセチル化されたアミノ基
および水酸基とカルボン酸基の反応を加熱溶融状態で行
う方法により全芳香族ポリエステルアミドが得られる。
および水酸基とカルボン酸基の反応を加熱溶融状態で行
う方法により全芳香族ポリエステルアミドが得られる。
全芳香族ポリエステルアミドが磁場配向に適する理由
は明らかではないが、異種結合による結晶性の低下など
が考えられる。ポリマーの重合度は、磁場配向に対して
大きな影響を持つ。これを磁場を作用させる温度での溶
融粘度（コーンプレートタイプ粘度計による動的粘度２
×10-2Hz）で代表させると、数10ないし数万ポイズ程度
の全芳香族ポリエステルアミドが用いられる。成形性と
成形品物性のバランスからは溶融粘度100ポイズから300
0ポイズ程度の全芳香族ポリエステルアミドが好ましく
使用される。全芳香族ポリエステルアミドは単独あるい
は液晶性を失なわない範囲で他のポリマーさらには有
機、無機の材料、例えば染料、顔料、フィラー等と複合
化された形で使用することが出来る。
は明らかではないが、異種結合による結晶性の低下など
が考えられる。ポリマーの重合度は、磁場配向に対して
大きな影響を持つ。これを磁場を作用させる温度での溶
融粘度（コーンプレートタイプ粘度計による動的粘度２
×10-2Hz）で代表させると、数10ないし数万ポイズ程度
の全芳香族ポリエステルアミドが用いられる。成形性と
成形品物性のバランスからは溶融粘度100ポイズから300
0ポイズ程度の全芳香族ポリエステルアミドが好ましく
使用される。全芳香族ポリエステルアミドは単独あるい
は液晶性を失なわない範囲で他のポリマーさらには有
機、無機の材料、例えば染料、顔料、フィラー等と複合
化された形で使用することが出来る。
本発明は、上述の液晶性全芳香族ポリエステルアミド
を溶融し、例えば押出あるいは射出成形にて成形体を製
造する際、あるいは成形後再加熱して液晶を形成してい
る状態で磁場を印加する。
を溶融し、例えば押出あるいは射出成形にて成形体を製
造する際、あるいは成形後再加熱して液晶を形成してい
る状態で磁場を印加する。
磁場を作用させる方法としては、全芳香族ポリエステ
ルアミドを加熱し、ネマチック液晶状態の溶融物を磁場
中に必要な時間保持すればよい。このとき、該ポリマー
の流動変形は出来るだけ避ける方が良い。さらには、流
動変形直後のポリマーに磁場を作用させることも好まし
くない。配向が進んだ後、冷却固化し配向構造を固定化
する過程は、磁場中で行なう方法あるいは、磁場外に取
り出して行なう方法のどちらも採ることが可能である。
印加される磁場は電磁石等で造ることが出来る。高度の
配向を得るためには数千ガウス以上の磁場が必要で1000
0ガウス以上の磁場が好ましい。この場合には、超伝導
磁石の利用が好適である。また、印加する時間は５〜90
分程度である。
ルアミドを加熱し、ネマチック液晶状態の溶融物を磁場
中に必要な時間保持すればよい。このとき、該ポリマー
の流動変形は出来るだけ避ける方が良い。さらには、流
動変形直後のポリマーに磁場を作用させることも好まし
くない。配向が進んだ後、冷却固化し配向構造を固定化
する過程は、磁場中で行なう方法あるいは、磁場外に取
り出して行なう方法のどちらも採ることが可能である。
印加される磁場は電磁石等で造ることが出来る。高度の
配向を得るためには数千ガウス以上の磁場が必要で1000
0ガウス以上の磁場が好ましい。この場合には、超伝導
磁石の利用が好適である。また、印加する時間は５〜90
分程度である。
本発明で製造する成形体としては例えば繊維、フィル
ム、板および種々の形状を持つ３次元的成形品等が挙げ
られる。
ム、板および種々の形状を持つ３次元的成形品等が挙げ
られる。
以下、本発明を実施例により詳述するが本発明はその
要旨を超えない限り、実施例に限定されるものではな
い。
要旨を超えない限り、実施例に限定されるものではな
い。
実施例１および比較例１ ２−アセトキシ−６−カルボキシナフタレン（0.4モ
ル）、テレフタル酸（0.1モル）、ｐ−アミノフェノー
ル（0.1モル）から溶融重合により熱液晶性ポリエステ
ルアミドを合成した。このポリマーの動的溶融粘度をコ
ーンプレート型粘度計を用いて310℃、２×10-2Hzで測
定したところ103ポイズであった。
ル）、テレフタル酸（0.1モル）、ｐ−アミノフェノー
ル（0.1モル）から溶融重合により熱液晶性ポリエステ
ルアミドを合成した。このポリマーの動的溶融粘度をコ
ーンプレート型粘度計を用いて310℃、２×10-2Hzで測
定したところ103ポイズであった。
このポリマーに330℃で20分間、100キロガウスの磁場
を作用させて直径1mmのロッドを成形した。このロッド
は54GPa（室温、110Hzスパン15mmで測定）の非常に高い
動的曲げ弾性率を示した。
を作用させて直径1mmのロッドを成形した。このロッド
は54GPa（室温、110Hzスパン15mmで測定）の非常に高い
動的曲げ弾性率を示した。
比較のため上記のポリマー組成においてｐ−アミノフ
ェノールの代りにクロルハイドロキノンを使用したポリ
マーを同様に合成した。
ェノールの代りにクロルハイドロキノンを使用したポリ
マーを同様に合成した。
このポリマーの溶融粘度を前記と同様にして測定した
ところ、800ポイズであった。また、前記と同一の方
法、条件により成形した直径1mmのロッドの弾性率は35G
Paと本発明の方法に比べて小さいものであった。
ところ、800ポイズであった。また、前記と同一の方
法、条件により成形した直径1mmのロッドの弾性率は35G
Paと本発明の方法に比べて小さいものであった。
本発明方法によれば、高配向した弾性率等の機械特性
に優れた高分子成形体を得ることができる。
に優れた高分子成形体を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】熱液晶性高分子に液晶状態で磁場を印加し
て高分子成形体を製造する方法において、熱液晶性高分
子が全芳香族ポリエステルアミドであることを特徴とす
る高分子成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26362990A JP2961857B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 高分子成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26362990A JP2961857B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 高分子成形体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139222A JPH04139222A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2961857B2 true JP2961857B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=17392169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26362990A Expired - Fee Related JP2961857B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 高分子成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961857B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3834528B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2006-10-18 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性高分子成形体の製造方法 |
| JP2004051852A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性高分子成形体及びその製造方法 |
| JP2004149722A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性高分子成形体 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26362990A patent/JP2961857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04139222A (ja) | 1992-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4330457A (en) | Poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt phase derived from 6-hydroxy-2-naphthoic acid, dicarboxylic acid, and aromatic monomer capable of forming an amide linkage | |
| US5508374A (en) | Melt processable poly(ester amide) capable of forming an anisotropic melt containing an aromatic moiety capable of forming an amide linkage | |
| US4355132A (en) | Anisotropic melt phase forming poly(ester-amide) derived from p-hydroxybenzoic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, aromatic monomer capable of forming an amide linkage, and, optionally, hydroquinone and additional carbocyclic dicarboxylic acid | |
| US4339375A (en) | Poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt phase derived from p-hydroxybenzoic acid, 2,6-dihydroxynaphthalene, carbocyclic dicarboxylic acid, aromatic monomer capable of forming an amide linkage, and, optionally, additional aromatic diol | |
| US4351918A (en) | Poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt phase derived from 6-hydroxy-2-naphthoic acid, other aromatic hydroxyacid, carbocyclic dicarboxylic acid, and aromatic monomer capable of forming an amide linkage | |
| US9057016B2 (en) | Melt polymerization of low melt viscosity liquid crystalline polymers | |
| US8669341B2 (en) | Solid-state polymerization of a liquid crystalline polymer | |
| US8822628B2 (en) | Crosslinkable liquid crystalline polymer | |
| US4390681A (en) | Liquid crystal copolyesters | |
| KR920002618B1 (ko) | 공중합 폴리에스테르 아미드, 이를 사용한 사출성형재의 제조방법 및 이의 조성물 | |
| JP2961857B2 (ja) | 高分子成形体の製造方法 | |
| JPS62132926A (ja) | 中間状態の完全芳香族ポリエステルアミド | |
| JPH04227657A (ja) | 容易に流動するポリアミド成形材料 | |
| JPH0533255B2 (ja) | ||
| US4457962A (en) | Molded article comprised of a thermotropic liquid crystal line polymer with an inherently weak weld line incorporated therein | |
| US8853342B2 (en) | Crosslinkable liquid crystalline polymer | |
| JPH02227428A (ja) | メルトから処理可能な液晶特性を有する芳香族ポリマー、その製法並びに該ポリマーからなる成形コンパウンドおよび繊維 | |
| US4341688A (en) | Poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt phase derived from dihydroxyanthraquinone, hydroxybenzoic acid, dicarboxylic acid, and aromatic monomer capable of forming an amide linkage | |
| JPH0735435B2 (ja) | 共重合ポリエステル、その成形品、その複合構造体および共重合ポリエステルの製造方法 | |
| JPS62203540A (ja) | 電動機ロ−タ− | |
| JP3311360B2 (ja) | 液晶ポリ（エステル―アミド） | |
| JP2841557B2 (ja) | 高分子成形体の製造法 | |
| KR900008406B1 (ko) | 광학기용 픽업 | |
| JPH04140115A (ja) | 高分子成形体の製造方法 | |
| JP3457000B2 (ja) | ４，４’−ビフェニルジカルボン酸から誘導されるモノマー単位を含む熱互変性ポリ（エステルアミド） |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |