JP2955237B2 - 潜像電位推定装置及び潜像電位推定方法 - Google Patents
潜像電位推定装置及び潜像電位推定方法Info
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- JP2955237B2 JP2955237B2 JP8246979A JP24697996A JP2955237B2 JP 2955237 B2 JP2955237 B2 JP 2955237B2 JP 8246979 A JP8246979 A JP 8246979A JP 24697996 A JP24697996 A JP 24697996A JP 2955237 B2 JP2955237 B2 JP 2955237B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子写真プロセ
ス方式を用いた複写機，プリンタ，ファクシミリ装置な
どの画像形成装置に使用する感光体の潜像電位推定装置
及び潜像電位推定方法、特に感光体の特性の検知精度の
向上に関するものである。
ス方式を用いた複写機，プリンタ，ファクシミリ装置な
どの画像形成装置に使用する感光体の潜像電位推定装置
及び潜像電位推定方法、特に感光体の特性の検知精度の
向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】複写機等の画像形成装置に対しては高画
質化の要求が高まっており、画像形成プロセスの正確な
制御が重要になってきている。画像形成プロセスのなか
でも常に変動する感光体の特性を常に正しく把握して感
光体の表面電位を最適値に制御することが必要である。
このように感光体の表面電位を最適値に制御する装置が
例えば、特公平３−64866号公報や特公平４−44270号公
報に示されている。特公平３−64866号公報や特公平４
−44270号公報は、いずれも感光体の目標特性をあらか
じめ記憶しておき、感光体の温度等の条件に応じた制御
入力値で光学手段を動作させて感光体表面を露光して基
準潜像を形成し、形成した潜像の電位を測定して目標電
位と比較し制御入力値を補正するようにしている。
質化の要求が高まっており、画像形成プロセスの正確な
制御が重要になってきている。画像形成プロセスのなか
でも常に変動する感光体の特性を常に正しく把握して感
光体の表面電位を最適値に制御することが必要である。
このように感光体の表面電位を最適値に制御する装置が
例えば、特公平３−64866号公報や特公平４−44270号公
報に示されている。特公平３−64866号公報や特公平４
−44270号公報は、いずれも感光体の目標特性をあらか
じめ記憶しておき、感光体の温度等の条件に応じた制御
入力値で光学手段を動作させて感光体表面を露光して基
準潜像を形成し、形成した潜像の電位を測定して目標電
位と比較し制御入力値を補正するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら感光
体に画像情報を書き込む半導体レ−ザ書込値Ｌは、画像
の高画質化から８ビットすなわち256階調もある。この
ため理想的には、全てのレ−ザ書込値Ｌ毎に感光体の表
面電位との対応を実測すれば、感光体の特性を正確に把
握することは可能である。この感光体の特性は温度依存
が大きい。また大量の連続コピ−時には残留電位による
影響も発生する。さらに装置内部のプロセス制御によっ
て帯電器による帯電目標値も変化する。このような多様
の条件のもとでレ−ザ書込値Ｌすなわち各階調毎に感光
体の表面電位を実測することは不可能であり、感光体の
特性変化を正確に把握することは困難であった。
体に画像情報を書き込む半導体レ−ザ書込値Ｌは、画像
の高画質化から８ビットすなわち256階調もある。この
ため理想的には、全てのレ−ザ書込値Ｌ毎に感光体の表
面電位との対応を実測すれば、感光体の特性を正確に把
握することは可能である。この感光体の特性は温度依存
が大きい。また大量の連続コピ−時には残留電位による
影響も発生する。さらに装置内部のプロセス制御によっ
て帯電器による帯電目標値も変化する。このような多様
の条件のもとでレ−ザ書込値Ｌすなわち各階調毎に感光
体の表面電位を実測することは不可能であり、感光体の
特性変化を正確に把握することは困難であった。
【０００４】この発明はかかる短所を解消するためにな
されたものであり、全階調にわたる感光体表面電位を高
精度で推定することができる潜像電位推定装置及び潜像
電位推定方法を得ることを目的とするものである。
されたものであり、全階調にわたる感光体表面電位を高
精度で推定することができる潜像電位推定装置及び潜像
電位推定方法を得ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る潜像電位
推定装置及び潜像電位推定方法は、異なるレ−ザ書込値
Ｌｎで複数ｎのテストパッチの静電潜像を感光体表面に
一定の帯電条件のもとで作成し、作成した複数ｎのテス
トパッチの表面電位Ｖｎを測定し、測定した複数ｎのテ
ストパッチの表面電位Ｖｎと各テストパッチの静電潜像
を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｎから潜像電位関数Ｖ
＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体の特性になんらかの変化を
与えるイベントが発生したときに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）を決定するために作成したテストパッチ数ｎより
少ない数ｅのパッチの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌ
ｅで作成し、作成したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅを測
定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高次の線形方程式α
Ｖ＝ｆ（βＬ）＋γとし、測定したｅ個のパッチの表面
電位Ｖｅと各パッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ
書込値Ｌｅを満たすように潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の
係数α，β，γを更新することを特徴とする。
推定装置及び潜像電位推定方法は、異なるレ−ザ書込値
Ｌｎで複数ｎのテストパッチの静電潜像を感光体表面に
一定の帯電条件のもとで作成し、作成した複数ｎのテス
トパッチの表面電位Ｖｎを測定し、測定した複数ｎのテ
ストパッチの表面電位Ｖｎと各テストパッチの静電潜像
を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｎから潜像電位関数Ｖ
＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体の特性になんらかの変化を
与えるイベントが発生したときに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）を決定するために作成したテストパッチ数ｎより
少ない数ｅのパッチの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌ
ｅで作成し、作成したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅを測
定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高次の線形方程式α
Ｖ＝ｆ（βＬ）＋γとし、測定したｅ個のパッチの表面
電位Ｖｅと各パッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ
書込値Ｌｅを満たすように潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の
係数α，β，γを更新することを特徴とする。
【０００６】この発明に係る第２の潜像電位推定装置及
び潜像電位推定方法は、異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数
ｎのテストパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電
条件のもとで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの
表面電位Ｖｎを測定し、あらかじめ分割したレ−ザ書込
値の区間毎に測定した複数のテストパッチの表面電位Ｖ
と各テストパッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ書
込値Ｌから潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体
の特性になんらかの変化を与えるイベントが発生したと
きに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定するために作成
したテストパッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの静電潜
像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成したｅ個の
パッチの表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）を高次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋γとし、
測定したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッチの静電
潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満たすように
レ−ザ書込値の各区間毎の潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の
係数α，β，γを更新することを特徴とする。
び潜像電位推定方法は、異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数
ｎのテストパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電
条件のもとで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの
表面電位Ｖｎを測定し、あらかじめ分割したレ−ザ書込
値の区間毎に測定した複数のテストパッチの表面電位Ｖ
と各テストパッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ書
込値Ｌから潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体
の特性になんらかの変化を与えるイベントが発生したと
きに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定するために作成
したテストパッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの静電潜
像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成したｅ個の
パッチの表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）を高次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋γとし、
測定したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッチの静電
潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満たすように
レ−ザ書込値の各区間毎の潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の
係数α，β，γを更新することを特徴とする。
【０００７】上記感光体の特性になんらかの変化を与え
るイベントは雰囲気温度の変化，連続コピ−枚数，感光
体上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時か
らの経過時間，帯電量の情報のうち、少なくとも１つを
含む。
るイベントは雰囲気温度の変化，連続コピ−枚数，感光
体上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時か
らの経過時間，帯電量の情報のうち、少なくとも１つを
含む。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の電子写真プロセスを使
用した画像形成装置の制御部には、ＣＰＵやＲＯＭ等か
らなる情報処理部と、感光体等を駆動する駆動制御部と
パッチ条件記憶部と露光制御部と帯電制御部とレ−ザ書
込値記憶部と表面電位記憶部と電位関数生成部と情報記
憶部及び係数更新処理部を有する。
用した画像形成装置の制御部には、ＣＰＵやＲＯＭ等か
らなる情報処理部と、感光体等を駆動する駆動制御部と
パッチ条件記憶部と露光制御部と帯電制御部とレ−ザ書
込値記憶部と表面電位記憶部と電位関数生成部と情報記
憶部及び係数更新処理部を有する。
【０００９】そして画像形成装置の電源がオンになって
定着部の温度が上昇して動作可能状態になるまでの待機
時間に、情報処理部は帯電制御部と露光制御部にテスト
パッチの作成を指示する。テストパッチの作成が指示さ
れると、帯電制御部は一定の帯電条件で感光体の表面を
帯電させ、露光制御部はパッチ条件記憶部に記憶された
複数ｎの異なるレ−ザ書込値Ｌｎにより感光体表面に階
調が異なる複数ｎのテストパッチの静電潜像を形成す
る。この形成された複数ｎのテストパッチのレ−ザ書込
値Ｌをレ−ザ書込値記憶部に記憶する。一方、電位セン
サは各テストパッチの表面電位Ｖを測定し表面電位記憶
部に記憶させる。電位関数生成部はレ−ザ書込値記憶部
に記憶した各テストパッチのレ−ザ書込値Ｌと表面電位
記憶部に記憶した各テストパッチの表面電位Ｖを入力
し、複数のテストパッチのレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖ
の分布特性を得る。このテストパッチのレ−ザ書込値Ｌ
と表面電位Ｖの分布特性を高次近似して、感光体の特性
すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を示す潜像
電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決定した潜像電位関数
Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を情報記憶部に格納する。情報処
理部は情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）
により感光体の特性を把握し、入力した画像のレ−ザ書
込値Ｌ等のプロセスコントロ−ルを行い画像形成処理を
行う。
定着部の温度が上昇して動作可能状態になるまでの待機
時間に、情報処理部は帯電制御部と露光制御部にテスト
パッチの作成を指示する。テストパッチの作成が指示さ
れると、帯電制御部は一定の帯電条件で感光体の表面を
帯電させ、露光制御部はパッチ条件記憶部に記憶された
複数ｎの異なるレ−ザ書込値Ｌｎにより感光体表面に階
調が異なる複数ｎのテストパッチの静電潜像を形成す
る。この形成された複数ｎのテストパッチのレ−ザ書込
値Ｌをレ−ザ書込値記憶部に記憶する。一方、電位セン
サは各テストパッチの表面電位Ｖを測定し表面電位記憶
部に記憶させる。電位関数生成部はレ−ザ書込値記憶部
に記憶した各テストパッチのレ−ザ書込値Ｌと表面電位
記憶部に記憶した各テストパッチの表面電位Ｖを入力
し、複数のテストパッチのレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖ
の分布特性を得る。このテストパッチのレ−ザ書込値Ｌ
と表面電位Ｖの分布特性を高次近似して、感光体の特性
すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を示す潜像
電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決定した潜像電位関数
Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を情報記憶部に格納する。情報処
理部は情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）
により感光体の特性を把握し、入力した画像のレ−ザ書
込値Ｌ等のプロセスコントロ−ルを行い画像形成処理を
行う。
【００１０】この画像形成処理を行っているときに、情
報処理部は雰囲気温度の変化等感光体の特性になんらか
の変化を与えるイベントが発生したときに、帯電制御部
と露光制御部に補正用のパッチの作成を指示するととも
に係数更新処理部に補正処理を指示する。補正用のパッ
チの作成が指示されると、帯電制御部は一定の帯電条件
で感光体の表面を帯電させ、露光制御部はパッチ条件記
憶部に記憶されたテストパッチの個数ｎより少ない複数
ｅの補正用パッチの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅ
により感光体表面に形成する。この形成された複数の補
正用パッチのレ−ザ書込値Ｌをレ−ザ書込値記憶部に記
憶するとともに、電位センサで検出した各補正用パッチ
の表面電位Ｖを表面電位記憶部に記憶させる。係数更新
処理部は記憶した各補正用パッチのレ−ザ書込値Ｌと表
面電位Ｖにより情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝
ｆ（Ｌ）の係数を補正して更新する。情報処理部は記憶
は情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）によ
り感光体の特性を正確に把握し、プロセスコントロ−ル
を行い良質な画像を形成する。
報処理部は雰囲気温度の変化等感光体の特性になんらか
の変化を与えるイベントが発生したときに、帯電制御部
と露光制御部に補正用のパッチの作成を指示するととも
に係数更新処理部に補正処理を指示する。補正用のパッ
チの作成が指示されると、帯電制御部は一定の帯電条件
で感光体の表面を帯電させ、露光制御部はパッチ条件記
憶部に記憶されたテストパッチの個数ｎより少ない複数
ｅの補正用パッチの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅ
により感光体表面に形成する。この形成された複数の補
正用パッチのレ−ザ書込値Ｌをレ−ザ書込値記憶部に記
憶するとともに、電位センサで検出した各補正用パッチ
の表面電位Ｖを表面電位記憶部に記憶させる。係数更新
処理部は記憶した各補正用パッチのレ−ザ書込値Ｌと表
面電位Ｖにより情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝
ｆ（Ｌ）の係数を補正して更新する。情報処理部は記憶
は情報記憶部に記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）によ
り感光体の特性を正確に把握し、プロセスコントロ−ル
を行い良質な画像を形成する。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の構成図である。
図に示すように、画像形成装置は原稿台１に載置され、
原稿カバ−２で押さえられた原稿３に光源４から光を照
射し、その反射光を複数のミラ−５ａ，５ｂやレンズ６
を介してＣＣＤ７に入射して原稿３の画像をＣＣＤ７で
読み取る。ＣＣＤ７で読み取った画像信号をＡ／Ｄ変換
部８でデジタル信号に変換した後、原稿画像処理部９で
所定の画像処理を行い、入力画像信号として露光操作値
決定部１０に送る。露光操作値決定部１０は送られた入
力画像信号に画像信号変換処理を行い、入力画像信号に
対応した出力画像信号を決定し、決定した出力画像信号
を半導体レ−ザ素子などで構成される露光制御部１１に
送る。露光制御部１１は送られた出力画像信号により半
導体レ−ザ素子を駆動制御して、出力画像信号に対応し
たレ−ザ光で感光体１２を露光する。感光体１２の表面
には帯電制御部１３で制御された所定の電荷が帯電器１
４により付与されており、露光したレ−ザ光で静電潜像
を形成する。
図に示すように、画像形成装置は原稿台１に載置され、
原稿カバ−２で押さえられた原稿３に光源４から光を照
射し、その反射光を複数のミラ−５ａ，５ｂやレンズ６
を介してＣＣＤ７に入射して原稿３の画像をＣＣＤ７で
読み取る。ＣＣＤ７で読み取った画像信号をＡ／Ｄ変換
部８でデジタル信号に変換した後、原稿画像処理部９で
所定の画像処理を行い、入力画像信号として露光操作値
決定部１０に送る。露光操作値決定部１０は送られた入
力画像信号に画像信号変換処理を行い、入力画像信号に
対応した出力画像信号を決定し、決定した出力画像信号
を半導体レ−ザ素子などで構成される露光制御部１１に
送る。露光制御部１１は送られた出力画像信号により半
導体レ−ザ素子を駆動制御して、出力画像信号に対応し
たレ−ザ光で感光体１２を露光する。感光体１２の表面
には帯電制御部１３で制御された所定の電荷が帯電器１
４により付与されており、露光したレ−ザ光で静電潜像
を形成する。
【００１２】感光体１２の周りには、感光体１２に形成
された静電潜像にトナ−を付着させ可視画像化する現像
部１５と、中間転写部１６及び感光体クリ−ニング部１
７を有する。中間転写部１６は中間転写ベルト１８とバ
イアス印加ロ−ラ１９とテンションロ−ラ２０及びクリ
−ニング部２１を有する。そして感光体１２表面に形成
された静電潜像を現像部１５で可視化し、このトナ−像
を中間転写ベルト１８に転写する。中間転写ベルト１８
に転写したトナ−像は給紙部２２から送られた転写紙２
３に転写部２４で転写される。トナ−像を転写した転写
紙２３は搬送部２５により定着部２６に搬送されて定着
され排紙トレイ２７に排紙される。このように画像を形
成するときの環境情報を検出するセンサとして、感光体
１２の電位を検出する電位センサ２８や感光体１２表面
のトナ−像のトナ−付着量を測定する光学センサ２９や
温度センサ３０，コピ−カウンタ３１等が設けられてい
る。
された静電潜像にトナ−を付着させ可視画像化する現像
部１５と、中間転写部１６及び感光体クリ−ニング部１
７を有する。中間転写部１６は中間転写ベルト１８とバ
イアス印加ロ−ラ１９とテンションロ−ラ２０及びクリ
−ニング部２１を有する。そして感光体１２表面に形成
された静電潜像を現像部１５で可視化し、このトナ−像
を中間転写ベルト１８に転写する。中間転写ベルト１８
に転写したトナ−像は給紙部２２から送られた転写紙２
３に転写部２４で転写される。トナ−像を転写した転写
紙２３は搬送部２５により定着部２６に搬送されて定着
され排紙トレイ２７に排紙される。このように画像を形
成するときの環境情報を検出するセンサとして、感光体
１２の電位を検出する電位センサ２８や感光体１２表面
のトナ−像のトナ−付着量を測定する光学センサ２９や
温度センサ３０，コピ−カウンタ３１等が設けられてい
る。
【００１３】この画像形成装置の制御部には、図２のブ
ロック図に示すように、ＣＰＵやＲＯＭ等からなる情報
処理部４１と、感光体１２や中間転写部１６等を駆動す
る駆動制御部４２と条件入力部４３とパッチ条件記憶部
４４とレ−ザ書込値記憶部４５と表面電位記憶部４６と
電位関数生成部４７と情報記憶部４８及び係数更新処理
部４９を有する。条件入力部４３は電位センサ２８や温
度センサ３０，コピ−カウンタ３１で検出した表面電位
や雰囲気温度，コピ−枚数等を入力して情報処理部４１
に送る。パッチ条件記憶部４４には初期時に感光体１２
に形成する複数ｎのテストパッチの異なるレ−ザ書込値
Ｌｎと、感光体１２の特性になんらかの変化を与えるイ
ベントが発生したときに、感光体１２に形成するテスト
パッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの異なるレ−ザ書込
値Ｌｅが格納されている。複数ｎのテストパッチを形成
するレ−ザ書込値Ｌｎは０〜255階調をほぼ当間隔で区
分けして定められている。レ−ザ書込値記憶部４５は複
数ｎのテストパッチを形成したときに、形成されたテス
トパッチそれぞれのレ−ザ書込値Ｌｎを記憶し、複数ｅ
のパッチを形成したときに、形成されたパッチそれぞれ
のレ−ザ書込値Ｌｅを記憶する。表面電位記憶部４６は
複数ｎのテストパッチと複数ｅのパッチを形成したとき
に、電位センサ２８で測定した感光体１２の表面の各テ
ストパッチと各パッチの電位を記憶する。電位関数生成
部４７はレ−ザ書込値記憶部４５に記憶した複数ｎのテ
ストパッチのレ−ザ書込値Ｌｎと表面電位記憶部４６に
記憶した各テストパッチの表面電位Ｖｎから、感光体１
２の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を
示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定して情報記憶部４
８に格納する。係数更新処理部４９は感光体の特性にな
んらかの変化を与えるイベントが発生したときに、レ−
ザ書込値記憶部４５に記憶した複数ｅのパッチのレ−ザ
書込値Ｌｅと表面電位記憶部４６に記憶した各パッチの
表面電位Ｖｅから情報記憶部４８に記憶した潜像電位関
数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を更新する。
ロック図に示すように、ＣＰＵやＲＯＭ等からなる情報
処理部４１と、感光体１２や中間転写部１６等を駆動す
る駆動制御部４２と条件入力部４３とパッチ条件記憶部
４４とレ−ザ書込値記憶部４５と表面電位記憶部４６と
電位関数生成部４７と情報記憶部４８及び係数更新処理
部４９を有する。条件入力部４３は電位センサ２８や温
度センサ３０，コピ−カウンタ３１で検出した表面電位
や雰囲気温度，コピ−枚数等を入力して情報処理部４１
に送る。パッチ条件記憶部４４には初期時に感光体１２
に形成する複数ｎのテストパッチの異なるレ−ザ書込値
Ｌｎと、感光体１２の特性になんらかの変化を与えるイ
ベントが発生したときに、感光体１２に形成するテスト
パッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの異なるレ−ザ書込
値Ｌｅが格納されている。複数ｎのテストパッチを形成
するレ−ザ書込値Ｌｎは０〜255階調をほぼ当間隔で区
分けして定められている。レ−ザ書込値記憶部４５は複
数ｎのテストパッチを形成したときに、形成されたテス
トパッチそれぞれのレ−ザ書込値Ｌｎを記憶し、複数ｅ
のパッチを形成したときに、形成されたパッチそれぞれ
のレ−ザ書込値Ｌｅを記憶する。表面電位記憶部４６は
複数ｎのテストパッチと複数ｅのパッチを形成したとき
に、電位センサ２８で測定した感光体１２の表面の各テ
ストパッチと各パッチの電位を記憶する。電位関数生成
部４７はレ−ザ書込値記憶部４５に記憶した複数ｎのテ
ストパッチのレ−ザ書込値Ｌｎと表面電位記憶部４６に
記憶した各テストパッチの表面電位Ｖｎから、感光体１
２の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を
示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定して情報記憶部４
８に格納する。係数更新処理部４９は感光体の特性にな
んらかの変化を与えるイベントが発生したときに、レ−
ザ書込値記憶部４５に記憶した複数ｅのパッチのレ−ザ
書込値Ｌｅと表面電位記憶部４６に記憶した各パッチの
表面電位Ｖｅから情報記憶部４８に記憶した潜像電位関
数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を更新する。
【００１４】上記のように構成された画像形成装置で感
光体１２の特性を示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定
し、決定した潜像電位関数の係数を補正するときの動作
を図３のレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの特性図を参照し
て説明する。
光体１２の特性を示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定
し、決定した潜像電位関数の係数を補正するときの動作
を図３のレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの特性図を参照し
て説明する。
【００１５】例えば画像形成装置の電源がオンになって
定着部２６の温度が上昇して動作可能状態になるまでの
待機時間に、情報処理部４１は帯電制御部１３と露光制
御部１１にテストパッチの作成を指示する。テストパッ
チの作成が指示されると、帯電制御部１３は一定の帯電
条件で感光体１２の表面を帯電させ、露光制御部１１は
パッチ条件記憶部４４に記憶された複数ｎ例えば８個の
テストパッチの異なるレ−ザ書込値Ｌｎにより感光体１
２表面に、例えば図４に示すように複数ｎのテストパッ
チ５１ａ〜５１ｎの静電潜像を形成する。感光体１２表
面に形成されたテストパッチ５１ａ〜５１ｎのレ−ザ書
込値Ｌｎは０〜255階調をほぼ当間隔で区分けして定め
られているため、図４に示すように階調度が異なる潜像
になる。ここで図４は感光体１２上のテストパッチ５１
ａ〜５１ｎの様子を平面展開したものであり、実際に感
光体１２表面に形成されたテストパッチ５１ａ〜５１ｎ
は静電潜像であるから、図４に示すように濃淡は見えな
いが、説明の便宜上濃淡を示す。
定着部２６の温度が上昇して動作可能状態になるまでの
待機時間に、情報処理部４１は帯電制御部１３と露光制
御部１１にテストパッチの作成を指示する。テストパッ
チの作成が指示されると、帯電制御部１３は一定の帯電
条件で感光体１２の表面を帯電させ、露光制御部１１は
パッチ条件記憶部４４に記憶された複数ｎ例えば８個の
テストパッチの異なるレ−ザ書込値Ｌｎにより感光体１
２表面に、例えば図４に示すように複数ｎのテストパッ
チ５１ａ〜５１ｎの静電潜像を形成する。感光体１２表
面に形成されたテストパッチ５１ａ〜５１ｎのレ−ザ書
込値Ｌｎは０〜255階調をほぼ当間隔で区分けして定め
られているため、図４に示すように階調度が異なる潜像
になる。ここで図４は感光体１２上のテストパッチ５１
ａ〜５１ｎの様子を平面展開したものであり、実際に感
光体１２表面に形成されたテストパッチ５１ａ〜５１ｎ
は静電潜像であるから、図４に示すように濃淡は見えな
いが、説明の便宜上濃淡を示す。
【００１６】この形成された複数ｎのテストパッチ５１
ａ〜５１ｎのレ−ザ書込値Ｌna〜Ｌnnをレ−ザ書込値記
憶部４５に記憶する。一方、電位センサ２８はテストパ
ッチ５１ａ〜５１ｎの表面電位Ｖを測定し表面電位記憶
部４６に記憶させる。電位関数生成部４７はレ−ザ書込
値記憶部４５に記憶したテストパッチ５１ａ〜５１ｎの
レ−ザ書込値Ｌna〜Ｌnnと表面電位記憶部４６に記憶し
たテストパッチ５１ａ〜５１ｎの表面電位Ｖna〜Ｖnnを
入力し、図３（ａ）に示すようなテストパッチ５１ａ〜
５１ｎのレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの分布特性を得
る。このテストパッチ５１ａ〜５１ｎのレ−ザ書込値Ｌ
na〜Ｌnnと表面電位Ｖna〜Ｖnnの分布特性を例えば３次
〜６次等の高次近似して、図３（ｂ）に示す感光体１２
の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を示
す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決定した潜像電
位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を情報記憶部４８に格納す
る。情報処理部４１は記憶は情報記憶部４８に記憶した
潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）により感光体１２の特性を把
握し、入力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコン
トロ−ルを行い画像形成処理を行う。この画像形成処理
を行っているときに、情報処理部４１は温度センサ３０
で検出した雰囲気温度の変化や連続コピ−枚数，感光体
１２上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時
からの経過時間等のプロセス条件を情報記憶部４８に格
納しておく。
ａ〜５１ｎのレ−ザ書込値Ｌna〜Ｌnnをレ−ザ書込値記
憶部４５に記憶する。一方、電位センサ２８はテストパ
ッチ５１ａ〜５１ｎの表面電位Ｖを測定し表面電位記憶
部４６に記憶させる。電位関数生成部４７はレ−ザ書込
値記憶部４５に記憶したテストパッチ５１ａ〜５１ｎの
レ−ザ書込値Ｌna〜Ｌnnと表面電位記憶部４６に記憶し
たテストパッチ５１ａ〜５１ｎの表面電位Ｖna〜Ｖnnを
入力し、図３（ａ）に示すようなテストパッチ５１ａ〜
５１ｎのレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの分布特性を得
る。このテストパッチ５１ａ〜５１ｎのレ−ザ書込値Ｌ
na〜Ｌnnと表面電位Ｖna〜Ｖnnの分布特性を例えば３次
〜６次等の高次近似して、図３（ｂ）に示す感光体１２
の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖの関係を示
す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決定した潜像電
位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を情報記憶部４８に格納す
る。情報処理部４１は記憶は情報記憶部４８に記憶した
潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）により感光体１２の特性を把
握し、入力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコン
トロ−ルを行い画像形成処理を行う。この画像形成処理
を行っているときに、情報処理部４１は温度センサ３０
で検出した雰囲気温度の変化や連続コピ−枚数，感光体
１２上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時
からの経過時間等のプロセス条件を情報記憶部４８に格
納しておく。
【００１７】この画像形成処理を行っているときに、情
報処理部４１は雰囲気温度の変化等感光体１２の特性に
なんらかの変化を与えるイベントが発生したときに、帯
電制御部１３と露光制御部１１に補正用のパッチの作成
を指示するとともに係数更新処理部４９に補正処理を指
示する。補正用のパッチの作成が指示されると、帯電制
御部１３は一定の帯電条件で感光体１２の表面を帯電さ
せ、露光制御部１１はパッチ条件記憶部４４に記憶され
た複数ｅ、例えば図３（ｃ）に示すように、３個のパッ
チ５２ａ〜５２ｃの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅ
により感光体１２表面に形成する。この形成された複数
のパッチ５２ａ〜５２ｃのレ−ザ書込値Ｌea〜Ｌecをレ
−ザ書込値記憶部４５に記憶する。一方、電位センサ２
８はパッチ５２ａ〜５２ｃの表面電位Ｖea〜Ｖecを測定
し表面電位記憶部４６に記憶させる。係数更新処理部４
９は補正処理の指示がされるとレ−ザ書込値記憶部４５
に記憶したパッチ５２ａ〜５２ｃのレ−ザ書込値Ｌea〜
Ｌecと表面電位記憶部４６に記憶したパッチ５２ａ〜５
２ｃの表面電位Ｖea〜Ｖecを入力し情報記憶部４８に記
憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を補正して更新
する。
報処理部４１は雰囲気温度の変化等感光体１２の特性に
なんらかの変化を与えるイベントが発生したときに、帯
電制御部１３と露光制御部１１に補正用のパッチの作成
を指示するとともに係数更新処理部４９に補正処理を指
示する。補正用のパッチの作成が指示されると、帯電制
御部１３は一定の帯電条件で感光体１２の表面を帯電さ
せ、露光制御部１１はパッチ条件記憶部４４に記憶され
た複数ｅ、例えば図３（ｃ）に示すように、３個のパッ
チ５２ａ〜５２ｃの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅ
により感光体１２表面に形成する。この形成された複数
のパッチ５２ａ〜５２ｃのレ−ザ書込値Ｌea〜Ｌecをレ
−ザ書込値記憶部４５に記憶する。一方、電位センサ２
８はパッチ５２ａ〜５２ｃの表面電位Ｖea〜Ｖecを測定
し表面電位記憶部４６に記憶させる。係数更新処理部４
９は補正処理の指示がされるとレ−ザ書込値記憶部４５
に記憶したパッチ５２ａ〜５２ｃのレ−ザ書込値Ｌea〜
Ｌecと表面電位記憶部４６に記憶したパッチ５２ａ〜５
２ｃの表面電位Ｖea〜Ｖecを入力し情報記憶部４８に記
憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を補正して更新
する。
【００１８】この潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を補
正するときに、Ｖ＝ｆ（Ｌ）をαＶ＝ｆ（βＬ）＋γと
して、レ−ザ書込値Ｌea〜Ｌecと表面電位Ｖea〜Ｖecを
満たすように係数α，β，γを決定する。このときＶ＝
ｆ（Ｌ）は高次の項を含むので高次の線形方程式の根を
求める。このようにして、図３（ｄ）に示すように、パ
ッチ５２ａ〜５２ｃ補正した潜像電位関数Ｖ＝ｆ
1（Ｌ）を求めることができる。但し、ｆ1（Ｌ）＝｛ｆ
（βＬ）＋γ｝／αである。この補正した潜像電位関数
Ｖ＝ｆ1（Ｌ）と各係数を情報記憶部４８に記憶する。
情報処理部４１は情報記憶部４８に記憶した潜像電位関
数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）により感光体１２の特性を把握し、入
力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコントロ−ル
を行い画像形成処理を行う。
正するときに、Ｖ＝ｆ（Ｌ）をαＶ＝ｆ（βＬ）＋γと
して、レ−ザ書込値Ｌea〜Ｌecと表面電位Ｖea〜Ｖecを
満たすように係数α，β，γを決定する。このときＶ＝
ｆ（Ｌ）は高次の項を含むので高次の線形方程式の根を
求める。このようにして、図３（ｄ）に示すように、パ
ッチ５２ａ〜５２ｃ補正した潜像電位関数Ｖ＝ｆ
1（Ｌ）を求めることができる。但し、ｆ1（Ｌ）＝｛ｆ
（βＬ）＋γ｝／αである。この補正した潜像電位関数
Ｖ＝ｆ1（Ｌ）と各係数を情報記憶部４８に記憶する。
情報処理部４１は情報記憶部４８に記憶した潜像電位関
数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）により感光体１２の特性を把握し、入
力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコントロ−ル
を行い画像形成処理を行う。
【００１９】このように雰囲気温度の変化等感光体１２
の特性になんらかの変化を与えるイベントが発生したと
きに感光体１２の特性を示す潜像電位関数を補正し、潜
像電位関数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）により感光体１２の特性を把
握し、入力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコン
トロ−ルをするから、感光体１２の特性を正確に把握す
ることができ、多階調の画像を安定して形成することが
できる。
の特性になんらかの変化を与えるイベントが発生したと
きに感光体１２の特性を示す潜像電位関数を補正し、潜
像電位関数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）により感光体１２の特性を把
握し、入力した画像のレ−ザ書込値Ｌ等のプロセスコン
トロ−ルをするから、感光体１２の特性を正確に把握す
ることができ、多階調の画像を安定して形成することが
できる。
【００２０】なお、上記実施例はテストパッチ５１を８
個形成した場合について説明したが、８点に限らず、精
度の向上のためにはテストパッチ５１の個数を多くした
ほうが良い。また、テストパッチ５１を作成するときの
露光ムラや感光体１２上の感度ムラを避けるために、位
置をずらして同じ書き込み値のテストパッチ５１を複数
個作成して平均化処理を行うことが望ましい。
個形成した場合について説明したが、８点に限らず、精
度の向上のためにはテストパッチ５１の個数を多くした
ほうが良い。また、テストパッチ５１を作成するときの
露光ムラや感光体１２上の感度ムラを避けるために、位
置をずらして同じ書き込み値のテストパッチ５１を複数
個作成して平均化処理を行うことが望ましい。
【００２１】また、上記実施例は補正用パッチ５２を３
個形成した場合について説明したが、少なくともレ−ザ
書込値Ｌの最大点と最小点の２個の補正用パッチ５２を
作成して潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を補正するよ
うにしても良い。この場合は、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）をαＶ＝ｆ（Ｌ）＋γとして２個の補正用パッチ
５２のレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖを満たすように係数
α，γを決定すれば良い。この場合は補正用パッチ５２
の個数が少ない分だけ若干精度が落ちるが、係数βの高
次関数の解を求める必要がない分だけ計算処理が容易に
なり、係数更新処理部４９の構成を簡略化することがで
きるとともに処理時間を短縮することができる。
個形成した場合について説明したが、少なくともレ−ザ
書込値Ｌの最大点と最小点の２個の補正用パッチ５２を
作成して潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数を補正するよ
うにしても良い。この場合は、潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）をαＶ＝ｆ（Ｌ）＋γとして２個の補正用パッチ
５２のレ−ザ書込値Ｌと表面電位Ｖを満たすように係数
α，γを決定すれば良い。この場合は補正用パッチ５２
の個数が少ない分だけ若干精度が落ちるが、係数βの高
次関数の解を求める必要がない分だけ計算処理が容易に
なり、係数更新処理部４９の構成を簡略化することがで
きるとともに処理時間を短縮することができる。
【００２２】また、情報記録部４８に潜像電位関数と係
数とともに取りうる全てレ−ザ書込値Ｌを潜像電位関数
Ｖ＝ｆ（Ｌ）や補正後の潜像電位関数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）を
用いて潜像電位Ｖ値に変換したＬ−Ｖテ−ブルを作成し
て格納しておいても良い。このようにテ−ブル化して記
憶しておくことにより、情報処理部４１が感光体１２の
特性を参照するときの計算を省くことができる。
数とともに取りうる全てレ−ザ書込値Ｌを潜像電位関数
Ｖ＝ｆ（Ｌ）や補正後の潜像電位関数Ｖ＝ｆ1（Ｌ）を
用いて潜像電位Ｖ値に変換したＬ−Ｖテ−ブルを作成し
て格納しておいても良い。このようにテ−ブル化して記
憶しておくことにより、情報処理部４１が感光体１２の
特性を参照するときの計算を省くことができる。
【００２３】さらに、潜像電位関数を更新処理するとき
の補正用パッチ５２は３個又は２個と数が少ないから、
画像形成装置を稼働させながら係数の更新を行うことが
できる。例えば、連続コピ−時において、プリント間で
感光体１２上で入力画像を形成しない領域に補正用パッ
チ５２を形成しても良いし、露光が全て完了してから最
後の転写紙を排出するまでの時間に補正用パッチ５２を
形成して補正処理をしても良い。
の補正用パッチ５２は３個又は２個と数が少ないから、
画像形成装置を稼働させながら係数の更新を行うことが
できる。例えば、連続コピ−時において、プリント間で
感光体１２上で入力画像を形成しない領域に補正用パッ
チ５２を形成しても良いし、露光が全て完了してから最
後の転写紙を排出するまでの時間に補正用パッチ５２を
形成して補正処理をしても良い。
【００２４】また、上記実施例は０から255階調を１つ
の区画として潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を求めた場合に
ついて説明したが、図５に示すように、０から255階調
を複数例えば３つに分割し、分割した各区間ＬＡ，Ｌ
Ｂ，ＬＣ毎にテストパッチ５１ａ〜５１ｎを形成して潜
像電位関数を求め、分割した各区間ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ毎
に補正用パッチ５２ａ〜５２ｄを形成して潜像電位関数
を更新するようにしても良い。このように分割した各区
間ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ毎に潜像電位関数を求めて更新する
ことにより、感光体１２の特性を正確に把握することが
できとともに、残留電位の影響を除くこともできる。
の区画として潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を求めた場合に
ついて説明したが、図５に示すように、０から255階調
を複数例えば３つに分割し、分割した各区間ＬＡ，Ｌ
Ｂ，ＬＣ毎にテストパッチ５１ａ〜５１ｎを形成して潜
像電位関数を求め、分割した各区間ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ毎
に補正用パッチ５２ａ〜５２ｄを形成して潜像電位関数
を更新するようにしても良い。このように分割した各区
間ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ毎に潜像電位関数を求めて更新する
ことにより、感光体１２の特性を正確に把握することが
できとともに、残留電位の影響を除くこともできる。
【００２５】また、上記実施例は感光体１２を１個使用
したモノクロの画像形成装置について説明したが、感光
体１２を４個使用したカラ−の画像形成装置にも適用す
ることができる。この場合は各感光体毎に潜像電位関数
を求めて補正するようにすれば良い。
したモノクロの画像形成装置について説明したが、感光
体１２を４個使用したカラ−の画像形成装置にも適用す
ることができる。この場合は各感光体毎に潜像電位関数
を求めて補正するようにすれば良い。
【００２６】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、一定の
帯電条件で感光体の表面を帯電させ、複数ｎの異なるレ
−ザ書込値Ｌｎにより感光体表面に階調が異なる複数ｎ
のテストパッチの静電潜像を形成し、各テストパッチの
レ−ザ書込値Ｌと各テストパッチの表面電位Ｖの分布特
性から感光体の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位
Ｖの関係を示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決
定した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を記憶し、記
憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）により感光体の特性を
把握するから、経時的に変化する感光体の特性を正確に
把握することができ、良質が画像を安定して形成するこ
とができる。
帯電条件で感光体の表面を帯電させ、複数ｎの異なるレ
−ザ書込値Ｌｎにより感光体表面に階調が異なる複数ｎ
のテストパッチの静電潜像を形成し、各テストパッチの
レ−ザ書込値Ｌと各テストパッチの表面電位Ｖの分布特
性から感光体の特性すなわちレ−ザ書込値Ｌと表面電位
Ｖの関係を示す潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、決
定した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）と各係数を記憶し、記
憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）により感光体の特性を
把握するから、経時的に変化する感光体の特性を正確に
把握することができ、良質が画像を安定して形成するこ
とができる。
【００２７】また、画像形成処理を行っているときに、
雰囲気温度の変化等感光体の特性になんらかの変化を与
えるイベントが発生したときに、テストパッチの個数ｎ
より少ない複数ｅの補正用パッチの静電潜像を異なるレ
−ザ書込値Ｌｅにより感光体表面に形成し、形成された
複数の補正用パッチのレ−ザ書込値Ｌｅと各補正用パッ
チの表面電位Ｖｅにより記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）の係数を補正して更新するから、変化した感光体
の特性を正確に把握することができ、雰囲気温度の変化
等の環境条件が変わっても良質な画像を安定して形成す
ることができる。
雰囲気温度の変化等感光体の特性になんらかの変化を与
えるイベントが発生したときに、テストパッチの個数ｎ
より少ない複数ｅの補正用パッチの静電潜像を異なるレ
−ザ書込値Ｌｅにより感光体表面に形成し、形成された
複数の補正用パッチのレ−ザ書込値Ｌｅと各補正用パッ
チの表面電位Ｖｅにより記憶した潜像電位関数Ｖ＝ｆ
（Ｌ）の係数を補正して更新するから、変化した感光体
の特性を正確に把握することができ、雰囲気温度の変化
等の環境条件が変わっても良質な画像を安定して形成す
ることができる。
【００２８】さらに、０から255階調を複数区分に分割
し、分割した各区間毎に潜像電位関数を求めて更新する
ことにより、感光体の特性を正確に把握することができ
とともに、残留電位の影響を除くこともできる。
し、分割した各区間毎に潜像電位関数を求めて更新する
ことにより、感光体の特性を正確に把握することができ
とともに、残留電位の影響を除くこともできる。
【図１】この発明の実施例の構成図である。
【図２】上記実施例の制御部の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図３】上記実施例の動作を示すレ−ザ書込値Ｌと表面
電位Ｖの特性図である。
電位Ｖの特性図である。
【図４】テストパッチの静電潜像の構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】他の実施例の動作を示すレ−ザ書込値Ｌと表面
電位Ｖの特性図である。
電位Ｖの特性図である。
１０ 露光操作値決定部 １１ 露光制御部 １２ 感光体 １３ 帯電制御部 ２８ 電位センサ ３０ 温度センサ ４１ 情報処理部 ４２ 駆動制御部 ４３ 条件入力部 ４４ パッチ条件記憶部 ４５ レ−ザ書込値記憶部 ４６ 表面電位記憶部 ４７ 電位関数生成部 ４８ 情報記憶部 ４９ 係数更新処理部
Claims (6)
- 【請求項１】 異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数ｎのテス
トパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電条件のも
とで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの表面電位
Ｖｎを測定し、測定した複数ｎのテストパッチの表面電
位Ｖｎと各テストパッチの静電潜像を作成したときのレ
−ザ書込値Ｌｎから潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定
し、感光体の特性になんらかの変化を与えるイベントが
発生したときに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定する
ために作成したテストパッチ数ｎより少ない数ｅのパッ
チの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成
したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関
数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋
γとし、測定したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッ
チの静電潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満た
すように潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数α，β，γを
更新することを特徴とする潜像電位推定装置。 - 【請求項２】 異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数ｎのテス
トパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電条件のも
とで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの表面電位
Ｖｎを測定し、あらかじめ分割したレ−ザ書込値の区間
毎に測定した複数のテストパッチの表面電位Ｖと各テス
トパッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌか
ら潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体の特性に
なんらかの変化を与えるイベントが発生したときに、潜
像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定するために作成したテス
トパッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの静電潜像を異な
るレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成したｅ個のパッチの
表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高
次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋γとし、測定したｅ
個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッチの静電潜像を作成
したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満たすようにレ−ザ書込
値の各区間毎の潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数α，
β，γを更新することを特徴とする潜像電位推定装置。 - 【請求項３】 上記感光体の特性になんらかの変化を与
えるイベントは雰囲気温度の変化，連続コピ−枚数，感
光体上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時
からの経過時間，帯電量の情報のうち、少なくとも１つ
を含む請求項１又は２記載の潜像電位推定装置。 - 【請求項４】 異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数ｎのテス
トパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電条件のも
とで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの表面電位
Ｖｎを測定し、測定した複数ｎのテストパッチの表面電
位Ｖｎと各テストパッチの静電潜像を作成したときのレ
−ザ書込値Ｌｎから潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定
し、感光体の特性になんらかの変化を与えるイベントが
発生したときに、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定する
ために作成したテストパッチ数ｎより少ない数ｅのパッ
チの静電潜像を異なるレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成
したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関
数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋
γとし、測定したｅ個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッ
チの静電潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満た
すように潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数α，β，γを
更新することを特徴とする潜像電位推定方法。 - 【請求項５】 異なるレ−ザ書込値Ｌｎで複数ｎのテス
トパッチの静電潜像を感光体表面に一定の帯電条件のも
とで作成し、作成した複数ｎのテストパッチの表面電位
Ｖｎを測定し、あらかじめ分割したレ−ザ書込値の区間
毎に測定した複数のテストパッチの表面電位Ｖと各テス
トパッチの静電潜像を作成したときのレ−ザ書込値Ｌか
ら潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定し、感光体の特性に
なんらかの変化を与えるイベントが発生したときに、潜
像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を決定するために作成したテス
トパッチ数ｎより少ない数ｅのパッチの静電潜像を異な
るレ−ザ書込値Ｌｅで作成し、作成したｅ個のパッチの
表面電位Ｖｅを測定し、潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）を高
次の線形方程式αＶ＝ｆ（βＬ）＋γとし、測定したｅ
個のパッチの表面電位Ｖｅと各パッチの静電潜像を作成
したときのレ−ザ書込値Ｌｅを満たすようにレ−ザ書込
値の各区間毎の潜像電位関数Ｖ＝ｆ（Ｌ）の係数α，
β，γを更新することを特徴とする潜像電位推定方法。 - 【請求項６】 上記感光体の特性になんらかの変化を与
えるイベントは雰囲気温度の変化，連続コピ−枚数，感
光体上における通算画像形成回数，最後のコピ−終了時
からの経過時間，帯電量の情報のうち、少なくとも１つ
を含む請求項４又は５記載の潜像電位推定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8246979A JP2955237B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 潜像電位推定装置及び潜像電位推定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8246979A JP2955237B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 潜像電位推定装置及び潜像電位推定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073975A JPH1073975A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2955237B2 true JP2955237B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17156570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8246979A Expired - Fee Related JP2955237B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 潜像電位推定装置及び潜像電位推定方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2955237B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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