JP2943362B2 - 導電性インキならびに導電性厚膜パターンの形成方法 - Google Patents
導電性インキならびに導電性厚膜パターンの形成方法Info
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Description
ターンを形成するための方法およびそれに用いる導電性
インキに関するものである。
ターン形成方法としてスクリーン印刷が用いられてい
が、工業製品として量産可能なパターン幅は100μm
が限度である。スクリーンのメッシュを変えることによ
りパターン幅30μmが可能であるとの報告が、池上、
後藤、徳丸により『電子材料;1989年5月号,P4
4;ハイブリッドマイクロエレクトロニクスにおけるパ
ターンニング技術』になされているが、まだ実験室レベ
ルの段階である。
るスクリーン印刷用導電性ペーストでは、エチルセルロ
ース樹脂やアクリル樹脂をバインダに含んでいるものが
あり、インキの粘度は高く、オフセット印刷にはそのま
ま使用できない。
製品として量産可能なパターン幅が100μmが限度と
なる理由は、メッシュ状のスクリーンを用いるため、メ
ッシュの影響によりパターンの直線性の阻害、欠けによ
る断線が発生するために、スクリーン印刷で工業製品と
して量産可能なパターン幅は100μmが限度である。
512でオフセット印刷による厚膜印刷法が示されてい
る。しかしここでは軟質物質のゴム硬度が30度以下で
あり、ピッチ100μm以下の微細パターンではパター
ンの忠実な再現は難しい。
るスクリーン印刷用ペーストでは、エチルセルロース樹
脂やアクリル樹脂をビヒクルに含んでいるものがある。
日本国特許公開平2−228375では、厚膜ぺ−スト
の有機バインダーとして分子量5万〜50万のアクリル
樹脂が実施例で使用されている。しかし、このようなイ
ンキの粘度は高く、オフセット印刷にはそのまま使用で
きない。転写量を大きくし、印刷特性を向上させるため
に、樹脂量を増加させる方法がある。ところが、印刷特
性を保ちながら高分子量の樹脂を増加させるためには溶
剤量も増大させなければならず、インキ中の顔料濃度が
低下しインキ密度の低い膜になる問題がある。さらに、
樹脂の含有量を単に高くするだけでは樹脂の飛散性が悪
化し、焼成中にバインダが完全に飛散せずにカ−ボン粒
子となって残存し、抵抗値に大きく影響を与える。
で、エッジの直線性に優れ、スケ、欠け等の発生が少な
い高品質の微細パターン、特にパターン幅が100μm
以下の微細パターンを得るために、オフセット印刷を用
いた導電性厚膜パターン製品を量産するための導電性厚
膜パターン形成法を提供することである。
形成法に適した導電性インキを供給することである。
めに本発明の導電性厚膜パターンの形成方法は、導電性
インキを凹版の凹部に充填する工程、凹版の凹部中の導
電性インキをシリコーン樹脂を主体とする弾性体にて表
面被覆したブランケット上に転写する工程、前記ブラン
ケット上に転写された導電性厚膜パターンを基板上に転
写印刷する工程、転写された導電性厚膜パターンを焼成
して有機物を飛散させる工程、転写された導電性厚膜パ
ターンを焼結させる工程より構成されるものである。
金属粉末、ガラスフリット、遷移金属酸化物、および分
散剤と、ポリiso−ブチルメタクリレート(i-BMA)、ポリ
iso−プロピルメタアクリレート(i-PMA)、ポリメチルメ
タクリレート(MMA)、ポリテトラフルオロエチレン、ま
たはポリ−α−メチルスチレン(α-MeSt)のうち少なく
とも1種以上から構成される有機バインダ、またはポリ
−α−メチルスチレンとポリiso−ブチルメタクリレー
トの共重合体、ポリ−α−メチルスチレン、ポリiso−
ブチルメタクリレートとポリメチルメタクリレートの共
重合体、ポリ−α−メチルスチレンとポリiso−プロピ
ルメタクリレートの共重合体、ポリ−α−メチルスチレ
ン、ポリiso−プロピルメタクリレートとポリメチルメ
タクリレートの共重合体のうち少なくとも1種以上を有
機バインダとして含むビヒクルから構成されるものであ
る。前記導電性金属粉末としては、銅、金、または銀の
うち少なくとも1種以上を用いるのが好ましい。前記有
機バインダの重量平均分子量は10万〜1300の値を
有するものが好ましい。前記有機バインダ量はインキ全
体に対して2〜15重量%の値が好ましい。
考えた場合、前記インキ中の遷移金属酸化物量はインキ
全体量に対して0.5〜2.0重量%の値が、前記イン
キ中のガラスフリット量はインキ全体量に対して3〜4
重量%の値が好ましい。また、厚膜パターンの基板への
接着強度を考えた場合、前記分散剤量としてはインキ全
体量に対して0.05〜5.0重量%の値が好ましい。
印刷パターンの直線性を考慮した場合、ビヒクルを構成
する有機溶媒量が全粉末量に対して重量比で0.04〜
0.18が好ましい。
したインキの調製を可能とし、さらにオフセット印刷に
より、高精細のパターンを回路基板上に簡単に、しかも
従来のスクリーン印刷による方法よりもエッジの直線性
に優れ、スケ、欠け等の発生が少ない微細なパターンの
形成を可能とし、かつ精度の点からも高品質のパターン
が得られる点で有効である。
法、ならびに導電性インキに関する一実施例について、
図面を参照しながら説明する。
填方法の断面図である。(第1図(a))において10
1は凹版である。最初に、導電性インキ102を凹版1
01に滴下し、スクレーパー103で凹版の全面をかき
とり、凹部のみにインキを残す。
トへのパターンの転写方法の断面図である。(第1図
(b))において202は離型性の良好なゴム状弾性体
にて表面被覆されたブランケットである。ブランケット
は例えば、シリコーン樹脂・フッソ樹脂・ポリエチレン
樹脂等の中でシリコーン樹脂を主体としたゴム硬度30
〜60度(本発明中の硬度はすべて、JIS K−63
01,5−2,A形による。)の弾性体を5mm程度の
厚みで表面被覆したものでよい。203は前記ブランケ
ット202を凹版101に押しつけたことによりブラン
ケット上に形成されたパターンである。
ーンの基板への圧着転写方法の断面図である。302
は、ブランケット上のパターンを基板に圧着転写して得
られた所望のパターンである。凹版の凹部中のインキを
ブランケット上に転写する工程における転写圧力と、前
記ブランケット上に転写された導電性厚膜パターンを基
板上に転写印刷する工程における印刷圧力は2〜6kg
/cm2である。
(c))に示す工程により基板上に所望のパターンを形
成した後に、厚膜組成中に含まれる溶剤分を蒸発除去さ
せる場合には、100〜150℃で10分間乾燥を行
う。続いて焼成、焼結は最高温度部での所用時間が10
分、全焼成時間が60分となるように電気炉をプログラ
ミングする。
には、非酸化性雰囲気工程で焼成を行い、酸素濃度が1
0ppm以下であり焼成温度は850〜975℃であ
る。また、酸化性雰囲気工程での焼成は、焼成温度は8
50〜975℃である。
ガラスフリット、遷移金属酸化物、および分散剤と、ポ
リiso−ブチルメタクリレート、ポリiso−プロピルメタ
クリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリテトラフ
ルオロエチレン、またはポリ−α−メチルスチレンのう
ち少なくとも1種以上から構成される有機バインダを含
むビヒクルから構成される。さらに有機バインダが、ポ
リ−α−メチルスチレンと、ポリiso−ブチルメタクリ
レートの共重合体、好ましくは、ポリ−α−メチルスチ
レン5〜20重量%、ポリiso−ブチルメタクリレート
80〜95重量%の比からなる共重合体、または、ポリ
−α−メチルスチレン、ポリiso−ブチルメタクリレー
トと、ポリメチルメタクリレートの共重合体、好ましく
は、ポリ−α−メチルスチレン5〜20重量%、ポリis
o−ブチルメタクリレート55〜 75重量%、ポリメチ
ルメタクリレート20〜25重量%の比からなる共重合
体、またはポリ−α−メチルスチレンと、ポリiso−プ
ロピルメタクリレートの共重合体、好ましくはポリ−α
−メチルスチレン5〜20重量%、ポリiso−プロピル
メタクリレート80〜95重量%の比からなる共重合
体、または、ポリ−α−メチルスチレン、ポリiso−プ
ロピルメタクリレートと、ポリメチルメタクリレートの
共重合体、好ましくは、ポリ−α−メチルスチレン5〜
20重量%、ポリiso−プロピルメタクリレート55〜
75重量%、ポリメチルメタクリレート20〜25重量
%の比からなる共重合体より構成される。
たは銀のうち少なくとも1種以上を用いることが好まし
い。
ては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化第二クロム、酸化カ
ドミウム、一酸化ニッケルのうち少なくとも1種以上か
ら構成されることが好ましい。前記ビヒクルを構成する
有機溶媒はα−テルピネオール、ブチルカルビトール、
ブチルカルビトールアセテート、2、2、4-トリメチル1-3-
ヒドロキシペンチルイソブチレート、2-ブトキシエタノ
ール、2-エトキシエタノールのうち少なくとも1種以上
から構成されることが好ましい。
る有機溶媒量が3〜13重量%、ガラスフリット量が3
〜4重量%、遷移金属酸化物が0.5〜2.0重量%、
分散剤が0.05〜5.0重量%、導電性金属粉末が7
8〜86重量%の値から構成されることが好ましい。ま
た、導電性金属粉末の平均粒径は0.05〜3.0μm
であることが好ましい。
る。実施例1セラミック3本ロールを用い、下記組成の
ミルベースを6回通して練肉し、銅インキを作成した。
0,42,34,18μm、高さ4μmのパターンを印
刷した。以下に、印刷方法を示す。凹版は幅100,7
5,50,40,30μm、版の深さ13.5μmのパ
ターンをガラスにエッチングしたものを用い、上記銅イ
ンキを凹版上に滴下し、セラミック製のスクレーパーに
て凹版の全面をかきとり、版の凹部のみに銅インキを残
し、シリコーンゴム(JIS K−6301,5−2,
A形ゴム硬度で35度)で5mmの肉厚で表面被覆され
たブランケットを圧着し回転させて前記ブランケット上
にパターンを転写した。このときの印圧は5kg/cm
2で行った。さらに、前記パターンを形成したブランケ
ットを被転写体に圧着し回転させて被転写体上にパター
ンを転写した。得られたパターンは、直線性が良好で、
スケや欠け等の無い高品質のものであった。
ンゴムの硬度がタンポ印刷の様に非常に低い場合は(1
0度以下)、ゴム状弾性体の変形量が大きくなり凹版パ
ターンの忠実な再現ができなくなり、あまりに硬いとブ
ランケットとインキとの接触が悪くなり忠実なパターン
の再現が出来なくなった。表面被覆用の弾性体の硬度と
してJISゴム硬度の20度以上、望ましくは30〜6
0度の範囲のゴム硬度が最適であった。また印刷圧力が
低い場合(2Kg/cm2以下)では、ブランケットへ
のインキの転写量が少なくなり、印圧が大きい場合(6
Kg/cm2以上)では、ゴム状弾性体の変形量が大き
くなり凹版パターンの忠実な再現が出来なかった。印刷
圧力としては2〜6kg/cm2の範囲の圧力が最適で
あった。
下記組成のミルベースを6回通して練肉し銅インキを作
成した。
アオフセット方式により、アルミナ基板上に銅ファイン
パターンを印刷した。印刷されたパターンは、直線性、
膜厚精度共に良好であった。続いて基板上に印刷した銅
厚膜パターンを120℃で10分間乾燥させ、厚膜組成
中に含まれる溶剤分を蒸発除去させた。さらに窒素を用
いて、銅が酸化されないように酸素濃度が10ppm以
下である非酸化性雰囲気中で、有機バインダを完全に焼
失させるために高温保持部の温度を920℃に保った電
気炉で焼成を行った。焼成条件は、最高温度部での所要
時間が10分、全焼成時間が60分となるようにプログ
ラミングを設定した。この結果、印刷適正を持たせるた
めに含まれている有機ポリマ−が温度上昇と共に分解
し、エッジの直線性に優れ、スケ、欠けなどの発生が少
ない銅厚膜パターンを得ることが出来た。また剥離試験
にも耐えることができ、8〜15mΩ/□のシート抵抗
値であった。
で用いた銅インキの有機バインダ量を変化させた場合
の、全インキ量に対する有機バインダの重量百分率と、
銅インキの被転写体への転写量曲線(ブランケットへ転
写したインキ量の、凹版の凹部に充填したインキ量に対
する重量比率)、401および402を現すグラフを示
す。この時、転写量が多い領域は有機バインダ重量百分
率が2〜15重量%の範囲であり、最も転写量が多い領
域は有機バインダ重量百分率が2〜10重量%の範囲で
あった。
分子量と、銅インキの被転写体への転写量曲線(ブラン
ケットへ転写したインキ量の、凹版の凹部に充填したイ
ンキ量に対する重量比率)301を現すグラフを示す。
この時、転写量が多い領域は有機バインダの重量平均分
子量が1300〜10万の範囲であり、最も転写量が多
い領域は有機バインダの重量平均分子量が1300〜4
万の範囲であった。
みを示したが、他の導電性金属粉末についても同様の結
果であった。
記組成のミルベースを6回通して練肉し、金インキを作
成した。
て、実施例1と同様のグラビアオフセット方式により、
アルミナ基板上に幅85,60,42,34,18μ
m、高さ4μmのパターンを印刷した。得られたパター
ンは、直線性が良好で、スケや欠け等の無い高品質のも
のであった。さらに、実施例2と同一の非酸化性雰囲
気、焼成条件で金厚膜パターンを得た。剥離試験にも耐
えることができ、11〜21mΩ/□のシート抵抗値で
あった。
施例3と同じ金インキで、実施例1と同様のグラビアオ
フセット方式により、アルミナ基板上に金ファインパタ
ーンを印刷した。印刷されたパターンは、直線性、膜厚
精度共に良好であった。続いて基板上に印刷した金厚膜
パターンを120℃で10分間乾燥させ、厚膜組成中に
含まれる溶剤分を蒸発除去させた。さらに空気中で、高
温保持部の温度を850℃に保った電気炉で焼成を行っ
た。焼成条件は、最高温度部での所要時間が10分、全
焼成時間が60分となるようにプログラミングを設定し
た。この結果、印刷適正を持たせるために含まれている
有機ポリマ−が温度上昇と共に分解し、エッジの直線性
に優れ、スケ、欠けなどの発生が少ない金厚膜パターン
を得ることが出来た。また剥離試験にも耐えることがで
き、非酸化性雰囲気中で焼成した場合と同程度の13〜
22mΩ/□のシート抵抗値であった。
下記組成のミルベースを6回通して練肉し銀インキを作
成した。
アオフセット方式により、アルミナ基板上に幅85,6
0,42,34,18μm、高さ3μmの銀ファインパ
ターンを印刷した。印刷されたパターンは、直線性、膜
厚精度共に良好であった。続いて基板上に印刷した銀厚
膜パターンを、実施例2と同一の非酸化性雰囲気条件で
焼結を行った。この結果、印刷適正を持たせるために含
まれている有機ポリマ−が温度上昇と共に分解し、エッ
ジの直線性に優れ、スケ、欠けなどの発生が少ない銀厚
膜パターンを得ることが出来た。また剥離試験にも耐え
ることができ、7.5〜14.5mΩ/□のシート抵抗
値であった。
で、実施例1と同様のグラビアオフセット方式により、
アルミナ基板上に銀ファインパターンを印刷した。さら
に、実施例4と同一の条件で乾燥、焼成を行った。
れている有機ポリマ−が温度上昇と共に分解し、エッジ
の直線性に優れ、スケ、欠けなどの発生が少ない銀厚膜
パターンを得ることが出来た。また剥離試験にも耐える
ことができ、非酸化性雰囲気中で焼成した場合と同程度
の10〜16mΩ/□のシート抵抗値であった。
6回通して練肉し、銅インキを作成した。
アオフセット方式により、アルミナ基板上に銅ファイン
パターンを印刷した。続いて実施例2と同様の条件によ
り焼成を行った。この結果、エッジの直線性に優れ、ス
ケ、欠けなどの発生が少ない銅厚膜パターンを得ること
が出来た。また剥離試験にも耐えることができ、6〜1
3mΩ/□のシート抵抗値であった。平均粒径の小さい
粉末を使用することによりシート抵抗値が減少する。実
施例7では銅粉末について例を示したが、金、銀粉末、
及び混合物でも問題はない。
リiso−ブチルメタクリレート(i-BMA)と、ポリ−α−
メチルスチレン(α-MeSt)の共重合品を用い、実施例
2,5,6においてポリiso−ブチルメタクリレート(i
-BMA)、ポリ−α−メチルスチレン(α-MeSt)と、ポ
リメチルメタクリレート(MMA)の共重合品を用い、実
施例3,4においてポリiso−プロピルメタクリレート
(i-PMA)と、ポリ−α−メチルスチレン(α-MeSt)の
共重合品を用いたが、それぞれ単体で用いても、また共
重合品を混合してもよい。
(i-PMA)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリiso−プ
ロピルメタクリレート(i-PMA)とポリ−α−メチルス
チレン(α-MeSt)とポリメチルメタクリレート(MMA)
の共重合品を用いることも可能である。もちろん樹脂相
互の相溶性、溶媒中への溶解量を鑑みての上である。し
かし、通常の一般的なアクリル樹脂(例えばポリn-ブチ
ルメタクリレート)では飛散性が悪く使用に耐えなかっ
た。さらに顔料分散を良好にするためグリシジルメタク
リレート等を5%以内で共重合したものも用いることが
可能である。しかし、前記樹脂中には少なくとも5〜2
0重量%のα−メチルスチレンを含むことが必要であ
り、この範囲を越える領域、あるいはアクリル樹脂だけ
では樹脂の飛散性が悪く、形成した導電性厚膜パターン
のシート抵抗値は高かった。また、アクリル樹脂として
ポリメチルメタクリレートを使用する際には、20〜2
5重量%であることが望ましい。この範囲を越える領域
では、インキの印刷性が悪く、樹脂の飛散性も悪くな
る。加えて、前記樹脂の平均分子量が10万以上の分子
量ではインキ粘度が高くなり印刷に不適となり、130
0未満では、焼成時における飛散性が悪化する。つま
り、前記樹脂の平均分子量は10万〜1300が好まし
く、最も好ましい平均分子量は(第3図)で示したよう
に4万〜1300であった。前記樹脂の含有量としては
インキ全体に対して15重量%以上ではインキ粘度が高
くなりなり印刷に不適となり、2重量%未満では逆にイ
ンキ粘度が低くなり印刷に不適であった。つまり前記樹
脂の含有量がインキ全体に対して2〜15重量%が好ま
しく、最も好ましいのは(第2図)で示したように含有
量がインキ全体に対して2〜10重量%であった。
では銅を、実施例3,4では金を実施例5,6では銀を
用いたが、これらに限定されるものではなく、銅粉末を
実施例3,5で、金粉末を実施例1,2,5,6,7
で、銀粉末を実施例1,2,3,4,7で用いてもよ
く、また導電性金属粉末を混合して用いることも可能で
ある。
して78〜86重量%であることが好ましい。この範囲
よりも小さい場合には、焼成後の厚膜が緻密でない。こ
の範囲よりも大きい場合にはインキの粘度が大きくなり
印刷に不適である。さらに導電性金属粉末の平均粒径
は、0.05〜3.0μmであることが好ましい。0.
05μmよりも平均粒径が小さい場合には、粒子全体の
表面積が大きくなりインキ中のビヒクル量を増加させな
ければならず、導電性金属の含有率が低下する。3.0
μmよりも大きい場合には、焼成が緻密に行われないた
めにシート抵抗値が大きくなる問題がある。
1,2,3,4,5,6,7においてはブチルカルビト
ールアセテートを用いたが、これらに限定されるもので
はなく、α−テルピネオール、ブチルカルビトール、2、
2、4-トリメチル1-3-ヒドロキシペンチルイソブチレー
ト、2-ブトキシエタノール、2-エトキシエタノールを、
それぞれ単体あるいは混合して用いてもよく、印刷条
件、乾燥条件にあわせ用いることが可能である。
2,3,4,5,6,7においては酸化亜鉛を用いた
が、これらに限定されるものではなく、酸化チタン、酸
化第二クロム、酸化カドミウム、一酸化ニッケルを、そ
れぞれ単体あるいは混合して用いてもよく印刷条件、乾
燥条件にあわせ用いることが可能である。前記遷移金属
酸化物の含有量がインキ全体量に対して0.5重量%未
満では、焼成した厚膜の基板への接着強度が低くわずか
な外力を加えただけでも剥離した。好ましい含有量はイ
ンキ全体量に対して0.5〜2.0重量%であり、この
時には剥離試験にも十分耐える結果であった。
に対して3〜4重量%が好ましい。3重量%未満では、
焼成した厚膜の基板への接着強度が低くわずかな外力を
加えただけでも剥離した。
0.05重量%未満では、インキの分散性が悪いために
保存安定性に欠け、5.0重量%以上では焼成後の厚膜
パターン中に残留する量が多くなりシート抵抗値が高く
なった。つまり前記分散剤の含有量がインキ全体に対し
て0.05〜5.0重量%の値であることが望ましい。
て、酸素濃度が10ppm以上の場合には、有機物が飛
散する過程において酸素の影響が大きく、導電性厚膜中
の残留炭素、残留酸素濃度は酸化性雰囲気での焼成と同
水準となった。従って酸素濃度が10ppm以上では、
シート抵抗値が酸化性雰囲気での焼成と同じ値となり、
酸素濃度が10ppm以下の場合のシート抵抗値と比較
して2mΩ/□程度大きくなった。つまり、非酸化性雰
囲気の焼成では酸素濃度が10ppm以下の値であるこ
とが望ましい。さらに、銅インキの焼成は通常非酸化性
雰囲気で行われるので、非酸化性雰囲気で当発明の銀イ
ンキあるいは金インキと、銅インキを共存させることが
出来る。
を用いて印刷パターンを形成すること、及び、非酸化性
雰囲気、あるいは酸化性雰囲気で焼成して有機物を飛散
することを特徴としており、従来のスクリーン印刷によ
る方法よりもエッジの直線性に優れ、スケ、欠け等の発
生が少ない微細なパターンの形成を可能とする点、およ
び、導電性金属粉末、ガラスフリット、遷移金属酸化
物、分散剤と、有機バインダを含むビヒクルから構成さ
れる上記印刷法に適した導電性インキの調製を可能とす
る点で有効である。
る。 (b)凹版からブランケットへのパターンの転写方法の
断面図である。 (c)ブランケット上のパターンの基板への圧着転写方
法の断面図である。
に対する有機バインダ重量百分率と銅インキの被転写体
への転写量曲線を現すグラフである。
転写体への転写量曲線を現すグラフである。
Claims (18)
- 【請求項1】 導電性金属粉末、ガラスフリット、遷移
金属酸化物、および分散剤と、ポリ−α−メチルスチレ
ンとポリiso−ブチルメタクリレートの共重合体、ポリ
−α−メチルスチレンとポリiso−ブチルメタクリレー
トとポリメチルメタクリレートの共重合体、ポリ−α−
メチルスチレンとポリiso−プロピルメタクリレートの
共重合体、ポリ−α−メチルスチレンとポリiso−プロ
ピルメタクリレートとポリメチルメタクリレートの共重
合体のうち少なくとも1種類以上から構成され、かつ重
量平均分子量が10万〜1300である有機バインダを
含むビヒクルから構成される導電性インキ。 - 【請求項2】 ポリ−α−メチルスチレンが5〜20重
量%、ポリiso−ブチルメタクリレートが80〜95重
量%の比からなる共重合体で構成される請求項1記載の
導電性インキ。 - 【請求項3】 ポリ−α−メチルスチレンが5〜20重
量%、ポリiso−ブチルメタクリレートが55〜75重
量%、ポリメチルメタクリレートが20〜25重量%の
比からなる共重合体で構成される請求項1記載の導電性
インキ。 - 【請求項4】 ポリ−α−メチルスチレンが5〜20重
量%、ポリiso−プロピルメタクリレートが80〜95
重量%の比からなる共重合体で構成される請求項1記載
の導電性インキ。 - 【請求項5】 ポリ−α−メチルスチレンが5〜20重
量%、ポリiso−プロピルメタクリレートが55〜75
重量%、ポリメチルメタクリレートが20〜25重量%
の比からなる共重合体で構成される請求項1記載の導電
性インキ。 - 【請求項6】 ビヒクルを構成する有機溶媒量が3〜1
3重量%、ガラスフリット量が3〜4重量%、遷移金属
酸化物が0.5〜2.0重量%、分散剤が0.05〜
5.0重量%、導電性金属粉末が78〜86重量%から
構成される請求項1記載の導電性インキ。 - 【請求項7】 有機バインダの含有量がインキ全体に対
して2〜15重量%である請求項1記載の導電性イン
キ。 - 【請求項8】 ビヒクルを構成する有機溶媒量が全粉末
量に対して重量比で0.04〜0.18である請求項1
記載の導電性インキ。 - 【請求項9】 導電性金属粉末が銅、金、または銀のう
ち少なくとも1種以上から構成される請求項1記載の導
電性インキ。 - 【請求項10】 導電性金属粉末の平均粒径が0.05
〜3.0μmである請求項1記載の導電性インキ。 - 【請求項11】 ビヒクルを構成する有機溶媒がα−テ
ルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトー
ルアセテート、2、2、4-トリメチル1-3-ヒドロキシペンチ
ルイソブチレート、2-ブトキシエタノール、2-エトキシ
エタノールのうち少なくとも1種以上から構成される請
求項1記載の導電性インキ。 - 【請求項12】 遷移金属酸化物が酸化亜鉛、酸化チタ
ン、酸化第二クロム、酸化カドミウム、一酸化ニッケル
のうち少なくとも1種以上から構成される請求項1記載
の導電性インキ。 - 【請求項13】 請求項1から12のいずれかに記載の
導電性インキを凹版の凹部に充填する工程、凹版の凹部
中の導電性インキをシリコーン樹脂を主体とする弾性体
にて表面被覆したブランケット上に転写する工程、前記
ブランケット上に転写された導電性厚膜パターンを基板
上に転写印刷する工程、導電性パターンを焼成して有機
物を飛散させる工程,導電性パターンを焼結させる工程
より構成されることを特徴とする導電性厚膜パターンの
形成方法。 - 【請求項14】 シリコーン樹脂を主体とする弾性体の
硬度が30〜60度であることを特徴とする請求項13
記載の導電性厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項15】 凹版の凹部中のインキをシリコーン樹
脂を主体とする弾性体にて表面被覆したブランケット上
に転写する工程における転写圧力と、前記ブランケット
上に転写された導電性厚膜パターンを基板上に転写印刷
する工程における印刷圧力が2〜6kg/cm2である
ことを特徴とする請求項13記載の導電性厚膜パターン
の形成方法。 - 【請求項16】 非酸化性雰囲気焼成工程の酸素濃度が
10ppm以下であることを特徴とする請求項13記載
の導電性厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項17】 非酸化性雰囲気焼成工程の高温保持部
の温度が850〜975℃であることを特徴とする請求
項13記載の導電性厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項18】 酸化性雰囲気焼成工程の高温保持部の
温度が800〜925℃であることを特徴とする請求項
13記載の導電性厚膜パターンの形成方法。
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