JP2942996B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パーソナルコンピューター用ディスプレ
ー、ハンドヘルドコンピューター用ディスプレー、各種
計測機のディスプレー、テレビ、プリンター用シャッタ
ーなどに使用される多数の画素を有する電気光学装置の
製造方法に関する。
ー、ハンドヘルドコンピューター用ディスプレー、各種
計測機のディスプレー、テレビ、プリンター用シャッタ
ーなどに使用される多数の画素を有する電気光学装置の
製造方法に関する。
本発明は、実質的にＨを含まないａ−Siをベース材料
とする電気光学装置の製造方法において、ベースａ−Si
材料を基板に堆積後に基板をアニールし、アニール温度
もしくは時間を調節することによって、目的とする電気
特性をもつ電気光学装置を安定生産させ、歩留まりを向
上させようとしたものである。
とする電気光学装置の製造方法において、ベースａ−Si
材料を基板に堆積後に基板をアニールし、アニール温度
もしくは時間を調節することによって、目的とする電気
特性をもつ電気光学装置を安定生産させ、歩留まりを向
上させようとしたものである。
我々は、非線形抵抗薄膜として実質的にＨを含まない
SiNx,SiOy、あるいはSiNxOyを用いた電気光学装置用非
線形抵抗素子を開発してきた（第３図A,B）。
SiNx,SiOy、あるいはSiNxOyを用いた電気光学装置用非
線形抵抗素子を開発してきた（第３図A,B）。
それらの製造工程は、透明画素電極32をパターニング
後、非線形抵抗膜34と配線電極33を連続して堆積させ、
配線電極と非線形抵抗膜をパターニングし、最後に電気
特性検査を行ない、規格外の基板は不良として廃棄され
てしまうことになる。
後、非線形抵抗膜34と配線電極33を連続して堆積させ、
配線電極と非線形抵抗膜をパターニングし、最後に電気
特性検査を行ない、規格外の基板は不良として廃棄され
てしまうことになる。
非線形抵抗素子35の電気特性（第４図）は、非線形抵
抗膜34の組成または膜厚に非常に敏感であるために、組
成または膜厚が微妙にズレただけでも規格外の電気特性
になってしまうことがあり、不良として廃棄されてしま
う基板が多かった。
抗膜34の組成または膜厚に非常に敏感であるために、組
成または膜厚が微妙にズレただけでも規格外の電気特性
になってしまうことがあり、不良として廃棄されてしま
う基板が多かった。
本発明は、実質的にＨを含まないａ−Siをベース材料
とする電気光学装置の製造方法において、非線形抵抗素
子の電気特性が規格外になった基板をアニールし、アニ
ール温度もしくは時間を調節することによって、非線形
抵抗素子の電気特性を規格内に入るようにしたものであ
る。
とする電気光学装置の製造方法において、非線形抵抗素
子の電気特性が規格外になった基板をアニールし、アニ
ール温度もしくは時間を調節することによって、非線形
抵抗素子の電気特性を規格内に入るようにしたものであ
る。
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記問題点を解
決するものであり、実質的にＨを含まないａ−Siをベー
ス材料とする電気光学装置の製造方法において、非線形
抵抗素子の電気特性が規格外になった基板をアニール
し、アニール温度もしくは時間を調節することによって
非線形抵抗素子の電気特性を制御し、規格内に入るよう
にしたものである。
決するものであり、実質的にＨを含まないａ−Siをベー
ス材料とする電気光学装置の製造方法において、非線形
抵抗素子の電気特性が規格外になった基板をアニール
し、アニール温度もしくは時間を調節することによって
非線形抵抗素子の電気特性を制御し、規格内に入るよう
にしたものである。
上記のように実質的にＨを含まないａ−Siをベース材
料とする電気光学装置の製造方法において、非線形抵抗
素子の電気特性が規格外になった基板をアニールし、ア
ニール温度もしくは時間を調節することによって、非線
形抵抗素子の電気特性を制御し、規格内に入るようにす
ることにより、電気特性における不良率が少なくなり、
歩留まりが向上することになる。
料とする電気光学装置の製造方法において、非線形抵抗
素子の電気特性が規格外になった基板をアニールし、ア
ニール温度もしくは時間を調節することによって、非線
形抵抗素子の電気特性を制御し、規格内に入るようにす
ることにより、電気特性における不良率が少なくなり、
歩留まりが向上することになる。
〔実施例〕 以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明による製造方法の実施例を説明する工
程ブロック図である。第５図（Ａ）は、本発明による液
晶表示装置の非線形抵抗素子を形成した基板の一実施例
を示す斜視図であり、一画素のみを拡大して示したもの
で、液晶層、液晶を封入するための対向側基板、偏光板
等は説明を簡単にするために省略した。第５図（Ｂ）
は、本発明による液晶表示装置の縦断面構造の一画素に
ついて明示した図である。第１図、第５図（Ａ）におい
て、51は、ソーダガラス、パイレッスクガラスなど通常
のガラスで、52は透明画素電極であり、インジウムスズ
酸化膜（ITO）をマグネトロンスッタリング又は蒸着に
よって透明基板の全面に約100Åから500Åデポジション
し、次にフォトエッチングによって所定形状にパターニ
ングした（第１図工程１）。53はSiを主成分とするアモ
ルファス材料であり、Si単結晶もしくはSi多結晶のター
ゲットを用いて、N2ガス約５〜15％含んだArガスを使用
し、マグネトロンスパッタリング装置によって反応性ス
パッタリング法で約500Å〜1500ÅのＨを含まないSiNx
を堆積した。又、SiOyに関しては、Si単結晶、Si多結晶
もしくはSiOyのターゲットを用いて、O2ガス約１〜10％
含んだArガスを使用し、反応性スパッタリングによって
約500Å〜1500ÅのSiOxを堆積した。54は配線電極で、
行列電極の一方の電極であり、本実施例においてはAlSi
もしくはCr金属を非線形抵抗薄膜53堆積後、同一チャン
バー内もしくは別のチャンバーに移し、連続してマグネ
トロンスパッタリング法によって約1000から8000Å堆積
した（第１図工程２）。次にフォトエッチングによって
金属配線電極54をパターニングし、その後非線形抵抗薄
膜をフォトエッチングによってパターニングし所定形状
を形成した（第１図工程３）。
程ブロック図である。第５図（Ａ）は、本発明による液
晶表示装置の非線形抵抗素子を形成した基板の一実施例
を示す斜視図であり、一画素のみを拡大して示したもの
で、液晶層、液晶を封入するための対向側基板、偏光板
等は説明を簡単にするために省略した。第５図（Ｂ）
は、本発明による液晶表示装置の縦断面構造の一画素に
ついて明示した図である。第１図、第５図（Ａ）におい
て、51は、ソーダガラス、パイレッスクガラスなど通常
のガラスで、52は透明画素電極であり、インジウムスズ
酸化膜（ITO）をマグネトロンスッタリング又は蒸着に
よって透明基板の全面に約100Åから500Åデポジション
し、次にフォトエッチングによって所定形状にパターニ
ングした（第１図工程１）。53はSiを主成分とするアモ
ルファス材料であり、Si単結晶もしくはSi多結晶のター
ゲットを用いて、N2ガス約５〜15％含んだArガスを使用
し、マグネトロンスパッタリング装置によって反応性ス
パッタリング法で約500Å〜1500ÅのＨを含まないSiNx
を堆積した。又、SiOyに関しては、Si単結晶、Si多結晶
もしくはSiOyのターゲットを用いて、O2ガス約１〜10％
含んだArガスを使用し、反応性スパッタリングによって
約500Å〜1500ÅのSiOxを堆積した。54は配線電極で、
行列電極の一方の電極であり、本実施例においてはAlSi
もしくはCr金属を非線形抵抗薄膜53堆積後、同一チャン
バー内もしくは別のチャンバーに移し、連続してマグネ
トロンスパッタリング法によって約1000から8000Å堆積
した（第１図工程２）。次にフォトエッチングによって
金属配線電極54をパターニングし、その後非線形抵抗薄
膜をフォトエッチングによってパターニングし所定形状
を形成した（第１図工程３）。
第４図（Ｂ）は、透明画素電極としてITO、非線形抵
抗薄膜として実質的にＨを含まないSiNxまたは配線電極
としてAlSiまたはCrを積層させた本発明の方法により形
成させた非線形抵抗素子において、ITOをアースにし、
金属配線電極に電圧を印加していったときの電圧−電流
特性を示す図である。縦軸は電流を対数目盛りで示して
いる。
抗薄膜として実質的にＨを含まないSiNxまたは配線電極
としてAlSiまたはCrを積層させた本発明の方法により形
成させた非線形抵抗素子において、ITOをアースにし、
金属配線電極に電圧を印加していったときの電圧−電流
特性を示す図である。縦軸は電流を対数目盛りで示して
いる。
第１図及び第２図工程（４）の電気特性検査は、第４
図の電圧−電流特性を検査し、ある定めた電流値（Ia）
（たとえば10-6A）における電圧（Vth）を規格化し、た
とえばVth＝10〜12Vに入らない基板は、電気特性不良と
していた。
図の電圧−電流特性を検査し、ある定めた電流値（Ia）
（たとえば10-6A）における電圧（Vth）を規格化し、た
とえばVth＝10〜12Vに入らない基板は、電気特性不良と
していた。
従来の工程では第２図に示したように、電気特性検査
工程で電気特性が規格外になった基板は、不良品と見な
され廃棄処分になっていたが、本発明のスパッタリング
によって実質的にＨを含まないSiNx、SiOyを堆積した非
線形抵抗素子においては、アニールの温度もしくは時間
と△Vth（△Vth＝（アニール後のVth）−（アニール前
のVth））の関係に第６図に示すような関係があること
がわかったため、Vth＝10〜12Vの規格の場合、Vth＜10V
の基板はVthの値によってアニールの温度、時間を設定
しアニール処理を行なえばVthの規格10〜12V内に入れる
ことができるようになった。
工程で電気特性が規格外になった基板は、不良品と見な
され廃棄処分になっていたが、本発明のスパッタリング
によって実質的にＨを含まないSiNx、SiOyを堆積した非
線形抵抗素子においては、アニールの温度もしくは時間
と△Vth（△Vth＝（アニール後のVth）−（アニール前
のVth））の関係に第６図に示すような関係があること
がわかったため、Vth＝10〜12Vの規格の場合、Vth＜10V
の基板はVthの値によってアニールの温度、時間を設定
しアニール処理を行なえばVthの規格10〜12V内に入れる
ことができるようになった。
以上説明したように、本発明による方法で電気光学装
置を作製すれば、電気特性による不良率が少なくなり、
歩留まりが向上するという効果がある。
置を作製すれば、電気特性による不良率が少なくなり、
歩留まりが向上するという効果がある。
第１図は本発明の製造方法の実施例を示す工程ブロック
図、第２図は従来の工程ブロック図、第３図（Ａ）は画
素電極構造の平面図、第３図（Ｂ）は非線形抵抗素子の
断面図、第４図はSiNxをスパッタで作製した非線形抵抗
素子の電圧−電流特性図、第５図（Ａ）は、基板の電極
構成斜視図、第５図（Ｂ）は液晶表示装置の縦断面図、
第６図は、アニール温度、時間と△Vthの関係を示す図
である。 31、51、58……透明基板 32、52……透明画素電極 33、54……配線電極 34、53……非線形抵抗膜 35……非線形抵抗素子 55……配向膜 56……液晶 58……透明電極 59……偏光板
図、第２図は従来の工程ブロック図、第３図（Ａ）は画
素電極構造の平面図、第３図（Ｂ）は非線形抵抗素子の
断面図、第４図はSiNxをスパッタで作製した非線形抵抗
素子の電圧−電流特性図、第５図（Ａ）は、基板の電極
構成斜視図、第５図（Ｂ）は液晶表示装置の縦断面図、
第６図は、アニール温度、時間と△Vthの関係を示す図
である。 31、51、58……透明基板 32、52……透明画素電極 33、54……配線電極 34、53……非線形抵抗膜 35……非線形抵抗素子 55……配向膜 56……液晶 58……透明電極 59……偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1343 G02F 1/1333 G09F 9/30 H01L 49/02
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上に透明画素電極を形成し、 前記透明基板と前記透明画素電極上に非線型抵抗素子と
してSi単結晶またはSi多結晶をターゲットとしN2ガスを
含むArガスの反応スパッタリングにより実質的にＨを含
まないSiNx膜を形成し、 前記SiNx膜上に配線電極を形成し、 前記透明基板をアニールし、前記アニールのアニール温
度と時間により前記非線型抵抗素子の電圧−電流特性を
制御することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項２】透明基板上に透明画素電極を形成し、 前記透明基板と前記透明画素電極上に非線型抵抗素子と
してSi単結晶またはSi多結晶をターゲットとしO2ガスを
含むArガスの反応スパッタリングにより実質的にＨを含
まないSiOy膜を形成し、 前記SiOy膜上に配線電極を形成し、 前記透明基板をアニールし、前記アニールのアニール温
度と時間により前記非線型抵抗素子の電圧−電流特性を
制御することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項３】透明基板上に透明画素電極を形成し、 前記透明基板と前記透明画素電極上に非線型抵抗素子と
してSi単結晶またはSi多結晶をターゲットとし、する反
応スパッタリングにより実質的にＨを含まないSiNxOy膜
を形成し、 前記SiNxOy膜上に配線電極を形成し、 前記透明基板をアニールし、前記アニールのアニール温
度と時間により前記非線型抵抗素子の電圧−電流特性を
制御することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP524990A JP2942996B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP524990A JP2942996B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209437A JPH03209437A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2942996B2 true JP2942996B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=11605937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP524990A Expired - Fee Related JP2942996B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2942996B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP524990A patent/JP2942996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03209437A (ja) | 1991-09-12 |
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Legal Events
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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