JP2928206B2 - 半導体装置の製造装置および製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置および製造方法Info
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- JP2928206B2 JP2928206B2 JP9288708A JP28870897A JP2928206B2 JP 2928206 B2 JP2928206 B2 JP 2928206B2 JP 9288708 A JP9288708 A JP 9288708A JP 28870897 A JP28870897 A JP 28870897A JP 2928206 B2 JP2928206 B2 JP 2928206B2
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置および製造方法に係わり、特に半導体基板の研削装置
および研削方法に関する。
置および製造方法に係わり、特に半導体基板の研削装置
および研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず図４を参照して半導体基板の研磨方
法の一般的な技術を簡単に説明する。スピンドル１７に
マウントディスク７が結合し、マウントディスク７の下
面に研削砥石１６が固定されている。スピンドル１７が
傾いた状態で矢印１８に示すように回転させることによ
りマウントディスク７、研削砥石１６も傾いた状態で回
転させ、そこにチャックテーブル（図示省略）の上面に
真空吸着された半導体基板（半導体ウエハ）１５をＩＮ
側からＯＵＴ側に水平方向１９にチャックテーブルとと
もに移動させる。これにより、半導体基板１５の主表面
を研削砥石１６により研削していく。そして、望まれる
半導体基板の研削を行う為に必要な荒さや硬さの研削砥
石が取り付けられている。
法の一般的な技術を簡単に説明する。スピンドル１７に
マウントディスク７が結合し、マウントディスク７の下
面に研削砥石１６が固定されている。スピンドル１７が
傾いた状態で矢印１８に示すように回転させることによ
りマウントディスク７、研削砥石１６も傾いた状態で回
転させ、そこにチャックテーブル（図示省略）の上面に
真空吸着された半導体基板（半導体ウエハ）１５をＩＮ
側からＯＵＴ側に水平方向１９にチャックテーブルとと
もに移動させる。これにより、半導体基板１５の主表面
を研削砥石１６により研削していく。そして、望まれる
半導体基板の研削を行う為に必要な荒さや硬さの研削砥
石が取り付けられている。
【０００３】例えば３軸研削装置では図４に示すような
研削機構が３種類、すなわち３軸設けられておりそれぞ
れがその研削に適合した研削砥石を備えている。このよ
うに複数の軸（複数の研削機構）を用いる理由は、１軸
だけで望まれる厚さに研削すると砥石、半導体基板に加
わる負荷が大となり破損（ワレ）が生じる恐れがあるか
らであり、そのために段階的に第１軸では荒削り、第２
軸では中削り、第３軸では仕上げ削りを行い荒さや研削
量のばらつきＲｍａｘを１．０μｍ以下に研削する。
研削機構が３種類、すなわち３軸設けられておりそれぞ
れがその研削に適合した研削砥石を備えている。このよ
うに複数の軸（複数の研削機構）を用いる理由は、１軸
だけで望まれる厚さに研削すると砥石、半導体基板に加
わる負荷が大となり破損（ワレ）が生じる恐れがあるか
らであり、そのために段階的に第１軸では荒削り、第２
軸では中削り、第３軸では仕上げ削りを行い荒さや研削
量のばらつきＲｍａｘを１．０μｍ以下に研削する。
【０００４】このような半導体基板の研削は、半導体基
板を研削砥石の周辺先端部で研削を行う為、スピンドル
の傾きの調整はかかす事が出来ない重要な項目である。
板を研削砥石の周辺先端部で研削を行う為、スピンドル
の傾きの調整はかかす事が出来ない重要な項目である。
【０００５】次に、従来技術のスピンドルの傾き調整方
法とその手順について図５乃至図８を参照して説明す
る。
法とその手順について図５乃至図８を参照して説明す
る。
【０００６】図５は従来の研削装置の構成図であり、図
６はスピンドルの傾き測定方法を示す図、図７はスピン
ドルの傾きを目安化した値を示す図、図８は傾き調整を
フローチャート化した図である。
６はスピンドルの傾き測定方法を示す図、図７はスピン
ドルの傾きを目安化した値を示す図、図８は傾き調整を
フローチャート化した図である。
【０００７】まず傾き調整のフローを図８を用いて説明
する。フロー２０のステップにおいて半導体基板を研削
する。フロー３０のステップにおいて荒さ、研削量が規
格のＲｍａｘ以内か確認する。規格以内であれば傾き調
整は不要である。フロー４０のステップにおいて規格外
れであれば規格を満たす様な傾きに調整する。
する。フロー２０のステップにおいて半導体基板を研削
する。フロー３０のステップにおいて荒さ、研削量が規
格のＲｍａｘ以内か確認する。規格以内であれば傾き調
整は不要である。フロー４０のステップにおいて規格外
れであれば規格を満たす様な傾きに調整する。
【０００８】次に具体的な調整方法を図５，図７を参照
に説明する。
に説明する。
【０００９】図５において、シム１１を装置ベース１０
と固定ガイド１２の間に挟み固定ボルト１３で締める。
これによりスピンドル３およびそれに結合しているマウ
ントディスク７が傾き、その傾きは、例えば図７に示す
ようにＯ点を基準にＡ点が−２０μｍ程度、Ｂ点が−４
０μｍ程度、Ｃ点が−２０μｍ程度となる様に調整す
る。尚、図６に示すダイヤルゲージ９をマウントデスク
７側の下面７Ａに固定しＯ点を基準にしているので、Ｏ
点よりも半導体基板を設置するチャックテーブル６から
の高さがより高ければ−（マイナス）の絶対値が大きく
表示されている。
と固定ガイド１２の間に挟み固定ボルト１３で締める。
これによりスピンドル３およびそれに結合しているマウ
ントディスク７が傾き、その傾きは、例えば図７に示す
ようにＯ点を基準にＡ点が−２０μｍ程度、Ｂ点が−４
０μｍ程度、Ｃ点が−２０μｍ程度となる様に調整す
る。尚、図６に示すダイヤルゲージ９をマウントデスク
７側の下面７Ａに固定しＯ点を基準にしているので、Ｏ
点よりも半導体基板を設置するチャックテーブル６から
の高さがより高ければ−（マイナス）の絶対値が大きく
表示されている。
【００１０】特にＡ点とＣ点に関しては、半導体基板の
外周部の厚さの差が大きくなる為、精度良く調整する必
要がある。例えばＩＮ側から見た場合にＣ点側にスピン
ドルが傾いていると、半導体基板はＣ点側での研削量が
大きく、Ａ点側での研削量が小さくなり、外周部のＡ点
側とＣ点側ではその研削量が異なるため両者間で半導体
基板の厚さに大きな差が生じてしまう。
外周部の厚さの差が大きくなる為、精度良く調整する必
要がある。例えばＩＮ側から見た場合にＣ点側にスピン
ドルが傾いていると、半導体基板はＣ点側での研削量が
大きく、Ａ点側での研削量が小さくなり、外周部のＡ点
側とＣ点側ではその研削量が異なるため両者間で半導体
基板の厚さに大きな差が生じてしまう。
【００１１】又、Ｂ点を−４０μｍ→−１０μｍの様に
小さな傾きに変化させると半導体基板に接する角度が小
さくなるため荒さの度合いは小さくなるが、１回の研削
量が少量になるから、本来１回の研削（一方向）でよい
ものが２回の研削（往復方向）が必要になる。逆にＢ点
を−４０μｍ→−６０μｍの様に変化させると半導体基
板に接する角度が大きくなるから１回の研削で厚い研削
が可能になるが、荒さの度合いが大きくなりまた研削砥
石や半導体基板が破損する恐れがある。
小さな傾きに変化させると半導体基板に接する角度が小
さくなるため荒さの度合いは小さくなるが、１回の研削
量が少量になるから、本来１回の研削（一方向）でよい
ものが２回の研削（往復方向）が必要になる。逆にＢ点
を−４０μｍ→−６０μｍの様に変化させると半導体基
板に接する角度が大きくなるから１回の研削で厚い研削
が可能になるが、荒さの度合いが大きくなりまた研削砥
石や半導体基板が破損する恐れがある。
【００１２】この為、荒さ、厚さの規格を満たし、且つ
上記問題点が発生しない様にするには、図８のフロー２
０からフロー４０の作業を何度も繰り返し調整しなけれ
ばならない。そこで、これら一連作業には熟練技能が必
要であった。特に前述の３軸方式では、３カ所の研削機
構について調整作業が必要であるから、多くの工数を費
やすことになる。
上記問題点が発生しない様にするには、図８のフロー２
０からフロー４０の作業を何度も繰り返し調整しなけれ
ばならない。そこで、これら一連作業には熟練技能が必
要であった。特に前述の３軸方式では、３カ所の研削機
構について調整作業が必要であるから、多くの工数を費
やすことになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、傾きの調整作業が長時間となる事である。
は、傾きの調整作業が長時間となる事である。
【００１４】その理由は、スピンドルの傾き調整をする
には熟練を要し、人の手による１μｍ単位の合わせ込み
は繰り返し調整作業を強いられるからである。
には熟練を要し、人の手による１μｍ単位の合わせ込み
は繰り返し調整作業を強いられるからである。
【００１５】したがって本発明の目的は、スピンドルの
傾きが必要とする値に高精度でかつ自動調整が可能にな
り、もって半導体基板の研削厚、表面荒さ等により決定
されるように任意の傾きに調整出来る可変設定方式の半
導体装置の製造装置および製造方法を提供することであ
る。
傾きが必要とする値に高精度でかつ自動調整が可能にな
り、もって半導体基板の研削厚、表面荒さ等により決定
されるように任意の傾きに調整出来る可変設定方式の半
導体装置の製造装置および製造方法を提供することであ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、回転す
る研削砥石と対面して移動する半導体基板を研削する製
造装置に於いて、スピンドルと、前記スピンドルを懸垂
する複数のスクリュウーと、前記スクリュウーのそれぞ
れの回転を制御する制御部とを有し、前記スクリュウー
のそれぞれの回転により前記スピンドルの傾きの自動調
整を可能にした半導体装置の製造装置にある。ここで、
前記スピンドルの傾きを検出する変位センサーを設け、
前記変位センサーからの傾きに関する信号を前記制御部
に送る手段を有することが好ましい。さらに、前記スク
リュウーは、前記制御部からの補正信号により駆動する
ステッピングモーターにより所定の回転を行うボールス
クリュウーであることが好ましい。さらに、前記変位セ
ンサーは渦電流式のセンサーであり、研削砥石を装着す
る面と半導体基板を装着するマウントディスクとの間隔
を複数箇所で測定するようにすることができる。また、
前記研削砥石を装着する面は前記スピンドルに結合して
いるマウントディスクの下面であることができる。
る研削砥石と対面して移動する半導体基板を研削する製
造装置に於いて、スピンドルと、前記スピンドルを懸垂
する複数のスクリュウーと、前記スクリュウーのそれぞ
れの回転を制御する制御部とを有し、前記スクリュウー
のそれぞれの回転により前記スピンドルの傾きの自動調
整を可能にした半導体装置の製造装置にある。ここで、
前記スピンドルの傾きを検出する変位センサーを設け、
前記変位センサーからの傾きに関する信号を前記制御部
に送る手段を有することが好ましい。さらに、前記スク
リュウーは、前記制御部からの補正信号により駆動する
ステッピングモーターにより所定の回転を行うボールス
クリュウーであることが好ましい。さらに、前記変位セ
ンサーは渦電流式のセンサーであり、研削砥石を装着す
る面と半導体基板を装着するマウントディスクとの間隔
を複数箇所で測定するようにすることができる。また、
前記研削砥石を装着する面は前記スピンドルに結合して
いるマウントディスクの下面であることができる。
【００１７】本発明の他の特徴は、上記したいずれかの
半導体装置の製造装置を用いて、スピンドルを所定の傾
きに設定した後に半導体基板の主面を研削する半導体装
置の製造方法にある。
半導体装置の製造装置を用いて、スピンドルを所定の傾
きに設定した後に半導体基板の主面を研削する半導体装
置の製造方法にある。
【００１８】このように本発明は、例えば、変位センサ
ーによりスピンドルの傾きを検出し制御回路によって現
在の傾きを表示すると共に、研削砥石を装着する面と半
導体基板を装着するマウントディスクの上面との周辺の
４カ所（４点）の間隔のずれ量を瞬時に算出し表示する
ことができる。そして傾き設定とのずれ量は制御回路か
ら調整機構部であるステッピングモーター４調整信号
（補正信号）として伝達し、ボールスクリューを駆動し
スピンドルの傾きを調整するものである。
ーによりスピンドルの傾きを検出し制御回路によって現
在の傾きを表示すると共に、研削砥石を装着する面と半
導体基板を装着するマウントディスクの上面との周辺の
４カ所（４点）の間隔のずれ量を瞬時に算出し表示する
ことができる。そして傾き設定とのずれ量は制御回路か
ら調整機構部であるステッピングモーター４調整信号
（補正信号）として伝達し、ボールスクリューを駆動し
スピンドルの傾きを調整するものである。
【００１９】このような本発明によればスピンドルの傾
きを変位センサーにより検出しているから、０．３μｍ
以下と言う高精度な傾き検出が可能である。また、変位
センサーの信号と傾き設定値を制御回路に入力する手段
により、現在の傾き状態とずれ量をすぐに把握すること
ができる。さらに、ステッピングモーターとボールスク
リューとを有する傾きを調整する手段により従来の方法
では不可能な１μｍ以下と言う微調な傾き調整も可能に
なる。
きを変位センサーにより検出しているから、０．３μｍ
以下と言う高精度な傾き検出が可能である。また、変位
センサーの信号と傾き設定値を制御回路に入力する手段
により、現在の傾き状態とずれ量をすぐに把握すること
ができる。さらに、ステッピングモーターとボールスク
リューとを有する傾きを調整する手段により従来の方法
では不可能な１μｍ以下と言う微調な傾き調整も可能に
なる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面を参照して説明
する。
する。
【００２１】図１乃至図３は本発明の実施の形態を示す
図であり、図１は研削装置の構成図、図２は高さＨの検
出方法を示す側面図、図３は変位センサーを示す平面図
である。
図であり、図１は研削装置の構成図、図２は高さＨの検
出方法を示す側面図、図３は変位センサーを示す平面図
である。
【００２２】図１において、高さ９３０ｍｍ、幅３８０
ｍｍ、奥行き３９０ｍｍの装置ベース１０の側面に固定
された固定ガイド１０Ａが横方向に張り出している。固
定ガイド１０Ａの中央にはスピンドル３が自由に動くこ
とが可能なようにスピンドル３に対して大きな開口が形
成され、その周囲に４本のボールスクリュー５が結合し
て下方向に延在している。それぞれのボールスクリュー
５は超低速比のギヤ（図示省略）を介してステッピング
モータ４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）により回転され
る。
ｍｍ、奥行き３９０ｍｍの装置ベース１０の側面に固定
された固定ガイド１０Ａが横方向に張り出している。固
定ガイド１０Ａの中央にはスピンドル３が自由に動くこ
とが可能なようにスピンドル３に対して大きな開口が形
成され、その周囲に４本のボールスクリュー５が結合し
て下方向に延在している。それぞれのボールスクリュー
５は超低速比のギヤ（図示省略）を介してステッピング
モータ４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）により回転され
る。
【００２３】スピンドル３の下部に結合したマウントデ
ィスク７の下面７Ａは研削砥石を装着する面であり、ス
ピンドル３の傾き、すなわち下面７Ａの傾きを所定の値
に設定した後にここに研削砥石を装着して半導体基板
（半導体ウエハ）の主表面の研削を行う。
ィスク７の下面７Ａは研削砥石を装着する面であり、ス
ピンドル３の傾き、すなわち下面７Ａの傾きを所定の値
に設定した後にここに研削砥石を装着して半導体基板
（半導体ウエハ）の主表面の研削を行う。
【００２４】このスピンドル３は４本のボールスクリュ
ー５のそれぞれに対応する箇所に上下２カ所の雌ねじ部
により結合している。これにより、スピンドル３は４本
のボールスクリュー５により懸垂されている。
ー５のそれぞれに対応する箇所に上下２カ所の雌ねじ部
により結合している。これにより、スピンドル３は４本
のボールスクリュー５により懸垂されている。
【００２５】マウントディスク７下の半導体基板を載置
するチャックテーブル６上には４個の変位センサー１を
設けた専用治具が設けられている。
するチャックテーブル６上には４個の変位センサー１を
設けた専用治具が設けられている。
【００２６】すなわち専用治具は研削する半導体基板と
同じ面積、例えば直径２００ｍｍの円盤部材１Ａの表面
の周辺４カ所に互いに等間隔にそれぞれ変位センサー１
が設けられており、この円盤部材１Ａはチャックテーブ
ル６に真空吸着されて、水平になっている。尚、この傾
きの調整後に、円盤部材を含む変位センサーの専用部材
がチャックテーブル６上から取り除かれ、チャックテー
ブル６に半導体基板が水平に真空吸着されて、図４に示
すようにその主面の研削が行われる。
同じ面積、例えば直径２００ｍｍの円盤部材１Ａの表面
の周辺４カ所に互いに等間隔にそれぞれ変位センサー１
が設けられており、この円盤部材１Ａはチャックテーブ
ル６に真空吸着されて、水平になっている。尚、この傾
きの調整後に、円盤部材を含む変位センサーの専用部材
がチャックテーブル６上から取り除かれ、チャックテー
ブル６に半導体基板が水平に真空吸着されて、図４に示
すようにその主面の研削が行われる。
【００２７】そしてこの傾き調整において、それぞれの
変位センサー１からの信号が制御回路２に送られ、制御
回路２からの補正信号がそれぞれのステッピングモータ
４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）に送られるようになって
いる。
変位センサー１からの信号が制御回路２に送られ、制御
回路２からの補正信号がそれぞれのステッピングモータ
４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）に送られるようになって
いる。
【００２８】このように図１の研削装置では、スピンド
ル３の傾きを検出する変位センサー１と、傾きの表示と
のずれ量を自動で算出する制御回路２と、スピンドル３
の傾きを調整する機構部であるステッピングモーター４
とボールスクリュー５をそれぞれ有している事を特徴と
する。
ル３の傾きを検出する変位センサー１と、傾きの表示と
のずれ量を自動で算出する制御回路２と、スピンドル３
の傾きを調整する機構部であるステッピングモーター４
とボールスクリュー５をそれぞれ有している事を特徴と
する。
【００２９】次に図１の研削装置の傾き設定方法につい
て説明する。スピンドル３を適正な傾きにする為、制御
回路２に傾き設定値８として入力する。チャックテーブ
ル６上には変位センサー付専用治具をセットし検出可能
な高さＨである１μｍまでスピンドル３を下降させてマ
ウントディスク７の下面７Ａとの高さＨ４点を測定し、
現在のスピンドル３の傾きを表示すると同時に傾き設定
値８までのずれ量も表示する。これによりオペレーター
は現在の傾きとずれ量を同時に確認する事が出来る。
又、ずれ量の補正信号が調整機構部であるステッピング
モーター４に送られてその回転が同部のボールスクリュ
ー５へ伝達され傾き設定値８の傾きへと自動調整され
る。
て説明する。スピンドル３を適正な傾きにする為、制御
回路２に傾き設定値８として入力する。チャックテーブ
ル６上には変位センサー付専用治具をセットし検出可能
な高さＨである１μｍまでスピンドル３を下降させてマ
ウントディスク７の下面７Ａとの高さＨ４点を測定し、
現在のスピンドル３の傾きを表示すると同時に傾き設定
値８までのずれ量も表示する。これによりオペレーター
は現在の傾きとずれ量を同時に確認する事が出来る。
又、ずれ量の補正信号が調整機構部であるステッピング
モーター４に送られてその回転が同部のボールスクリュ
ー５へ伝達され傾き設定値８の傾きへと自動調整され
る。
【００３０】次に図２に示す実施の形態の変位センサー
１について説明する。この変位センサーは例えばキーエ
ンス社製のＥＸシリーズの変位センサーであり、検出方
式は過電流式である。原理はセンサヘッド内部のコイル
に高周波電流を流して点線で示す高周波磁界１４を発生
させる。この高周波磁界内に測定対象物（下面７Ａ）が
あると、電磁誘導作用によって対象物表面に磁束の通過
と垂直方向の過電流が流れてセンサコイルのインピーダ
ンスが変化する。この現象による発振状態により距離を
測定する。
１について説明する。この変位センサーは例えばキーエ
ンス社製のＥＸシリーズの変位センサーであり、検出方
式は過電流式である。原理はセンサヘッド内部のコイル
に高周波電流を流して点線で示す高周波磁界１４を発生
させる。この高周波磁界内に測定対象物（下面７Ａ）が
あると、電磁誘導作用によって対象物表面に磁束の通過
と垂直方向の過電流が流れてセンサコイルのインピーダ
ンスが変化する。この現象による発振状態により距離を
測定する。
【００３１】本発明の実施の形態の動作について説明す
る。
る。
【００３２】制御回路２には傾き設定値８として先ず目
安となるＯ点を０μｍ、Ａ点を−２０μｍ、Ｂ点を−４
０μｍ、Ｃ点を−２０μｍをそれぞれ入力する。制御回
路２には変位センサー１で検出されたＨの値も同時に入
力され、傾き設定値８との比較を行う。各ステッピング
モーターは傾き設定値８の±２μｍ以内の範囲に収まる
様、自動的に動作する。
安となるＯ点を０μｍ、Ａ点を−２０μｍ、Ｂ点を−４
０μｍ、Ｃ点を−２０μｍをそれぞれ入力する。制御回
路２には変位センサー１で検出されたＨの値も同時に入
力され、傾き設定値８との比較を行う。各ステッピング
モーターは傾き設定値８の±２μｍ以内の範囲に収まる
様、自動的に動作する。
【００３３】すなわち４個の変位センサ１ーからの測定
値Ｈがそれぞれ自動的に制御回路２に送られ、傾き設定
値８とのずれを自動的に算定し、それによる補正信号を
それぞれのステッピングモータ４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，
Ｍ４）に自動的に送られ、それぞれのステッピングモー
タ４が自動的に回転することにより傾きの補正が自動的
に行われる。
値Ｈがそれぞれ自動的に制御回路２に送られ、傾き設定
値８とのずれを自動的に算定し、それによる補正信号を
それぞれのステッピングモータ４（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，
Ｍ４）に自動的に送られ、それぞれのステッピングモー
タ４が自動的に回転することにより傾きの補正が自動的
に行われる。
【００３４】スピンドルの傾斜調整、すなわちある所定
の傾きからの調整値Δはせいぜい５０μｍ程度であるか
ら、図１のようにボールスクリューと超低速比のギヤを
用いた機構によりμｍの調整をするのが最適である。
の傾きからの調整値Δはせいぜい５０μｍ程度であるか
ら、図１のようにボールスクリューと超低速比のギヤを
用いた機構によりμｍの調整をするのが最適である。
【００３５】また、上記実施の形態では、図１の研削装
置を用いて、変位センサーにより距離Ｈを測定して傾き
を調整する方法を説明した。しかし、距離Ｈの測定を省
略して、過去のデーターのみで傾きを調整することもで
きる。すなわちこの方法は、制御回路２に過去のデータ
ーを保存しておき、砥石の種類、研削厚、研削後の半導
体基板の厚さ等を入力する事で最適な傾きを自動選択出
来る機能も有する事である。
置を用いて、変位センサーにより距離Ｈを測定して傾き
を調整する方法を説明した。しかし、距離Ｈの測定を省
略して、過去のデーターのみで傾きを調整することもで
きる。すなわちこの方法は、制御回路２に過去のデータ
ーを保存しておき、砥石の種類、研削厚、研削後の半導
体基板の厚さ等を入力する事で最適な傾きを自動選択出
来る機能も有する事である。
【００３６】
【発明の効果】第１の効果は、ウェーハ研削面の仕上げ
精度が飛躍的に向上すると言う事である。
精度が飛躍的に向上すると言う事である。
【００３７】その理由は、調整起因による傾きのばらつ
きが無くなり、研削の状態に合わせて要求される傾きが
常に維持出来るからである。
きが無くなり、研削の状態に合わせて要求される傾きが
常に維持出来るからである。
【００３８】第２の効果は、従来の方法では不可能だっ
た１μｍ以下と言う微調な傾き調整が可能になり、熟練
技術が不要となる事である。その為、誰にでも、簡単
に、より早く、しかも正確に作業が出来る様になる。
た１μｍ以下と言う微調な傾き調整が可能になり、熟練
技術が不要となる事である。その為、誰にでも、簡単
に、より早く、しかも正確に作業が出来る様になる。
【００３９】その理由は、スピンドルの周囲にステッピ
ングモーターとボールスクリューを有する事で精度の高
い微調整が可能になったからである。
ングモーターとボールスクリューを有する事で精度の高
い微調整が可能になったからである。
【００４０】第３の効果は、生産性向上が図れると言う
事である。これにより、製品の停滞時間が短縮され、増
産対応も可能となる。
事である。これにより、製品の停滞時間が短縮され、増
産対応も可能となる。
【００４１】その理由は、前述の理由により保守時間が
従来の約１／１０以下に短縮される事によって稼働時間
の向上が図れるからである。
従来の約１／１０以下に短縮される事によって稼働時間
の向上が図れるからである。
【図１】本発明の実施の形態の研磨装置の構成を示す図
である。
である。
【図２】本発明の実施の形態において高さＨの検出方法
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図３】本発明の実施の形態における変位センサーを示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】半導体基板の研削を示す図である。
【図５】従来技術の研磨装置の構成を示す図である。
【図６】従来技術において高さの検出方法を示す側面図
である。
である。
【図７】従来技術においてスピンドルの目安となる傾き
設定値を示す図である。
設定値を示す図である。
【図８】従来技術において傾き調整のフローを示す図面
である。
である。
１ 変位センサー １Ａ 変位センサー専用治具の円盤部材 ２ 制御回路 ３ スピンドル ４ ステッピングモーター ５ ボールスクリュー ６ チャックテーブル ７ マウントディスク ８ 傾き設定 ９ ダイヤルゲージ（ダイヤルゲージ付専用治具） １０ 装置ベース １０Ａ 固定ガイド １１ シム １２ 固定ガイド １３ 固定ボルト １４ 高周波磁界 １５ 半導体基板 １６ 研削砥石 １７ スピンドル １８ 回転方向 １９ 半導体基板の水平移動方向 ２０ 研削フロー ３０ 研削量、荒さの判定フロー ４０ 傾き調整フロー
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B24B 47/12 H01L 21/304 631 B24B 49/00 B24B 49/10 B24B 41/04
Claims (6)
- 【請求項１】 回転する研削砥石と対面して移動する半
導体基板を研削する製造装置に於いて、スピンドルと、
前記スピンドルを懸垂する複数のスクリュウーと、前記
スクリュウーのそれぞれの回転を制御する制御部とを有
し、前記スクリュウーのそれぞれの回転により前記スピ
ンドルの傾きの自動調整を可能にしたことを特徴とする
半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記スピンドルの傾きを検出する変位セ
ンサーを設け、前記変位センサーからの傾きに関する信
号を前記制御部に送る手段を有することを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 前記スクリュウーは、前記制御部からの
補正信号により駆動するステッピングモーターにより所
定の回転を行うボールスクリュウーであることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記変位センサーは渦電流式のセンサー
であり、研削砥石を装着する面と半導体基板を装着する
マウントディスクとの間隔を複数箇所で測定することを
特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】 前記研削砥石を装着する面は前記スピン
ドルに結合しているマウントディスクの下面であること
を特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の半導体装置の製造装置を用いて、スピンドルを所定の
傾きに設定した後に半導体基板の主面を研削することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9288708A JP2928206B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9288708A JP2928206B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11123655A JPH11123655A (ja) | 1999-05-11 |
| JP2928206B2 true JP2928206B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=17733667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9288708A Expired - Lifetime JP2928206B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928206B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101675271B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2016-11-14 | 서우테크놀로지 주식회사 | 연삭장치 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더 |
| KR20170142722A (ko) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 서우테크놀로지 주식회사 | 반도체 웨이퍼 그라인더 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP6274956B2 (ja) * | 2014-04-17 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP6518449B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-05-22 | 株式会社東京精密 | ウェハ研削装置及びウェハ研削方法 |
| JP6984969B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | 高さ測定用冶具 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP9288708A patent/JP2928206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
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| KR20170142722A (ko) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 서우테크놀로지 주식회사 | 반도체 웨이퍼 그라인더 |
| KR101851383B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2018-06-07 | 서우테크놀로지 주식회사 | 반도체 웨이퍼 그라인더 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11123655A (ja) | 1999-05-11 |
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