JP2925946B2 - 異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びそのための装置 - Google Patents
異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びそのための装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置（以下、Ｉ
Ｃという）の実装工程に使用する、異方導電性フィルム
（以下、ＡＣＦという）を用いた半導体装置の実装方法
及びそのための装置に関するものである。
Ｃという）の実装工程に使用する、異方導電性フィルム
（以下、ＡＣＦという）を用いた半導体装置の実装方法
及びそのための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、（１）特開平３−２５５４２５号、（２）日立
異方導電フィルム「アニソルム」カタログなどに記載さ
れるものがあった。上記（２）によれば、作業者が手作
業により、接続部に必要量のＡＣＦを切断し、接続箇所
に位置合わせを行い、加熱加圧により転写を実施するよ
うにしていた。
例えば、（１）特開平３−２５５４２５号、（２）日立
異方導電フィルム「アニソルム」カタログなどに記載さ
れるものがあった。上記（２）によれば、作業者が手作
業により、接続部に必要量のＡＣＦを切断し、接続箇所
に位置合わせを行い、加熱加圧により転写を実施するよ
うにしていた。
【０００３】また、上記（１）によれば、自動機により
所定量のＡＣＦの供給を実施するようにしている。
所定量のＡＣＦの供給を実施するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＡＣＦの供給方法を用いた場合、例えば、液晶
ディスプレイパネル等のガラス基板へ、ＩＣの金バンプ
とＡＣＦを用いた実装では、ＩＣサイズより大きめのＡ
ＣＦ供給となり、この部分は接続に寄与せず、無駄であ
り、ＩＣサイズに等しい大きさのＡＣＦ供給は困難であ
る。
た従来のＡＣＦの供給方法を用いた場合、例えば、液晶
ディスプレイパネル等のガラス基板へ、ＩＣの金バンプ
とＡＣＦを用いた実装では、ＩＣサイズより大きめのＡ
ＣＦ供給となり、この部分は接続に寄与せず、無駄であ
り、ＩＣサイズに等しい大きさのＡＣＦ供給は困難であ
る。
【０００５】また、ＡＣＦを用いた基板へのＩＣの実装
方法について、図３を用いて詳細に説明する。まず、図
３（ａ）に示すように、基板（例えば、ガラスエポキシ
基板）１上のＩＣ実装部２には、ＩＣとの接続を行うた
めのパッド３が形成されている。そのＩＣ実装部２には
転写によって、図３（ｂ）に示すように、ＡＣＦ４が形
成される。
方法について、図３を用いて詳細に説明する。まず、図
３（ａ）に示すように、基板（例えば、ガラスエポキシ
基板）１上のＩＣ実装部２には、ＩＣとの接続を行うた
めのパッド３が形成されている。そのＩＣ実装部２には
転写によって、図３（ｂ）に示すように、ＡＣＦ４が形
成される。
【０００６】そこに、図３（ｃ）に示すように、実装さ
れる電極６が形成されたＩＣ５が位置決めされる。そし
て、図３（ｄ）に示すように、基板１上にＡＣＦ４を介
してＩＣ５が実装される。このように、ＩＣ５の実装に
際しては、マージンを見込んで、ＩＣ５のサイズより大
きめのＡＣＦ４が形成されることになり、この部分は接
続に寄与せず、無駄を生じる。
れる電極６が形成されたＩＣ５が位置決めされる。そし
て、図３（ｄ）に示すように、基板１上にＡＣＦ４を介
してＩＣ５が実装される。このように、ＩＣ５の実装に
際しては、マージンを見込んで、ＩＣ５のサイズより大
きめのＡＣＦ４が形成されることになり、この部分は接
続に寄与せず、無駄を生じる。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、簡便な工
程でもって、しかも半導体装置の接続部のみのサイズに
ＡＣＦを形成して、実装スペースの低減を図り得る異方
導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びその
ための装置を提供することを目的とする。
程でもって、しかも半導体装置の接続部のみのサイズに
ＡＣＦを形成して、実装スペースの低減を図り得る異方
導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びその
ための装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方
法において、ヒートツール（２０）にて吸着された半導
体装置（１０）をベースフィルム（３０Ａ）と異方導電
性層（３０Ｂ）を有する異方導電性フィルム（３０）上
に位置決めする工程と、前記半導体装置（１０）を下降
させ、この半導体装置（１０）と前記異方導電性フィル
ム（３０）の下部に配置される表面にクッション材（４
０Ａ）を有する転写ステージ（４０）間で前記異方導電
性フィルム（３０）を押圧加熱する工程と、前記ヒート
ツール（２０）を上昇させ、前記異方導電性層（３０
Ｂ）を前記ベースフィルム（３０Ａ）と剥離させて前記
半導体装置（１０）に転写する工程と、前記ヒートツー
ル（２０）を搬送し、前記異方導電性層（３０Ｂ）が転
写された半導体装置（１０）を実装すべき位置に実装す
る工程とを施すようにしたものである。
成するために、 （１）異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方
法において、ヒートツール（２０）にて吸着された半導
体装置（１０）をベースフィルム（３０Ａ）と異方導電
性層（３０Ｂ）を有する異方導電性フィルム（３０）上
に位置決めする工程と、前記半導体装置（１０）を下降
させ、この半導体装置（１０）と前記異方導電性フィル
ム（３０）の下部に配置される表面にクッション材（４
０Ａ）を有する転写ステージ（４０）間で前記異方導電
性フィルム（３０）を押圧加熱する工程と、前記ヒート
ツール（２０）を上昇させ、前記異方導電性層（３０
Ｂ）を前記ベースフィルム（３０Ａ）と剥離させて前記
半導体装置（１０）に転写する工程と、前記ヒートツー
ル（２０）を搬送し、前記異方導電性層（３０Ｂ）が転
写された半導体装置（１０）を実装すべき位置に実装す
る工程とを施すようにしたものである。
【０００９】（２）上記（１）記載の異方導電性フィル
ムを用いた半導体装置の実装方法において、前記異方導
電性フィルム（３０）の幅方向に半導体装置（１０−
１，１０−２，…１０−ｎ）に転写が必要な寸法だけ区
分して、この異方導電性層（３０Ｂ）を前記半導体装置
（１０−１，１０−２，…１０−ｎ）に転写させ、幅方
向に許容できる回数だけ異方導電性フィルム（３０）を
使用する。
ムを用いた半導体装置の実装方法において、前記異方導
電性フィルム（３０）の幅方向に半導体装置（１０−
１，１０−２，…１０−ｎ）に転写が必要な寸法だけ区
分して、この異方導電性層（３０Ｂ）を前記半導体装置
（１０−１，１０−２，…１０−ｎ）に転写させ、幅方
向に許容できる回数だけ異方導電性フィルム（３０）を
使用する。
【００１０】（３）異方導電性フィルムを用いた半導体
装置の実装装置において、送り出しリール（３１）と巻
き取りリール（３２）間に掛けられるベースフィルム
（３０Ａ）と異方導電性層（３０Ｂ）を有する異方導電
性フィルム（３０）と、この異方導電性フィルム（３
０）の下部に配置され、表面にクッション材（４０Ａ）
を有する転写ステージ（４０）と、この転写ステージ
（４０）の近くに配置される半導体装置（１０）を収納
するトレイ（４１）と、前記転写ステージ（４０）の近
くに配置され、半導体装置（１０）が実装される被半導
体装置実装体（１２）がセットされる実装ステージ（４
２）とを配置し、ヒートツール（２０）にて前記トレイ
（４１）に収納されている半導体装置（１０）を吸着し
て、前記異方導電性フィルム（３０）上に搬送した後、
前記ヒートツール（２０）を下降させて転写ステージ
（４０）との協働により、その半導体装置（１０）に前
記異方導電性層（３０Ｂ）をベースフィルム（３０Ａ）
より剥離させて転写し、前記ヒートツール（２０）を搬
送させて、前記実装ステージ（４２）上にセットされた
被半導体装置実装体（１２）に前記半導体装置（１０）
を実装する。
装置の実装装置において、送り出しリール（３１）と巻
き取りリール（３２）間に掛けられるベースフィルム
（３０Ａ）と異方導電性層（３０Ｂ）を有する異方導電
性フィルム（３０）と、この異方導電性フィルム（３
０）の下部に配置され、表面にクッション材（４０Ａ）
を有する転写ステージ（４０）と、この転写ステージ
（４０）の近くに配置される半導体装置（１０）を収納
するトレイ（４１）と、前記転写ステージ（４０）の近
くに配置され、半導体装置（１０）が実装される被半導
体装置実装体（１２）がセットされる実装ステージ（４
２）とを配置し、ヒートツール（２０）にて前記トレイ
（４１）に収納されている半導体装置（１０）を吸着し
て、前記異方導電性フィルム（３０）上に搬送した後、
前記ヒートツール（２０）を下降させて転写ステージ
（４０）との協働により、その半導体装置（１０）に前
記異方導電性層（３０Ｂ）をベースフィルム（３０Ａ）
より剥離させて転写し、前記ヒートツール（２０）を搬
送させて、前記実装ステージ（４２）上にセットされた
被半導体装置実装体（１２）に前記半導体装置（１０）
を実装する。
【００１１】（４）上記（３）記載の異方導電性フィル
ムを用いた半導体装置の実装装置において、前記クッシ
ョン材（４０Ａ）はシリコンゴムからなるラバーであ
る。
ムを用いた半導体装置の実装装置において、前記クッシ
ョン材（４０Ａ）はシリコンゴムからなるラバーであ
る。
【００１２】
【作用】本発明によれば、上記（１）に示したように、
ヒートツール（２０）にて吸着された半導体装置
（１０）をベースフィルム（３０Ａ）と異方導電性層
（３０Ｂ）を有する異方導電性フィルム（３０）上に位
置決めし、 前記半導体装置（１０）を下降させ、こ
の半導体装置（１０）と前記異方導電性フィルム（３
０）の下部に配置される表面にクッション材（４０Ａ）
を有する転写ステージ（４０）間で前記異方導電性フィ
ルム（３０）を押圧加熱し、 前記ヒートツール（２
０）を上昇させ、前記異方導電性層（３０Ｂ）を前記ベ
ースフィルム（３０Ａ）と剥離させて前記半導体装置
（１０）に転写し、 前記ヒートツール（２０）を搬
送し、前記異方導電性層（３０Ｂ）が転写された半導体
装置（１０）を実装すべき位置に実装するようにしたの
で、簡便な工程でもって、しかも半導体装置の接続部の
みのサイズに異方導電性フィルムを形成することがで
き、実装スペースの低減を図ることができる。
ヒートツール（２０）にて吸着された半導体装置
（１０）をベースフィルム（３０Ａ）と異方導電性層
（３０Ｂ）を有する異方導電性フィルム（３０）上に位
置決めし、 前記半導体装置（１０）を下降させ、こ
の半導体装置（１０）と前記異方導電性フィルム（３
０）の下部に配置される表面にクッション材（４０Ａ）
を有する転写ステージ（４０）間で前記異方導電性フィ
ルム（３０）を押圧加熱し、 前記ヒートツール（２
０）を上昇させ、前記異方導電性層（３０Ｂ）を前記ベ
ースフィルム（３０Ａ）と剥離させて前記半導体装置
（１０）に転写し、 前記ヒートツール（２０）を搬
送し、前記異方導電性層（３０Ｂ）が転写された半導体
装置（１０）を実装すべき位置に実装するようにしたの
で、簡便な工程でもって、しかも半導体装置の接続部の
みのサイズに異方導電性フィルムを形成することがで
き、実装スペースの低減を図ることができる。
【００１３】また、上記（２）に示したように、異方導
電性フィルム（３０）の幅方向に半導体装置（１０−
１，１０−２，…１０−ｎ）に転写が必要な寸法だけ区
分して異方導電性層（３０Ｂ）を前記半導体装置（１０
−１，１０−２，…１０−ｎ）に転写させ、幅方向に許
容できる回数だけ異方導電性フィルム（３０）を使用す
ることにより、異方導電性層（３０Ｂ）の転写をその幅
が使用可能な限り、ｎ回転写させることができ、異方導
電性フィルム（３０）を無駄なく使用でき、経済的であ
り、ＡＣＦ使用単価を下げることができる。
電性フィルム（３０）の幅方向に半導体装置（１０−
１，１０−２，…１０−ｎ）に転写が必要な寸法だけ区
分して異方導電性層（３０Ｂ）を前記半導体装置（１０
−１，１０−２，…１０−ｎ）に転写させ、幅方向に許
容できる回数だけ異方導電性フィルム（３０）を使用す
ることにより、異方導電性層（３０Ｂ）の転写をその幅
が使用可能な限り、ｎ回転写させることができ、異方導
電性フィルム（３０）を無駄なく使用でき、経済的であ
り、ＡＣＦ使用単価を下げることができる。
【００１４】更に、上記（３）に示した実装装置によれ
ば、異方導電性フィルムの供給装置、半導体トレイ及び
被半導体実装体がその異方導電性フィルムの供給装置の
近傍に集約的に配置され、ヒートツールに吸着された半
導体装置に異方導電性層を接続に必要な寸法だけ転写
し、経済的でかつ量産性の向上を図ることができる。ま
た、上記（４）に示したように、前記クッション材はシ
リコンゴムからなるラバーとすることにより、耐熱性を
有するとともに、半導体装置エッジ部により、ヒートツ
ールの上昇時に、半導体装置の幅寸法だけ、異方導電性
層の転写を確実に行うことができる。
ば、異方導電性フィルムの供給装置、半導体トレイ及び
被半導体実装体がその異方導電性フィルムの供給装置の
近傍に集約的に配置され、ヒートツールに吸着された半
導体装置に異方導電性層を接続に必要な寸法だけ転写
し、経済的でかつ量産性の向上を図ることができる。ま
た、上記（４）に示したように、前記クッション材はシ
リコンゴムからなるラバーとすることにより、耐熱性を
有するとともに、半導体装置エッジ部により、ヒートツ
ールの上昇時に、半導体装置の幅寸法だけ、異方導電性
層の転写を確実に行うことができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の実施例を示す半導体装置への
ＡＣＦ転写工程図である。この図１において、１０はＩ
Ｃであり、このＩＣ１０はヒートツール２０により吸着
保持されている。４０はＩＣ１０にＡＣＦの転写を実施
する転写ステージ、４０Ａはこの転写ステージ４０上に
固定され，ヒートツール２０による加圧時にクッション
となるクッション材であり、例えば、シリコンゴムから
なるラバーである。
説明する。図１は本発明の実施例を示す半導体装置への
ＡＣＦ転写工程図である。この図１において、１０はＩ
Ｃであり、このＩＣ１０はヒートツール２０により吸着
保持されている。４０はＩＣ１０にＡＣＦの転写を実施
する転写ステージ、４０Ａはこの転写ステージ４０上に
固定され，ヒートツール２０による加圧時にクッション
となるクッション材であり、例えば、シリコンゴムから
なるラバーである。
【００１６】ＩＣ１０と、転写ステージ４０上のクッシ
ョン材４０Ａの間にＡＣＦ３０が配置される。以下、図
１を用いて、半導体装置へのＡＣＦ転写工程を説明す
る。 （１）まず、図１（ａ−１）に示すように、ヒートツー
ル２０にて吸着されたＩＣ１０を下降させ、転写ステー
ジ４０上のＡＣＦ３０に位置決めする。ここで、ＡＣＦ
３０は、図１（ａ−２）〔図１（ａ−１）のＡ部拡大
図〕に示すように、ベースフィルム３０Ａ上に異方導電
性層（以下、ＡＣ層という）３０Ｂが形成されている。
ョン材４０Ａの間にＡＣＦ３０が配置される。以下、図
１を用いて、半導体装置へのＡＣＦ転写工程を説明す
る。 （１）まず、図１（ａ−１）に示すように、ヒートツー
ル２０にて吸着されたＩＣ１０を下降させ、転写ステー
ジ４０上のＡＣＦ３０に位置決めする。ここで、ＡＣＦ
３０は、図１（ａ−２）〔図１（ａ−１）のＡ部拡大
図〕に示すように、ベースフィルム３０Ａ上に異方導電
性層（以下、ＡＣ層という）３０Ｂが形成されている。
【００１７】（２）次に、ヒートツール２０にて吸着さ
れたＩＣ１０を更に下降させると、ＩＣ１０はＡＣＦ３
０に接触する。更に、ＩＣ１０を下降させると、図１
（ｂ−１）に示すように、ＩＣ１０はＡＣＦ３０に沈み
込み、転写ステージ４０上のクッション材４０Ａが変形
する。その状態は、図１（ｂ−２）に拡大して示すよう
に、ＩＣエッジ部１１のＡＣＦ３０は、ＩＣ１０が沈み
込むことにより、ＡＣＦ３０のＡＣ層３０Ｂがベースフ
ィルム３０Ａより柔らかいため、厚さが薄くなる。この
効果は、ヒートツール２０でＩＣ１０を加熱することに
より、より顕著に現れる。
れたＩＣ１０を更に下降させると、ＩＣ１０はＡＣＦ３
０に接触する。更に、ＩＣ１０を下降させると、図１
（ｂ−１）に示すように、ＩＣ１０はＡＣＦ３０に沈み
込み、転写ステージ４０上のクッション材４０Ａが変形
する。その状態は、図１（ｂ−２）に拡大して示すよう
に、ＩＣエッジ部１１のＡＣＦ３０は、ＩＣ１０が沈み
込むことにより、ＡＣＦ３０のＡＣ層３０Ｂがベースフ
ィルム３０Ａより柔らかいため、厚さが薄くなる。この
効果は、ヒートツール２０でＩＣ１０を加熱することに
より、より顕著に現れる。
【００１８】（３）次いで、所定時間加熱した後、ヒー
トツール２０を上昇させると、図１（ｃ）に示すよう
に、ＡＣ層３０ＢはＩＣエッジ部１１からベースフィル
ム３０Ａと剥離し、ＩＣ１０にＡＣ層３０Ｂが転写され
る。このように、ＡＣ層３０Ｂの転写を、被転写物（こ
こでは、ＩＣ１０）から、加熱加圧したことにより、Ａ
Ｃ層３０Ｂの転写を必要面積だけ実施することが可能と
なる。
トツール２０を上昇させると、図１（ｃ）に示すよう
に、ＡＣ層３０ＢはＩＣエッジ部１１からベースフィル
ム３０Ａと剥離し、ＩＣ１０にＡＣ層３０Ｂが転写され
る。このように、ＡＣ層３０Ｂの転写を、被転写物（こ
こでは、ＩＣ１０）から、加熱加圧したことにより、Ａ
Ｃ層３０Ｂの転写を必要面積だけ実施することが可能と
なる。
【００１９】更に、転写ステージ４０上にクッション材
４０Ａ（ラバー）を配置したことにより、上記作用効果
を確実にすることができる。図２は本発明の実施例を示
す異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装装置の
全体斜視図である。図２に示すように、この半導体装置
の実装装置は、異方導電性フィルムの供給装置として
は、ＡＣＦ３０の繰り出しリール３１、ＡＣ層３０Ｂが
転写された後のＡＣＦ３０の巻き取りリール３２を有
し、これらは、固定部４３に回転可能に配置されてい
る。そこで、繰り出しリール３１よりＡＣＦ３０が繰り
出され、巻き取りリール３２でＡＣ層３０Ｂが転写され
た後のＡＣＦ３０を回収する。そして、これらのリール
３１と３２間に掛けられるＡＣＦ３０の下部には転写ス
テージ４０が配置されている。
４０Ａ（ラバー）を配置したことにより、上記作用効果
を確実にすることができる。図２は本発明の実施例を示
す異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装装置の
全体斜視図である。図２に示すように、この半導体装置
の実装装置は、異方導電性フィルムの供給装置として
は、ＡＣＦ３０の繰り出しリール３１、ＡＣ層３０Ｂが
転写された後のＡＣＦ３０の巻き取りリール３２を有
し、これらは、固定部４３に回転可能に配置されてい
る。そこで、繰り出しリール３１よりＡＣＦ３０が繰り
出され、巻き取りリール３２でＡＣ層３０Ｂが転写され
た後のＡＣＦ３０を回収する。そして、これらのリール
３１と３２間に掛けられるＡＣＦ３０の下部には転写ス
テージ４０が配置されている。
【００２０】この異方導電性フィルムの供給装置の近く
には、トレイステージ４１が配置され、このトレイステ
ージ４１には基板へ実装されるＩＣ１０が収納されてい
る。また、トレイステージ４１及び転写ステージ４０の
近くに実装ステージ４２が配置されている。以下、この
異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装装置の動
作を説明する。
には、トレイステージ４１が配置され、このトレイステ
ージ４１には基板へ実装されるＩＣ１０が収納されてい
る。また、トレイステージ４１及び転写ステージ４０の
近くに実装ステージ４２が配置されている。以下、この
異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装装置の動
作を説明する。
【００２１】まず、ヒートツール２０がトレイステージ
４１の第１番目のＩＣ１０−１を吸着する。次に、ＩＣ
１０−１を転写ステージ４０に移動させ、ヒートツール
２０を下降させ、所定の時間加熱加圧する。その後、ヒ
ートツール２０を上昇させ、ＡＣ層３０Ｂの転写が完了
する。次に、ヒートツール２０は実装ステージ４２上の
基板１２の実装位置に移動し、位置決めした後、ヒート
ツール２０を下降させ、所定時間加熱加圧し、ＡＣ層３
０Ｂの硬化が完了し、基板１２の所定の位置にＩＣ１０
−１を実装する。
４１の第１番目のＩＣ１０−１を吸着する。次に、ＩＣ
１０−１を転写ステージ４０に移動させ、ヒートツール
２０を下降させ、所定の時間加熱加圧する。その後、ヒ
ートツール２０を上昇させ、ＡＣ層３０Ｂの転写が完了
する。次に、ヒートツール２０は実装ステージ４２上の
基板１２の実装位置に移動し、位置決めした後、ヒート
ツール２０を下降させ、所定時間加熱加圧し、ＡＣ層３
０Ｂの硬化が完了し、基板１２の所定の位置にＩＣ１０
−１を実装する。
【００２２】以降、この工程をｎ回実施し、その後、巻
き取りリール３２が転写終了したＡＣＦ３０を回収し、
新たな転写工程が開始する。なお、本実施例では装置の
基本的な構成について記載したが、実装の精度向上のた
めの機構や、量産のための機構を付加した装置を本発明
から排除するものではない。
き取りリール３２が転写終了したＡＣＦ３０を回収し、
新たな転写工程が開始する。なお、本実施例では装置の
基本的な構成について記載したが、実装の精度向上のた
めの機構や、量産のための機構を付加した装置を本発明
から排除するものではない。
【００２３】図４は本発明の他の実施例を示す半導体装
置へのＡＣＦ転写態様の説明図、図５はそれによって実
装された半導体装置の実装基板の部分斜視図である。図
４において、１０−１はトレイステージより取り出され
た第１番目のＩＣであり、以降１０−２は第２番目のＩ
Ｃ、１０−ｎは第ｎ番目のＩＣである。一方、３０−１
は、ＡＣＦ３０の内の第１番目のＩＣ１０−１に転写さ
れたＡＣ層痕、同様に３０−２は第２番目のＡＣ層痕、
３０−ｎは第ｎ番目のＡＣ層痕である。
置へのＡＣＦ転写態様の説明図、図５はそれによって実
装された半導体装置の実装基板の部分斜視図である。図
４において、１０−１はトレイステージより取り出され
た第１番目のＩＣであり、以降１０−２は第２番目のＩ
Ｃ、１０−ｎは第ｎ番目のＩＣである。一方、３０−１
は、ＡＣＦ３０の内の第１番目のＩＣ１０−１に転写さ
れたＡＣ層痕、同様に３０−２は第２番目のＡＣ層痕、
３０−ｎは第ｎ番目のＡＣ層痕である。
【００２４】以下、その動作について説明する。第１実
施例の要領にて、第１番目のＩＣ１０−１に、ＡＣ層３
０−ａの転写が終了し、ベースフィルム３０Ａ上にＡＣ
層痕３０−１が残る。そして、そのＩＣ１０−１は実装
基板５０の実装位置５１にＡＣ層３０−ａを介して実装
される。この後、ヒートツール２０にて、第２番目のＩ
Ｃ１０−２が搬送され、転写ステージ４０上で、第１番
目のＩＣ１０−１に転写されたＡＣ層痕３０−１分ずら
した位置にヒートツール２０が位置決めされる。
施例の要領にて、第１番目のＩＣ１０−１に、ＡＣ層３
０−ａの転写が終了し、ベースフィルム３０Ａ上にＡＣ
層痕３０−１が残る。そして、そのＩＣ１０−１は実装
基板５０の実装位置５１にＡＣ層３０−ａを介して実装
される。この後、ヒートツール２０にて、第２番目のＩ
Ｃ１０−２が搬送され、転写ステージ４０上で、第１番
目のＩＣ１０−１に転写されたＡＣ層痕３０−１分ずら
した位置にヒートツール２０が位置決めされる。
【００２５】次いで、第１実施例の要領にて、第２番目
のＩＣ１０−２にＡＣ層３０−ｂの転写が実施され、ベ
ースフィルム３０ＡにはＡＣ層痕３０−２が残る。そし
て、そのＩＣ１０−２は実装基板５０の実装位置５２に
ＡＣ層３０−ｂを介して実装される。第ｎ番目のＩＣ１
０−ｎにＡＣ層３０−ｎの転写が実施され、ベースフィ
ルム３０ＡにはＡＣ層痕３０−ｎが残る。そして、その
ＩＣ１０−ｎは、実装基板５０の実装位置５９にＡＣ層
３０−ｎを介して実装される。
のＩＣ１０−２にＡＣ層３０−ｂの転写が実施され、ベ
ースフィルム３０ＡにはＡＣ層痕３０−２が残る。そし
て、そのＩＣ１０−２は実装基板５０の実装位置５２に
ＡＣ層３０−ｂを介して実装される。第ｎ番目のＩＣ１
０−ｎにＡＣ層３０−ｎの転写が実施され、ベースフィ
ルム３０ＡにはＡＣ層痕３０−ｎが残る。そして、その
ＩＣ１０−ｎは、実装基板５０の実装位置５９にＡＣ層
３０−ｎを介して実装される。
【００２６】このようにして、ＡＣＦ３０の幅ｗ以内ま
でｎ回実施される。その後、ＡＣＦ３０を、巻き取りリ
ール３２で所定量巻き取り、移動させ、同様の工程を実
施する。このように構成したので、他の実施例によれ
ば、ＡＣ層の転写をＡＣＦ幅が使用可能な限り、ｎ回転
写させることができるようにしたので、ＡＣＦを無駄な
く使用でき、経済的であり、ＡＣＦ使用単価を下げるこ
とが可能である。
でｎ回実施される。その後、ＡＣＦ３０を、巻き取りリ
ール３２で所定量巻き取り、移動させ、同様の工程を実
施する。このように構成したので、他の実施例によれ
ば、ＡＣ層の転写をＡＣＦ幅が使用可能な限り、ｎ回転
写させることができるようにしたので、ＡＣＦを無駄な
く使用でき、経済的であり、ＡＣＦ使用単価を下げるこ
とが可能である。
【００２７】このように、本発明の異方導電性フィルム
を用いた半導体装置の実装装置によれば、量産性の向上
を図ることもできる。なお、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変
形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
を用いた半導体装置の実装装置によれば、量産性の向上
を図ることもできる。なお、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変
形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項（１）記載の発明によれば、簡便な工程で
もって、しかも半導体装置の接続部のみのサイズに異方
導電性層を形成することができ、実装スペースの低減を
図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項（１）記載の発明によれば、簡便な工程で
もって、しかも半導体装置の接続部のみのサイズに異方
導電性層を形成することができ、実装スペースの低減を
図ることができる。
【００２９】（２）請求項（２）記載の発明によれば、
上記（１）の効果に加え、異方導電性層の転写をその幅
が使用可能な限り、ｎ回転写させることができ、異方導
電性フィルムを無駄なく使用でき、経済的であり、異方
導電性フィルム使用単価を下げることができる。 （３）請求項（３）記載の発明によれば、異方導電性フ
ィルムの供給装置、半導体トレイ及び被半導体実装体が
その異方導電性フィルムの供給装置の近傍に集約的に配
置され、ヒートツールに吸着された半導体装置に異方導
電性フィルム層を接続に必要な寸法だけ転写し、経済的
でかつ量産性の向上を図ることができる。
上記（１）の効果に加え、異方導電性層の転写をその幅
が使用可能な限り、ｎ回転写させることができ、異方導
電性フィルムを無駄なく使用でき、経済的であり、異方
導電性フィルム使用単価を下げることができる。 （３）請求項（３）記載の発明によれば、異方導電性フ
ィルムの供給装置、半導体トレイ及び被半導体実装体が
その異方導電性フィルムの供給装置の近傍に集約的に配
置され、ヒートツールに吸着された半導体装置に異方導
電性フィルム層を接続に必要な寸法だけ転写し、経済的
でかつ量産性の向上を図ることができる。
【００３０】（４）請求項（４）記載の発明によれば、
上記（３）の効果に加え、前記クッション材はシリコン
ゴムからなるラバーとすることにより、耐熱性を有する
とともに、半導体装置エッジ部により、ヒートツールの
上昇時に、半導体装置の幅寸法だけ、異方導電性層の転
写を確実に行うことができる。
上記（３）の効果に加え、前記クッション材はシリコン
ゴムからなるラバーとすることにより、耐熱性を有する
とともに、半導体装置エッジ部により、ヒートツールの
上昇時に、半導体装置の幅寸法だけ、異方導電性層の転
写を確実に行うことができる。
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置へのＡＣＦ転
写工程図である。
写工程図である。
【図２】本発明の実施例を示す異方導電性フィルムを用
いた半導体装置の実装装置の全体斜視図である。
いた半導体装置の実装装置の全体斜視図である。
【図３】従来のＡＣＦを用いた基板へのＩＣの実装工程
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す半導体装置へのＡＣ
Ｆ転写態様の説明図である。
Ｆ転写態様の説明図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す半導体装置の実装基
板の部分斜視図である。
板の部分斜視図である。
１０，１０−１，１０−２，…，１０−ｎ ＩＣ（半
導体装置） １１ ＩＣエッジ部 １２ 基板 ２０ ヒートツール ３０ ＡＣＦ（異方導電性フィルム） ３０Ａ ベースフィルム ３０Ｂ ＡＣ層（異方導電性層） ３０−１，３０−２，…，３０−ｎ ＡＣ層痕 ３１ 繰り出しリール ３２ 巻き取りリール ４０ 転写ステージ ４０Ａ クッション材 ４１ トレイステージ ４２ 実装ステージ ４３ 固定部
導体装置） １１ ＩＣエッジ部 １２ 基板 ２０ ヒートツール ３０ ＡＣＦ（異方導電性フィルム） ３０Ａ ベースフィルム ３０Ｂ ＡＣ層（異方導電性層） ３０−１，３０−２，…，３０−ｎ ＡＣ層痕 ３１ 繰り出しリール ３２ 巻き取りリール ４０ 転写ステージ ４０Ａ クッション材 ４１ トレイステージ ４２ 実装ステージ ４３ 固定部
フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−53274（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−6019（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−35000（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−122093（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315401（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/32
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）ヒートツールにて吸着された半導体
装置をベースフィルムと異方導電性層を有する異方導電
性フィルム上に位置決めする工程と、（ｂ）前記半導体
装置を下降させ該半導体装置と前記異方導電性フィルム
の下部に配置される表面にクッション材を有する転写ス
テージ間で前記異方導電性フィルムを押圧加熱する工程
と、（ｃ）前記ヒートツールを上昇させ異方導電性層を
前記ベースフィルムと剥離させて前記半導体装置に転写
する工程と、（ｄ）前記ヒートツールを搬送し前記異方
導電性層が転写された半導体装置を実装すべき位置に実
装する工程とを施すことを特徴とする異方導電性フィル
ムを用いた半導体装置の実装方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の異方導電性フィルムを用
いた半導体装置の実装方法において、前記異方導電性フ
ィルムの幅方向に半導体装置に転写が必要な寸法だけ区
分して前記異方導電性層を前記半導体装置に転写させ幅
方向に許容できる回数だけ異方導電性フィルムを使用す
る異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法。 - 【請求項３】（ａ）送り出しリールと巻き取りリール間
に掛けられるベースフィルムと異方導電性層を有する異
方導電性フィルムと、（ｂ）該異方導電性フィルムの下
部に配置され、表面にクッション材を有する転写ステー
ジと、（ｃ）該転写ステージの近くに配置され、半導体
装置を収納する半導体装置トレイと、（ｄ）前記転写ス
テージの近くに配置され、半導体装置が実装される被半
導体装置実装体がセットされる実装ステージとを配置
し、（ｅ）ヒートツールにて前記半導体装置トレイに収
納されている半導体装置を吸着して、前記異方導電性フ
ィルム上に搬送した後、前記ヒートツールを下降させて
転写ステージとの協働により該半導体装置に異方導電性
層をベースフィルムより剥離させて転写し、前記ヒート
ツールを搬送させて、前記実装ステージにセットされた
被半導体装置実装体に前記半導体装置を実装することを
特徴とする異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実
装装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の異方導電性フィルムを用
いた半導体装置の実装装置において、前記クッション材
はシリコンゴムからなるラバーである半導体装置の実装
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222312A JP2925946B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びそのための装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222312A JP2925946B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びそのための装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888462A JPH0888462A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2925946B2 true JP2925946B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=16780393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222312A Expired - Fee Related JP2925946B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 異方導電性フィルムを用いた半導体装置の実装方法及びそのための装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925946B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JP4151083B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2008-09-17 | 日立化成工業株式会社 | 異方導電性接着テープの貼付け方法および装置 |
| JP4996859B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2012-08-08 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置 |
| JP5045177B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-10-10 | カシオ計算機株式会社 | 電子部品の搭載方法 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP6222312A patent/JP2925946B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0888462A (ja) | 1996-04-02 |
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