JP2925751B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、半導体ウエハのような被処理物上の
レジストをプラズマによって灰化処理する工程を有する
半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor device having a step of ashing a resist on an object to be processed such as a semiconductor wafer by plasma.
【０００２】近時、装置の稼働率とスループットを下げ
ることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チャンバーの
壁に付着したＨ2 Ｏ成分の除去を行うことができ、安定
したアッシングレートを得ることができるようにレジス
トをアッシング処理する工程を有する半導体装置の製造
方法が要求されている。In recent years, H 2 O components adhering to the wall of a vacuum chamber surrounding a plasma generation region can be removed without lowering the operation rate and throughput of the apparatus, and a stable ashing rate can be obtained. As described above, there is a demand for a method of manufacturing a semiconductor device having a step of performing ashing of a resist.
【０００３】[0003]
【従来の技術】半導体製造工程における、プラズマを用
いたレジストのドライアッシング方法としては、プラズ
マ中の荷電粒子の衝突によるダメージを半導体ウエハに
与えること無く、効率良くレジストを灰化することが要
求されている。この荷電粒子のダメージを避けるために
プラズマからウエハを離したダウンストリームアッシン
グプロセス（プラズマの下流でのアッシングプロセス）
が使われてきており、このダウンストリームアッシング
プロセスは、Ｏ2 ガスを主に用いる。Ｏ2 ガスのみを用
いる、Ｏ2 ガスダウンストリームアッシングプロセスに
おいてアッシング反応に寄与する反応種は、中性粒子で
ある酸素原子であることが例えばJ.MCook,B.W.Benson:
J.Electrochem.Soc.,130.(1983)2459で確認されてい
る。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a dry ashing method of a resist using plasma requires efficient ashing of the resist without damaging a semiconductor wafer due to collision of charged particles in the plasma. ing. A downstream ashing process (ashing process downstream of the plasma) that separates the wafer from the plasma to avoid damage to the charged particles
Has been used, and this downstream ashing process mainly uses O 2 gas. The reactive species that contributes to the ashing reaction in the O 2 gas downstream ashing process using only O 2 gas is, for example, an oxygen atom that is a neutral particle, for example, J. MCook, BWBenson:
J. Electrochem. Soc., 130. (1983) 2459.
【０００４】ところが、このＯ2 ダウンストリームアッ
シングは、化学反応だけでレジストをアッシングするこ
とができるという利点があるが、アッシングレートが低
く、アッシングレートのウエハ温度依存が大きい等の問
題がある。However, this O 2 downstream ashing has the advantage that the resist can be ashed only by a chemical reaction, but has problems such as a low ashing rate and a large dependence of the ashing rate on the wafer temperature.
【０００５】そこで、これらの問題に対処するため、Ｏ
2 ガスにＣＦ4 ガスを添加して行うＯ2 ＋ＣＦ4 ガスダ
ウンストリームアッシングプロセスや、Ｏ2 ガスにＣ2
Ｆ6 ガスを添加して行うＯ2 ＋Ｃ2 Ｆ6 ガスダウンスト
リームアッシングプロセス等が提案された。To address these problems, O.D.
2 and O 2 + CF 4 gas downstream ashing process carried out by adding the CF 4 gas to the gas, C 2 to O 2 gas
An O 2 + C 2 F 6 gas downstream ashing process performed by adding F 6 gas has been proposed.
【０００６】このように、Ｏ2 ガスを主に用いるダウン
ストリームアッシングにおいて、Ｏ 2 プラズマにＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 等のガスを適量添加すると、アッシング
レートが上昇し、アッシング反応の活性化エネルギー
が下がる（アッシングレートのウエハ温度依存が小さく
なる）等と上記問題を解決することができるという効果
がある。これらの効果が現れるのは、プラズマ中で生成
される酸素原子が増加すること、プラズマ中で生成され
たフッ素原子がアッシング反応に寄与すること等による
ものと推定される。このため、従来Ｏ2 ＋ＣＦ4 ガスダ
ウンストリームアッシングプロセス、Ｏ2 ＋Ｃ2 Ｆ6 ガ
スダウンストリームアッシングプロセスが良く用いられ
てきた。As described above, OTwo Down mainly using gas
In stream ashing, O Two CF in plasma
Four , CTwo F6 Ash is added when an appropriate amount of gas such as
The rate increases, the activation energy of the ashing reaction
(The dependence of the ashing rate on the wafer temperature is small.
And the effect that the above problem can be solved.
There is. These effects appear only in the plasma
Oxygen atoms are increased that are generated in the plasma
Fluorine atoms contribute to the ashing reaction
It is presumed that. For this reason, the conventional OTwo + CFFour Gasda
Unstream Ashing Process, OTwo + CTwo F6 Moth
Downstream ashing processes are often used
Have been.
【０００７】ところが、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 ガスを用いた
アッシングプロセスでは、フッ素原子がアッシング反応
に寄与するだけでなく、下地がＳｉＯ2 等の酸化膜であ
る場合、その下地の酸化膜までもエッチングしてしま
い、選択比が悪いという問題がある。そこで上記した
の効果をもち、しかもフッ素原子を含まないプロセ
ス、または、フッ素原子による下地の酸化膜のエッチン
グを防止できるプロセスであるＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウン
ストリームアッシングプロセス（フッ素原子を含まな
い）、Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシ
ングプロセス（フッ素原子を含まない）、Ｏ2 ＋Ｈ2Ｏ
＋ＣＦ4 ガスダウンストリームアッシングプロセス（フ
ッ素原子の酸化膜エッチングを水素原子で防止できる）
等の、少なくともＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを含むプロセスガス
を用いるダウンストリームアッシング方法が提案され
た。However, in the ashing process using CF 4 or C 2 F 6 gas, not only the fluorine atoms contribute to the ashing reaction, but also when the underlayer is an oxide film such as SiO 2 , the ashing process is performed up to the underlayer oxide film. Is also etched, resulting in poor selectivity. Therefore, an O 2 + H 2 O gas downstream ashing process (not including fluorine atoms) which has the above-described effects and does not include fluorine atoms or a process capable of preventing etching of an underlying oxide film by fluorine atoms. , O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing process (no fluorine atom), O 2 + H 2 O
+ CF 4 gas downstream ashing process (hydrogen atoms can prevent fluorine oxide film etching)
For example, a downstream ashing method using a process gas containing at least O 2 + H 2 O gas has been proposed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の少なくともＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスを含むプロセスを
用いるダウンストリームアッシング方法では、このアッ
シング方法を連続して用いる場合、前回のアッシング時
に真空チャンバーの壁に付着したＨ2 Ｏ成分が、次工程
で行うアッシング処理のプラズマ放電時に、プロセスガ
スとともにプラズマ化して実質のガス混合比を変えてし
まい、設定したアッシングレートに制御できないことが
不規則に生じるという問題があった。However, in the above-mentioned conventional downstream ashing method using a process containing at least O 2 + H 2 O gas, when this ashing method is used continuously, the vacuum chamber is not used during the previous ashing. At the time of plasma discharge in the ashing process performed in the next step, the H 2 O component adhering to the wall is turned into plasma together with the process gas and changes the substantial gas mixture ratio, so that irregular control of the set ashing rate occurs irregularly. There was a problem.
【０００９】この対策としてアッシングレートが安定し
なくなった場合にのみ、Ｏ2 ガスプラズマによるプラズ
マ放電領域のクリーニングが行われたが、クリーニング
時間が５分程度もかかってしまい、装置の稼働率とスル
ープットを下げてしまうという問題があった。以下、具
体的に図面を用いて説明する。As a countermeasure, the plasma discharge region is cleaned by the O 2 gas plasma only when the ashing rate becomes unstable, but the cleaning time takes about 5 minutes, and the operation rate and throughput of the apparatus are reduced. There was a problem that lowers. Hereinafter, a specific description will be given with reference to the drawings.
【００１０】図５はＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリーム
アッシングプロセスのアッシング特性を示しており、流
量比Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％に対するアッシングレ
ートの変化を示す図である。FIG. 5 shows the ashing characteristics of the O 2 + H 2 O gas downstream ashing process, and shows the change in the ashing rate with respect to the flow rate ratio H 2 O / (O 2 + H 2 O)%.
【００１１】この図５から、アッシングレートは流量比
Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％を０から10％に変化させる
と急激に上昇しており、10％を越えると緩やかに減少し
ていることが判る。そして、この図５から、Ｏ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームアッシングプロセスは、プラズ
マ中のＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガス混合比を一定に保つことがアッ
シングレートを設定値通りに制御するために重要である
ことが判る。From FIG. 5, the ashing rate sharply increases when the flow rate ratio H 2 O / (O 2 + H 2 O)% is changed from 0 to 10%, and gradually decreases when it exceeds 10%. You can see that From FIG. 5, O 2 + H 2
It can be seen that in the O gas downstream ashing process, it is important to keep the O 2 + H 2 O gas mixture ratio in the plasma constant in order to control the ashing rate as set.
【００１２】従って、アッシングレートが設定値通りに
ならない場合は、Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガス混合比が制御できて
いない可能性が高い。そこで、アッシングレートが設定
値通りの場合のプラズマの発光スペクトルとアッシング
レートが制御できずに設定値のアッシングレートが20％
減少した場合のプラズマの発光スペクトルと比較してみ
た。図６はＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガス流量比をＨ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋
Ｈ2 Ｏ）％＝10％に設定して図５に対応した設定通りの
アッシングレート（ 1.3μｍ／分）が得られている場合
の発光スペクトルを示す図である。図７はＯ2 ＋Ｈ2 Ｏ
ガス流量比をＨ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝10％に設定
しているにも関わらず、アッシングレートの設定値が制
御できず設定値より約20％アッシングレートが減少した
（ 1.0μｍ／分）場合の発光スペクトル図を示す図であ
る。Therefore, if the ashing rate does not meet the set value, there is a high possibility that the O 2 + H 2 O gas mixture ratio cannot be controlled. Therefore, when the ashing rate is equal to the set value, the plasma emission spectrum and the ashing rate cannot be controlled.
It was compared with the emission spectrum of the plasma when it was reduced. FIG. 6 shows that the O 2 + H 2 O gas flow ratio is H 2 O / (O 2 +
FIG. 6 is a diagram showing an emission spectrum when an ashing rate (1.3 μm / min) as set in FIG. 5 is obtained by setting H 2 O)% = 10%. FIG. 7 shows O 2 + H 2 O
Although the gas flow ratio was set to H 2 O / (O 2 + H 2 O)% = 10%, the set value of the ashing rate could not be controlled, and the ashing rate was reduced by about 20% from the set value ( It is a figure which shows the emission spectrum figure in the case of 1.0 micrometer / min).
【００１３】この図６、７から判るように、設定通りの
アッシングレートの場合（図６）と設定値より約20％ア
ッシングレートが減少した場合（図７）では、発光スペ
クトルの図形が違っていることが判る。設定値より約20
％アッシングレートが減少した場合（図７）では、設定
通りのアッシングレートの場合（図６）より水素原子の
発光（4861Å）の発光強度が著しく増加していること
と、ＯＨの発光（3063Å）の発光強度も増加しているこ
とが判る。As can be seen from FIGS. 6 and 7, when the ashing rate is as set (FIG. 6) and when the ashing rate is reduced by about 20% from the set value (FIG. 7), the shapes of the emission spectra are different. It turns out that there is. About 20 from the set value
When the% ashing rate is decreased (FIG. 7), the emission intensity of hydrogen atom emission (4861 °) is significantly increased and the OH emission (3063 °) is higher than in the case of the set ashing rate (FIG. 6). It can be seen that the emission intensity of the sample also increased.
【００１４】このことから、プラズマ中のＨ2 Ｏガスの
量が、設定通りのアッシングレートの場合（図６）より
多くなっていることが推定できる。そこで、図８にＯ2
＋Ｈ 2 Ｏガス流量比をＨ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝20
％に設定して図５に対応した設定通りのアッシングレー
ト（ 1.0μｍ／分）が得られている場合の発光スペクト
ルを示す。異常の場合の図７と図８の発光スペクトルの
図形を比較してみると、ほとんど同じであることが判
る。[0014] From this, H in the plasmaTwo O gas
When the amount is the ashing rate as set (Fig. 6)
It can be estimated that it is increasing. Therefore, FIG.Two
+ H Two O gas flow ratio to HTwo O / (OTwo + HTwo O)% = 20
% And set ashes corresponding to Fig. 5
(1.0μm / min)
Show In the case of an abnormality, the emission spectra of FIGS.
Comparing the figures, it turns out that they are almost the same.
You.
【００１５】従って、図７に示す設定値より約20％アッ
シングレートが減少した場合のプラズマ中のガス混合比
は、Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝20％に近い混合比に
なっていると考えられる。Therefore, when the ashing rate is reduced by about 20% from the set value shown in FIG. 7, the gas mixture ratio in the plasma is H 2 O / (O 2 + H 2 O)% = 20%. It is thought that it has become.
【００１６】図７と図８のガス供給は、設定通り確実に
行われているため、プラズマ発生領域でのＯ2 ガスとＨ
2 Ｏガスの混合比を制御できなくしている原因は、プラ
ズマ発生領域を囲む真空チャンバーの壁に付着したＨ2
Ｏ成分がアッシング処理後も残留し、次のアッシング時
にプラズマ化して、実質のＨ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％
の割合を設定値よりも大きくしているものと考えられ
る。なお、このために生じるアッシングレートの安定し
ない状態は、特に、連続してアッシング処理を行う場合
に不規則に起きる。Since the gas supply shown in FIGS. 7 and 8 is reliably performed as set, the O 2 gas and H
The reason that the mixing ratio of the 2 O gas cannot be controlled is that H 2 adhering to the wall of the vacuum chamber surrounding the plasma generation region
The O component remains even after the ashing process and is turned into plasma at the next ashing, and the actual H 2 O / (O 2 + H 2 O)%
Is considered to be larger than the set value. The state where the ashing rate is not stable occurs due to this, particularly when the ashing process is continuously performed.
【００１７】そこで本発明は、装置の稼働率とスループ
ットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空チ
ャンバーの壁に付着したＨ2 Ｏ成分の除去を行うことが
でき、安定したアッシングレートを得ることができる半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。Therefore, the present invention can remove the H 2 O component adhering to the wall of the vacuum chamber surrounding the plasma generation area without lowering the operation rate and throughput of the apparatus, and obtain a stable ashing rate. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can perform the above.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は上記目的達成のため、レジストをアッシン
グ処理する工程を有する半導体装置の製造方法におい
て、該レジストを少なくともＯ2 ガスとＨ2 Ｏガスの混
合ガスを含むプロセスガスによってアッシング処理し、
次いで、該レジストを更に少なくともＨ2 Ｏガスを含ま
ないプロセスガスによってアッシング処理する工程を含
むものである。Since the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION The above objects achieved, in the manufacturing method of a semiconductor device having a step of ashing the resist, at least O 2 gas using the resist and H 2 O Ashing with a process gas containing a gas mixture,
Next, the method further includes a step of subjecting the resist to an ashing process with a process gas containing no H 2 O gas.
【００１９】本発明に係る混合ガスを含むプロセスガス
にはＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏガス及びＮ2 ガスの混合ガスや、
Ｏ2 ガス、Ｈ2 Ｏガス及びＮ2 Ｏガスの混合ガス等が挙
げられる。The process gas containing the mixed gas according to the present invention includes a mixed gas of O 2 gas, H 2 O gas and N 2 gas,
A mixed gas of O 2 gas, H 2 O gas and N 2 O gas may be used.
【００２０】本発明に係るＨ2 Ｏガスを含まないプロセ
スガスにはＯ2 ガスとＮ2 ガスの混合ガスや、Ｏ2 ガス
とＮ2 Ｏガスの混合ガス等が挙げられる。The process gas containing no H 2 O gas according to the present invention includes a mixed gas of O 2 gas and N 2 gas and a mixed gas of O 2 gas and N 2 O gas.
【００２１】[0021]
【作用】アッシングレートを常に安定させる手段として
は、極力装置の稼働率とスループットを落とさずに、真
空チャンバーのプラズマ発生領域を囲む壁に付着したＨ
2 Ｏ成分を除去することが望ましい。本発明では、第１
ステップで少なくともＯ 2 ガスとＨ2 Ｏガスの混合ガス
を含むプロセスガスによるダウンストリームアッシング
を行う。そして、次の第２ステップで、少なくともＨ2
Ｏガスを含まないプロセスガスを用いるダウンストリー
ムアッシングでアッシング処理を行いながら、第１ステ
ップにおいてプラズマ放電領域の真空チャンバーの壁に
付着したＨ 2 Ｏ成分を少なくともＨ2 Ｏガスを含まない
ガスのプラズマで除去するようにしたため、装置の稼働
率とスループットを落とさずに安定したアッシングレー
トを得ることができる。[Function] As a means to constantly stabilize the ashing rate
Is true without sacrificing equipment utilization and throughput.
H attached to the wall surrounding the plasma generation region of the empty chamber
Two It is desirable to remove the O component. In the present invention, the first
At least O in steps Two Gas and HTwo Mixed gas of O gas
Ashing with process gas containing
I do. Then, in the next second step, at least HTwo
Downstream using O-free process gas
Perform the first step while performing the ashing process by
On the wall of the vacuum chamber in the plasma discharge area
H attached Two O component at least HTwo Does not contain O gas
Since the gas plasma was used for removal, the operation of the equipment was started.
Ashing stable without reducing the rate and throughput
You can get
【００２２】更に、具体的に説明する。本発明では第１
ステップに、少なくともＯ2 ガスとＨ2 Ｏガスの混合ガ
スを含むプロセスガスによるダウンストリームアッシン
グを用いてアッシング処理を行う。そして、次の第２ス
テップで、少なくともＨ2 Ｏガスを含まないプロセスガ
スを用いるダウンストリームアッシングプロセスでアッ
シング処理を行いながら、第１ステップにおいてプラズ
マ放電領域の真空チャンバーの壁に付着したＨ2 Ｏ成分
を少なくともＨ2 Ｏガスを含まないガスのプラズマで除
去する。この過程を、例えば第１ステップでＯ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームプロセスによるアッシング処理
を54秒行い、第２ステップでＯ2 ガスダウンストリーム
アッシングプロセスによるアッシング処理を６秒行った
場合について、プラズマからの発光スペクトルを調べた
結果を、図１〜３に示す。A more specific description will now be given. In the present invention, the first
In the step, ashing is performed using downstream ashing with a process gas containing at least a mixed gas of O 2 gas and H 2 O gas. In the next second step, at least while the H 2 O gas ashing treatment downstream ashing process using a process gas containing no, H 2 O adhering to the wall of the vacuum chamber of the plasma discharge region in a first step The components are removed by a plasma of a gas not containing at least H 2 O gas. This process is performed, for example, in the first step, O 2 + H 2
FIGS. 1 to 3 show the results of examining the emission spectrum from the plasma when the ashing process by the O gas downstream process was performed for 54 seconds and the ashing process by the O 2 gas downstream ashing process was performed for 6 seconds in the second step. Shown in
【００２３】図１は第１ステップのＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダ
ウンストリームプロセスのアッシング処理を行っている
時の発光スペクトルを示す図である。この時のガス流量
比は、Ｏ2 ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝10％である。図２は
第２ステップのＯ2 ガスダウンストリームアッシングプ
ロセスを行っている時の発光スペクトルを示す図であ
り、第２ステップが開始されて３秒経過した時の発光ス
ペクトルを示す図である。第２ステップの図２の場合で
は第１ステップの図１の場合の発光スペクトルの図形と
比べて、水素原子の発光（4861Å）の発光強度とＯＨの
発光（3063Å）の発光強度とが著しく減少していること
が判る。FIG. 1 is a diagram showing an emission spectrum when ashing is performed in the O 2 + H 2 O gas downstream process in the first step. Gas flow ratio at this time is the O 2 / (O 2 + H 2 O)% = 10%. FIG. 2 is a diagram illustrating an emission spectrum when the O 2 gas downstream ashing process of the second step is performed, and is a diagram illustrating an emission spectrum when three seconds have elapsed after the start of the second step. In the case of FIG. 2 in the second step, the emission intensity of hydrogen atom emission (4861 °) and the emission intensity of OH emission (3063 °) are significantly reduced as compared with the emission spectrum pattern of FIG. 1 in the first step. You can see that it is.
【００２４】図３は第２ステップのＯ2 ガスダウンスト
リームアッシングプロセスの終了直前の発光スペクトル
を示す図であり、第２ステップが開始されて６秒経過し
た時の発光スペクトルを示す図である。図３に示す発光
スペクトルからＯ2 ガスプラズマのみを発光させたとき
の形と略同じである。従って、第２ステップを行うこと
により、プラズマ発生部のＨ2 Ｏ成分が除去されている
ことが判る。FIG. 3 is a diagram showing an emission spectrum immediately before the end of the O 2 gas downstream ashing process in the second step, and is a diagram showing an emission spectrum when 6 seconds have elapsed after the start of the second step. The emission spectrum shown in FIG. 3 is substantially the same as that when only O 2 gas plasma is emitted. Therefore, it can be seen that the H 2 O component in the plasma generating portion has been removed by performing the second step.
【００２５】なお、第１ステップ中のアッシングレート
は約 1.3μｍ／分であり、第２ステップ中のアッシング
レートは約 1.0μｍ／分であった。これらのことから、
第１ステップでは、図５における流量比がＯ2 ／（Ｏ2
＋Ｈ2 Ｏ）％＝10％の条件でアッシング処理が進み、第
２ステップでは図５における流量比がＯ2 ／（Ｏ2 ＋Ｈ
2 Ｏ）％＝10％から０％の条件でアッシング処理が進ん
でいると考えられる。The ashing rate during the first step was about 1.3 μm / min, and the ashing rate during the second step was about 1.0 μm / min. from these things,
In the first step, the flow rate ratio in FIG. 5 is O 2 / (O 2
+ H 2 O)% = 10%, the ashing process proceeds, and in the second step, the flow rate ratio in FIG. 5 is O 2 / (O 2 + H).
2 O)% = ashing 10% 0% conditions considered to proceed.
【００２６】従って、第２ステップでは、アッシング処
理とプラズマ発生部のクリーニングが同時に進んでいる
と考えられる。以上の条件で６インチウエハに約1.26μ
ｍ塗布したレジストが60秒で剥離することができた。一
方、Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシングプロ
セスのみを用いた場合、同じ試料が58秒でアッシングで
きる。従って、スループットを約３％程度下げることに
より、安定したプロセスを供給できる。Therefore, in the second step, it is considered that the ashing process and the cleaning of the plasma generating portion are proceeding simultaneously. Under the above conditions, about 1.26μ on 6 inch wafer
The applied resist could be removed in 60 seconds. On the other hand, when only the O 2 + H 2 O gas downstream ashing process is used, the same sample can be ashed in 58 seconds. Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 3%.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
（第１の実施例）図４はダウンストリームアッシング装
置を示す概略図である。図４において、１はウエハ、２
はウエハ１を載置するステージ、３は反応室、４はプラ
ズマ生成室、５は石英等からなるマイクロ波透過窓、６
はマイクロ波導波管、７は光ファイバーである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a downstream ashing apparatus. In FIG. 4, 1 is a wafer, 2
Is a stage on which the wafer 1 is placed, 3 is a reaction chamber, 4 is a plasma generation chamber, 5 is a microwave transmitting window made of quartz or the like, 6
Is a microwave waveguide, and 7 is an optical fiber.
【００２８】図４に示すダウンストリームアッシング装
置を用いて下記条件に示す２ステップアッシングの条
件でアッシング処理を行ったところ、６インチウエハに
約1.26μｍ塗布したレジストを60秒で剥離することがで
きる。When ashing was performed using the downstream ashing apparatus shown in FIG. 4 under the following two-step ashing conditions, the resist applied to a 6-inch wafer at about 1.26 μm could be stripped in 60 seconds. .
【００２９】一方、下記条件に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス（条件の
第１ステップに相当）のみを用いた場合、同じ試料が58
秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the conditions) was used, the same sample
Ashing in seconds.
【００３０】従って、スループットを約３％程度下げる
ことにより、安定したプロセスを供給できる。また、約
1000枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、
アッシングレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング（アッシ
ングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ アッシング時間：54秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.0μｍ／分) Ｏ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 1000cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ アッシング時間：60秒 （第２の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件 に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジス
トを76秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 3%. Also, about
Ashing of 1000 6-inch wafers was performed.
The ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Ashing time: 54 seconds Second step (ashing rate: about 1.0 μm / min) O 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C Gas flow rate: O 2 gas 1000 cc / min Ashing time : 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Ashing time: 60 seconds (Second embodiment) As in the first embodiment, the ashing process was performed using the downstream ashing apparatus shown in FIG. 4 under the following two-step ashing conditions. The resist applied to the wafer at about 1.26 μm can be stripped in 76 seconds.
【００３１】一方、下記条件 に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス (下記条件
の第１ステップに相当) のみを用いた場合、同じ試
料が76秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the following conditions) is used, the same sample can be ashed in 76 seconds.
【００３２】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000枚の
６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッシン
グレートが不安定になることはなかった。Therefore, a stable process can be supplied without any reduction in throughput. The ashing process was performed on about 1000 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable.
【００３３】条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート約 1.0μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ アッシング時間：70秒 第２ステップ (アッシングレート約 1.0μｍ／分) Ｏ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 1000cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシン
グ （アッシングレート約 1.0μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ アッシング時間：76秒 (第３の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件 に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジス
トを47秒で剥離することができる。Conditions First step O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate about 1.0 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Ashing time: 70 seconds Second step (ashing rate about 1.0 μm / min) O 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C Gas flow rate: O 2 gas 1000 cc / min Ashing time: 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate about 1.0 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Ashing time: 76 seconds (Third Embodiment) Similar to the first embodiment, when the ashing process was performed using the downstream ashing apparatus shown in FIG. 4 under the following two-step ashing conditions, the result was 6 inches. The resist applied to the wafer at about 1.26 μm can be removed in 47 seconds.
【００３４】一方、下記条件 に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件 の第１ステップに相当) のみを用いた場合、
同じ試料が43秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O + N 2 gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the following conditions) is used,
The same sample can be ashed in 43 seconds.
【００３５】従って、スループットを約８％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：37秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.2μｍ／分) Ｏ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 1000cc／分 アッシング時間：10秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシン
グ （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：44秒 （第４の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件 に示
す２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行っ
たところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジス
トを47秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 8%. Also, about 1000
Ashing processing was performed on six 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: 800 cc / min of O 2 gas H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min Ashing time: 37 seconds Second step (ashing rate: about 1.2 μm / min) O 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 1000 cc / min Ashing time: 10 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas Flow rate: O 2 gas 800 / min H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min Ashing time: 44 seconds (Fourth embodiment) As in the first embodiment, shown in FIG. When ashing was performed using a downstream ashing apparatus under the following two-step ashing conditions, the resist applied to a 6-inch wafer at about 1.26 μm could be removed in 47 seconds.
【００３６】一方、下記条件 に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件 の第１ステップに相当) のみを用いた場合、
同じ試料が43秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O + N 2 gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the following conditions) is used,
The same sample can be ashed in 43 seconds.
【００３７】従って、スループットを約８％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800cc／分 Ｈ2 Ｏガス 150cc／分 Ｎ2 ガス 50cc／分 アッシング時間：37秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.3μｍ／分) Ｏ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 1000cc／分 アッシング時間：10秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシン
グ （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800／分 Ｈ2 Ｏガス 150cc／分 Ｎ2 ガス 50cc／分 アッシング時間：44秒 （第５の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジスト
を60秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 8%. Also, about 1000
Ashing processing was performed on six 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: 800 cc / min of O 2 gas H 2 O gas 150 cc / min N 2 gas 50 cc / min Ashing time: 37 seconds Second step (ashing rate: about 1.3 μm / min) O 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 1000 cc / min Ashing time: 10 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 800 / min the H 2 O gas 150 cc / min N 2 gas 50 cc / min ashing time: 44 seconds (the fifth embodiment) as in the first embodiment, shown in FIG. 4 It was subjected to ashing treatment under the conditions of the two-step ashing shown in the following conditions using the down stream ashing apparatus, about 1.26μm coated resist a 6-inch wafer can be peeled off in 60 seconds.
【００３８】一方、下記条件に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス (下記条件
の第１ステップに相当) のみを用いた場合、同じ試料
が60秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the following conditions) is used, the same sample can be ashed in 60 seconds.
【００３９】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000枚の
６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッシン
グレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 アッシング時間：54秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.3μｍ／分) Ｏ2 ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 1000cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 アッシング時間：60秒 （第６の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジスト
を60秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied without any reduction in throughput. The ashing process was performed on about 1000 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min H 2 O Gas 100 cc / min Ashing time: 54 seconds Second step (ashing rate: about 1.3 μm / min) O 2 + N 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 Gas 1000 cc / min Ashing time: 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 900 / min the H 2 O gas 100 cc / min ashing time: 60 seconds (sixth embodiment) as in the first embodiment, the downstream ashing apparatus shown in FIG. 4 It was subjected to ashing treatment under the conditions of the two-step ashing shown in the following conditions by using, approximately 1.26μm coated resist a 6-inch wafer can be peeled off in 60 seconds.
【００４０】一方、下記条件に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏガスダウンストリームアッシングプロセス (下記条件
の第１ステップに相当) のみを用いた場合、同じ試料
が60秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O gas downstream ashing process (corresponding to the first step of the following conditions) is used, the same sample can be ashed in 60 seconds.
【００４１】従って、スループットを全く下げること無
く、安定したプロセスを供給できる。また、約1000枚の
６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッシン
グレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 アッシング時間：54秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.3μｍ／分) Ｏ2 ＋Ｎ2 Ｏガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｎ2 ガス： 100cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.3μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 アッシング時間：60秒 （第７の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジスト
を46秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied without any reduction in throughput. The ashing process was performed on about 1000 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min H 2 O Gas 100 cc / min Ashing time: 54 seconds Second step (ashing rate: about 1.3 μm / min) O 2 + N 2 O gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min N 2 gas: 100 cc / min Ashing time: 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O gas downstream ashing (ashing rate: about 1.3 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min the H 2 O gas 100 cc / min ashing time: 60 seconds (the seventh embodiment) as in the first embodiment, dounce shown in FIG. 4 Was subjected to ashing treatment under the conditions of the two-step ashing shown in following conditions using a stream ashing apparatus, it is possible to peel about 1.26μm coated resist a 6-inch wafer 46 seconds.
【００４２】一方、下記条件に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件の第１ステップに相当) のみを用いた場合、同
じ試料が44秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O + N 2 gas downstream ashing process (corresponding to the first step under the following conditions) is used, the same sample can be ashed in 44 seconds.
【００４３】従って、スループットを約４％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：40秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.3μｍ／分) Ｏ2 ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッ
シング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：44秒 （第８の実施例）第１の実施例と同様、図４に示すダウ
ンストリームアッシング装置を用いて下記条件に示す
２ステップアッシングの条件でアッシング処理を行った
ところ、６インチウエハに約1.26μｍ塗布したレジスト
を46秒で剥離することができる。Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 4%. Also, about 1000
Ashing processing was performed on six 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: 800 cc / min of O 2 gas H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min Ashing time: 40 seconds Second step (ashing rate: about 1.3 μm / min) O 2 + N 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C Gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min N 2 gas 100 cc / min Ashing time: 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output : 1.5 kw stage temperature: 160 ° C. gas flow rate: O 2 gas 800 / min the H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min ashing time: 44 seconds (example eighth) first In the same manner as in Example 1, when ashing was performed using the downstream ashing apparatus shown in FIG. 4 under the conditions of two-step ashing shown below, the resist applied to a 6-inch wafer at about 1.26 μm was removed in 46 seconds. be able to.
【００４４】一方、下記条件に示す条件のＯ2 ＋Ｈ2
Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシングプロセス (下
記条件の第１ステップに相当) のみを用いた場合、同
じ試料が44秒でアッシングできる。On the other hand, under the conditions shown below, O 2 + H 2
When only the O + N 2 gas downstream ashing process (corresponding to the first step under the following conditions) is used, the same sample can be ashed in 44 seconds.
【００４５】従って、スループットを約４％下げること
により、安定したプロセスを供給できる。また、約1000
枚の６インチウエハのアッシング処理を行ったが、アッ
シングレートが不安定になることはなかった。 条件 第１ステップ Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力：0.8 Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800cc／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：40秒 第２ステップ (アッシングレート：約 1.3μｍ／分) Ｏ2 ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッシング 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 900cc／分 Ｎ2 Ｏガス： 100cc／分 アッシング時間：６秒 条件 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｎ2 ガスダウンストリームアッ
シング （アッシングレート：約 1.7μｍ／分) 圧力： 0.8Torr マイクロ波出力： 1.5kw ステージ温度： 160℃ ガス流量：Ｏ2 ガス 800／分 Ｈ2 Ｏガス 100cc／分 Ｎ2 ガス 100cc／分 アッシング時間：44秒Therefore, a stable process can be supplied by reducing the throughput by about 4%. Also, about 1000
Ashing processing was performed on six 6-inch wafers, but the ashing rate did not become unstable. Conditions First step O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: 800 cc / min of O 2 gas H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min Ashing time: 40 seconds Second step (ashing rate: about 1.3 μm / min) O 2 + N 2 gas downstream ashing Pressure: 0.8 Torr Microwave output: 1.5 kw Stage temperature: 160 ° C. Gas flow rate: O 2 gas 900 cc / min N 2 O gas: 100 cc / min Ashing time: 6 seconds Conditions O 2 + H 2 O + N 2 gas downstream ashing (ashing rate: about 1.7 μm / min) Pressure: 0.8 Torr Micro wave output: 1.5 kw stage temperature: 160 ° C. gas flow rate: O 2 gas 800 / min the H 2 O gas 100 cc / min N 2 gas 100 cc / min ashing time: 44 seconds
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明によれば、装置の稼働率とスルー
プットを下げることなく、プラズマ発生領域を囲む真空
チャンバーの壁に付着したＨ2 Ｏ成分の除去を行うこと
ができ、安定したアッシングレートを得ることができる
という効果がある。According to the present invention, the H 2 O component adhering to the wall of the vacuum chamber surrounding the plasma generation region can be removed without lowering the operation rate and throughput of the apparatus, and a stable ashing rate can be achieved. Is obtained.
【図１】本発明の第１ステップのＯ2 ＋Ｈ2 Ｏガスダウ
ンストリームアッシングを行った時の発光スペクトルを
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an emission spectrum when O 2 + H 2 O gas downstream ashing in a first step of the present invention is performed.
【図２】本発明のＯ2 ガスダウンストリームアッシング
を行った時の発光スペクトルを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an emission spectrum when O 2 gas downstream ashing of the present invention is performed.
【図３】本発明のＯ2 ガスダウンストリームアッシング
終了直前の発光スペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an emission spectrum immediately before the end of O 2 gas downstream ashing of the present invention.
【図４】本発明に用いたダウンストリームアッシング装
置を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a downstream ashing device used in the present invention.
【図５】Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％に対するアッシン
グレートを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an ashing rate with respect to H 2 O / (O 2 + H 2 O)%.
【図６】Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝10％に設定して
図５に対応した設定通りのアッシングレート（ 1.3μｍ
／分) が得られている場合のプラズマからの発光スペク
トルを示す図である。FIG. 6: H 2 O / (O 2 + H 2 O)% = 10% and ashing rate as set in FIG. 5 (1.3 μm)
/ Min) is a diagram showing an emission spectrum from plasma when (/ min) is obtained.
【図７】Ｈ2 Ｏ／（Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）％＝10％に設定して
いるにも関わらず、アッシングレートの設定値が制御で
きずに設定値より20％低い値( 1.0 μｍ／分) になって
いる場合の発光スペクトルを示す図である。FIG. 7 shows that although the setting of H 2 O / (O 2 + H 2 O)% = 10%, the set value of the ashing rate cannot be controlled and is set to a value 20% lower than the set value (1.0 μm / FIG. 7 is a diagram showing an emission spectrum when the value is (minute).
【図８】Ｈ2 Ｏ／( Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ) ％＝20％に設定して
図５に対応した設定通りのアッシングレート（ 1.0μｍ
／分) が得られている場合のプラズマからの発光スペク
トルを示す図である。FIG. 8 is a graph showing an ashing rate (1.0 μm) according to FIG. 5 by setting H 2 O / (O 2 + H 2 O)% = 20%;
/ Min) is a diagram showing an emission spectrum from plasma when (/ min) is obtained.
１ ウエハ ２ ステージ ３ 反応室 ４ プラズマ生成室 ５ マイクロ波透過窓 ６ 光ファイバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Stage 3 Reaction chamber 4 Plasma generation chamber 5 Microwave transmission window 6 Optical fiber
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−77125（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302821（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−169929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−48421（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−144226（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−54571（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−110843（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−127419（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/30 Continuation of the front page (56) References JP-A-2-77125 (JP, A) JP-A-1-302821 (JP, A) JP-A-1-169929 (JP, A) JP-A-64-48421 (JP) JP-A-4-144226 (JP, A) JP-A-3-54571 (JP, A) JP-A-3-110843 (JP, A) JP-A-4-127419 (JP, A) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/30
Claims (3)
する半導体装置の製造方法において、該レジストを少な
くともＯ2 ガスとＨ2 Ｏガスの混合ガスを含むプロセス
ガスによってアッシング処理し、次いで、該レジストを
更に少なくともＨ2 Ｏガスを含まないプロセスガスによ
ってアッシング処理する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。In a method of manufacturing a semiconductor device having a step of ashing a resist, the resist is ashed with a process gas containing at least a mixed gas of an O 2 gas and a H 2 O gas, and then the resist is further processed. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of performing an ashing process with a process gas containing at least no H 2 O gas.
2 ガス、Ｈ2 Ｏガス及びＮ2 ガスの混合ガスまたはＯ2
ガス、Ｈ2 Ｏガス及びＮ2 Ｏガスの混合ガスであること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。2. The process gas containing the mixed gas is O
2 gas, mixed gas of H 2 O gas and N 2 gas or O 2 gas
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas is a mixed gas of gas, H 2 O gas and N 2 O gas.
がＯ2 ガスとＮ2 ガスの混合ガスまたはＯ2 ガスとＮ2
Ｏガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。Wherein the H 2 mixed gas or O of O gas contains no process gas is O 2 gas and N 2 gas 2 gas and N 2
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the mixed gas is a mixed gas of O gas.
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