JP2922188B1 - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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Abstract
ることなく、薄板を重ねた構造の反射防止機構を簡易に
取り付ける。 【解決手段】 電子ビームの照射により試料表面から放
出される反射電子或いは二次電子の試料側への再反射を
防止するために、試料と対向する対物レンズ下面に反射
防止機構を設けた電子ビーム描画装置において、反射防
止機構は、複数の開口を持つ薄板1を複数枚重ね、各々
の開口を接続して反射電子或いは二次電子の放出を抑え
るための孔が形成されるように構成され、反射防止機構
を対物レンズ下面に固定するためのネジの頭部が反射防
止機構の下面よりも対物レンズ側に沈む構造となってい
る。
Description
パターンの描画等に用いられる電子ビーム描画装置に係
わり、特に試料面上方における反射防止構造の改良をは
かった電子ビーム描画装置に関する。
グラフィープロセスにおいては、今後電子ビームを用い
た電子ビーム描画装置が主流になると予想される。これ
は、電子ビーム描画には光を用いた描画にはない高い分
解能が得られるという大きな利点があるためである。
に、マスクやウェハ等の試料63上に塗布されたレジス
ト62に、対物レンズ61を通して電子ビーム(入射電
子)71を照射し、さらにパターンに応じて該ビーム7
1を走査する。このとき、試料表面で反射或いは散乱し
た反射電子73は対物レンズ61の下面で再び反射さ
れ、この再反射電子74が試料表面に戻ってくる。そし
て、この再反射電子74によってもレジスト62が感光
される。つまり、再反射電子74によって電子ビームを
入射した場所以外の試料表面上のレジスト62が感光し
てしまう、いわゆる遠距離感光作用効果が生じ、これに
より描画精度の低下を招いてしまう。
面)に炭素等の低原子番号材料で形成された反射防止板
を設置することにより、再反射電子の発生を抑える方法
が採用されている。ところが、要求される描画精度が高
くなるにつれて低原子番号の材料を用いるだけでは再反
射防止効果が不十分となる。また、反射防止板表面を平
板ではなく、複数の孔を開けた構造にすることも提案さ
れている。この場合、開口形状は開口率を高くするため
にハニカム構造にすることが望ましい。
の機械加工によって作るには多大な加工時間がかかるた
め、コストが非常に高くなってしまう。また孔を支える
梁の部分に、加工に耐えるだけの太さが必要なため、開
口率を十分大きくすることが困難である。
板を複数枚重ねて配置し、各々の開口を接続して反射電
子或いは二次電子の放出を抑える孔を形成した反射防止
機構を提案している。この場合、薄板を用いることによ
り、化学的なエッチング加工等によって開口率を容易に
高くすることができ、低コストで反射防止板を作製する
ことができる。
良く加工するためには、その厚さを0.2mm程度以下
にする必要がある。そのような薄板を重ねて反射防止機
構を作製した場合、薄板を固定する方法が問題になる。
た場合、これを対物レンズの下面に固定するためのネジ
の頭が反射防止機構の下面よりも試料側に突き出る。一
方、電子ビームの収差を小さくするために、対物レンズ
の下面と試料との距離は小さくなっており、その中に反
射防止機構以外に、試料搬送用のステージやビーム調整
用の反射電子検出器(以下、SSDと略記する)、試料
位置測定用のセンサ(以下、Zセンサと略記する)など
様々な部品を挿入しなくてはならない。そのため、この
部分には空間的な余裕は殆どなく、ネジの頭など不要な
突起物が出ていると設計に大きな制約を受ける。
る反射電子が通過する領域では、再反射電子を防止する
ための対策が十分ではなかった。さらに、Zセンサの光
が通過する部分も、再反射電子を防止するための対策が
なされていなかった。
ねた構造の反射防止機構にあっては、反射防止機構を固
定するためのネジの頭が試料側に突き出てしまい、対物
レンズの下面と試料との間のスペースを狭くしてしまう
という問題があった。また、SSDで測定する反射電子
が通過する領域やZセンサの光が通過する領域の再反射
電子を低減する対策が十分ではなかった。
もので、その目的とするところは、薄板を重ねた構造の
反射防止機構を対物レンズ下部に簡易に取り付けること
ができ、且つこの取り付けのための固定部材によるレン
ズ・試料間のスペースの狭隘化を防止し得る電子ビーム
描画装置を提供することにある。また、本発明は上記に
加え、SSDやZセンサのための開口部分からの反射電
子を低減し得る電子ビーム描画装置を提供することを目
的とする。
するために、本発明は次のような構成を採用している。
即ち本発明は、電子ビームの照射により試料表面から放
出される反射電子或いは二次電子の試料側への再反射を
防止するために、試料と対向する対物レンズ下部に反射
防止機構を設けた電子ビーム描画装置において、前記反
射防止機構は、複数の開口を持つ薄板を複数枚重ね、各
々の開口を接続して反射電子或いは二次電子の放出を抑
えるための孔が形成されるように構成され、且つ該反射
防止機構を前記対物レンズ下部に固定するための固定部
材の最下部が前記反射防止機構の下面よりも前記対物レ
ンズ側に位置するように、該反射防止機構に凹部を設け
てなることを特徴とする。
は次のものがあげられる。 (1) 固定部材はネジからなり、該ネジの頭部が反射防止
機構の下面よりも対物レンズ側に位置すること。
うち、試料に近い側にある薄板の一部は折り曲げ或いは
撓ませられ、この折り曲げ或いは撓ませられた部分が固
定部材で固定されていること。
子検出器を設け、電子ビーム照射位置が該反射電子検出
器を見込む領域において反射防止機構を構成する複数の
薄板に開口を設け、それぞれの開口を接続して電子ビー
ム照射位置と反射電子検出器上の点とを結ぶ直線に沿っ
た孔を設けてなること。
試料位置検出器のレーザ光を通す孔を設け、且つその孔
の側壁が電子ビーム照射位置から見えないようになって
いること。
造の反射防止機構を対物レンズ下部に固定するためのネ
ジ等の頭部が反射防止機構の下面よりも対物レンズ側に
沈む構造としているので、反射防止機構をネジ等で固定
する際、ネジの頭が反射防止機構の中に埋め込まれる。
このため、ネジの頭が試料側に突出することはなく、対
物レンズの下面のスペースを有効に使うことができる。
また、SSDやZセンサのために反射防止板に開口を必
要とする部分にも、反射電子の軌跡に沿った孔を設ける
ことにより、再反射電子を減らすことが可能になる。
形態によって説明する。なお,電子ビーム描画装置の基
本構成は周知のものと何ら変わるところはないので、こ
こでは本発明の特徴である、対物レンズ下面に取り付け
る反射防止機構について説明する。
な薄板1を加工形成する。電子の再反射を減らすために
は、原子番号Zの小さい物質を使う必要がある。このた
め、この薄板1はCやBeなど原子番号の小さい材料を
機械加工やエッチングによって直接加工してもよいし、
CuやAlなどを機械加工やエッチングによって加工し
てから、その表面にBeやC等原子番号の小さい物質を
蒸着やスパッタ,メッキなどによってコーティングして
もよい。
の厚さは反射電子の到達深さより大きくする。加速電圧
50kVの電子ビーム描画装置の場合は、約10μm以
上にすればよい。コーティングは薄板1枚毎に行っても
よいし、以下に説明するように薄板1を重ねて貼り付け
た後に、全部を一度コーティングしてもよい。
るための開口2を作る。この開口2は、電子ビームを容
易に通すことができる範囲で小さくとる。図中の斜線で
示している領域3には、後述するように、反射電子を吸
収するための開口を作る。さらに、位置決めピンを通す
開口4、ネジを通す開口5、試料の位置を測定するため
の光センサ(Zセンサ)のための開口6を開ける。ま
た、薄板1同士を接着するために接着剤を塗るための溝
7を作る。
エッチングや機械加工で行う。エッチングで加工を行う
場合、まず薄板1の両側にレジストを塗布する。次い
で、開口部分はレジストを両面とも落とす。一方、溝7
の部分は溝を掘る面のレジストのみを落とし、裏面のレ
ジストは残しておく。開口部分のレジストが抜けるよう
に両側からエッチングを行うと、片面にレジストが残っ
ている溝7の部分は、片面のみがエッチングされ反対側
の面はエッチングされない。
までエッチングされるようになり、所望の溝7が作られ
る。溝7と開口部分を別々に加工する方法も可能であ
る。この場合は、エッチングのプロセス条件を調整し
て、溝7の部分のみを作る。その後で、開口部分を作
る。この方法では薄板1の両面からエッチングを行い、
両面に溝を掘ることも可能である。薄板1の一部に、複
数の薄板1を重ねたときに何枚目の板になるのかを示す
文字或いはマークを入れておく。
示すようなハニカム状に形成する。この開口を作る領域
3は反射電子の広がる領域にとる。反射電子の分布がコ
サイン分布であると仮定し、ビーム照射位置と反射防止
板の距離が10mmであるとすると、開口を作る領域3
をφ60nmにすると、反射電子の約90%がこの開口
領域3に入ってくることになる。また、開口部の直径2
Rは薄板1を重ねた時の厚さの1/3以下になるように
する。さらに、開口率は80%以上になるようにする。
の断面図である。9はSSD、10はZセンサを示して
いる。Zセンサ10は窓を通して真空の外に設置してあ
るが、簡略して図3のように示した。右がレーザの光源
で左が受光部である。なお、図には示さないが、この反
射防止機構は、対物レンズの下面にネジにより固定され
るものとなっている。
ための開口領域3は反射電子の軌跡に沿った孔になるよ
うに配置する。つまり、反射電子を吸収させるための開
口領域3はビーム照射位置8を通る直線上に並ぶように
する。なお、試料から最も遠い場所にある薄板1’には
反射電子吸収のための開口3を作らない。但し、SSD
9の前など開口が必要な場所には薄板1’にも開口を設
ける。このように開口を配置することにより、反射電子
は開口を接続して形成される孔に入り、孔のアスペクト
比が十分大きければ、孔に入った反射電子の殆どは再び
孔の外に出て来ることはない。
む領域にも、反射電子の軌跡に沿って孔ができるよう
に、電子ビーム照射位置8とSSD9上の点とを結ぶ直
線に沿って開口を設ける。これにより、SSD9の有効
面積を大きく損なうことなく、SSD9で再反射される
電子が再び試料面に飛来することを防ぐことができる。
このような開口は、真空を引くためのコンダクタンスを
大きくするために開口が必要な領域などにも有効であ
る。
ム照射位置から引いた直線に沿って薄板1にそれぞれ開
口6を設け、さらに一つ下の薄板1の開口6はその上の
薄板1の開口6よりも小さくすることで、側壁からの反
射の影響を小さくする。
わせを行う時、位置決めピン4’で位置合わせを行う。
この位置決めピン4’は薄板1を貼り合わせた後、取り
外してもよい。貼り合わせの方法として、接着剤や金属
薄膜等を薄板と薄板の間に挟んで貼り付ける方法と、薄
板の間に何も挟まず、熱を加えることによって貼り合わ
せる方法がある。
溝7を開口の領域に重ならない場所に作る。また、薄膜
の間の残留気体が排気されるように隙間をあけて配置す
る。この溝7に接着剤を流し、位置決めピン4’を通す
開口4からなる孔にピンを通して位置を調整した状態で
薄板同士を接着する。この接着剤は装置の真空度を悪化
させることがないように、脱ガスの小さいものを用い
る。また、この接着剤が溝7からはみ出し、チャージア
ップが起こるような場所に接着剤が付着することがない
ようにする。薄板1を貼り合わせるために、導電性接着
剤や金属薄膜を使うことも可能である。
ては、Au,Ag,In等の軟らかい金属が適してい
る。材料の組み合わせによっては、貼り合わせた後に薄
板1を加熱した方がよい場合もある。なお、薄板1間に
挟んだ物質の厚さは無視できないので、その厚さを考慮
して設計を行う。また、薄板1間に接着のための物質を
挟まずに、拡散接合によって薄板同士を接合することも
できる。
使って、ネジで固定する。ここで、ネジの頭が貼り合わ
せた薄板の中に埋まるようにネジ止め用の孔5を設計し
ておく。具体的には、試料側の薄板の複数枚にネジの頭
が隠れるようにネジ孔より大きな開口を設ける。これに
より、ネジの頭を反射防止機構の外に出す必要がなくな
る。
基板をメンブレンと呼ぶが、メンブレンにビームを照射
させる装置の場合は、照射されたビームの一部はメンブ
レンを透過するため反射防止板は試料の裏側(ビーム源
と反対側)にも配置される。従ってこの場合は、試料で
散乱された電子の軌跡に沿った孔が形成されるように開
口を作る。
貼り合わせた反射防止機構の中にネジの頭が埋まるよう
にネジ止め用の孔5を設計しているので、反射防止機構
をネジで固定する際に、ネジの頭が試料側に突出するこ
とはなく、対物レンズの下面のスペースを有効に使うこ
とができる。また、SSDやZセンサのために開口を必
要とする部分にも、反射電子の軌跡に沿った孔を設けて
いるので、再反射電子を減らすことが可能になる。
の第2の実施形態を説明するためのもので、反射防止機
構の構成と固定方法を示している。試料に近い側から何
枚かの薄板1にはエッチングによって、図4(a)の1
2のようにコの字型に切れ目を入れ、その内側にネジを
通す開口を作る。図中の1〜4は図1と同じである。残
りの薄板1には、図4(b)の13のように開口を作
る。
す断面図である。図5中の15は図4(a)に示した薄
板1であり、14は図4(b)に示した薄板1である。
図4(a)の切れ目の部分12を図4(b)の開口13
の中に折り込み、ネジ16で固定する。ネジ16の頭は
反射防止機構中に埋め込まれるため、効率良く対物レン
ズの下面と試料の間のスペースを使うことができる。切
れ目の部分12は折り曲げずに撓ませて、その部分をネ
ジで固定してもよい。反射防止機構を構成する複数の薄
板1のうち図4(a)のように加工する枚数は、組み立
ての際、ネジの頭がその中に隠れ、薄板が歪んだりしな
いように調整すればよい。
固定方法の別の実施形態を説明する図である。(a)は
反射防止版を上から見た図である。反射防止板は矩形で
あり、薄板を重ね合わせて作られている。反射防止板を
構成する薄板同士はピンで位置合わせをした後、拡散接
合によって張り合わせてある。矩形の反射防止板の中の
円形の領域に反射電子を吸収するための開口部及びZセ
ンサの光を通過させるための孔が設けてある。
図である。反射防止板の側面には図のような溝16があ
る。この溝16は張り合わせる薄板の形状を調整するこ
とにより実現される。一方、鏡筒には鈎の付いた固定部
材17がある。この鈎の部分に反射防止板の溝16を差
し込み、奥に突き当てる。さらに、(c)に示すよう
に、突き当てられた辺と反対側の辺を固定するように板
18をネジ止めする。この固定用板18は反射防止板よ
りも試料側にはみ出さないようにする。
より試料側に飛び出さない構造になっているので、試料
と反射防止板の間のスペースを有効に使うことができ
る。また、側面から反射防止板を取り出すことが可能で
あり、レジスト等の汚れが付着した場合反射防止板を装
置から取り出して洗浄することが容易になる。
されるものではない。実施形態では、反射防止機構の固
定部材としてネジを用いる例を説明したが、これはネジ
に限られるものではなく、他の方法で固定することもで
きる。また、電子ビーム描画装置の光学系側の構成は何
ら限定されるものではなく、本発明は各種の装置に適用
できる。さらに、反射防止機構を構成する薄板の材料や
形状等は、仕様に応じて適宜変更可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
板を重ねた反射防止機構に凹部を設け、反射防止機構を
対物レンズ下部に固定するための固定部材の最下部が反
射防止機構の下面よりも対物レンズ側に位置するように
しているので、固定部材が対物レンズと反射防止機構と
の間に突出することもなく、反射防止機構を対物レンズ
下面にコンパクトに取り付けることができる。また、S
SDやZセンサのために必要となる孔を反射電子の軌跡
に沿って設けることにより、SSDやZセンサのための
開口部分からの反射電子を減らすことが可能となる。
板の形状を示す平面図。
するための模式図。
部品の構造を示す断面図。
薄板の形状を示す平面図。
け方法を示す断面図。
す図。
Claims (5)
- 【請求項1】電子ビームの照射により試料表面から放出
される反射電子或いは二次電子の試料側への再反射を防
止するために、試料と対向する対物レンズ下部に反射防
止機構を設けた電子ビーム描画装置において、 前記反射防止機構は、複数の開口を持つ薄板を複数枚重
ね、各々の開口を接続して反射電子或いは二次電子の放
出を抑えるための孔が形成されるように構成され、且つ
該反射防止機構を前記対物レンズ下部に固定するための
固定部材の最下部が前記反射防止機構の下面よりも前記
対物レンズ側に位置するように、該反射防止機構に凹部
を設けてなることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 【請求項2】前記固定部材はネジからなり、該ネジの頭
部が前記反射防止機構の下面よりも前記対物レンズ側に
位置することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描
画装置。 - 【請求項3】前記反射防止機構を構成する複数の薄板の
うち、前記試料に近い側にある薄板の一部は折り曲げ或
いは撓ませられ、この折り曲げ或いは撓ませられた部分
が前記固定部材で固定されていることを特徴とする請求
項1又は2記載の電子ビーム描画装置。 - 【請求項4】前記反射防止機構の前記対物レンズ側に反
射電子検出器を設け、電子ビーム照射位置が該反射電子
検出器を見込む領域において前記反射防止機構を構成す
る複数の薄板に開口を設け、それぞれの開口を接続して
電子ビーム照射位置と反射電子検出器上の点とを結ぶ直
線に沿った孔を設けてなることを特徴とする請求項1記
載の電子ビーム描画装置。 - 【請求項5】前記反射防止機構を構成する複数の薄板に
試料位置検出器のレーザ光を通す孔を形成するために、
ビーム照射位置から引いた直線に沿って前記薄板にそれ
ぞれ開口を設け、且つ試料位置検出器側から試料側に向
かって薄板の開口を順次小さく形成してなることを特徴
とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5070198A JP2922188B1 (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5070198A JP2922188B1 (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2922188B1 true JP2922188B1 (ja) | 1999-07-19 |
JPH11251223A JPH11251223A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12866217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5070198A Expired - Lifetime JP2922188B1 (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2922188B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3603779B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2004-12-22 | 株式会社日立製作所 | 電子検出装置,荷電粒子ビーム装置,半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の加工,観察,検査方法 |
JP5275396B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2013-08-28 | 株式会社東芝 | 電子ビーム照射装置 |
JP6281234B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2018-02-21 | 凸版印刷株式会社 | 電子ビーム描画装置 |
JP6356538B2 (ja) | 2014-08-27 | 2018-07-11 | 株式会社アドバンテスト | 露光装置 |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP5070198A patent/JP2922188B1/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11251223A (ja) | 1999-09-17 |
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