JPS58190028A - 可変ライン走査を用いる荷電粒子ビ−ム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 本発明は、荷電粒子ビームリトグラフィに関し、より詳
細には高分解能可変長ラインによｐ走査が実行されると
ころの露光装置に関する。

レジスト被覆した被加工物を選択的に照射して半導体デ
バイスの性質を決定するために、電子ビーム露光装置が
商業的に用いられている。被加工物は、マスクプレート
であって良く、或いは性質が直接に決定されるようなレ
ジスト被覆半導体であっても良い。何れにしても、電子
ビームが高精度、高速度で制御され、電子１／シスト材
中の微少パターン全露光する。

電子ビームを制御するだめの種々の研究がなされてきた
。小さな円形スポットが被加工物の全表面にわたりラス
ク走査され、所望のパターンを得るためにターンオン又
はターンオフされる。この方法を用いる装置が米国特許
第Ａ　９００．７３７号に開示されている。或いはベク
トル走査法では、スポットビームは所望のパターン領域
へと方向づけられ、これらのパターン領域上だけを走査
する。

何れの方法もかなり遅い。何故ならば、任意の時刻にお
いてスポットビームによりカバーされる領域は極端に小
さいからである。他の装置においては、電子ビームは、
形状及び寸法が可変な長方形に成形される。この長方形
は、パターンの連続領域のフラッシュ露光のために使用
される。可変形状長方形ビーム装置の１つの不利点は、
角度パターン又は非対称パターンの露光が困１１ｉＩ＋
：なことである。

他の方法においては、長方形ビームが、その長い方向と
画面方向に走査される。ビームが走査されるにつれて、
長方形の長さが変化して、所望のパターンを画成する。

この方法によれば、たいていの形状のパターンを一回の
処理で霧光することができる。可変形状ビームを生成す
るにあたって、第１の方形開孔の像が第２の方形開孔上
に結ばれる。整形偏向器が、ｍｌの開孔の像を第２の開
孔に関して直接に位置づけ、所望の長さ及び幅のビーム
断面をもたらす。

典型的に電子ビーム露光装置は、１マイクロメートル又
はそれ以下のパターンを露光する可能性を有する。そう
いう装置におりては、電子ビームの寸法又は位置のわず
かな不正確性が、装置の性能を著しく低下させる。電子
ビーム不正確性の１つの原因は、ビーム中の電子間に働
くクーロン斥力である。ビームの軸線に凸っだ電子量斥
力は、電子エネルギーの広がりを生せしめる。これは、
Ｂｏａｒａａｈ　　効果として知られている。ビームの
軸線を横切る方向の電子量斥力は、ビームの半径の広が
９を引起す。何れの型の斥力も装置の分解能低下音生せ
しめる。半径拡大は、分解能低下に直接的に寄与する。

エネルギ拡大は、異なるエネルギを有する電子がレンズ
及び偏向器を通過するときに異なる偏向を被るというこ
とから、分解能低下をもたらす。

エネルギ拡大は主として電子ピームクｐスオーバ一点の
ところで生じることが解った。しかしながら半径拡大社
、電子ビームの長さに沿って連続的に生じ、ビーム電流
に及びクーロン斥力が生じ（９） る路程に近似的に比例する。ゆえに、ビームの半径拡大
を最小にするために、電子の光学的コラムの長さ及びビ
ーム電流の両方を最小にすることが望まれる。

他方、高速動作を達成するだめには、可能な限シ最高の
電子ビーム電流で被加工物を照射せざるを得す、上記条
件と相反してしまう。

前述のように、従来技術は、電子ビームを可変長の長方
形へと整形するために２つの方形開孔を利用する。２つ
の開孔間の電流は、第１の方形開孔によってのみ制限さ
れる。他の従来技術装置は、電子ビームを所望の寸法及
び形状に整形し且つビーム半径拡大効果全減少させるた
めに、５つの整形用方形開孔音用いていた。この方法の
不利点は、電子光学コラムの複雑性である。第５の開孔
に加えて、追加的なレンズ及び偏向器が必要になるので
ある。さらに他の不利点は、追加的要素によって必要コ
ラム長が増大することである。

電子光学コラムにおいて、種々の形状の開孔が用いられ
てきた。例えば、被加工物に直接に特殊（１０） 形状を射出するための特殊形状開孔が、米国特許第１ｔ
、　２１　Ｋ　Ｏ５３号に開示されてしる。

本発明の一目的は、被加工物の選択的照射のための新規
で改良された荷電粒子ビーム露光装置を提供することで
ある。

本発明の他の目的は、可変長及び制御された幅の重分解
能ラインを用いた走査によりパターン露光が達成される
ところの荷電粒子ビーム露光装置全提供することである
。

本発明の他の目的は、ビーム拡大が減少式れた荷電粒子
ビーム露光装置全提供することである。

〔発明の概要〕

本発明に従って、パターン化すべき被加工物表面を選択
的に照射するだめの新規な荷電粒子ビーム露光装置によ
って、上記の鎖目的が達成される。

当該装置のビームの断面は、可変長及び制御された幅を
有し且つ２つの直交方向のうちの１方向を向いた射出ラ
インから成る。本装置は、荷電粒子ビームを発生させる
手段、及びビーム照射位置の開孔手段を含む開孔プレー
ト手段から構成される。

開孔プレート手段は、はぼ直角をなす２つの伸長図形か
ら成る断面を有するビームを成形するように動作する。

本装置はさらに、以下の手ｉｔ含む。

すなわち、２つの隣接する直交縁部を有する成形開孔か
ら成る成形開孔プレート、伸長図形の像を成形開孔プレ
ート上に結像するだめの手段、並びに成形開孔の直交縁
部に関して伸長図形の像を偏向して所望の長さ、幅及び
方向の中間ラインをもたらすための偏向手段である。任
意の瞬間における中間ラインは、伸長図形のうち成形開
孔上に重ね合わせられる部分によって、画成される。本
装置はさらに、中１ｍラインの縮小像を被加工物上へ射
出して被加工物表面上へ射出ラインを形成する手段、及
び被加工物表向上の全ての特定位１ｔへと射出ラインを
方向づけるための手段を含む。

〔好適実施例のＦＢ？、　１３１１　）基板１２とその
−Ｆのレジスト層１０から成る被加工物を選択的に）Ｉ
ｆｆ射するための荷電粒子ビーム露光装置ｔを、第１図
は概略的に示す。マスクプレート又は半導体ウェハであ
って良い基板１２は、加工テーブルｉｌｌ又はステージ
上に載置される。

ステージは、荷電粒子ビームの方向に直角なＸ及びｙ方
向に移動可能である。本実施例においては、レジスト層
１０を露光するために電子ビームを利用する。

完全なシステムは、以下に詳説する電子ビームコラム、
及び制御サブシステム（図示せず）を含む。制御ザブシ
ステムは、電子ビームコラムの各要素、及び被加工物表
向上の加工テーブル１４の運＃ｄＪ−ｉ制御する。電子
ビームリトグラフィの分野において適切な制御サブシス
テムが一般的に知られている。制御サブシステムに代表
的に含まれるものは、パターンデータ全記憶し処理し全
体の制御をするだめのコンピュータ、電子ビームコラム
のだめの電源及び制御回路、加工テーブルの移動全制御
するためのセンサ及びモータ、基板ハンドラ、並びに真
空システムである。電子ビームコラムと、被加工物が載
置されるチャンバとが、処理中に高真穿に維持されるこ
とを理解されたい。

第１図に示す電子ビームコラムは電子源１６を（１５） 含み、電子源１６は電子ビームコラムの軸線に沿って電
子ビーム１８を発射する。電子源１６は、以下に詳述す
る。電子ビーム１８は、心合コイル２０を通過する。心
合コイル２０は、電子ビームをコラムの軸線に正確に整
合させる。次に電子ビームは、第１の開孔分有する第１
の開孔プレート２２を照射する。ビーム１８はコンデン
サレンズ２６によって集束され、電子源１６の像が整形
偏向器２８のプレートの間に結ばれる。ビーム１８は次
に、イメージレンズ３０を通過する。イメージレンズ３
０は、第１の開孔２１１の像を、第２の開孔３１１に有
する第２の開孔プレートラ２の上へ集束させる。整形偏
向器２８は、第２の開孔３４に対して第１の開孔２１１
の（Ｊｌ’に偏向させるよう動作し、可変線走査に適し
た断面を有するビームをもたらす。加えて、ビーム１８
は、整形偏向器２８によってブランクオンされることも
できる。次に電子ビーム１８は、縮小（ｄｅｍａｇｎｉ
ｆｙｌｎｇ）レンズ３６、補正偏向器３８、偏向コイル
繕０及び射出レンズ４２全通過する。縮小レンズ３６及
び射出（ｌｉｔ） レンズＩＩ２は、ビーム１ｌｌｌｔ−その最終寸法へと
縮小し、形成したビームの像を被加工物上に射出する。

偏向コイルｌｌＯは、被加工物上の予め定められた走査
場内部の任意の特定の位置へと形成ビームを偏向するべ
く動作する。補正偏向器３８は、短い距離の開でビーム
１８を極めて高速度で静電偏向する。

第２Ａ図を参照すると、電子ビームコラムの軸線に沿っ
て見た第１の開孔プレート２２０部分図を示しである。

第１の開孔プレート２２は、如何なる都合の良い形状を
有しても良い。一般的に第１の開孔２１４は、はぼ直交
する２つの伸長図形の形態である。これら２つの伸長図
形は交差してもしなくとも良い。伸長図形は、はぼ−直
線であｐ。

有限の幅を有している。図形の各々は、少なくとも一対
の隣接する縁部金有している。これら２つの直交する図
形の寸法は、電子光学コラムの縮小化作用と連係して、
被加工物上へ射出されるビーム１８の最大断面寸法を決
定する。電子ビーム１８は、第１の開孔２Ｌｌを通過す
る際に形状づけられて、はぼ直交する２つの伸長図形か
ら成る断面形を有する。電子ビーム１８は、以下に述べ
るように、第２の開孔３４を通過する際にさらに形状づ
けられる。

第２Ａ図に示した第１の開孔は、２つの直交した細長す
長方形で構成され、はぼＬ字形全している。１つの好適
実施例において、Ｌ半開孔２４の各々の脚部分は長さ２
００マイクロメートルで幅１５マイクロメートルであり
、第１の開孔プレート２２の材料はロジウムでメッキし
た銅である。

第２の実施例では、８ｇ１の開孔が２つの直交するスリ
ット２１１Ａ、２１１Ｂ（交差しない）から成る。

これを第２Ｂ図に示す。第２Ｃ図は、１１はＬ字形状の
第１の開孔２ＩＩＣを表している。ここでは、各脚部分
の１方の縁部はまっすぐであり不規則でない。各脚部分
の他方の縁部は、荒く不規則であり精密ではない。しか
しこの形状は許容できるものである。何故ならば、最終
的なビーム断ｄ１１は、第１の開孔２１［”と第２の開
孔３１１との両方の良好な縁部によって（以下に記すよ
うに）画成されるからである。

電子ビームコラムの軸線に沿って見た第２の開孔プレー
ト３２を第５図に示す。図示の例では第２の開孔う４は
正方形であるけれども、まっすぐで不規則でない２つの
良好な隣接直交縁部５０．５２ｆｔ有すめような形状な
らば、都合良い如何なる形状の開孔であって良い。

所望のビーム成形をもたらすための第１の開孔２１１、
第２の開孔５１１及び整形偏向器２８の動作を、第１ｉ
Ａ−１ｉｃ図に示す。これらの要素がビームブランキン
グをもたらすときの動作を、第１ＩＤ図に示す。第１図
においては、１組の静電偏向プレートしか図示していな
いが、この整形偏向器２８は４電極又は８電極の偏向器
から成り、適切な電圧の印加により軸線に対して任意の
方向にビーム１８′（ｉｌ−偏向することが可能である
。第１１Ａ−１１０図の各々は、第１の開孔の像６０と
第２の開孔３１１との重ね合わせを表してｂる。第１の
開孔の像６０と第２の開孔５１１との相対位置は、整形
偏向器２ｇへの印加電圧によって決定される。電子ビー
ムの（１７） うち第２の開孔３１１を通過する部分は、第２の開孔５
１１と第１の開孔倖６０との間の重なりの量によって決
定される。そしてその通過する電子ビームは、第１４Ａ
−ｑｃ図の斜線領域で示す垂直又は水平合同いた中間う
づン６２の形状の断曲全有する。中間ライン６２は、長
さ及び幅が可変である。

第１４Ａ図は、はぼ最大長の水平ライン６２（ｆ−もた
らすビーム１８の成形を示す。第１１Ｂ図においては、
整形偏向器２８がｍｌの開孔像６０金左方へと移動させ
て、水平ライン６２を短くしている。

第４ｃ図は、はぼ鮫大長の他山ライン６２會もたらすビ
ーム１８の成形を示す。

縮小レンズう６と被加工物の表面の上の射出レンズ４２
とによって、中間ライン６２の俺が射出され、第５Ａ図
に示すように被加工物上に射出ライン６８をもたらす。

射出ライン６８は、垂直又は水平方向であり、長さが可
変で、最大長ｔｍは開孔２１＋、３４の寸法により決定
される。第２の開孔５４に対して像６０を適切に移動さ
せることによって、ラインビーム６８の幅も可変である
。

（１８） 最大幅Ｗは、第１の開孔２１＋ｉ構成する各図形の幅に
よって決定される。１つの好適実施例にお論で、被加工
物上における射出ライン６８の最大長ｔｍｔｄ、５マイ
クロメートルであり、最大幅Ｗはα２マイクロメートル
である。第１４Ｄ図は、第１の開孔像６０と第２の開孔
う４とが重なり部分を有しないときのビーム１８のブラ
ンクを示す。

第１図を参照すると、陽極６６及びウェーネルト電極６
７が、陰極６ＩＩの先端からの電子放出を抑制し、陽極
６６の付近において最小半径の断面のビームへと集尿す
る。装置の正常運転時には、第１の開孔２１１の一様な
電子ビーム照射が望まれ、被加工物の一様勝光を保障す
る。好適な電子源托は、平坦な先端を有するＬａＢａを
利用する。

可変長射出ライン６８の走査による任意形状パターン７
０の露光を、第５Ａ図に示す。パターン了０の垂直寸法
はライン６８の最大炎Ｌｍよりも短い。パターン７０は
、視野境界を横断しなり０被加工物の移動なしに走査さ
れ得る領域は、視野境界によって画成される。先ず、ビ
ーム１８が第ＬＩＣ図に示すように形状づけられ、そし
て偏向コイル嶋０によってパターン７０の左端に位置づ
けられる。次に、偏向コイル１１Ｏへ定地電流を印加す
ることにより、垂直射出ライン６８を定速で右方へ走査
する。同時に、第５Ｂ図に示すような整形信号７２が整
形偏向器２８へ印加され、紀５Ｃ図に示すような補正（
ＰＴ＠７１１が補正偏向器う８へと付加される。整形１
バ号７２は、バタン７０の露光の必要性に従って、ライ
ン６８の長さを増加又は減少させるべく動作する。例え
ば、第５Ａ及び５Ｄ図に示すように領域ａから領域すに
回かつて、パターン７０の幅が増加し、整形信号７２の
振幅が増加している。補正信号７１１は、パターン７０
に従って、全ライン６８金上又は下へとシフトするべく
動作する。例えば、パターン１０は、領域Ｃとｄとでは
同一幅であるが、補正信号７棒によって領域Ｃから領域
ｄへと下方にシフトされている。ライン６８がパターン
７０の右端に到達したときに、第１１Ｄ図に示すように
ブランクされる。

そしてシフトされて次のパターンが走査される。

垂直方向のパターンも、水平射出ライン６８の垂直移動
によって同様に露光される。偏向コイルリのＸ及びｙ８
Ｉ１分に適当な電流を同時に印加することによって、角
度のあるパターン全露光することができる。

前述のように、電子間の相互排斥力によるビームの半径
方向の拡大は、射出ライン６８の解像力の損失に寄与す
る要因の１つである。ビームの半径方向の拡大δｒは、
以下の式によって近似的に与えられる（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ　ｓｎｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｒｎ　５ｃｉｅｎｃｅａｎ
ｄ　ＴｅｅｈｎｏｌｏｇＦ、　　Ｐ１４０（１９７８）
、　ｇｔｈ　Ｉｎｔ。

Ｃｏｎｆ、Ｇｏｔｏ　参照）。

但し、１口はビーム電流、■はビーム電圧、Ｌは初期的
に決定される条件から生じる相互作用の長さでおる。α
Ｆは、射出レンズから被加工物への半角である。Ｋは定
数である。かくしてビーム電流Ｉ８を減少させることに
よって、ビーム拡大全減少させ得ることが解る。しかし
ながら、高速運（２１） 転を達成するために、被加工物に達する電流を最大にす
ることが必要となる。

第４ム図を参照すると、射出ライン６Ｂとなるべき中間
ライン６２の縁部８０及び８２は、第２の開孔５１Ｉに
よって決定されることが解る。他方、縁部８１１及び８
６は、第１の開孔２ＩＩにより決定される。かくして、
縁部８０．８２は、距離り。

にわたるビーム拡大を経験する。そして縁部８１１゜８
６は、第１図に示すように距＃Ｌ１　　＋Ｌｌにわたる
ビーム拡大を経験する。ゆえに縁部８Ｌｌ、８Ｇは、よ
り大きなビーム拡大を示し、被加工物において縁部８０
．８２よりも貧弱な解像力を有する。

第１の開孔２１１の上方で生じるビームの半径方向拡大
は問題ではない。何故ならば、ビーム１８の初期形状は
、第１の開孔２１１によって決定される。

本発明の電子ビームコラム内でのビーム半径拡大は、第
１の整形開孔が正方形である従来技術］ラムにおけるビ
ーム拡大と比較することができる。

特定のＶ及びαＦに対してのＪｒを以下のように表現で
きる。

（２２） Ｊｒ　＝　ＣＩ　Ｂ　Ｌ 但し、Ｃは定数である。Ｋ＝１０’、■＝２０キロボル
ト、αＦ−８ミリラジアンであるときは、Ｃ＝ａＩ１号
である。縁部８４．８６については、以下のようになる
。

δｒ−α’ｌ　４　（ＬＩ　Ｉ＋　”Ｌｍ　１＊　）但
し、１１は第２の開孔３１１と被加工物との間のビーム
電流でおり、’ｌは第１の開孔２１１と第２の開孔３１
ｉとの間のビーム電流である。

本発明の図示の例において、第１の開孔２４はＬ字形状
であり、その各々の脚部は２００マイクロメートルの長
さ會有し１５マイクロメートルの幅を有する。第１の開
孔２４ｉ通過するビーム電流Ｅ、’ｉ１５マイクロアン
ペアとする。第４図に示すように、ビーム電流■２は第
２の開孔５１ｉによって減少される。最大ビーム電流ｒ
＋　ｋ０５マイクロアンペアとする。本実施例では、■
５．は０２メートル、Ｌｌ　はαうメートルである。こ
れらの値ｆ　Ｊ　ｒの表式に代入すると、以下の式を得
る。

Ｊｒ（本発明）＝０２マイクロメートル可変ライン走査
のための従来技術電子ビームコラムを考えると、正方形
の第１開孔が利用されている。正方形第１開孔の１辺を
２００マイクロメートルとし、被加工物への電流Ｉ、は
凹じものが望まれるとした場合に、電流Ｉ、は第１開孔
の面積に比例して増大する。従来技術の正方形開孔は、
前記の例のＬ字間孔の６倍の面積を有し、約６倍の電流
■、を通過させる。かくして、従来技術の例のＥ、は９
マイクロアンペアである。これらの電流値をＪｒの表式
に代入すると、以下のようになる。

Ｊｒ（従来技術）＝α８６マイクロメードル本発明の実
施例においては、Ｊｒの値が従来技術の値の４分の１以
下になっている。

このようにして、本発明によって、従来技術に比較して
ビームの半径拡大が著しく減少しパターンライン解像力
が改良された荷電粒子ビーム露光装置がもたらされる。

このライン解像力の改良によって、被加工物へ高いビー
ム電流を適用することが可能になる。それにより、以前
可能でめったよりもさらに高速での被加工物の露光が可
能になる。

これ壕で特定の実施例によってのみ本発明全説明してき
たけれども、本開示に鑑みて本発明に基づく無数の変化
がなされ得ることは、当業者にとって明白であろう。そ
ういう変化は、本発明の範囲内に包含される。ゆえに本
発明は広く解釈されるべきであり、その権利範囲及び真
意は特ｆｌＦ請求の範囲によって限定する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従った荷電粒子ビーム装置の概略図
である。 第２Ａ〜２Ｃ図は、第１図の装置の第１の成形開孔のい
くつかの実施例を示す。 第う図は、第１図の装置の第２の開孔の１実施例である
。 第１１Ａ−１１Ｄ図は、長さ、幅及び方向が可変である
ラインがもたらされるところを示している。 第５Ａ〜５Ｃ図は、第１図の装置によるパターン露光及
び所要の偏向電圧を示す。 （２５） 〔主要符号の説明〕 １０−−レジスト層　　　　１２−一基板１１１−一ス
テージ　　　　　１６一一電子源ｉｇ−−電子ビーム　
　　　２０−一心合コイル２２−−第１の開孔プレート
　２１１−一第１の開孔２６−−コンデンサレンズ　　
２８−一整形偏向器３０−−イメージレンズ　　５２−
一第２の開孔プレート３１１−一第２の開孔　　　　５
６−−縮小レンズ３８−一補正偏向器　　　　ｑｏ−一
偏向コイル１＋　２−−射出レンズ　　　　６０−一第
１の開孔の像６２−−中間ライン　　　　６８−一射出
ライン７０−−パターン　　　　　７２−一整形信号７
１４−−補正信号 （２６） 手続補正書 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　昭和５８年特許ｍ第３４６６４号２、
発明の名称　可変ライン走査を用いる荷電粒子ビーム露
光装置 ３、補正をする者 事イ′１との関係　特許出願人 住　所（居所） 氏名（名称）パリアン・アソシエイツ・インコーホレイ
テッド４、代理人 住所東京都港区西新橋１１”　ｌ］　６番２１号５、補
正命令の］コ付　昭和５８年５月１１日（発送日昭和５
８年す月３１日）６、補正の対象図　　面 ７、補正の内容別紙の通り １４５−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　　パターン化すべき被加工物の表面を選択的に照射
   するだめの荷電粒子ビーム露光装置であって、前記被加
   工物の表向における前記ビームの断面が、２つの直交の
   方向のうちの１方を向き可変長であり暢が制御された射
   出ラインから成る、ところの装置であシ、以下の手段Ｉ
   ＋）〜ｇ）から構成される装置：ａ）荷電粒子ビームを
   発生させるための発生手段； ｂ）前記荷電粒子ビームに照射されるよう位置づけられ
   だ開孔手段を有する開孔プレート手段であって、はぼ直
   角をなす２つの伸長図形から成る断面を有するように前
   記荷電粒子ビームを成形するべく動作し、前記伸長図形
   の各々が少なくとも（１） １対の隣接直交縁部から成る、ところの開孔プレート手
   段； ｃ）２つの隣接する直交縁部を有する成形開孔を含む成
   形開孔プレート： ｄ）前記開孔プレート手段と前記成形開孔プレートとの
   間に置かれ、前記伸長図形のｏｌを前記成形開孔プレー
   ト上に結像させるための県東手段； ｅ　）　ＨＨｅ、成形開孔の直交縁部に関して前記伸長
   図形の前記像を偏向させて、所望の長さ、幅及び方向を
   有する中間ラインをもたらすだめの手段であって、任意
   の時刻における前記中間ラインは前記伸長図形の前記像
   のうち前記成形開孔上に重ね合わせられる部分によって
   画成される、ところの偏向手段； ｆ）前記中間ラインの縮小像を前記被加工物上へ射出し
   て、前記被加工物の表面のところに前記射出ラインを形
   成するための射出手段；並びに （２） ｇ）前記被加工物の表面上の全ての特定位置へと前記射
   出ラインを方向づけるための方向づけ手段。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された荷電粒子ビーム
   露光装置ｄであって： 前記開孔手段が直角をなす２つのスリットから成る、と
   ころの装置。 ｉ　時、ｆＦ蹟求の範囲第１項に記載された荷電粒子ビ
   ーム坏光装（ｄであって： 前記開孔手段が直交関係にある１対の伸長開口から成り
   、該開口はそれぞれの一端で交差して単一の開孔全形成
   する、ところの装置。 ４　吋許請求の範囲第５項に記載された荷電粒子ビーム
   露光装置であって： 前記開口の各々は伸長した長方形状である、ところの装
   置。 −特許請求の範囲第１１駒に記載された荷電粒子ビーム
   露光装置であって： 前記成形開孔は長方形状である、ところの装置。 Ｇ　％許請求の範囲第５項に記載された荷電粒子ビーム
   露光装置であって： 前記偏向手段は前記中間ラインの高速成形のだめの静電
   偏向手段を含む、ところの装置。 Ｌ　パターン化すべき被加工物の表面を選択的に照射す
   るための荷電粒子ビーム露光装置であって、前記被加工
   物の表面における前記ビームの断面が、２つの直交の方
   向のうちの１方全向き可変長であり幅が制御された射出
   ラインから成る、ところの装置であり、以下の手段皇）
   〜ｇ）から構成される装ｗ二 ａ）荷電粒子ビームを発生させるための発生手段； ｂ）前記荷電粒子ビームで照射場れるほぼＬ字形状の第
   １の開孔を有する第１の開孔プレート； ｃ）　　２つの隣接する直交縁部１ｒ：有する第２の開
   孔を含む第２の開孔プレート； ｄ）前記第１の開孔プレートと前記第２の開孔プレート
   との間に置かれ、前記第１の開孔の像を前記第２の開孔
   プレート上に結像させるだめの集束手段； ６）前記第２の開孔に関して前記第１の開孔の前記像を
   偏向させて、可変の長さ及び幅を有しかつ２つの直交方
   向のうちの１つ全肉いた中間ラインをもたらすだめの手
   段であって、任意の時刻における前記中間ラインは前記
   第１の開孔の前記像のうち前記成形開孔上に重ね合わせ
   られる部分及び前記直交縁部に関しての前記像の位置に
   よって画成される、ところの偏向手段； ｆ）前記中間ラインの縮小像を前記被加工物上へ射出し
   て、前記被加工物の表面のところに前記射出ラインを形
   成するだめの射出手段；並びに ｇ）前記被加工物の表面上の全ての特定位置へと前記射
   出ラインを方向づけるための方向づけ手段。 ａ　％許請求の範囲第７項に記載された荷電粒（５） 子ビーム側光装置であって； 前記のｔ’ｔ　）Ｙ　Ｌ字形状の第１の開孔が直角に交
   差する１対の脚部から成り、該脚部の各々は伸長した長
   方形状である、ところの装置。 α　特許請求の範囲第８′９４に記載された荷電粒子ビ
   ーム露光装置でおって： 前記第２の開孔が長方形状であり、前記第１の開孔の前
   記脚部のうちの一方の像を前記第２の開孔の前記直交縁
   部の１方の上に平行に位置づけることによって前記中間
   ラインが形成される、ところの装置。 １０　特許請求の範囲第９項に記載された荷電粒子ビー
   ム露光装置であって： 前記偏向手段が前記中間ラインの高速成形のだめの静電
   偏向手段を含み、前記方向づけ手段が前記被加工物の表
   面上への前記射出ラインの高速位置づけのだめの静電偏
   向手段を含む、ところの装置。 （６）