JP2914093B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に、
光ファイバアンプの励起用などに適した波長1μm帯の
半導体レーザに関するものである。
光ファイバアンプの励起用などに適した波長1μm帯の
半導体レーザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の半導体レーザとして、InPを
基板とするものがある。InPを基板とする半導体レー
ザでは、エピタキシャル成長により形成された活性層の
うち光を導波する領域をメサ状に残し、そのメサ部の両
側を高抵抗の半導体で埋め込むことにより、電流と光を
閉じ込めるいわゆる埋め込み型構造が知られている。こ
れに対して、GaAsを基板とする半導体レーザでは、
同様の構造とすることが困難であった。ごく最近になっ
て、GaInPをクラッドとする埋め込み型半導体レー
ザが報告されているが、信頼性の点で実用化に至るには
まだ長い年月が予想される。このため、GaAs基板を
用いた半導体レーザでは、エピタキシャル成長により形
成された活性層をエッチング除去することなく全体に残
したままで、その上部に中央の電流通路領域を除いて電
流ブロック層を形成する構造が主流である。
基板とするものがある。InPを基板とする半導体レー
ザでは、エピタキシャル成長により形成された活性層の
うち光を導波する領域をメサ状に残し、そのメサ部の両
側を高抵抗の半導体で埋め込むことにより、電流と光を
閉じ込めるいわゆる埋め込み型構造が知られている。こ
れに対して、GaAsを基板とする半導体レーザでは、
同様の構造とすることが困難であった。ごく最近になっ
て、GaInPをクラッドとする埋め込み型半導体レー
ザが報告されているが、信頼性の点で実用化に至るには
まだ長い年月が予想される。このため、GaAs基板を
用いた半導体レーザでは、エピタキシャル成長により形
成された活性層をエッチング除去することなく全体に残
したままで、その上部に中央の電流通路領域を除いて電
流ブロック層を形成する構造が主流である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この構造の場
合、横方向の等価屈折率の差を大きく取ることができな
いため、光が横方向に広がってしまい、横方向の広がり
角が小さくなりやすい。その結果、縦方向の放射角との
比(アスペクト比)が大きくなり、光ファイバ等との結
合が難しくなる。
合、横方向の等価屈折率の差を大きく取ることができな
いため、光が横方向に広がってしまい、横方向の広がり
角が小さくなりやすい。その結果、縦方向の放射角との
比(アスペクト比)が大きくなり、光ファイバ等との結
合が難しくなる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがG
aAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおい
て、基板と反対側の主クラッド層上にストライプ状電流
通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成
が零の場合を含む)の電流ブロック層と、この電流ブロ
ック層に挟まれたストライプ状電流通路領域の主クラッ
ド層上に形成されたGaAsの補助クラッド層とを備え
たものである。また、GaAs補助クラッド層の上にさ
らにAlGaInP(AlまたはGaのいずれか一方の
組成が零の場合を含む)またはAlGaAs(Ga組成
が零の場合を含む)からなる第2補助クラッド層を備え
ることが望ましい。この場合、GaAs補助クラッド層
の厚みは少なくとも200Å以上あることが望ましい。
は、GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがG
aAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおい
て、基板と反対側の主クラッド層上にストライプ状電流
通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成
が零の場合を含む)の電流ブロック層と、この電流ブロ
ック層に挟まれたストライプ状電流通路領域の主クラッ
ド層上に形成されたGaAsの補助クラッド層とを備え
たものである。また、GaAs補助クラッド層の上にさ
らにAlGaInP(AlまたはGaのいずれか一方の
組成が零の場合を含む)またはAlGaAs(Ga組成
が零の場合を含む)からなる第2補助クラッド層を備え
ることが望ましい。この場合、GaAs補助クラッド層
の厚みは少なくとも200Å以上あることが望ましい。
【0005】
【作用】電流ブロック層に挟まれたストライプ部(電流
通路領域)に屈折率の高い材料であるGaAsを基板の
反対側(上側)クラッド層の一部として用いているの
で、この部分での光の分布が基板と反対側(上側)に偏
る。一方、電流ブロック層に屈折率の低い材料であるA
lGaInP(Ga組成が零の場合を含む)を用いてい
るので、ストライプ部の光の分布が上側に偏ることと相
俟って、横方向の光閉じ込め効果が高くなる。すなわ
ち、横方向の等価屈折率差が大きくなる。
通路領域)に屈折率の高い材料であるGaAsを基板の
反対側(上側)クラッド層の一部として用いているの
で、この部分での光の分布が基板と反対側(上側)に偏
る。一方、電流ブロック層に屈折率の低い材料であるA
lGaInP(Ga組成が零の場合を含む)を用いてい
るので、ストライプ部の光の分布が上側に偏ることと相
俟って、横方向の光閉じ込め効果が高くなる。すなわ
ち、横方向の等価屈折率差が大きくなる。
【0006】また、GaAs補助クラッド層の上に、G
aAsよりも屈折率の低いAlGaInP、GaIn
P、AlGaAs、AlInPなどによる第2補助クラ
ッド層を形成すると、縦方向の光の広がりを制限するこ
とができる。GaAs補助クラッド層を用いることで縦
方向の光が広がり過ぎて光閉じ込め係数が小さくなる
と、レーザ特性が悪化することが考えられるが、その場
合に第2補助クラッド層を用いると、光閉じ込め係数の
減少が抑制される。
aAsよりも屈折率の低いAlGaInP、GaIn
P、AlGaAs、AlInPなどによる第2補助クラ
ッド層を形成すると、縦方向の光の広がりを制限するこ
とができる。GaAs補助クラッド層を用いることで縦
方向の光が広がり過ぎて光閉じ込め係数が小さくなる
と、レーザ特性が悪化することが考えられるが、その場
合に第2補助クラッド層を用いると、光閉じ込め係数の
減少が抑制される。
【0007】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である半導体レー
ザの劈開面と平行な断面構造を模式的に示したものであ
る。また、図2は、この半導体レーザを構成している各
半導体層の厚さ、材料、(Al+Ga)対するAlの組
成比、不純物、導電型、不純物濃度を一覧表にしたもの
である。
ザの劈開面と平行な断面構造を模式的に示したものであ
る。また、図2は、この半導体レーザを構成している各
半導体層の厚さ、材料、(Al+Ga)対するAlの組
成比、不純物、導電型、不純物濃度を一覧表にしたもの
である。
【0008】この半導体レーザを作製するには、まず、
60Torr程度の減圧MOVPE(有機金属気相成長
法)により、電流ブロック層7まで積層されたエピタキ
シャルウエハを作製する。GaAs基板1の上に、Ga
Asバッファ層2、n型AlGaInPクラッド層3、
活性層4、p型AlGaInPクラッド層5、p型Ga
InPクラッド層6およびn型AlGaInP電流ブロ
ック層7をエピタキシャル成長により形成する。活性層
4は量子井戸構造になっており、GaInP層41、G
aInAsP層42、GaAs層43、GaInAs層
44、GaAs45、GaInAsP層46およびGa
InP層47で構成されている。この活性層4では、G
aInAs層44が量子井戸層である。
60Torr程度の減圧MOVPE(有機金属気相成長
法)により、電流ブロック層7まで積層されたエピタキ
シャルウエハを作製する。GaAs基板1の上に、Ga
Asバッファ層2、n型AlGaInPクラッド層3、
活性層4、p型AlGaInPクラッド層5、p型Ga
InPクラッド層6およびn型AlGaInP電流ブロ
ック層7をエピタキシャル成長により形成する。活性層
4は量子井戸構造になっており、GaInP層41、G
aInAsP層42、GaAs層43、GaInAs層
44、GaAs45、GaInAsP層46およびGa
InP層47で構成されている。この活性層4では、G
aInAs層44が量子井戸層である。
【0009】このエピタキシャルウエハの作製におい
て、AlGaInPは高温成長が望ましく、GaInA
sは低温成長が望ましいので、n型AlGaInPクラ
ッド層3までを740℃で成長させ、その後650℃ま
で下げて活性層4を成長させ、p型AlGaInPクラ
ッド層5から再び740℃に戻してn型AlGaInP
電流ブロック層7まで成長させる。
て、AlGaInPは高温成長が望ましく、GaInA
sは低温成長が望ましいので、n型AlGaInPクラ
ッド層3までを740℃で成長させ、その後650℃ま
で下げて活性層4を成長させ、p型AlGaInPクラ
ッド層5から再び740℃に戻してn型AlGaInP
電流ブロック層7まで成長させる。
【0010】つぎに、この様にして形成されたエピタキ
シャルウエハの最上層であるn型AlGaInP電流ブ
ロック層7の中央部をストライプ状にエッチング除去す
る。このエッチングは図3に示すように、まず、表面全
体に窒化シリコン膜31を0.1μmの厚さに堆積した
後、リソグラフィー技術により中央部を幅3μmに渡っ
て除去する。その後、この窒化シリコン膜31をマスク
として、電流ブロック層7をエッチングする。エッチン
グ液として、たとえば60℃の濃硫酸を用い、ウエハ表
面の色が変わるまでエッチングを行う。ウエハの色が変
化したところがGaInP層6の露出したところであ
る。
シャルウエハの最上層であるn型AlGaInP電流ブ
ロック層7の中央部をストライプ状にエッチング除去す
る。このエッチングは図3に示すように、まず、表面全
体に窒化シリコン膜31を0.1μmの厚さに堆積した
後、リソグラフィー技術により中央部を幅3μmに渡っ
て除去する。その後、この窒化シリコン膜31をマスク
として、電流ブロック層7をエッチングする。エッチン
グ液として、たとえば60℃の濃硫酸を用い、ウエハ表
面の色が変わるまでエッチングを行う。ウエハの色が変
化したところがGaInP層6の露出したところであ
る。
【0011】その後、窒化シリコン膜31を弗酸:水=
1:1でエッチングして、その上にp型GaAs層8、
p型GaInP層9、p型GaInAsP層10および
p型GaAs層11を順に再成長させる。p型GaAs
層8のうち、ストライプ状の溝の底部すなわちp型Ga
InPクラッド層6上に形成された部分は、上側クラッ
ド層の一部として機能する。また、さらにその上のp型
GaInP層9もクラッド層の一部として機能する。た
だし、p型GaAs補助クラッド層8は、その屈折率の
高さを利用して、光の分布を上方に引き上げるためのも
のであるのに対し、p型GaInP第2補助クラッド層
9は、GaAsよりも屈折率が低いことを利用して光の
上方への広がりを制限し、レーザ特性の低下を防止する
ためのものである。p型GaInAsP層10およびp
型GaAs層11は、さらにその上に形成されるp側電
極とのコンタクト抵抗を低減するためのものである。な
お、p型GaAs補助クラッド層8は三族元素が1種類
であるので、再成長が容易であるという点でも有利であ
る。
1:1でエッチングして、その上にp型GaAs層8、
p型GaInP層9、p型GaInAsP層10および
p型GaAs層11を順に再成長させる。p型GaAs
層8のうち、ストライプ状の溝の底部すなわちp型Ga
InPクラッド層6上に形成された部分は、上側クラッ
ド層の一部として機能する。また、さらにその上のp型
GaInP層9もクラッド層の一部として機能する。た
だし、p型GaAs補助クラッド層8は、その屈折率の
高さを利用して、光の分布を上方に引き上げるためのも
のであるのに対し、p型GaInP第2補助クラッド層
9は、GaAsよりも屈折率が低いことを利用して光の
上方への広がりを制限し、レーザ特性の低下を防止する
ためのものである。p型GaInAsP層10およびp
型GaAs層11は、さらにその上に形成されるp側電
極とのコンタクト抵抗を低減するためのものである。な
お、p型GaAs補助クラッド層8は三族元素が1種類
であるので、再成長が容易であるという点でも有利であ
る。
【0012】次に、p型GaAs層11の上にp側電極
を蒸着し、GaAs基板1を裏面から削って100μm
程度の厚さにして、そこにn側電極を蒸着する。その
後、アニール処理によりp側電極およびn側電極を合金
化し、劈開および実装工程を経てレーザとなる。
を蒸着し、GaAs基板1を裏面から削って100μm
程度の厚さにして、そこにn側電極を蒸着する。その
後、アニール処理によりp側電極およびn側電極を合金
化し、劈開および実装工程を経てレーザとなる。
【0013】このようにして作製された本実施例の半導
体レーザは、電流ブロック層7によって狭い電流通路が
形成された利得導波型の半導体レーザであると共に、電
流ブロック層7とGaAs補助クラッド層8との屈折率
の差を利用した屈折率導波型の半導体レーザでもある。
電流ブロック層7に挟まれたGaAs補助クラッド層8
は屈折率が高いので光の分布が上方に偏る。そして、電
流ブロック層7はGaAs補助クラッド層8よりも屈折
率が低いので横方向の光閉じ込めが行われる。電流ブロ
ック層7の厚みを0.5μmから例えば1μmに厚くす
ると共に、埋め込むp型GaAs補助クラッド層8の厚
さを0.1μmから0.5μmに厚くすると、光の分布
はさらに上方に移動し、横方向の光の閉じ込めをさらに
きつくすることができる。また、基板側(下側)のn型
クラッド層3の屈折率を低くすることによっても、光の
分布を上方に偏らせることができる。本実施例では、n
型クラッド層3の材料はAlGaInPであり、(Al
+Ga)に対するAlの組成比が0.4であるが、Al
組成比を大きくすることにより、屈折率を下げることが
できる。
体レーザは、電流ブロック層7によって狭い電流通路が
形成された利得導波型の半導体レーザであると共に、電
流ブロック層7とGaAs補助クラッド層8との屈折率
の差を利用した屈折率導波型の半導体レーザでもある。
電流ブロック層7に挟まれたGaAs補助クラッド層8
は屈折率が高いので光の分布が上方に偏る。そして、電
流ブロック層7はGaAs補助クラッド層8よりも屈折
率が低いので横方向の光閉じ込めが行われる。電流ブロ
ック層7の厚みを0.5μmから例えば1μmに厚くす
ると共に、埋め込むp型GaAs補助クラッド層8の厚
さを0.1μmから0.5μmに厚くすると、光の分布
はさらに上方に移動し、横方向の光の閉じ込めをさらに
きつくすることができる。また、基板側(下側)のn型
クラッド層3の屈折率を低くすることによっても、光の
分布を上方に偏らせることができる。本実施例では、n
型クラッド層3の材料はAlGaInPであり、(Al
+Ga)に対するAlの組成比が0.4であるが、Al
組成比を大きくすることにより、屈折率を下げることが
できる。
【0014】図4および図5は、基板から電流ブロック
層まで形成されたエピタキシャルウエハの他の実施例の
積層構造を模式的に示したものであり、各層の右側に厚
さ等が記載されている。図4のエピタキシャルウエハで
は、n側のクラッド層がGaInP層53を主体としそ
の上に薄いAlGaInP層54が付加された構成とな
っている。そのため、第1実施例に比べて、n側クラッ
ドの等価屈折率が小さくなり、光の分布が上下均等に近
づく。これによって、横方向の光閉じ込め効果は減少す
るが、光強度が最大となる部分が活性層55付近に近づ
く。
層まで形成されたエピタキシャルウエハの他の実施例の
積層構造を模式的に示したものであり、各層の右側に厚
さ等が記載されている。図4のエピタキシャルウエハで
は、n側のクラッド層がGaInP層53を主体としそ
の上に薄いAlGaInP層54が付加された構成とな
っている。そのため、第1実施例に比べて、n側クラッ
ドの等価屈折率が小さくなり、光の分布が上下均等に近
づく。これによって、横方向の光閉じ込め効果は減少す
るが、光強度が最大となる部分が活性層55付近に近づ
く。
【0015】また、図5のエピタキシャルウエハでは、
p側クラッド層をGaInP層65のみで構成してい
る。第1実施例と比較すると屈折率の低いAlGaIn
P層を有しないことになり、その分p側の光の染みだし
が大きくなる。したがって、横方向の等価屈折率差が大
きくなり、横方向の光閉じ込めをきつくすることができ
る。
p側クラッド層をGaInP層65のみで構成してい
る。第1実施例と比較すると屈折率の低いAlGaIn
P層を有しないことになり、その分p側の光の染みだし
が大きくなる。したがって、横方向の等価屈折率差が大
きくなり、横方向の光閉じ込めをきつくすることができ
る。
【0016】なお、上記いずれの実施例においても、電
流ブロック層7、58、66の材料としてAlGaIn
Pを用いているが、Gaの組成が零であってもよい。ま
た、第2補助クラッド層9として、GaInPを用いて
いるが、その他にAlGaInP、AlInP、AlG
aAs、AlAsを用いることもできる。
流ブロック層7、58、66の材料としてAlGaIn
Pを用いているが、Gaの組成が零であってもよい。ま
た、第2補助クラッド層9として、GaInPを用いて
いるが、その他にAlGaInP、AlInP、AlG
aAs、AlAsを用いることもできる。
【0017】以上の実施例は、電流ブロック層に溝を形
成し、その溝にGaAs補助クラッド層を再成長により
形成するものであるが、逆にGaAs補助クラッド層を
ストライプ状に残し、その両側に電流ブロック層を再成
長により形成してもよい。その具体的実施例を次に説明
する。
成し、その溝にGaAs補助クラッド層を再成長により
形成するものであるが、逆にGaAs補助クラッド層を
ストライプ状に残し、その両側に電流ブロック層を再成
長により形成してもよい。その具体的実施例を次に説明
する。
【0018】図6に示したエピを作製し、その後幅5μ
mのストライプ領域を窒化シリコン膜80で覆い、図7
のように逆メサ状にエッチングした。この際、まずGa
lnp層77を残し、GaAs層79,GalnAsP
層78を選択的にエッチングするために燐酸:過酸化水
素:水=5:1:40を用い6分エッチングした。次に
GaAs補助クラッド層76を残し、Galnp層77
をエッチングするために塩酸:燐酸:水=220:11
0:165を用いて20分エッチングした。さらに前述
の燐酸+過酸化水素系のエッチャントでGaAs補助ク
ラッド層76をエッチングした。その後、窒化シリコン
膜80をマスクとして、電流ブロック層としてのシリコ
ンドープAlGalnP(Al/[Al+Ga]=0.
2)(n=2×17cm-3)を1.3μm、さらにZn
ドープGaAs(1.5×19cm-3)を0.3μm成
長した。その後通常のプロセスでレーザとした。こうし
て得られたレーザの横方向広がり角は15度と大きかっ
た。本実施例でのGaAs補助クラッド層兼エッチスト
ッパは300Åであるが、これを100Åにすると実質
的に補助クラッド層としての機能をはたさなくなる。実
際に、この100Åのエッチストッパを持つエピから同
様にしてレーザを作製したところ横方向広がり角度は約
10度と小さかった。これはこのエッチストッパが補助
クラッド層として十分に機能せず横方向の屈折率差が大
きく取れなかったためと考えられる。
mのストライプ領域を窒化シリコン膜80で覆い、図7
のように逆メサ状にエッチングした。この際、まずGa
lnp層77を残し、GaAs層79,GalnAsP
層78を選択的にエッチングするために燐酸:過酸化水
素:水=5:1:40を用い6分エッチングした。次に
GaAs補助クラッド層76を残し、Galnp層77
をエッチングするために塩酸:燐酸:水=220:11
0:165を用いて20分エッチングした。さらに前述
の燐酸+過酸化水素系のエッチャントでGaAs補助ク
ラッド層76をエッチングした。その後、窒化シリコン
膜80をマスクとして、電流ブロック層としてのシリコ
ンドープAlGalnP(Al/[Al+Ga]=0.
2)(n=2×17cm-3)を1.3μm、さらにZn
ドープGaAs(1.5×19cm-3)を0.3μm成
長した。その後通常のプロセスでレーザとした。こうし
て得られたレーザの横方向広がり角は15度と大きかっ
た。本実施例でのGaAs補助クラッド層兼エッチスト
ッパは300Åであるが、これを100Åにすると実質
的に補助クラッド層としての機能をはたさなくなる。実
際に、この100Åのエッチストッパを持つエピから同
様にしてレーザを作製したところ横方向広がり角度は約
10度と小さかった。これはこのエッチストッパが補助
クラッド層として十分に機能せず横方向の屈折率差が大
きく取れなかったためと考えられる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザによれば、基板と反対側のクラッド層上に電流通路
を挟むようにAlGaInP電流ブロック層が形成さ
れ、電流ブロック層に挟まれた部分にGaAsからなる
補助クラッド層が形成されているので、横方向の等価屈
折率差を大きくとることができ、その結果、横方向の放
射角を大きくすることができる。しかもこの等価屈折率
差は、クラッド層材料の組成や厚みを変えることにより
調整することができるため、横方向の放射角調整も容易
である。これによって、アスペクト比を調整でき光ファ
イバと結合させた際の損失を低く抑えることができる。
ーザによれば、基板と反対側のクラッド層上に電流通路
を挟むようにAlGaInP電流ブロック層が形成さ
れ、電流ブロック層に挟まれた部分にGaAsからなる
補助クラッド層が形成されているので、横方向の等価屈
折率差を大きくとることができ、その結果、横方向の放
射角を大きくすることができる。しかもこの等価屈折率
差は、クラッド層材料の組成や厚みを変えることにより
調整することができるため、横方向の放射角調整も容易
である。これによって、アスペクト比を調整でき光ファ
イバと結合させた際の損失を低く抑えることができる。
【図1】本発明の一実施例である半導体レーザの劈開面
に平行な面で断面を模式的に示した断面図。
に平行な面で断面を模式的に示した断面図。
【図2】図1の半導体レーザの各エピタキシャル層の材
料等の一覧を示す図表である。
料等の一覧を示す図表である。
【図3】図1の半導体レーザの製造工程において電流ブ
ロック層に溝を形成した状態を示す断面図。
ロック層に溝を形成した状態を示す断面図。
【図4】本発明の他の実施例である半導体レーザを作製
する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式的に示
す断面図。
する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式的に示
す断面図。
【図5】本発明のさらに他の実施例である半導体レーザ
を作製する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式
的に示す断面図。
を作製する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式
的に示す断面図。
【図6】本発明のさらに他の実施例である半導体レーザ
を作製する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式
的に示す断面図。
を作製する際のエピタキシャルウエハの積層構造を模式
的に示す断面図。
【図7】図6のエピタキシャルウエハを用いた半導体レ
ーザを製造する際の途中の工程を示す断面図。
ーザを製造する際の途中の工程を示す断面図。
1,51,61,71…GaAs基板、3,53,5
4,63,73…下側クラッド層、4,55,64,7
4…活性層、5,6,56,57,65,75…上側ク
ラッド層、7…電流ブロック層、8,76…GaAs補
助クラッド層、9,77…GaInP第2補助クラッド
層。
4,63,73…下側クラッド層、4,55,64,7
4…活性層、5,6,56,57,65,75…上側ク
ラッド層、7…電流ブロック層、8,76…GaAs補
助クラッド層、9,77…GaInP第2補助クラッド
層。
Claims (3)
- 【請求項1】 GaAsを基板とし、活性層のバンドギ
ャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レ
ーザにおいて、 前記基板と反対側の主クラッド層上にストライプ状電流
通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成
が零の場合を含む)の電流ブロック層と、 前記電流ブロック層に挟まれたストライプ状電流通路領
域の前記主クラッド層上に形成されたGaAsの補助ク
ラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項2】 前記GaAs補助クラッド層の上にさら
にAlGaInP(AlまたはGaのいずれか一方の組
成が零の場合を含む)またはAlGaAs(Ga組成が
零の場合を含む)の第2補助クラッド層を備えたことを
特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 【請求項3】 前記基板と反対側の前記主クラッド層お
よび基板側のクラッド層の組成は、光の縦方向の分布が
前記基板と反対側に偏るように調整されていることを特
徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体レ
ーザ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5134469A JP2914093B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ |
US08/252,563 US5446753A (en) | 1993-06-04 | 1994-06-01 | Current block type semiconductor laser |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5134469A JP2914093B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06350189A JPH06350189A (ja) | 1994-12-22 |
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Family
ID=15129053
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP5134469A Expired - Fee Related JP2914093B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ |
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JP2929990B2 (ja) * | 1996-01-26 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
US5727012A (en) * | 1996-03-07 | 1998-03-10 | Lucent Technologies Inc. | Heterostructure laser |
JP3787195B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2006-06-21 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
US5889805A (en) * | 1996-11-01 | 1999-03-30 | Coherent, Inc. | Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region |
US6195381B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-02-27 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers |
US6542527B1 (en) | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Regents Of The University Of Minnesota | Vertical cavity surface emitting laser |
US6374383B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-04-16 | Maxtor Corporation | Determining error locations using error correction codes |
US6614821B1 (en) | 1999-08-04 | 2003-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
US6400743B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-06-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure |
EP1104057B1 (en) * | 1999-11-19 | 2005-07-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure |
US6515305B2 (en) | 2000-09-18 | 2003-02-04 | Regents Of The University Of Minnesota | Vertical cavity surface emitting laser with single mode confinement |
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JPH0537078A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP3183683B2 (ja) * | 1991-09-06 | 2001-07-09 | シャープ株式会社 | 窓型半導体レーザ素子 |
JPH05145178A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 歪量子井戸半導体レーザ素子 |
JP3444610B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2003-09-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5134469A patent/JP2914093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-01 US US08/252,563 patent/US5446753A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06350189A (ja) | 1994-12-22 |
US5446753A (en) | 1995-08-29 |
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