JP2910914B2 - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザアレイ
の構造に関し、特に大容量光CATVに用いる多波長S
CM(sub-carrier multiplexing)光伝送用半導体レー
ザアレイの構造に関する。
の構造に関し、特に大容量光CATVに用いる多波長S
CM(sub-carrier multiplexing)光伝送用半導体レー
ザアレイの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光CATVシステムは、110c
hさらには150chへと大容量化が進められ、その光
源となる半導体レーザ(LD)にも次第に高度な性能が
要求されるようになってきている。例えば、150ch
全アナログ変調方式のCATVシステムでは、LDに要
求される特性としては、CSO(composite second ord
er;複合二次歪)≦−60dBc、CTB(composite
triple beat ;複合三次歪)≦−65dBc、PO ≧2
0mWであり、このような規格を満足する素子の歩留り
は現在のところ非常に小さい。
hさらには150chへと大容量化が進められ、その光
源となる半導体レーザ(LD)にも次第に高度な性能が
要求されるようになってきている。例えば、150ch
全アナログ変調方式のCATVシステムでは、LDに要
求される特性としては、CSO(composite second ord
er;複合二次歪)≦−60dBc、CTB(composite
triple beat ;複合三次歪)≦−65dBc、PO ≧2
0mWであり、このような規格を満足する素子の歩留り
は現在のところ非常に小さい。
【0003】これに対して我々は複数の多波長レーザを
同時に変調し、個々のレーザからの光を合成することに
より、実効的に個々の素子に要求される歪みの規格を緩
和することができるマルチLD方式を提案している。こ
のマルチLD方式では個々のレーザに対する歪みの規格
が緩和される分、素子の歩留りは改善できる。
同時に変調し、個々のレーザからの光を合成することに
より、実効的に個々の素子に要求される歪みの規格を緩
和することができるマルチLD方式を提案している。こ
のマルチLD方式では個々のレーザに対する歪みの規格
が緩和される分、素子の歩留りは改善できる。
【0004】図5は、このマルチLD方式を採用した従
来のレーザアレイの平面図である。半導体ペレット1の
表面には、内部の活性層ストライプに対応してストライ
プ電極2が形成されており、裏面には共通の電極が形成
されている。このレーザアレイでは、各レーザ素子は各
素子毎にボンディングワイヤ3を介して給電され、テー
パ光ファイバ4を介して光が取り出される。
来のレーザアレイの平面図である。半導体ペレット1の
表面には、内部の活性層ストライプに対応してストライ
プ電極2が形成されており、裏面には共通の電極が形成
されている。このレーザアレイでは、各レーザ素子は各
素子毎にボンディングワイヤ3を介して給電され、テー
パ光ファイバ4を介して光が取り出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マルチ
LD方式を採用した従来のレーザアレイでは、各レーザ
素子の電極が分離されているため、各素子毎にボンディ
ングワイヤにて電気的に接続する必要があり、そして、
各々の素子の間隔は通常250μm乃至300μmある
ので、ボンディングワイヤが長くなり、大きなインダク
タンスを持つようになるので、変調帯域が制限される欠
点があった。また、各ストライプ電極毎にボンディング
パッドを設ける必要があるため、トータルの電極面積が
広くなり、さらにボンディングワイヤの延長長さも長く
なることから、寄生容量が増加しこのことも変調帯域の
制限要因となっていた。
LD方式を採用した従来のレーザアレイでは、各レーザ
素子の電極が分離されているため、各素子毎にボンディ
ングワイヤにて電気的に接続する必要があり、そして、
各々の素子の間隔は通常250μm乃至300μmある
ので、ボンディングワイヤが長くなり、大きなインダク
タンスを持つようになるので、変調帯域が制限される欠
点があった。また、各ストライプ電極毎にボンディング
パッドを設ける必要があるため、トータルの電極面積が
広くなり、さらにボンディングワイヤの延長長さも長く
なることから、寄生容量が増加しこのことも変調帯域の
制限要因となっていた。
【0006】さらに、従来のレーザアレイは、n型基板
あるいはp型基板上に形成されており、いずれか一方の
電極が共通となるために、電気的には並列接続しか許さ
れなかった。レーザ素子単体のインピーダンスは通常約
10Ω程度であるので、50Ω系の変調信号回路にイン
ピーダンス整合を取る場合には、図4(a)に示すよう
に、40Ω程度の抵抗Rを直列に繋ぐ必要がある。この
場合変調信号パワーの80%はこの直列抵抗で消費さ
れ、レーザ素子LDには20%のパワーが入力される。
あるいはp型基板上に形成されており、いずれか一方の
電極が共通となるために、電気的には並列接続しか許さ
れなかった。レーザ素子単体のインピーダンスは通常約
10Ω程度であるので、50Ω系の変調信号回路にイン
ピーダンス整合を取る場合には、図4(a)に示すよう
に、40Ω程度の抵抗Rを直列に繋ぐ必要がある。この
場合変調信号パワーの80%はこの直列抵抗で消費さ
れ、レーザ素子LDには20%のパワーが入力される。
【0007】これに対して従来の並列接続レーザアレイ
では、全体でのインピーダンスは4chの場合で約2.
5Ωとなり、50Ω系にインピーダンス整合を取るため
には、図4(b)に示すように、47.5Ωの抵抗Rを
直列に挿入する必要がある。この場合、変調RFパワー
の約95%はこの抵抗で消費されてしまい、残り僅か5
%しかレーザに入力されないので、非常に変調効率が悪
くなる。したがって、従来のマルチLD方式では非常に
大きな変調RFパワーが必要であった。
では、全体でのインピーダンスは4chの場合で約2.
5Ωとなり、50Ω系にインピーダンス整合を取るため
には、図4(b)に示すように、47.5Ωの抵抗Rを
直列に挿入する必要がある。この場合、変調RFパワー
の約95%はこの抵抗で消費されてしまい、残り僅か5
%しかレーザに入力されないので、非常に変調効率が悪
くなる。したがって、従来のマルチLD方式では非常に
大きな変調RFパワーが必要であった。
【0008】したがって、本発明の目的は、第1に、ボ
ンディングワイヤ長を短くできるようにしてインダクタ
ンスを下げ、さらに電極に係る寄生容量を削減して広帯
域特性を実現することであり、第2に、50Ω系の変調
回路とのインピーダンス整合を大きなロスを伴うことな
く取れるようにし、レーザアレイの変調効率を高めるこ
とである。
ンディングワイヤ長を短くできるようにしてインダクタ
ンスを下げ、さらに電極に係る寄生容量を削減して広帯
域特性を実現することであり、第2に、50Ω系の変調
回路とのインピーダンス整合を大きなロスを伴うことな
く取れるようにし、レーザアレイの変調効率を高めるこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願の第1発明による半
導体レーザアレイは、基板側と反対側のストライプ状の
電極を共通に接続して、これによりトータルの電極面積
を削減し、またボンディングを簡素化できるようにす
る。
導体レーザアレイは、基板側と反対側のストライプ状の
電極を共通に接続して、これによりトータルの電極面積
を削減し、またボンディングを簡素化できるようにす
る。
【0010】第2発明の半導体レーザアレイは、半絶縁
性基板上に形成し、個々のレーザ素子の半導体層を半絶
縁性基板まで到達する溝によって分離するようにし、こ
れにより直列接続のマルチLDを実現できるようにす
る。
性基板上に形成し、個々のレーザ素子の半導体層を半絶
縁性基板まで到達する溝によって分離するようにし、こ
れにより直列接続のマルチLDを実現できるようにす
る。
【0011】
【発明の実施の形態】第1発明の半導体レーザアレイ
は、半導体基板の一方の面に共通電極が形成され、他方
の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の電極が形成
されており、各ストライプ状の電極が電極の横方向の延
長部により共通に接続され、そして、個々のレーザ素子
の活性層ストライプのピッチが10μm以上50μm以
下であるようになされている。
は、半導体基板の一方の面に共通電極が形成され、他方
の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の電極が形成
されており、各ストライプ状の電極が電極の横方向の延
長部により共通に接続され、そして、個々のレーザ素子
の活性層ストライプのピッチが10μm以上50μm以
下であるようになされている。
【0012】第2発明の半導体レーザアレイは、半絶縁
性基板上に第1導電型クラッド層、ストライプ状活性層
および第2導電型クラッド層を備えるレーザ素子が複数
個形成されており、個々のレーザ素子はレーザ素子間に
形成された半導体層表面から前記半絶縁性基板表面に到
達する溝により電気的に分離され、かつ、直列抵抗が変
調回路のインピーダンスを越えない範囲で各レーザ素子
が直列に接続され必要に応じて前記変調回路に直列にイ
ンピーダンス素子が接続されて変調回路とのインピーダ
ンス整合が図られていることを特徴としている。
性基板上に第1導電型クラッド層、ストライプ状活性層
および第2導電型クラッド層を備えるレーザ素子が複数
個形成されており、個々のレーザ素子はレーザ素子間に
形成された半導体層表面から前記半絶縁性基板表面に到
達する溝により電気的に分離され、かつ、直列抵抗が変
調回路のインピーダンスを越えない範囲で各レーザ素子
が直列に接続され必要に応じて前記変調回路に直列にイ
ンピーダンス素子が接続されて変調回路とのインピーダ
ンス整合が図られていることを特徴としている。
【0013】第1発明の半導体レーザアレイによれば、
各々のレーザ素子の電極が電気的に共通に接続されたこ
とにより、1本のボンディングワイヤで全ての素子に通
電できるようになる。そして、ボンディングワイヤの長
さが短くなったことによりインダクタンスが低減化され
る。さらに、ボンディングパッドを共通化したことによ
り電極面積が低減化され、またボンディングワイヤが短
くなったことにより寄生容量が削減され、広帯域化を実
現することができる。
各々のレーザ素子の電極が電気的に共通に接続されたこ
とにより、1本のボンディングワイヤで全ての素子に通
電できるようになる。そして、ボンディングワイヤの長
さが短くなったことによりインダクタンスが低減化され
る。さらに、ボンディングパッドを共通化したことによ
り電極面積が低減化され、またボンディングワイヤが短
くなったことにより寄生容量が削減され、広帯域化を実
現することができる。
【0014】このようにインダクタンスと寄生容量が削
減されたことにより、変調帯域は1GHz程度と広くな
り、光CATVにおいて、150ch分の番組が送れる
ようになる。しかしながら、素子間隔が5μm程度以下
になると、各々の素子の光の電界が結合するようにな
り、従来のレーザとは全く異なる動作を示すようにな
る。このような一例としては、位相同期レーザアレイが
よく知られている。したがって、素子間隔は10μm以
上であることが望ましい。また、電極面積を狭くして広
帯域化を実現するために50μm以下に抑えることが望
ましい。
減されたことにより、変調帯域は1GHz程度と広くな
り、光CATVにおいて、150ch分の番組が送れる
ようになる。しかしながら、素子間隔が5μm程度以下
になると、各々の素子の光の電界が結合するようにな
り、従来のレーザとは全く異なる動作を示すようにな
る。このような一例としては、位相同期レーザアレイが
よく知られている。したがって、素子間隔は10μm以
上であることが望ましい。また、電極面積を狭くして広
帯域化を実現するために50μm以下に抑えることが望
ましい。
【0015】また、第2発明の半導体レーザアレイで
は、半絶縁性基板上にレーザアレイを形成し、各レーザ
素子の間に半絶縁性基板に到達する素子分離用溝を形成
しているので、各レーザ素子の両電極を電気的に独立さ
せることが可能になり、各素子を直列接続することが可
能になる。マルチLDを直列接続で実現した場合には、
4chの場合全体のインピーダンスは約40Ωになるの
で、図4(c)に示すように、10Ω程度の抵抗Rを挿
入すれば、50Ω系の変調回路とインピーダンス整合を
取ることができる。この場合は、加えたRFパワーの8
0%がレーザに入力されることになり、従来の並列接続
レーザアレイに比べて非常に変調効率がよくなる。すな
わち、少ないRFパワーで変調が可能になる。
は、半絶縁性基板上にレーザアレイを形成し、各レーザ
素子の間に半絶縁性基板に到達する素子分離用溝を形成
しているので、各レーザ素子の両電極を電気的に独立さ
せることが可能になり、各素子を直列接続することが可
能になる。マルチLDを直列接続で実現した場合には、
4chの場合全体のインピーダンスは約40Ωになるの
で、図4(c)に示すように、10Ω程度の抵抗Rを挿
入すれば、50Ω系の変調回路とインピーダンス整合を
取ることができる。この場合は、加えたRFパワーの8
0%がレーザに入力されることになり、従来の並列接続
レーザアレイに比べて非常に変調効率がよくなる。すな
わち、少ないRFパワーで変調が可能になる。
【0016】チャネル数を5chとした場合、直列接続
されたレーザ素子インピーダンスは約50Ωとなり、直
列抵抗を挿入しなくてもインピーダンス整合が取れるの
でさらによいようにも考えられるが、この直列抵抗はレ
ーザの定電流駆動を安定化させるためにある程度は必要
であり、直列抵抗0とするのは好ましくない。また各レ
ーザ素子からの光を合波することを考えると、2ch、
4ch、8ch、…というように2chの倍数chの構
成が好ましく、この意味で5chは中途半端であり、好
ましくない。したがって、直列接続レーザアレイでは4
chの構成が最も望ましい。
されたレーザ素子インピーダンスは約50Ωとなり、直
列抵抗を挿入しなくてもインピーダンス整合が取れるの
でさらによいようにも考えられるが、この直列抵抗はレ
ーザの定電流駆動を安定化させるためにある程度は必要
であり、直列抵抗0とするのは好ましくない。また各レ
ーザ素子からの光を合波することを考えると、2ch、
4ch、8ch、…というように2chの倍数chの構
成が好ましく、この意味で5chは中途半端であり、好
ましくない。したがって、直列接続レーザアレイでは4
chの構成が最も望ましい。
【0017】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 [第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例として
の電極を共通にした4chレーザアレイの平面図であ
る。同図に示されるように、半導体ペレット1上には、
ペレット内に形成された活性層ストライプに対応してス
トライプ電極2が4本形成されており、これらの電極は
電極延長部により共通に接続されている。また、基板裏
面には共通電極が形成されている。各ストライプ電極2
には1本のボンディングワイヤ3により給電が行われ
る。また、各レーザ素子からの出射光はテーパ光ファイ
バ4を介して取り出される。本実施例のレーザアレイに
おいては、各レーザ素子の間隔(ピッチ)は10〜50
μmと狭くなされる(従来例での間隔は250〜300
μm)。
て説明する。 [第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例として
の電極を共通にした4chレーザアレイの平面図であ
る。同図に示されるように、半導体ペレット1上には、
ペレット内に形成された活性層ストライプに対応してス
トライプ電極2が4本形成されており、これらの電極は
電極延長部により共通に接続されている。また、基板裏
面には共通電極が形成されている。各ストライプ電極2
には1本のボンディングワイヤ3により給電が行われ
る。また、各レーザ素子からの出射光はテーパ光ファイ
バ4を介して取り出される。本実施例のレーザアレイに
おいては、各レーザ素子の間隔(ピッチ)は10〜50
μmと狭くなされる(従来例での間隔は250〜300
μm)。
【0018】[第2の実施例]図2は、本発明の第2の
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。このレーザアレイを作製するには、まず半絶縁性基
板5上にn−InPクラッド層(厚さ5μm程度)6を
成長させ、その上にInGaAsPからなる活性層7、
p−Inpクラッド層8の順に成長させて、ダブルヘテ
ロ構造を形成する。ここで、DFBレーザを作るのであ
れば、活性層の上あるいは下側に適切なプロセスにより
回折格子を形成する。また、活性層7は多重量子井戸構
造とすることができる。
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。このレーザアレイを作製するには、まず半絶縁性基
板5上にn−InPクラッド層(厚さ5μm程度)6を
成長させ、その上にInGaAsPからなる活性層7、
p−Inpクラッド層8の順に成長させて、ダブルヘテ
ロ構造を形成する。ここで、DFBレーザを作るのであ
れば、活性層の上あるいは下側に適切なプロセスにより
回折格子を形成する。また、活性層7は多重量子井戸構
造とすることができる。
【0019】次に、n−InPクラッド層6の途中まで
エッチングしてストライプ状のメサ構造を形成し、その
エッチング部分にp−InP、n−InP、p−InP
を順次成長させて、p−InP電流ブロック層9、n−
InP電流ブロック層10を形成する。その上にp+ −
InPキャップ層11を形成した後、電極形成のために
素子間のキャップ層、電流ブロック層をエッチング除去
してn−InPクラッド層6の表面を露出させる。さら
に、n−InPクラッド層6を貫通して半絶縁性基板5
に到達する素子分離用溝12を形成する。そして、p+
−InPキャップ層11上にp側電極13を、n−In
Pクラッド層6上にn側電極14を形成して、本実施例
のレーザアレイの製造工程が完了する。
エッチングしてストライプ状のメサ構造を形成し、その
エッチング部分にp−InP、n−InP、p−InP
を順次成長させて、p−InP電流ブロック層9、n−
InP電流ブロック層10を形成する。その上にp+ −
InPキャップ層11を形成した後、電極形成のために
素子間のキャップ層、電流ブロック層をエッチング除去
してn−InPクラッド層6の表面を露出させる。さら
に、n−InPクラッド層6を貫通して半絶縁性基板5
に到達する素子分離用溝12を形成する。そして、p+
−InPキャップ層11上にp側電極13を、n−In
Pクラッド層6上にn側電極14を形成して、本実施例
のレーザアレイの製造工程が完了する。
【0020】このレーザアレイを実装する場合には、両
端の電極を筐体の電極とボンディングワイヤ3で接続す
るとともに、隣接する素子同士のn側電極14とp側電
極13とをボンディングワイヤ3で接続する。上記実施
例では、InGaAsP系の長波長材料を用いた例につ
いて説明したが、AlGaAs系の短波長材料や、Al
GaInP系の可視光材料を用いる場合にも本発明を適
用することができる。
端の電極を筐体の電極とボンディングワイヤ3で接続す
るとともに、隣接する素子同士のn側電極14とp側電
極13とをボンディングワイヤ3で接続する。上記実施
例では、InGaAsP系の長波長材料を用いた例につ
いて説明したが、AlGaAs系の短波長材料や、Al
GaInP系の可視光材料を用いる場合にも本発明を適
用することができる。
【0021】[第3の実施例]図3は、本発明の第3の
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。本実施例のレーザアレイを作製するには、第2の実
施例と同様の方法により、素子分離用溝12の形成まで
の工程を行う。その後、SiO2 またはSi3N4 を堆
積して絶縁膜15を形成し、電極用の窓開けを行った
後、アレイの両端にp側電極13とn側電極を形成し、
素子間には、n−InPクラッド層6とp+ −InPキ
ャップ層11との間を接続する接続電極16を形成す
る。
実施例である直列接続されたレーザアレイの断面図であ
る。本実施例のレーザアレイを作製するには、第2の実
施例と同様の方法により、素子分離用溝12の形成まで
の工程を行う。その後、SiO2 またはSi3N4 を堆
積して絶縁膜15を形成し、電極用の窓開けを行った
後、アレイの両端にp側電極13とn側電極を形成し、
素子間には、n−InPクラッド層6とp+ −InPキ
ャップ層11との間を接続する接続電極16を形成す
る。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、第1発明の半導体
レーザアレイによれば、寄生容量を減少することができ
るできるとともにボンディングワイヤを短くすることに
よりインダクタンスを低減できるため、広帯域特性を実
現できる。また、第2発明によれば、50Ω系の変調回
路とのインピーダンス整合が取りやすくなり、変調効率
も高くなるので、レーザ駆動用ドライバ回路への負担を
軽くできる。したがって、本発明によれば、マルチLD
方式に適した、今後のCATVの多チャンネル化にも十
分対応できるレーザアレイを提供することができる。
レーザアレイによれば、寄生容量を減少することができ
るできるとともにボンディングワイヤを短くすることに
よりインダクタンスを低減できるため、広帯域特性を実
現できる。また、第2発明によれば、50Ω系の変調回
路とのインピーダンス整合が取りやすくなり、変調効率
も高くなるので、レーザ駆動用ドライバ回路への負担を
軽くできる。したがって、本発明によれば、マルチLD
方式に適した、今後のCATVの多チャンネル化にも十
分対応できるレーザアレイを提供することができる。
【図1】本発明の第1の実施例の平面図。
【図2】本発明の第2の実施例の断面図。
【図3】本発明の第3の実施例の断面図。
【図4】レーザ素子単体または並列もしくは直列接続さ
れたレーザアレイと変調回路とのマッチングを取るため
に必要な抵抗の接続状態を示す回路図。
れたレーザアレイと変調回路とのマッチングを取るため
に必要な抵抗の接続状態を示す回路図。
【図5】従来例の平面図。
1 半導体ペレット 2 ストライプ電極 3 ボンディングワイヤ 4 テーパ光ファイバ 5 半絶縁性基板 6 n−InPクラッド層 7 活性層 8 p−InPクラッド層 9 p−InP電流ブロック層 10 n−InP電流ブロック層 11 p+ −InPキャップ層 12 素子分離用溝 13 p側電極 14 n側電極 15 絶縁膜 16 接続電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−136387(JP,A) 特開 平1−199486(JP,A) 特開 平2−133980(JP,A) 特開 平3−201633(JP,A) 特開 平1−260878(JP,A) 特開 平2−237187(JP,A) 特開 平8−46279(JP,A) 特開 平1−214081(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/18
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板の一方の面に共通電極が形成
され、他方の面に個々のレーザ素子毎のストライプ状の
電極が形成されており、各ストライプ状の電極が電極の
横方向の延長部により共通に接続されている半導体レー
ザ素子アレイであって、個々のレーザ素子の活性層スト
ライプのピッチが10μm以上50μm以下であること
を特徴とする半導体レーザアレイ。 - 【請求項2】 半絶縁性基板上に、第1導電型クラッド
層、ストライプ状活性層および第2導電型クラッド層を
備えるレーザ素子が複数個形成されており、個々のレー
ザ素子はレーザ素子間に形成された半導体層表面から前
記半絶縁性基板表面に到達する溝により電気的に分離さ
れ、かつ、直列抵抗が変調回路のインピーダンスを越え
ない範囲で各レーザ素子が直列に接続され必要に応じて
前記変調回路に直列にインピーダンス素子が接続されて
変調回路とのインピーダンス整合が図られていることを
特徴とする半導体レーザアレイ。 - 【請求項3】 個々のレーザ素子毎に第1導電型クラッ
ド層上に第1の電極が、第2導電型クラッド層上に第2
の電極が形成されており、隣接するレーザ素子同士で第
1の電極と第2の電極とがボンディングワイヤ乃至電極
延長部によって接続されていることを特徴とする請求項
2記載の半導体レーザアレイ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7347016A JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
US08/762,319 US5887012A (en) | 1995-12-14 | 1996-12-09 | Semiconductor laser array |
EP96119812A EP0779690A2 (en) | 1995-12-14 | 1996-12-10 | Semiconductor laser array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7347016A JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09167878A JPH09167878A (ja) | 1997-06-24 |
JP2910914B2 true JP2910914B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=18387355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7347016A Expired - Lifetime JP2910914B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 半導体レーザアレイ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5887012A (ja) |
EP (1) | EP0779690A2 (ja) |
JP (1) | JP2910914B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4155368B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2008-09-24 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザアレイ素子 |
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JP2000310679A (ja) | 1999-02-24 | 2000-11-07 | Denso Corp | 半導体投光装置および距離測定装置 |
WO2006015192A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Novalux, Inc. | Apparatus, system, and method for junction isolation of arrays of surface emitting lasers |
JP4578989B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-11-10 | 日本電信電話株式会社 | 光集積デバイス |
KR101142938B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2012-05-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자의 제조 방법 |
JP5055791B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-10-24 | 富士通株式会社 | 光パルス発生装置 |
US20080025361A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-31 | Jerman John H | Linear diode-laser array with series-connected emitters |
US7680165B2 (en) * | 2007-04-10 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Light source device, monitor device, projector, and driving method for driving light source device |
JP2016054295A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 三菱電機株式会社 | 波長結合外部共振器型レーザ装置 |
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DE102015105438A1 (de) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | M2K-Laser Gmbh | Monolithische Diodenlaseranordnung |
JP6806084B2 (ja) | 2015-12-09 | 2021-01-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
DE102017130131B4 (de) * | 2017-12-15 | 2021-08-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN112385100B (zh) | 2018-05-14 | 2024-06-25 | 通快光子学公司 | 低电流、高功率激光二极管条 |
US10727649B2 (en) * | 2018-09-21 | 2020-07-28 | Argo AI, LLC | Monolithic series-connected edge-emitting-laser array and method of fabrication |
WO2020084687A1 (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
CN113454857A (zh) * | 2019-02-26 | 2021-09-28 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体激光装置以及半导体激光元件 |
DE102019121384A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Optischer Pulsgenerator und Verfahren zum Betrieb eines optischen Pulsgenerators hoher Leistung und kurzen Pulsen |
WO2021210464A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | アレー型半導体レーザ装置 |
US11557874B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-01-17 | Trumpf Photonics, Inc. | Double-sided cooling of laser diodes |
US11876343B2 (en) | 2021-05-18 | 2024-01-16 | Trumpf Photonics, Inc. | Laser diode packaging platforms |
GB2615782A (en) | 2022-02-17 | 2023-08-23 | Exalos Ag | Monolithic edge-emitting semicon-ductor diode arrays |
CN117013369A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 深圳市柠檬光子科技有限公司 | 激光芯片及其制造方法与激光设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184892A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Canon Inc | 半導体レーザ装置 |
JPH01260878A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ |
JPH03256386A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ、その製造方法及び光通信システム |
US5513200A (en) * | 1992-09-22 | 1996-04-30 | Xerox Corporation | Monolithic array of independently addressable diode lasers |
JPH0846279A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ型半導体レーザ装置 |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP7347016A patent/JP2910914B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-09 US US08/762,319 patent/US5887012A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-10 EP EP96119812A patent/EP0779690A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09167878A (ja) | 1997-06-24 |
EP0779690A2 (en) | 1997-06-18 |
US5887012A (en) | 1999-03-23 |
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