JP2898877B2 - Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は導電性メタライズ層を有
する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法に関
し、さらに詳しくは、窒化アルミニウム焼結体母材との
接合強度が高い導電性メタライズ層を有する窒化アルミ
ニウム焼結体とこのメタライズ層を窒化アルミニウム焼
結前駆体を焼結すると同時に形成する製造方法に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】窒化アルミニウム焼結体は熱伝導性が良
好で放熱性に優れ、かつ電気絶縁性を有するので、半導
体用の基板材料として注目を集めている。 【０００３】この窒化アルミニウム焼結体は概ね次のよ
うにして製造される。すなわち、窒化アルミニウム粉末
にイットリア（Ｙ₂ Ｏ₃ ），サマリア（Ｓｍ₂ Ｏ₃ ），
カルシア（ＣａＯ）のような焼結助剤を所定量配合し、
更に必要に応じてアクリル系樹脂バインダーなどを添加
して全体を充分に混合し、得られた混合体を例えば加圧
成型して所定形状の窒化アルミニウム焼結前駆体（生成
形体）としたのち、これを例えば窒素雰囲気中にて所定
温度で焼結する。 【０００４】ところで、半導体用の基板として窒化アル
ミニウム焼結体を用いる場合には、この窒化アルミニウ
ム焼結体の表面に導電性の薄層を形成することが必要と
なる。従来、この薄層は窒化アルミニウム焼結体の表面
にＤＢＣ法（ＤｉｒｅｃｔＢｏｎｄ Ｃｕｐｐｅｒ法）
や厚膜法を適用して形成された銅（Ｃｕ）、金（Ａ
ｕ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）のメタライズ層で
あった。 【０００５】しかしながら、従来のこの基板においては
次のような問題がある。 【０００６】その第１は、形成された上記メタライズ層
と窒化アルミニウム焼結体表面との接合強度が低く往々
にして両者間に剥離現象が発生して基板の信頼性が低い
ということである。 【０００７】第２の問題は、形成したメタライズ層に所
定の半導体素子もしくはワイヤーをろう付けしたり高温
はんだ付けをしたりする際に生起する問題である。すな
わち、例えばろう付けの場合は水素−窒素混合ガス中に
おいて約８００℃近辺の温度で行われるが、上記メタラ
イズ層焼付け処理時の温度は通常６００〜１０００℃程
度の低温であるため、このろう付け時にメタライズ層と
窒化アルミニウム焼結体表面との接合強度が著しく低下
してしまい、事実上ろう付けが不可能になるということ
である。また高温はんだ付けの場合も同様の問題が発生
する。 【０００８】第３の問題は、窒化アルミニウム焼結体と
メタライズ層との熱膨張率の差異に基づく問題である。
すなわち、ろう付け、高温はんだ付けの場合もそうであ
るが、シリコンウェハーのような半導体素子をマウント
させた基板はその使用時に過酷な加熱−冷却の熱サイク
ルを経験する。その結果、窒化アルミニウム焼結体−メ
タライズ層−ろう付け層（またははんだ層）−半導体素
子のそれぞれの接合面では、各層の熱膨張率の差異に基
づく熱応力が発生してそれぞれを剥離させる作用が生ず
る。 【０００９】上記したメタライズ層の場合、窒化アルミ
ニウム焼結体（熱膨張率は約４．６×１０^-6／℃）の熱
膨張率よりもその値が約２〜４倍大きく、またろう付け
層（またははんだ層）と同等の値から１／２位の値であ
って窒化アルミニウムとの差が大きいので、熱サイクル
時にメタライズ層またはろう付け層（またははんだ付け
層）と窒化アルミニウムの界面に微小なクラックが発生
しやすい。その結果、熱サイクルが加重されるにつれて
この微小クラックは徐々に発達し、最終的にはマウント
した半導体素子の剥離を招くことがある。 【００１０】このような問題は半導体素子をマウントさ
せた基板を実装した装置の信頼性を低下させて極めて不
都合である。 【００１１】第４の問題は、上記メタライズ層と窒化ア
ルミニウム焼結体との高温下における接合強度が小さ
く、第２の場合と同様に高温使用時の信頼性が低いとい
うことである。 【００１２】第５の問題は、完成された基板からその製
作工程を逆視した場合、熱エネルギー使用の面で不経済
であるということである。すなわち、完成基板を得るた
めには、窒化アルミニウム焼結前駆体を焼結し、その上
でこの焼結したものをメタライズ層形成のために再び焼
成するということである。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
な課題を解決し、メタライズ層と窒化アルミニウム焼結
体表面との接合強度が高く剥離現象が発生せず、またろ
う付けやはんだ付けを行う際に不都合が発生せず、また
熱サイクルにも強く信頼性の高い導電性メタライズ層を
有する窒化アルミニウム焼結体の提供を目的とし、かつ
窒化アルミニウム焼結前駆体を焼結すると同時にその表
面に窒化アルミニウム焼結体と熱膨張率が近似してお
り、耐熱性も高く、しかも接合強度が高い導電性メタラ
イズ層を形成する製造方法の提供を目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、後述する３つの群
から選ばれた成分でメタライズ層を形成すればこの目的
を達成できることを見出だし、本発明の導電性メタライ
ズ層を有する窒化アルミニウム焼結体を完成した。 【００１５】すなわち本発明の導電性メタライズ層を有
する窒化アルミニウム焼結体は、モリブデン，タングス
テンおよびタンタルよりなる群から選ばれた単体または
それらの化合物から選ばれた１種または２種以上と、ア
ルミニウムの単体またはその化合物から選ばれた１種ま
たは２種以上、ならびにチタンの単体またはその化合物
から選ばれた１種または２種以上（ただしチタンの水素
化物および／または酸化物のみを選ぶ場合には、重量比
で前記群の総量の１０分の１を超えるものとする）によ
り構成された導電性メタライズ層を窒化アルミニウム焼
結体母材の表面の少なくとも一部に有し、かつ前記導電
性メタライズ層と前記窒化アルミニウム焼結体母材とが
同時に焼結されていることを特徴とする。 【００１６】ここでモリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）はいずれも高融点を有す
る金属であり、耐熱性に優れ、かつ窒化アルミニウム焼
結体母材の熱膨張率とほぼ近似した熱膨張率を有するも
のであり、メタライズ層の耐熱性および耐熱サイクル特
性の向上に資する成分である。 【００１７】ここでＭｏ，Ｗが好ましく、特に単体が好
ましい。 【００１８】またアルミニウム（Ａｌ）は、窒化アルミ
ニウム母材とのぬれ性が良く、メタライズ層・中間層の
反応を保護し、強固なメタライズ層を形成する成分であ
る。 【００１９】なおアルミニウムのうちでも窒化物、酸化
物が特に好ましい。 【００２０】またチタンはメタライズ層形成工程、すな
わち加熱工程において、窒化アルミニウム母材とのぬれ
性に優れているため導電性メタライズ層と窒化アルミニ
ウム焼結体母材との密着性の向上に資する成分である。
チタンの水素化物および／または窒化物のみを用いる場
合には、重量比で前記群の総量の１０分の１を超える量
を用いる。 【００２１】チタンの中でもＴｉの窒化物，酸化物であ
るＴｉＮ，ＴｉＯ2 は特に好ましい。 【００２２】導電性メタライズ層としては、モリブデ
ン，タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれ
た１種または２種以上が、導電性メタライズ層全体の５
０〜９５重量％であると、上記した耐熱性および耐熱サ
イクル特性の点で好適である。 【００２３】また本発明の導電性メタライズ層を有する
窒化アルミニウム焼結体は、半導体用基板として特に好
適である。 【００２４】さらに本発明者らは第５の問題とした点に
ついても鋭意研究を重ねた結果、焼結前の窒化アルミニ
ウム成形体に後述するペーストを塗布し、両者を同時に
焼結すると優れたメタライズ層を窒化アルミニウム焼結
体の表面に形成することができることを見出だし、本発
明の導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結
体の製造方法を完成した。 【００２５】すなわち本発明の導電性メタライズ層を有
する窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミ
ニウム焼結前駆体に、モリブデン，タングステンおよび
タンタルよりなる群から選ばれた単体またはそれらの化
合物から選ばれた１種または２種以上と、アルミニウム
の単体またはその化合物から選ばれた１種または２種以
上と、チタンの単体またはその化合物から選ばれた１種
または２種以上（ただしチタンの水素化物および／また
は酸化物のみを選ぶ場合には、重量比で前記群の総量の
１０分の１を超えるものとする）とを含むペーストを塗
布し、ついで全体を同時に焼結することを特徴とする。 【００２６】モリブデン，タングステンおよびタンタル
よりなる群については耐熱性および耐熱サイクル特性な
どの特性を最もよく示す単体を用いるのが好ましい。ま
たアルミニウム，チタンは窒化アルミニウムとのぬれ性
などの特性を最もよく示す窒化物および／または酸化物
を用いるのが好ましい。この際、チタンの水素化物およ
び／または酸化物のみを用いる場合には、重量比で前記
群の総量の１０分の１を超えるものとすることは、上述
と同様である。 【００２７】なお導電性メタライズ層となるペーストと
しては、モリブデン，タングステンおよびタンタルより
なる群から選ばれた１種または２種以上が、前記群およ
びアルミニウム，チタンの総量の５０〜９５重量％であ
ると、上記した耐熱性および耐熱サイクル特性の点で好
適である。 【００２８】まず本発明に適用される窒化アルミニウム
焼結前駆体は、例えば所定粒度の窒化アルミニウム粉末
と、Ｙ₂ Ｏ₃ 、ＹＦ₃ 、Ｓｍ₂ Ｏ₃ 、ＣａＣＯ₃ のよう
な焼結助剤の粉末とワックス系またはプラスチック系の
ようなバインダー成分とを所定量比で混合し、この混合
体を室温下において加圧成形またはドクターブレードに
よりシート状に成形した成形体である。窒化アルミニウ
ム粉末、焼結助剤粉末の粒度、混合比、または成形圧な
どは目的とする窒化アルミニウム焼結体の特性との関係
で適宜選定される。 【００２９】また本発明の製造方法においては、この窒
化アルミニウム焼結前駆体は焼結後にその熱伝導率が５
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となるようなものであることが好まし
い。 【００３０】この窒化アルミニウム焼結前駆体に、後述
する組成のペーストが塗布される。塗布方法としては、
例えばスクリーン印刷、刷毛塗り、スピンローラー塗り
など周知の方法を適用すればよい。 【００３１】本発明の製造方法にかかるペーストは、焼
結後メタライズ層に転化する上記群、アルミニウム化合
物、チタン化合物とそれらを分散せしめる媒体とで構成
される。 【００３２】ここで上記群としては、モリブデン，タン
グステンおよびタンタルよりなる群から選ばれた単体ま
たはそれらの化合物から選ばれた１種または２種以上で
ある。 【００３３】具体的には次のような成分である。すなわ
ち、モリブデン，タングステンまたはタンタルの単体金
属；これらの各種酸化物；これらの各種窒化物；これら
の各種炭化物；これらの各種ホウ化物；これらの各種ケ
イ化物；これらの各種酸窒化物；これらの各種炭窒化
物；これらの各種ハロゲン化物；これらの各種水素化
物；これらの各種水酸化物；これらの各種亜硝酸塩，硝
酸塩，亜硫酸塩，硫酸塩，ホウ酸塩，炭酸塩，ケイ酸
塩，リン酸塩，亜リン酸塩，塩酸塩，塩素酸塩，シュウ
酸塩，アンモニウム塩のような各種の塩；アトロンＮＴ
ａ／７００（商品名：日本曹達（株）製）などのアルコ
キシド，ゾルーゲルのような各種の有機金属化合物；な
らびに上記した成分の２種以上を適宜に混合した混合物
をあげることができる。これらの成分はそれぞれ単独で
用いてもよいし、また適宜に選定した２種以上を組み合
わせて用いてもよい。 【００３４】形成するメタライズ層の導電性を高めると
いう点では、特にＭｏ，Ｗ，Ｔａの各単体金属であるこ
とが好ましい。また融点が高く、メタライズ層の高温に
おける安定性が優れている点でＷ，Ｍｏが特に好まし
い。 【００３５】次にアルミニウムとしては、アルミニウム
単体またはその化合物から選ばれた１種または２種以上
である。 【００３６】 【００３７】具体的には次のような成分である。すなわ
ち、アルミニウム単体金属；この各種酸化物；この各種
窒化物；この各種炭化物；この各種ホウ化物；この各種
ケイ化物；この各種酸窒化物；この各種炭窒化物；この
各種ハロゲン化物；この各種水素化物；この各種水酸化
物；この各種亜硝酸塩，硝酸塩，亜硫酸塩，硫酸塩，ホ
ウ酸塩，炭酸塩，ケイ酸塩，リン酸塩，亜リン酸塩，塩
酸塩，塩素酸塩，シュウ酸塩，アンモニウム塩のような
各種の塩；アルコキシド，ゾルーゲルのような各種の有
機金属化合物；ならびに上記した成分の２種以上を適宜
に混合した混合物をあげることができる。これらの成分
はそれぞれ単独で用いてもよいし、また適宜に選定した
２種以上を組み合わせて用いてもよい。 【００３８】またチタンとしては、チタンの単体または
その化合物から選ばれた１種または２種以上である。 【００３９】具体的には次のような成分である。すなわ
ち、チタン単体金属；この各種酸化物；この各種窒化
物；この各種炭化物；この各種ホウ化物；この各種ケイ
化物；この各種酸窒化物；この各種炭窒化物；この各種
ハロゲン化物；この各種水素化物；この各種水酸化物；
この各種亜硝酸塩，硝酸塩，亜硫酸塩，硫酸塩，ホウ酸
塩，炭酸塩，ケイ酸塩，リン酸塩，亜リン酸塩，塩酸
塩，塩素酸塩，シュウ酸塩，アンモニウム塩のような各
種の塩；アトロンＮＴｉ（商品名：日本曹達（株）製）
などのアルコキシド，ゾルーゲルのような各種の有機金
属化合物；ならびに上記した成分の２種以上を適宜に混
合した混合物をあげることができる。これらの成分はそ
れぞれ単独で用いてもよいし、また適宜に選定した２種
以上を組み合わせて用いてもよい。 【００４０】これら前記群、アルミニウムおよびチタン
の成分を媒体に均一分散させて本発明にかかるペースト
を調製する。用いる媒体としては、例えばエチルセルロ
ース、ニトロセルロースとそれらの溶剤としてテレピネ
オール、テトラリン、ブチルカルビトールなどをあげる
ことができる。 【００４１】このとき前記群の成分とアルミニウムおよ
びチタンの成分の重量比は、それぞれに選定された成分
の種類によって変動するが、通常、前記群：アルミニウ
ム＋チタン＝１：１００〜１００：１であればよい。特
に９５：５〜５０：５０であれば耐熱性および耐熱サイ
クル特性の点で好適である。 【００４２】前記群の成分がアルミニウムの成分および
チタンの成分よりもあまりに多すぎる場合、すなわち前
記群／アルミニウム＋チタン＞９５／５の場合には形成
されたメタライズ層の強度が低下するため好ましくな
い。また少なすぎる場合、すなわち前記群／アルミニウ
ム＋チタン＜５０／５０の場合にはその導電性が低くな
り、やはり好ましくない。 【００４３】またアルミニウム：チタン＝１：１０〜
２：１であれば、窒化アルミニウム母材とのぬれ性にお
いて特に好適である。 【００４４】前記群、アルミニウムおよびチタンの成分
の媒体への分散量は、得られたペーストの粘稠性との関
係で適宜決められる。前記群が過多量である場合は、得
られたペーストが高粘稠となり窒化アルミニウム焼結前
駆体の表面への均一塗布が困難となる。また、その逆に
前記群が過少量である場合は、ペーストの粘度が低くな
り過ぎ、塗布したペーストは窒化アルミニウム焼結前駆
体の表面から流化してしまう。通常、ペースト粘度が
１．０×１０⁵ 〜２．５×１０⁵ ポイズとなるように前
記群を分散させればよい。 【００４５】本発明の製造方法は、上記したペーストを
窒化アルミニウム焼結前駆体の表面に塗布したのち全体
を同時に焼結する。この同時焼結に先立ち、窒化アルミ
ニウム焼結前駆体のバインダ成分およびペーストの媒体
を除去するために、例えば５０〜７００℃というような
温度で脱脂処理を施してもよい。 【００４６】焼結は非酸化性雰囲気中で行うが、窒素雰
囲気中で行うのが好ましい。焼結温度，焼結時間は、焼
結後の窒化アルミニウム焼結体が所望の特性、例えば熱
伝導率５０Ｗ／ｍ・ｋ以上となるような条件として設定
される。具体的には、焼結温度１６００〜２０００℃、
好ましくは１７００〜１８００℃であり、焼結時間は
０．２〜５時間、好ましくは０．５〜１．５時間であ
る。 【００４７】このようにして、窒化アルミニウム焼結体
の表面には塗布されたペーストが変化したメタライズ層
が導電性の薄層として形成される。 【００４８】 【作用】本発明の導電性メタライズ層を有する窒化アル
ミニウム焼結体によれば、母材である窒化アルミニウム
焼結体との接合強度が高く、かつ耐熱性に優れ、熱膨張
率も窒化アルミニウム焼結体と近似したメタライズ層が
得られる。 【００４９】さらに本発明の導電性メタライズ層を有す
る窒化アルミニウム焼結体の製造方法によれば、熱経済
的に有利であり、製造工程の簡素化も実現できる。 【００５０】 【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 ・実施例１ （１）ペーストの調製前記群 として粒径０．５〜１．０μｍのモリブデン単体
を用意し、アルミニウムの成分として粒径１．０〜２．
０μｍの窒化アルミニウム粉末を、またチタンの成分と
して粒径１．０〜２．０μｍの窒化チタン粉末を用意し
た。 【００５１】そして重量比でモリブデン：窒化アルミニ
ウム：窒化チタン＝２：１：１（５０：２５：２５）で
混合した。 【００５２】得られた混合粉１００重量部に対してエチ
ルセルロース７重量部を分散させて粘度２．０×１０⁵
ポイズのペーストとした。 （２）メタライズ層の形成 焼結助剤として酸化イットリウムを３重量％含有する窒
化アルミニウムのグリーンシートの片面に、（１）で調
製したペーストを厚さ１５μｍでローラー塗布した。 【００５３】ついで７００℃の窒素雰囲気中で３時間焼
成して脱脂処理を施したのち、全体を窒素気流中、１８
００℃で２時間焼結した。 【００５４】得られた窒化アルミニウム焼結体シートの
表面には、メタライズ層が形成されていた。このメタラ
イズ層の構成相はＭｏとＡｌＮとＴｉＮであることがＸ
線回折によって確認された。 （３）メタライズ層と窒化アルミニウム焼結体シートと
の接合強度 （２）で得られたメタライズ層の上に無電解めっき法に
よって厚み約３〜５μｍのニッケルめっき層を形成し
た。ついで、８００℃のホーミングガス中でめっき層を
アニールしたのち、ここに線径０．５ｍｍ、引張り強度
５５ｋｇ／ｍｍ²のコバール線を銀ろうを用いてろう付
けした。ろう付け温度は８００℃、雰囲気は水素５０Ｖ
ｏｌ％、窒素５０Ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気であった。 【００５５】その後、窒化アルミニウム焼結体シートを
固定し室温（２０℃）下でコバール線を引張り、メタラ
イズ層の剥離状態を観察した。 【００５６】引張り強さ２ｋｇ／ｍｍ² のときにメタラ
イズ層とコバール線のろう付け部分が引きちぎられた。
すなわち、窒化アルミニウム焼結体シートとメタライズ
層との接合強度は２ｋｇ／ｍｍ² 以上であることが判明
した。 ・実施例２〜６ 前記群、アルミニウムおよびチタン の成分をそれぞれ表
１に示したように選定し、他は実施例１と同様に各種の
ペーストの調製、窒化アルミニウムグリーンシート表面
への塗布、脱脂処理を行い、表１に示した条件で焼結し
た。 【００５７】得られた各種の焼結体シートにおけるメタ
ライズ層と窒化アルミニウム焼結体シートとの接合強度
を実施例１と同様の方法で測定した。その結果をまとめ
て表１に示す。 【００５８】 【表１】・比較例１ 熱伝導率が７０〜１３０Ｗ／ｍ・ｋである３枚の窒化ア
ルミニウム焼結板の表面に厚膜法を適用してそれぞれ
金，銀，銀−パラジウム層を焼き付けた。 【００５９】得られたメタライズ層のそれぞれにニッケ
ルメッキを施した銅ピンをはんだ付けしたのち、このピ
ンを引っ張ってメタライズ層と窒化アルミニウム焼結板
表面との接合強度を測定した。いずれの場合にも、約１
ｋｇ／ｍｍ² であった。 ・比較例２ 熱伝導率が７０〜１３０Ｗ／ｍ・ｋである窒化アルミニ
ウム焼結板の表面に実施例３で用いたペーストを塗布し
１７００℃で焼き付けた。得られたメタライズ層に７０
０〜８００℃でコバールピンをろう付けし、このピンを
引張ることによって接合強度を測定したところ、２ｋｇ
／ｍｍ² であった。 【００６０】 【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体
は、窒化アルミニウム焼結体表面にそれとの接合強度
が高い導電性メタライズ層が形成できた。またそのメ
タライズ層はモリブデン，タングステンおよびタンタル
などの高融点金属を含有しているために耐熱性が優れて
おり、かつ熱膨張率も窒化アルミニウム焼結体と近似し
た値であるため熱衝撃層としての機能も有するものであ
る。 【００６１】さらに本発明の導電性メタライズ層を有す
る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミ
ニウム焼結前駆体を焼結するのと同時に塗布したペース
トをメタライズ層に転化させるので、熱経済的に有利と
なった、などの効果を奏するものである。 【００６２】そして本発明の導電性メタライズ層を有す
る窒化アルミニウム焼結体は上記した効果を奏すること
から、イグナイター，高周波トランス，コンデンサーの
ような基板部材；レーザ管用絶縁管，電力管用絶縁外囲
器，高周波電磁波進行波管の窓，高エネルギービーム照
射用窓，マグネトロンのような部材，チューブヒータ
ー，面ヒーター，シーズヒーター，はんだごて，アイロ
ンのプレス板，灸用器具，コーヒーメーカー用のヒータ
ー，ズボンプレッサー，ホットプレート，便座，調理用
なべ，熱転写プリンターのヘッド，プラグ，熱電対の保
護管，るつぼばさみの先端部，金属溶融用るつぼ，単結
晶引上げ用るつぼなどの部材に適用することができ、大
変有用である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention has a conductive metallized layer.
Aluminum nitride sintered body and its manufacturing method
And, more specifically, with the aluminum nitride sintered body base material.
Aluminum nitride with conductive metallized layer with high bonding strength
Aluminum sintered body and this metallized layer
The production method of sintering and simultaneously forming the sintering precursor
You. [0002] 2. Description of the Related Art Aluminum nitride sintered body has good thermal conductivity.
Good heat dissipation and excellent electrical insulation
It is drawing attention as a substrate material for the body. [0003] This aluminum nitride sintered body is generally as follows.
It is manufactured in this way. That is, aluminum nitride powder
To Yttria (Y_TwoO_Three), Samaria (Sm_TwoO_Three),
A predetermined amount of a sintering aid such as calcia (CaO) is blended,
Add acrylic resin binder etc. as needed
And thoroughly mix the whole.
Molded aluminum nitride sintering precursor (formed
Shape), and then set this in a nitrogen atmosphere, for example.
Sinter at temperature. By the way, aluminum nitride is used as a substrate for a semiconductor.
When using a minium sintered body, this aluminum nitride
It is necessary to form a conductive thin layer on the surface of the
Become. Conventionally, this thin layer is the surface of the aluminum nitride sintered body.
DBC method (Direct Bond Cupper method)
(Cu) and gold (A) formed by applying
u), a metallized layer of silver-palladium (Ag-Pd)
there were. However, in this conventional substrate,
There are the following problems. First, the formed metallized layer
Bonding strength between aluminum and aluminum nitride sintered body surface is often low
And the separation phenomenon occurs between them, and the reliability of the substrate is low.
That's what it means. The second problem is that the formed metallized layer has a problem.
Brazing certain semiconductor elements or wires or high temperature
This is a problem that occurs when soldering or the like. sand
That is, for example, in the case of brazing,
At about 800 ° C.
The temperature during baking is usually about 600-1000 ° C
Because of the low temperature, the metallization layer
Significant decrease in bonding strength with aluminum nitride sintered body surface
That makes brazing virtually impossible
It is. Similar problems also occur with high-temperature soldering
I do. [0008] The third problem is that aluminum nitride sintered body and
This is a problem based on the difference in the coefficient of thermal expansion from the metallized layer.
That is, even in brazing and high-temperature soldering.
To mount semiconductor devices such as silicon wafers
The substrate used is subjected to severe heat-cooling thermal cycles during its use.
Experience As a result, the aluminum nitride sintered body-
Tally layer-brazing layer (or solder layer)-semiconductor element
Each joint surface of the element is based on the difference in the coefficient of thermal expansion of each layer.
Thermal stress is generated, and there is no action to separate them.
You. In the case of the above metallized layer, aluminum nitride
Sintered body (Thermal expansion coefficient is about 4.6 × 10^-6/ ° C) heat
Its value is about 2 to 4 times larger than the coefficient of expansion and brazing
From the same value as the layer (or solder layer)
Is significantly different from aluminum nitride,
Sometimes metallization or brazing layers (or soldering
Cracks occur at the interface between layer and aluminum nitride
It's easy to do. As a result, as the thermal cycle is weighted
These tiny cracks gradually develop and eventually mount
This may cause peeling of the semiconductor element. [0010] Such a problem is caused by mounting the semiconductor element.
The reliability of the equipment mounting the
It is convenient. A fourth problem is that the metallized layer and the nitride
Low bonding strength at high temperature with luminium sintered body
The reliability at high temperature use is low as in the second case.
That is. A fifth problem is that a completed substrate is not
It is uneconomical in terms of using heat energy if the production process is reversed
That is. That is, to obtain a completed substrate
To sinter the aluminum nitride precursor,
The sintered body was fired again to form a metallized layer.
That is, [0013] SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is as described above.
Metallized layer and aluminum nitride sintering
High bonding strength with body surface, no peeling phenomenon,
No inconvenience occurs when brazing or soldering, and
A highly reliable conductive metallization layer that is resistant to thermal cycling
To provide an aluminum nitride sintered body having
Sintering of aluminum nitride precursor
The surface has a coefficient of thermal expansion similar to that of aluminum nitride sintered body.
Conductive metal with high heat resistance and high bonding strength
An object of the present invention is to provide a manufacturing method for forming a noise layer. [0014] Means for Solving the Problems The present inventors have achieved the above object.
As a result of intensive research to achieve
Forming a metallized layer with components selected from
That the conductive metallization of the present invention can be achieved.
Thus, an aluminum nitride sintered body having a closed layer was completed. That is, the conductive metallized layer of the present invention has
Aluminum nitride sintered body is molybdenum, tungsten
Consists of ten and tantalumGroupAlone or selected from
One or more selected from those compounds,A
LuminiumAlone orThatOne kind selected from compounds
Or two or more, andTitaniumAlone orThatCompound
One or more species selected fromTitaniumhydrogen
When selecting only the compound and / or oxide, the weight ratio
At least one-tenth of the total amount of the group)
Aluminum metal nitride layer
Having at least a portion of the surface of the consolidated base material, and
The metallized layer and the aluminum nitride sintered body base material
It is characterized by being sintered at the same time. HereIn moMolybdenum (Mo), tungsten
(W) and tantalum (Ta) both have high melting points
Metal with excellent heat resistance and aluminum nitride
It has a coefficient of thermal expansion approximately similar to that of the consolidated base metal
The heat resistance and heat cycle characteristics of the metallized layer
It is a component that contributes to improving the properties. [0017]hereMo and W are preferable, and a simple substance is particularly preferable.
Good. [0018]ALuminium (Al) Is, Aluminum nitride
Good wettability with the base metal and metallization layer / intermediate layer
A component that protects the reaction and forms a strong metallized layer.
To. [0019]aluminumAmong them, nitride, oxidation
Are particularly preferred. [0020]TitaniumIs the metallized layer forming process,
In other words, in the heating step, wetting with the aluminum nitride base material
Conductive metallization layer and aluminum nitride
Is a component contributing to the improvement of adhesion to the base metal.
TitaniumWhen only hydrides and / or nitrides are used
If the weight ratioThe groupMore than one-tenth of the total amount of
Is used. [0021]Among titaniumTi nitrides and oxides
TiN and TiO2 are particularly preferred. As the conductive metallized layer,,Ribde
Selected from the group consisting of tungsten, tungsten and tantalum
One or two or more of the conductive metallized layers
When the content is 0 to 95% by weight, the above heat resistance and heat resistance
It is suitable in terms of cycle characteristics. The conductive metallized layer of the present invention has
Aluminum nitride sintered bodies are particularly favorable as substrates for semiconductors.
Suitable. Further, the present inventors have considered the fifth problem.
As a result of intensive studies, aluminum nitride before sintering was
The paste described below is applied to
Aluminum nitride sintering of excellent metallized layer when sintering
Found that it can form on the surface of the body,
Aluminum nitride sintering with bright conductive metallization layer
The body manufacturing method was completed. That is, the conductive metallized layer of the present invention is provided.
Aluminum nitride sintered body
Molybdenum, tungsten and
Made of tantalumGroupSimple substance selected from them or their conversion
One or more selected from the compound,aluminum
ofAlone orThatOne or more selected from compounds
Above andTitaniumAlone orThatOne selected from compounds
Or two or more (butTitaniumHydride and / or
When only oxide is selected, the weight ratio of the total amount of the group is
More than one tenth).
It is characterized by sintering and then sintering the whole. [0026]Molybdenum, tungsten and tantalum
Group consisting ofAbout heat resistance and heat cycle characteristics
It is preferable to use a simple substance which shows which property best. Ma
WasAluminum and titanium areWettability with aluminum nitride
Nitrides and / or oxides with the best properties such as
It is preferable to use On this occasion,TitaniumHydride and
When only oxides and / or oxides are used,
To exceed one tenth of the total amount of the group
Is the same as A paste for forming a conductive metallized layer and
Then,From ribden, tungsten and tantalum
One or more selected from the group consisting ofThe group and
And aluminum and titanium50-95% by weight of the total
In this case, the heat resistance and heat cycle characteristics described above are favorable.
Suitable. First, the aluminum nitride applied to the present invention
The sintering precursor is, for example, aluminum nitride powder having a predetermined particle size.
And Y_TwoO_Three, YF_Three, Sm_TwoO_Three, CaCO_ThreeAs
Sintering aid powder and wax-based or plastic-based
Such a binder component is mixed at a predetermined ratio, and
Pressing or shaping body at room temperature
It is a molded article formed more into a sheet. Aluminum nitride
Particle size, mixing ratio, or molding pressure of
Relationship between the properties of the target aluminum nitride sintered body
Is selected as appropriate. In the production method of the present invention,
Aluminum sintering precursor has a thermal conductivity of 5 after sintering.
It is preferable that it is more than 0W / m · K.
No. The aluminum nitride sintering precursor is described below.
A paste having the following composition is applied. As the application method,
For example, screen printing, brush coating, spin roller coating
For example, a known method may be applied. The paste according to the production method of the present invention is
After forming, convert to metallized layerThe above group, aluminum compound
Object, titanium compoundAnd a medium for dispersing them
Is done. WhereThe above groupMolybdenum, tan
Simplex selected from the group consisting of gustene and tantalum
Or one or more selected from those compounds
is there. Specifically, the components are as follows. Sand
Molybdenum, tungsten or tantalum simple gold
Metal; these various oxides; these various nitrides; these
Various carbides; these various borides;
Iodides; these various oxynitrides; these various carbonitridings
Products; these various halides; these various hydrogenations
Substances; these various hydroxides; these various nitrites, nitrates
Acid salt, sulfite, sulfate, borate, carbonate, silicic acid
Salt, phosphate, phosphite, hydrochloride, chlorate, oxalate
Salts such as acid salts and ammonium salts; Atron NT
a / 700 (trade name: manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.)
Various organometallic compounds such as oxides and sol-gels;
A mixture of two or more of the above components appropriately mixed
Can be given. Each of these components alone
May be used, or two or more selected appropriately
They may be used together. When the conductivity of the metallized layer to be formed is increased,
In this respect, Mo, W, and Ta are particularly simple metals.
Is preferred. In addition, the melting point is high,
W and Mo are particularly preferred for their excellent stability in
No. Next,aluminumAs the aluminumM
singleBody orThatOne or more selected from compounds
It is. [0036] Specifically, the components are as follows. Sand
C, aluminumSimpleBody metal;thisVarious oxides;thisVarious
Nitrides;thisVarious carbides;thisVarious borides;thisVarious
Silicide;thisVarious oxynitrides;thisVarious carbonitrides;this
Various halides;thisVarious hydrides;thisVarious hydroxylation
Stuff;thisVarious nitrites, nitrates, sulfites, sulfates,
Borate, carbonate, silicate, phosphate, phosphite, salt
Such as acid salts, chlorates, oxalates and ammonium salts
Various salts; various salts such as alkoxides and sol-gels
Metal compounds; and two or more of the above-mentioned components as appropriate
Can be given as a mixture. These ingredients
May be used alone or selected appropriately.
Two or more kinds may be used in combination. Also,Titaniumas,TitaniumAlone or
ThatOne or more selected from compounds. Specifically, the components are as follows. Sand
Chi, ChitaSimpleBody metal;thisVarious oxides;thisVarious nitriding
Stuff;thisVarious carbides;thisVarious borides;thisVarious Kei
monster;thisVarious oxynitrides;thisVarious carbonitrides;thisVarious
Halide;thisVarious hydrides;thisVarious hydroxides;
thisVarious nitrites, nitrates, sulfites, sulfates, boric acid
Salt, carbonate, silicate, phosphate, phosphite, hydrochloric acid
Each such as salt, chlorate, oxalate, ammonium salt
Seed salt; Atron NTi (trade name: Nippon Soda Co., Ltd.)
Alkoxides, etc., various organic golds like sol-gel
Genus compound; and two or more of the above-mentioned components appropriately mixed
Combined mixtures can be given. These components are
Each of them may be used alone, or two appropriately selected
You may use it combining the above. TheseSaid group, aluminum and titanium
Paste according to the present invention by uniformly dispersing the components of
Is prepared. As a medium to be used, for example, ethyl cellulose
And nitrocellulose and terpine as their solvent
All, tetralin, butyl carbitol, etc.
be able to. At this timeThe groupIngredients andAluminum and
And titaniumThe weight ratio of the components
Depends on the type ofThe group: aluminum
Mu + titanium= 1: 100 to 100: 1. Special
If 95: 5 to 50:50, heat resistance and heat resistance
It is suitable in terms of the hull characteristics. [0042]The groupThe components ofAluminum components and
Components of titaniumIf too much more thanPrevious
Chronicles / Aluminum + TitaniumFormed if> 95/5
The strength of the metallized layer
No. And if too little, ieThe group / Aluminium
Mu + titaniumIn the case of <50/50, the conductivity is low.
Again, it is not desirable. Also,Aluminum: Titanium= 1: 10
If it is 2: 1, the wettability with the aluminum nitride base material is
Is particularly suitable. [0044]Said group, aluminum and titaniumIngredients
The amount of dispersion of the paste in the medium depends on the consistency of the paste obtained.
It is determined as appropriate by the staff.The groupIs too large,
Paste becomes highly viscous and before aluminum nitride sintering
Uniform application to the surface of the precursor becomes difficult. And vice versa
The groupIs too small, the viscosity of the paste will be low.
Too much, the applied paste is aluminum nitride sintering precursor
It flows away from the surface of the body. Usually the paste viscosity is
1.0 × 10^Five ~ 2.5 × 10^Five To be poisePrevious
Writing groupMay be dispersed. In the production method of the present invention, the paste
After coating on the surface of aluminum nitride sintered precursor, the whole
At the same time. Prior to this simultaneous sintering, aluminum nitride
Components of Sintered Precursor and Medium of Paste
For example, to remove 50 to 700 ° C.
The degreasing treatment may be performed at a temperature. The sintering is performed in a non-oxidizing atmosphere, but in a nitrogen atmosphere.
It is preferably performed in an atmosphere. The sintering temperature and sintering time
After sintering, the aluminum nitride sintered body has desired properties,
Set as a condition to have a conductivity of 50 W / mk
Is done. Specifically, a sintering temperature of 1600 to 2000 ° C,
It is preferably 1700-1800 ° C., and the sintering time is
0.2-5 hours, preferably 0.5-1.5 hours
You. Thus, the aluminum nitride sintered body
Metallized layer with applied paste changed on the surface of
Are formed as a conductive thin layer. [0048] The present invention provides an aluminum nitride having a conductive metallized layer according to the present invention.
According to the minium sintered body, the base material aluminum nitride
High bonding strength with sintered body, excellent heat resistance, thermal expansion
Metallized layer whose rate is similar to aluminum nitride sintered body
can get. Further, it has the conductive metallized layer of the present invention.
According to the manufacturing method of the aluminum nitride sintered body,
This is advantageous in terms of manufacturing, and simplification of the manufacturing process can be realized. [0050] Embodiments of the present invention will be described below. -Example 1 (1) Preparation of pasteThe group Molybdenum alone with a particle size of 0.5 to 1.0 μm
PreparealuminumThe particle size is 1.0 to 2.
0 μm aluminum nitride powder,TitaniumIngredients and
To prepare a titanium nitride powder with a particle size of 1.0 to 2.0 μm
Was. The weight ratio of molybdenum: aluminum nitride
Um: titanium nitride = 2: 1: 1 (50:25:25)
Mixed. With respect to 100 parts by weight of the obtained mixed powder,
7 parts by weight of cellulose, and a viscosity of 2.0 × 10^Five
Poise paste. (2) Formation of metallized layer Nitrogen containing 3% by weight of yttrium oxide as a sintering aid
(1) on one side of a green sheet of aluminum chloride
The produced paste was applied by a roller with a thickness of 15 μm. Then, it is baked in a nitrogen atmosphere at 700 ° C. for 3 hours.
After the degreasing treatment, the whole was placed in a nitrogen stream,
Sintered at 00 ° C for 2 hours. The obtained aluminum nitride sintered body sheet
A metallized layer was formed on the surface. This metalla
The constituent phases of the alloy layer are Mo, AlN and TiN.
Confirmed by line diffraction. (3) Metallized layer and sintered aluminum nitride sheet
Joint strength Electroless plating on the metallized layer obtained in (2)
Therefore, a nickel plating layer having a thickness of about 3 to 5 μm is formed.
Was. Next, the plating layer is formed in a homing gas at 800 ° C.
After annealing, wire diameter 0.5mm, tensile strength
55kg / mm^TwoOf Kovar wire using silver brazing
I did. Brazing temperature is 800 ° C, atmosphere is hydrogen 50V
ol% and a mixed gas atmosphere of 50 vol% of nitrogen. Then, the aluminum nitride sintered body sheet is
Fix and pull Kovar wire at room temperature (20 ° C).
The peeling state of the oil layer was observed. Tensile strength 2 kg / mm^Two When Metalla
The brazing portion of the Kozal wire was cut off from the layer.
In other words, aluminum nitride sintered sheet and metallized
The bonding strength with the layer is 2kg / mm^Two Turned out to be more than
did. -Example 26 Said group, aluminum and titanium Table of each component
1 was selected as shown in FIG.
Preparation of paste, aluminum nitride green sheet surface
And sintering under the conditions shown in Table 1.
Was. The meta in the obtained various sintered body sheets
Bond strength between rise layer and aluminum nitride sintered sheet
Was measured in the same manner as in Example 1. Summarize the results
The results are shown in Table 1. [0058] [Table 1]-Comparative example 1 Three nitrides having a thermal conductivity of 70 to 130 W / mk
Apply the thick film method to the surface of the
The gold, silver and silver-palladium layers were baked. Each of the obtained metallized layers has a nickel
After soldering the plated copper pins,
Metallized layer and aluminum nitride sintered plate
The bonding strength with the surface was measured. In each case, about 1
kg / mm^TwoMet. -Comparative example 2 Aluminum nitride having a thermal conductivity of 70 to 130 W / mk
The paste used in Example 3 was applied to the surface of a sintered metal plate.
Baked at 1700 ° C. 70 in the resulting metallized layer
Braze the Kovar pin at 0-800 ° C,
When the joint strength was measured by pulling, 2kg
/ Mm^TwoMet. [0060] As is apparent from the above description, the present invention
Aluminum nitride sintered body having conductive metallized layer
Is the bonding strength of the aluminum nitride sintered body
, A conductive metallized layer having a high level was formed. Also,
Molybdenum, tungsten and tantalum
High heat resistance due to containing high melting point metal such as
And the coefficient of thermal expansion is similar to that of aluminum nitride sintered body.
Value, it also has a function as a thermal shock layer.
You. Further, it has the conductive metallized layer of the present invention.
Aluminum nitride sintered body
Pace applied simultaneously with sintering of sintering precursor
Is converted to a metallized layer, which is
It has the effect of becoming. Further, it has the conductive metallized layer of the present invention.
Aluminum nitride sintered body
From igniter, high frequency transformer, condenser
Substrate members; insulating tube for laser tube, insulating envelope for power tube
Vessel, window of high-frequency electromagnetic wave traveling wave tube, irradiation of high energy beam
Windows, magnetron-like members, tube heaters
ー, surface heater, sheathed heater, soldering iron, iron
Press plate, moxibustion appliance, heater for coffee maker
ー, trouser press, hot plate, toilet seat, cooking
Pan, thermal transfer printer head, plug, thermocouple protection
Protection tube, crucible scissors tip, crucible for melting metal, single connection
It can be applied to materials such as crucibles for crystal pulling.
Weirdly useful.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 俊一郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株式会社東芝 横浜金属工場内 (56)参考文献 特開 昭61−291480（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C04B 41/80 - 41/91 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shun-ichiro Tanaka 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Corporation Yokohama Metal Works (56) References JP-A-61-291480 (JP, A) (58) Field surveyed (Int.Cl. ⁶ , DB name) C04B 41/80-41/91

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 １．モリブデン，タングステンおよびタンタルよりなる
群から選ばれた単体またはそれらの化合物から選ばれた
１種または２種以上と、アルミニウムの単体またはその
化合物から選ばれた１種または２種以上、ならびにチタ
ンの単体またはその化合物から選ばれた１種または２種
以上（ただしチタンの水素化物および／または酸化物の
みを選ぶ場合には、重量比で前記群の総量の１０分の１
を超えるものとする）により構成された導電性メタライ
ズ層を窒化アルミニウム焼結体母材の表面の少なくとも
一部に有し、かつ前記導電性メタライズ層と前記窒化ア
ルミニウム焼結体母材とが同時に焼結されていることを
特徴とする導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウ
ム焼結体。 ２．前記群から選ばれるのは単体である請求項１記載の
導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体。 ３．前記アルミニウムの単体またはその化合物から選ば
れるのは窒化物および／または酸化物である請求項１記
載の導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結
体。 ４．前記チタンの単体またはその化合物から選ばれるの
は窒化物および／または酸化物である請求項１記載の導
電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体。 ５．前記チタンの単体またはその化合物から選ばれるの
はＴｉＮまたはＴｉＯ2 である請求項１または４記載の
導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体。 ６．前記群は前記導電性メタライズ層の５０〜９５重量
％である請求項１または２記載の導電性メタライズ層を
有する窒化アルミニウム焼結体。 ７．前記導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム
焼結体が、半導体用基板である請求項１ないし６いずれ
か１項に記載の導電性メタライズ層を有する窒化アルミ
ニウム焼結体。 ８．窒化アルミニウム焼結前駆体に、モリブデン，タン
グステンおよびタンタルよりなる群から選ばれた単体ま
たはそれらの化合物から選ばれた１種または２種以上
と、アルミニウムの単体またはその化合物から選ばれた
１種または２種以上と、チタンの単体またはその化合物
から選ばれた１種または２種以上（ただしチタンの水素
化物および／または酸化物のみを選ぶ場合には、重量比
で前記群の総量の１０分の１を超えるものとする）とを
含むペーストを塗布し、ついで全体を同時に焼結するこ
とを特徴とする導電性メタライズ層を有する窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 ９．前記群から選ばれるのは単体である請求項８記載の
導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の
製造方法。 １０．前記アルミニウムの単体またはその化合物は窒化
物または酸化物である請求項８記載の導電性メタライズ
層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 １１．前記チタンの単体またはその化合物は窒化物また
は酸化物である請求項８記載の導電性メタライズ層を有
する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 １２．前記チタンの単体またはその化合物はＴｉＮまた
はＴｉＯ2 である請求項８または１１記載の導電性メタ
ライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 １３．前記群は前記ペースト全体の５０〜９５重量％で
ある請求項８または９記載の導電性メタライズ層を有す
る窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 １４．前記導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウ
ム焼結体が、半導体用基板である請求項８ないし１３い
ずれか１項に記載の導電性メタライズ層を有する窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法。(57) [Claims] Made of molybdenum, tungsten and tantalum
One or more selected from a single piece or a compound thereof selected group or al and, one or more selected from a single piece or a <br/> compound of aluminum, and titanium
If one or more selected from emissions of simple substance or a compound thereof (except choosing only hydrides and / or oxides of titanium, of 10 minutes of the total amount of said group in a weight ratio of 1
The conductive metallized layer and the aluminum nitride sintered body base material are simultaneously formed on at least a part of the surface of the aluminum nitride sintered body base material. An aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer characterized by being sintered. 2. 2. The aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 1, wherein a single element selected from the group is used. 3. 2. The aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 1, wherein the element selected from the simple substance of aluminum or a compound thereof is a nitride and / or an oxide. 4. 2. The aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 1, wherein the element selected from the titanium simple substance or the compound thereof is a nitride and / or an oxide. 5. Alone or claim 1 or 4 conductive metallized layer aluminum nitride sintered body having a described are of the chosen from the compounds is TiN or TiO2 of the titanium. 6. The aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 1 or 2, wherein the group accounts for 50 to 95% by weight of the conductive metallized layer. 7. The conductive metallized layer of aluminum nitride sintered body having found one claims 1 is a semiconductor substrate 6
An aluminum nitride sintered body having the conductive metallized layer according to claim 1 . 8. A sintered aluminum precursor nitride, molybdenum, and one or more selected from a single selected group or al of tungsten and tantalum or a compound thereof, one selected from simple substance or a compound of aluminum Or two or more, and one or two or more selected from a simple substance of titanium or a compound thereof (however, when only a hydride and / or oxide of titanium is selected, 10 minutes of the total amount of the group by weight ratio is selected) A method for producing a sintered body of aluminum nitride having a conductive metallized layer, which comprises applying a paste containing: 9. The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 8 , wherein the element selected from the group is a simple substance. 10. 9. The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 8, wherein the simple substance of aluminum or a compound thereof is a nitride or an oxide. 11. 9. The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 8, wherein the simple substance of titanium or a compound thereof is a nitride or an oxide. 12. The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 8 or 11, wherein the titanium simple substance or its compound is TiN or TiO2. 13. The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to claim 8 or 9, wherein the group accounts for 50 to 95% by weight of the entire paste. 14． The method for producing an aluminum nitride sintered body having a conductive metallized layer according to any one of claims 8 to 13 , wherein the aluminum nitride sintered body having the conductive metallized layer is a substrate for a semiconductor.