JP2894040B2 - ラッチ回路 - Google Patents

ラッチ回路

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JP2894040B2 JP3265807A JP26580791A JP2894040B2 JP 2894040 B2 JP2894040 B2 JP 2894040B2 JP 3265807 A JP3265807 A JP 3265807A JP 26580791 A JP26580791 A JP 26580791A JP 2894040 B2 JP2894040 B2 JP 2894040B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はラッチ回路に関し、特に
CMOS半導体集積回路におけるラッチ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】CMOS半導体集積回路における従来の
ラッチ回路の一例を図5(a)に示す。データインバー
タIDおよび帰還インバータIFは外部データ入力端子
Dから入力するデータ信号を外部データ出力端子Qから
出力および保持し、データトランスファゲートTGDお
よび帰還トランスファゲートTGFはP型MOSトラン
ジスタとN型MOSトランジスタのCMOSトランジス
タにより構成される。コントロール信号発生回路5bは
外部制御信号入力端子Gからの制御信号φ1により図5
(b)に示すように互いに逆相の関係にあるコントロー
ル遅延信号φ2,φ3を生成するためのインバータI
1,I2を有する。
【0003】コントロール遅延信号φ2,φ3は回路的
に逆相の関係にあるものの、インバータ回路の一段分の
遅延時間Tdを有するので、ある期間内は信号φ2,φ
3が同一レベルに重なる状態がある。すなわち、遅延信
号φ2,φ3がともに“L”レベルである期間T1は両
トランスファゲートTDG,TDFのP型MOSトラン
ジスタが、また信号φ2,φ3がともに“H”レベルで
ある期間T2はN型MOSトランジスタがそれぞれ動作
しトランスファゲートTDG,TDGをオンする動作を
してしまう。従来、このような期間T1,T2を最小限
に抑えるためにコントロール信号発生回路5bのインバ
ータI1,I2のドライブ能力を上げたり、両トランス
ファゲートTGD,TGFのゲートへの寄生配線容量を
極力抑えるなどの工夫がされていた。
【0004】図6(a)は図5(a)のラッチ回路を使
用した応用回路のブロック図である。信号線10はラッ
チ回路6の外部データ出力端子Qと後段のラッチ回路
7,8の外部データ入力端子Dとを接続しコントロール
信号線11はラッチ回路7,8に共通の制御信号S11
を入力する。
【0005】ここで、ラッチ回路6はラッチ状態で
“H”レベルを出力しているものとし、ラッチ回路7,
8がラッチ状態で“H”レベルを出力している状態から
データスルーの状態へ変化する期間TAを考える。図6
(b)の信号S10とS11の波形を用いて説明する。
【0006】期間TAは図5(b)の期間T1に相当す
る時間で、その期間TAでは上述のようにラッチ回路
7,8内の2つのトランスファゲートTGD,TGFは
P型MOSトランジスタの作用で閉じた状態にある。従
って期間TAではラッチ回路6の“H”レベルの出力と
ラッチ回路7,8内の“L”レベルのインバータ出力と
がぶつかり合う形になり、信号S10は両者の出力イン
ピーダンスとトランスファーゲートのオン抵抗の分圧比
で決まる電位点Pまで急激に下がることになる。その後
データスルーに入りスイッチ回路の切り替えが完遂する
とともに再び“H”レベルに戻ってくる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のラッチ回
路は、近年の微細加工技術の向上によってスピード特性
の大幅に向上したCMOS素子を用いるようになって次
のような問題が発生するようになってきた。図6(b)
に示した信号S10の期間TAにおける一瞬のレベル変
動波形にスピード特性、言いかえると帯域幅及びゲイン
の向上したラッチ回路6内のインバータが反応してしま
い、その結果ラッチ状態が遷移してしまうのである。す
ると信号S10は図6(b)の点線のように下ったまま
になって、元に戻らなくなりラッチデータの破壊とな
る。
【0008】このような不具合を抑えるべく、従来はト
ランスファゲートをドライブするインバータのドライブ
能力を上げていたが、完全に2つのトランスファゲート
が同時に閉じる期間を無くすことはできない上、スピー
ド特性の向上したMOSトランジスタ素子に対して必ず
しも効果が上がらなくなってきた。
【0009】また、信号線10にバッファ回路を挿入
し、期間TAでのレベル変動がラッチ回路6に伝わらな
いようにする手段もあるが、その場合は遅延時間の増大
につながるという問題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のラッチ回路は、
外部制御信号入力端子から外部の制御信号を入力してカ
スケードに接続された複数のインバータを介して順次に
位相が異なる複数のコントロール遅延信号と、さらに遅
延回路およびインバータを介して一対のスイッチ制御信
号を出力する遅延信号発生回路と、二対の入力端に前記
コントロール遅延信号を、また互いに逆方向のゲート端
のそれぞれに前記スイッチ制御信号を入力するCMOS
トランジスタのトランスファゲートの二つのスイッチ対
を有し、該二つのスイッチ対から一対のスイッチ出力ゲ
ート信号を出力するコントロール信号スイッチ回路と、
データ入力端が外部データ入力端子に接続され、データ
出力端が論理回路を介して外部データ出力端子に接続さ
れ、正方向ゲート端に逆方向のコントロール遅延信号
を、また該コントロール遅延信号の低レベル期間の内側
に対応してパルス幅の短い前記スイッチ出力ゲート信号
を逆方向ゲート端に、それぞれ入力するCMOSトラン
ジスタのデータトランスファゲートと、データ入力端が
帰還論理回路を介して前記外部データ出力端子に接続さ
れ、データ出力端が前記データトランスファーゲートの
データ出力端に接続され、正方向ゲート端が前記低レベ
ル期間の前後にパルス幅の長い前記スイッチ出力ゲート
信号を入力し、また逆方向ゲート端が前記逆方向のコン
トロール遅延信号を入力するCMOSトランジスタの帰
還トランスファーゲートとを有するデータスイッチ回路
とを含んで構成されている。
【0011】また本発明のラッチ回路は、外部制御信号
入力端子から外部の制御信号を入力してカスケードに接
続された複数のインバータを介して順次に位相が異なる
複数のコントロール遅延信号と、さらに遅延回路および
インバータを介して一対のスイッチ制御信号を出力する
遅延信号発生回路と、四対の入力端および互いに逆方向
のゲート端のそれぞれに前記コントロール遅延信号を入
力するCMOSトランジスタのトランスファゲートの四
つのスイッチ対を有し、該四つのスイッチ対から出力ゲ
ート信号を出力するコントロール信号スイッチ回路と、
データ入力端が外部データ入力端子に接続され、データ
出力端が論理回路を介して外部データ出力端子に接続さ
れ、逆方向ゲート端に正方向パルスの短かい前記スイッ
チ出力ゲート信号を入力するデータトランスファゲート
と、データ入力端が帰還論理回路を介して前記外部デー
タ出力端子に接続され、データ出力端が前記データトラ
ンスファーゲートのデータ出力端に接続され、正方向ゲ
ート端に正方向パルス幅の長い前記スイッチ出力ゲート
信号を入力するCMOSトランジスタの帰還トランスフ
ァゲートとを有するデータスイッチ回路とを含んで構成
されている。
【0012】
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例について
説明する。図1は本発明の第1の実施例を示す回路図で
ある。本実施例のラッチ回路は、図5(a)に示した従
来のデータスイッチ回路4とは同一で、その各ゲート信
号を出力するコントロール信号発生回路5bが遅延信号
発生回路2とコントロール信号スイッチ回路3を有する
コントロール信号発生回路5に置換されたものである。
【0013】遅延信号発生回路2は、外部制御信号入力
端子Gから外部の制御信号φ1を入力してカスケードに
接続されたインバータI1,I2を介して順次に位相が
異なるコントロール遅延信号φ1〜φ3とさらに遅延回
路DLおよびインバータI4,I5を介して一対のスイ
ッチ制御信号s1,s2を出力する。
【0014】コントロール信号スイッチ回路3は、二対
の入力端N1,N2にコントロール遅延信号φ1,φ3
を、また互いに逆方向のPゲートPG、NゲートNGの
それぞれにスイッチ制御信号s1,s2を入力するCM
OSトランジスタのトランスファゲートTg1,Tg2
とTg3,Tg4の二つのスイッチ対SW1,SW2を
有し、これらスイッチ対SW1,SW2からスイッチ出
力ゲート信号φA,φBを出力する。
【0015】データスイッチ回路4は、データ入力端が
外部データ入力端子Dに接続され、データ出力端NOが
データインバータIDを介して外部データ出力端子Qに
接続され、図2に示すようにPゲートPGに逆方向のコ
ントロール遅延信号φ2を、またその信号φ2の“L”
レベル期間T4の内側に対応してパルス幅の短い方のス
イッチ出力ゲート信号φAをNゲートNGにそれぞれ入
力するCMOSトランジスタのデータトランスファゲー
トTGDと、データ入力端が期間インバータIFを介し
て外部データ出力端子Qに接続され、データ出力端がデ
ータ出力端NOに接続され、PゲートPGがパルス幅の
長い期間(T2〜T6)のスイッチ出力ゲート信号φB
を入力し、またNゲートNGが逆方向のコントロール遅
延信号φ2を入力する帰還トランスファゲートTGFと
を有する。
【0016】次に図2の各信号のタイミング図を用いて
回路の動作を説明する。まず、コントロール遅延信号φ
1,φ3が“L”レベル、遅延信号φ2が“H”レベル
である期間T1においては、スイッチ制御信号s1,s
2はそれぞれ“H”レベルおよび“L”レベルなので、
コントロール信号スイッチ回路3のトランスファゲート
Tg2,Tg4はオンし、トランスファゲートTg1,
Tg3はオフする。
【0017】よって信号φ1はデータスイッチ回路4の
帰還トランスファゲートTGFのPゲートPGに、また
遅延信号φ3はデータトランスファゲートTGD5のN
ゲートNGに入力される。従ってスイッチ出力ゲート信
号φA,φBは“L”レベルでかつ遅延信号φ2は
“H”レベルなのでトランスファゲートTGDはオフ
し、トランスファゲートTGFはオンして外部データ入
力端子Dからのデータ信号はラッチされる。
【0018】次に期間T2はそのラッチ状態から期間T
4のデータスルー状態へ遷移すべくコントロール遅延信
号φ1が立上った時点t1直後であり、この期間におい
ては信号φ2はインバータI1による遅延のためまだ
“H”レベルの状態にあり、遅延信号φ3も遅延信号φ
2が“H”レベルなので“L”レベルのままである。
【0019】一方、トランスファゲートTGDのNゲー
トNGへのコントロール遅延信号φ3の入力およびトラ
ンスファゲートTGFのPゲートPGへの信号φ1の入
力は期間T1のままなので、出力ゲート信号φBは信号
φ1の立上り時点t1と同時に立上り、出力ゲート信号
φAは“L”レベルとなる。ここでコントロール遅延信
号φ2は“H”レベルなので、帰還トランスファーゲー
トTGFのCMOSトランジスタのN型MOSトランジ
スタ以外はカットオフしている。
【0020】次に期間T3は、信号φ1の立上り時点t
1を受けて信号φ2がインバータの遅延時間Td後の時
点t2で立下った直後で、この期間T2においては、信
号φ3はインバータI2による遅延のためまだ“L”レ
ベルの状態にある。一方、データスイッチ回路4への信
号φ3,φ1の入力は変わらないので、スイッチ出力ゲ
ート信号φBは“H”レベル、ゲート信号φAは“L”
レベルとなる。ここでコントロール遅延信号φ2は
“L”レベルなので、トランスファゲートTGD,TG
FのCMOSトランジスタのP型MOSトランジスタ以
外はカットオフしている。
【0021】そして、信号φ2の立下りを受けて遅延信
号φ3が時点t3で立上る期間T4においては、信号φ
1は“H”レベル、信号φ2は“L”レベルの状態にあ
る。一方、データスイッチ回路4へ入力する信号φ3お
よびφ1のレベルは変わらないので、ゲート信号φBお
よび時点t3で立上るゲート信号φAも共に“H”レベ
ルであり、信号φ2は“L”レベルなのでデータトラン
スファゲートTGDはオンし帰還トランスファゲートT
GFはオフしてこの期間T4はデータスルー状態とな
る。
【0022】そして、この期間T4の間に、コントロー
ル遅延信号φ3の立上り時点t3を受けて遅延回路DL
とインバータI4の遅延量Tdiだけ遅れた時点t5の
スイッチ制御信号s1の立下りと、その信号s1の立下
りを受けてインバータI5の遅延量だけ遅れた時点t6
のスイッチ制御信号s2の立上りによって、トランスフ
ァゲートTg1,Tg3はオンしトランスファゲートT
g2,Tg4はオフする。この時、スイッチ制御信号s
1,s2が共に“L”レベルとなる期間時点t5〜t6
間に生じてトランスファゲートTg1〜Tg4は全てオ
ンするが、出力ゲート信号φAとφBは等電位なので、
トランスファゲートTGD,TGFへの影響はまったく
ない。
【0023】次に期間T5は、データスルー状態からラ
ッチ状態へ遷移するべく遅延信号φ1が立下がった時点
t7の直後であり、それがゲート信号φAの立下りとな
るので出力ゲート信号φAは“L”レベル、ゲート信号
φBは“H”レベルで、かつコントロール遅延信号φ2
が“L”レベルなのでトランスファーゲートTGD,T
GFのCMOSトランジスタの中で、データトランスフ
ァゲートTGDのP型MOSトランジスタ以外はカット
オフしている。
【0024】次に期間T6は遅延信号φ1の立下り時点
t7を受けて遅延信号φ2が時点t8で立上った直後
で、従ってゲート信号φAは“L”レベル、ゲート信号
φBは“H”レベルで、かつ信号φ2は“H”レベルな
ので、トランスファゲートTGD,TGFのCMOSト
ランジスタの中で帰還トランスファゲートTGFのN型
MOSトランジスタ以外はカットオフしている。
【0025】最後に期間T7はラッチ状態となり、コン
トロール遅延信号φ3の立下り時点t9に同期してスイ
ッチ出力ゲート信号φBも立下がる。従ってゲート信号
φA,φBは“L”レベル、遅延信号φ2は“H”レベ
ルなのでデータトランスファゲートTGDはオフ、帰還
トランスファゲートTGFはオンである。
【0026】これらのタイミングによって図2に示すよ
うにスイッチ出力ゲート信号φBの“H”レベル期間
(T2〜T6)はゲート信号φAの“H”レベル期間T
4の前後を含んでいるので、ラッチ期間T1からデータ
スルー期間T4までの間の遷移期間T2,T3およびT
5,T6で両ゲート信号φA,φBが同時に“L”レベ
ルに重ならない。
【0027】従ってこのような期間T1から期間T7の
動作によってデータスイッチ回路4のトランスファゲー
トTGD,TGFはラッチ状態からデータスルー状態、
あるいはデータスルー状態からラッチ状態への遷移時に
どちらか一方は必ずCMOSトランジスタのP型MOS
トランジスタ,N型MOSトランジスタともにカットオ
フしているため、前述された従来のラッチ回路がデータ
スルーに変化する期間TAにレベル変動が生じてデータ
破壊を起すという問題は起さない。しかも制御入力端子
Gからのコントロール信号φ1と遅延信号φ3はコント
ロール信号スイッチ回路3のみを通って両トランスファ
ゲートTGD,TGFのゲートPG,NGに接続されて
いるので遅延時間の増加は寄生容量によるものだけにな
り、セットアップタイムおよびホールドタイムは従来の
回路とほとんど変わらない。
【0028】図3は本発明の第2の実施例の回路図であ
る。本実施例のラッチ回路の遅延信号発生回路2aは、
外部制御信号入力端子Gから外部の制御信号φ1を入力
してカスケードに接続されたインバータI1〜I3を介
して順次に位相が異なるコントロール遅延信号φ1〜φ
4とさらに遅延回路DLおよびインバータI4,I5を
介して一対のスイッチ制御信号s1,s2を出力する。
【0029】コントロール信号スイッチ回路3aは、四
対の入力端N1〜N4およびPゲートPN,NゲートN
Gのそれぞれにコントロール遅延信号φ1〜φ4および
スイッチ制御信号s1,s2を入力するCMOSトラン
ジスタのトランスファゲートTg1,Tg2〜Tg7,
Tg8の四つのスイッチ対SW1〜SW4を有し、それ
らのスイッチ対から出力ゲート信号φA〜φDを出力す
る。また、データスイッチ回路4は図1に示した第1の
実施例の回路と同一構成である。
【0030】データスイッチ回路4のデータトランスフ
ァゲートTGDのPゲートPG,NゲートNGにはそれ
ぞれ図4に示すスイッチ出力ゲート信号φC,φAが、
また帰還トランスファゲートTGFのPゲートPG,ゲ
ートNGにはスイッチ出力ゲート信号φB,φDが印加
される。ここでスイッチ出力ゲート信号φAは第1の実
施例の動作と同様に十分に遅延されたスイッチ制御信号
s1,s2に駆動されるSW1〜SW2の切換により、
コントロール遅延信号φ3の立ち上り時点t3とコント
ロール遅延信号φ1の立下り時点φ7を有し、“H”レ
ベルが期間T5よりもやや進んだ位相でパルス幅(T4
+T5)の短い波形である。
【0031】スイッチ出力ゲート信号φBの立ち上りと
立ち下りは逆にそれぞれ遅延信号φ1とφ3に同期する
ので、期間(T4+T5)の前に(T2+T3)、後に
(T6+T7)を加えたパルス幅(T2〜T7)の長い
波形となる。
【0032】同様にして信号φA,φBとは逆方向のス
イッチ出力ゲート信号φCとφDは、遅延信号φ3とφ
4からそれぞれ短いパルス幅(T5+T6),長いパル
ス幅(T3〜T8)を有しているので、第1の実施例と
同様な効果が得られる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のラッチ回
路はシリアル接続やパラレル接続を含んだ回路における
データ破壊という危険を取り除き、かつラッチ回路のデ
ィレイタイム,セットアップタイム,ホールドタイムと
いった諸特性も従来のラッチ回路と同等である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。
【図2】図1の回路の動作を説明するための各信号のタ
イミング図である。
【図3】本発明の第2の実施例の回路図である。
【図4】図3の回路の動作を説明するための各信号のタ
イミング図である。
【図5】(a),(b)はそれぞれ従来のラッチ回路の
一例の回路図およびその動作を説明するための各信号の
タイミング図である。
【図6】(a),(b)はそれぞれ図5のラッチ回路を
使用した回路の一例のブロック図およびその動作を説明
するための各信号の波形図である。
【符号の説明】
1,1a ラッチ回路 2,2a 遅延信号発生回路 3,3a コントロール信号スイッチ回路 4 データスイッチ回路 5,5a コントロール信号発生回路 D 外部データ入力端子 DL 遅延回路 G 外部制御信号入力端子 ID データインバータ IF 帰還インバータ I1〜I5 インバータ NG Nゲート Q 外部データ出力端子 PG Pゲート TGD データトランスファゲート TGF 帰還トランスファゲート Tg1〜Tg8 トランスファゲート φA〜φD スイッチ出力ゲート信号 φ1〜φ4 コントロール遅延信号 s1,s2 スイッチ制御信号

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部制御信号入力端子から外部の制御信
    号を入力してカスケードに接続された複数のインバータ
    を介して順次に位相が異なる複数のコントロール遅延信
    号と、さらに遅延回路およびインバータを介して一対の
    スイッチ制御信号を出力する遅延信号発生回路と、 二対の入力端に前記コントロール遅延信号を、また互い
    に逆方向のゲート端のそれぞれに前記スイッチ制御信号
    を入力するCMOSトランジスタのトランスファゲート
    の二つのスイッチ対を有し、該二つのスイッチ対から一
    対のスイッチ出力ゲート信号を出力するコントロール信
    号スイッチ回路と、 データ入力端が外部データ入力端子に接続され、データ
    出力端が論理回路を介して外部データ出力端子に接続さ
    れ、正方向ゲート端に逆方向のコントロール遅延信号
    を、また該コントロール遅延信号の低レベル期間の内側
    に対応してパルス幅の短い前記スイッチ出力ゲート信号
    を逆方向ゲート端に、それぞれ入力するCMOSトラン
    ジスタのデータトランスファゲートと、データ入力端が
    帰還論理回路を介して前記外部データ出力端子に接続さ
    れ、データ出力端が前記データトランスファーゲートの
    データ出力端に接続され、正方向ゲート端が前記低レベ
    ル期間の前後にパルス幅の長い前記スイッチ出力ゲート
    信号を入力し、また逆方向ゲート端が前記逆方向のコン
    トロール遅延信号を入力するCMOSトランジスタの帰
    還トランスファーゲートとを有するデータスイッチ回路
    と、 を含むことを特徴とするラッチ回路。
  2. 【請求項2】 外部制御信号入力端子から外部の制御信
    号を入力してカスケードに接続された複数のインバータ
    を介して順次に位相が異なる複数のコントロール遅延信
    号と、さらに遅延回路およびインバータを介して一対の
    スイッチ制御信号を出力する遅延信号発生回路と、 四対の入力端および互いに逆方向のゲート端のそれぞれ
    に前記コントロール遅延信号を入力するCMOSトラン
    ジスタのトランスファゲートの四つのスイッチ対を有
    し、該四つのスイッチ対から出力ゲート信号を出力する
    コントロール信号スイッチ回路と、 データ入力端が外部データ入力端子に接続され、データ
    出力端が論理回路を介して外部データ出力端子に接続さ
    れ、逆方向ゲート端に正方向パルスの短い前記スイッチ
    出力ゲート信号を入力するデータトランスファゲート
    と、データ入力端帰還論理回路を介して前記外部データ
    出力端子に接続され、データ出力端が前記データトラン
    スファーゲートのデータ出力端に接続され、正方向ゲー
    ト端に正方向パルス幅の長い前記スイッチ出力ゲート信
    号を入力するCMOSトランジスタの帰還トランスファ
    ゲートとを有するデータスイッチ回路と、 を含むことを特徴とするラッチ回路。
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WO1996027945A1 (en) * 1995-03-08 1996-09-12 Advanced Micro Devices, Inc. Conditional latching mechanism and pipelined microprocessor employing the same
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