JPH05217885A - 周辺露光装置 - Google Patents
周辺露光装置Info
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- JPH05217885A JPH05217885A JP4061692A JP4061692A JPH05217885A JP H05217885 A JPH05217885 A JP H05217885A JP 4061692 A JP4061692 A JP 4061692A JP 4061692 A JP4061692 A JP 4061692A JP H05217885 A JPH05217885 A JP H05217885A
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- JP
- Japan
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- wafer
- exposure
- optical system
- diaphragm
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ファイバー移動による塵埃や異物発生の問題
をなくしかつ露光境界部の現像レジスト断面の傾斜を鋭
くした周辺露光装置を提供する。 【構成】 レジスト2を塗布したウエハ1を露光するた
めの光学系と該光学系内に組み込まれた絞り3bとを具
備し、前記光学系の光射出端部とウエハとの間にウエハ
搬送に必要な間隔を設けかつ絞りとウエハのレジスト塗
布面とが共役の関係になるように光学系を配置し、前記
絞りの形状は直線部分を有し、この直線部分側をウエハ
の中心側に向けて配置して絞りの直線部分の像をウエハ
周辺部側の露光領域とウエハ内部側の非露光領域の境界
上に形成した。
をなくしかつ露光境界部の現像レジスト断面の傾斜を鋭
くした周辺露光装置を提供する。 【構成】 レジスト2を塗布したウエハ1を露光するた
めの光学系と該光学系内に組み込まれた絞り3bとを具
備し、前記光学系の光射出端部とウエハとの間にウエハ
搬送に必要な間隔を設けかつ絞りとウエハのレジスト塗
布面とが共役の関係になるように光学系を配置し、前記
絞りの形状は直線部分を有し、この直線部分側をウエハ
の中心側に向けて配置して絞りの直線部分の像をウエハ
周辺部側の露光領域とウエハ内部側の非露光領域の境界
上に形成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置におけ
るウエハ周辺露光方法および装置に関するものである。
るウエハ周辺露光方法および装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のウエハ周辺露光装置は、例えば特
開昭58−139144号公報、特開昭61−7922
7号公報に記載されている。
開昭58−139144号公報、特開昭61−7922
7号公報に記載されている。
【0003】図10〜12は従来例を表す図である。従
来技術においては、ファイバーをウエハ上方に近づけフ
ァイバーからの光を直接ウエハに照射して露光し、露光
終了後ウエハ搬送時にはファイバーをウエハ搬送に支障
のない位置へ逃がす構造であった。
来技術においては、ファイバーをウエハ上方に近づけフ
ァイバーからの光を直接ウエハに照射して露光し、露光
終了後ウエハ搬送時にはファイバーをウエハ搬送に支障
のない位置へ逃がす構造であった。
【0004】このようにファイバーをウエハ上方に近づ
け直接露光を行った場合、現像後のレジストエッジ部断
面形状は図12に示したような、ゆるやかな傾斜とな
る。断面形状がこのようになる原因は、露光光束の形状
が図10のような円形であり、その照度分布は図11a
に示すように円形の中心が一番高く周辺にいく程低くな
るということと、もう一つは図10のa、bで示したよ
うにウエハ上での露光時間の長さの違いによるものであ
る。実効的には前記照度分布と露光時間の積で効いてい
るので積算露光量は図11bに示したようになる。レジ
ストの断面形状が図12に示したとおりになるとレジス
トの膜厚が薄いところは非常に割れやすくなり、工程中
何らかの機械的ショックにより、破損、欠落しウエハ表
面に異物となって付着し集積回路製造上の歩留りを低下
させる。
け直接露光を行った場合、現像後のレジストエッジ部断
面形状は図12に示したような、ゆるやかな傾斜とな
る。断面形状がこのようになる原因は、露光光束の形状
が図10のような円形であり、その照度分布は図11a
に示すように円形の中心が一番高く周辺にいく程低くな
るということと、もう一つは図10のa、bで示したよ
うにウエハ上での露光時間の長さの違いによるものであ
る。実効的には前記照度分布と露光時間の積で効いてい
るので積算露光量は図11bに示したようになる。レジ
ストの断面形状が図12に示したとおりになるとレジス
トの膜厚が薄いところは非常に割れやすくなり、工程中
何らかの機械的ショックにより、破損、欠落しウエハ表
面に異物となって付着し集積回路製造上の歩留りを低下
させる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、上記従
来例では、ウエハの周辺2〜3mmを露光するために、
ファイバーの出射端からウエハまでの距離を数mm程度
にしていた。従って、露光時以外のウエハ搬送時には、
ファイバーが妨げにならないように可動機構により離れ
た位置に逃げられるように構成されていた。このため次
のような欠点があった。即ち、ステッパーによる露光前
のウエハ上部で可動機構を動作させると可動部から異物
が発生しウエハ上への異物付着の原因となり、集積回路
製造上の歩留り低下につながるという問題があった。
来例では、ウエハの周辺2〜3mmを露光するために、
ファイバーの出射端からウエハまでの距離を数mm程度
にしていた。従って、露光時以外のウエハ搬送時には、
ファイバーが妨げにならないように可動機構により離れ
た位置に逃げられるように構成されていた。このため次
のような欠点があった。即ち、ステッパーによる露光前
のウエハ上部で可動機構を動作させると可動部から異物
が発生しウエハ上への異物付着の原因となり、集積回路
製造上の歩留り低下につながるという問題があった。
【0006】また、従来技術では、図12に示したよう
に、現像後のレジストの断面形状がゆるやかな傾斜を有
してしまうという欠点が生じる。現像後のレジストの断
面形状が図12で示したようになると、レジストの膜厚
が薄いところは、非常に割れやすい状態になり、工程中
に何らかの機械的ショックで破損し、欠落しダストとな
ってウエハ上への異物付着の原因となっていた。
に、現像後のレジストの断面形状がゆるやかな傾斜を有
してしまうという欠点が生じる。現像後のレジストの断
面形状が図12で示したようになると、レジストの膜厚
が薄いところは、非常に割れやすい状態になり、工程中
に何らかの機械的ショックで破損し、欠落しダストとな
ってウエハ上への異物付着の原因となっていた。
【0007】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、ファイバー移動による塵埃や異物発生
の問題をなくしかつ露光境界部の現像レジスト断面の傾
斜を鋭くした周辺露光装置の提供を目的とする。
たものであって、ファイバー移動による塵埃や異物発生
の問題をなくしかつ露光境界部の現像レジスト断面の傾
斜を鋭くした周辺露光装置の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明では、レジストを塗布したウエハの
周辺部をファイバーにより導かれた光を照射して露光す
るウエハ周辺露光装置において、絞りを含む露光のため
の光を照射する光学系部分とウエハとの間にウエハ搬送
に必要な間隔を確保し、かつ絞りとウエハ面とが共役の
関係になるように構成し、前記絞りは直線部分を有し、
この絞りを含む光学系をファイバーとウエハとの間に配
置し、その絞りの直線部分の像を他の部分の像よりウエ
ハ中心側に配置して、ウエハ周辺の露光領域と非露光領
域の境界上に合わせることにより、現像後のレジストの
断面形状をレジストの破損の危険性の少ない傾斜のきつ
いものにすることができる。また、ウエハ搬送時におい
て、露光のための光を照射する光学系部分はウエハ搬送
の障害となることはない。
成するため、本発明では、レジストを塗布したウエハの
周辺部をファイバーにより導かれた光を照射して露光す
るウエハ周辺露光装置において、絞りを含む露光のため
の光を照射する光学系部分とウエハとの間にウエハ搬送
に必要な間隔を確保し、かつ絞りとウエハ面とが共役の
関係になるように構成し、前記絞りは直線部分を有し、
この絞りを含む光学系をファイバーとウエハとの間に配
置し、その絞りの直線部分の像を他の部分の像よりウエ
ハ中心側に配置して、ウエハ周辺の露光領域と非露光領
域の境界上に合わせることにより、現像後のレジストの
断面形状をレジストの破損の危険性の少ない傾斜のきつ
いものにすることができる。また、ウエハ搬送時におい
て、露光のための光を照射する光学系部分はウエハ搬送
の障害となることはない。
【0009】
【実施例】図1〜図6は本発明の実施例を示す。図1は
本発明の一実施例に係る周辺露光装置の主要部の概略構
成を示す図である。同図において、1はウエハ、6およ
び6’はウエハを収納するためのカセット、7および
7’はカセット6および6’を配置するためのローダー
およびアンローダー、7aおよび7’aはそれぞれロー
ダー7およびアンローダー7’を順次下方へ駆動するロ
ーダー駆動部、アンローダー駆動部である。8はそれぞ
れ一体に駆動される昇降可能な搬送ベルトであり、9は
不図示の真空吸着孔を有する回転可能な処理ステージ、
10は回動によりウエハ搬送ライン上の所定の位置に進
入および退避するウエハ中心出しアーム、11はこの処
理ステージ9および搬送ベルト8を駆動し、制御するコ
ントローラ、12は光源を含む照射装置、4は光源12
に取り付けられるファイバー、3はファイバー4により
導かれた光をウエハ上に照射する絞りを含む光学系、3
cは露光光出射端部、13は装置架台である。
本発明の一実施例に係る周辺露光装置の主要部の概略構
成を示す図である。同図において、1はウエハ、6およ
び6’はウエハを収納するためのカセット、7および
7’はカセット6および6’を配置するためのローダー
およびアンローダー、7aおよび7’aはそれぞれロー
ダー7およびアンローダー7’を順次下方へ駆動するロ
ーダー駆動部、アンローダー駆動部である。8はそれぞ
れ一体に駆動される昇降可能な搬送ベルトであり、9は
不図示の真空吸着孔を有する回転可能な処理ステージ、
10は回動によりウエハ搬送ライン上の所定の位置に進
入および退避するウエハ中心出しアーム、11はこの処
理ステージ9および搬送ベルト8を駆動し、制御するコ
ントローラ、12は光源を含む照射装置、4は光源12
に取り付けられるファイバー、3はファイバー4により
導かれた光をウエハ上に照射する絞りを含む光学系、3
cは露光光出射端部、13は装置架台である。
【0010】図2は絞りを含む光学系3の詳細を示す図
であり、同図において2はレジスト、3bは絞り、3a
は絞りとウエハ面を共役の関係にする結像光学系であ
る。
であり、同図において2はレジスト、3bは絞り、3a
は絞りとウエハ面を共役の関係にする結像光学系であ
る。
【0011】図3は絞り3bの形状を表す図である。
【0012】図4はウエハ上における露光光断面形状を
表す図である。
表す図である。
【0013】図5(a)は周辺露光領域と非露光領域の
境界部の照度を表す図であり、図5(b)はその積算露
光量を表す図である。
境界部の照度を表す図であり、図5(b)はその積算露
光量を表す図である。
【0014】図6は現像後のレジストの断面形状を表す
図である。
図である。
【0015】図1において本発明における周辺露光装置
の一実施例の動作を説明する。まず、ウエハ1を多数収
納したカセット6をローダー7に載置し固定する。次に
ローダー駆動機構7aが働いてローダー7が所定距離だ
け下降し、処理すべきウエハ1が搬送ベルト8上に載置
される。そして搬送ベルト8が駆動し、ウエハ1を処理
ステージ9の上方に搬送する。
の一実施例の動作を説明する。まず、ウエハ1を多数収
納したカセット6をローダー7に載置し固定する。次に
ローダー駆動機構7aが働いてローダー7が所定距離だ
け下降し、処理すべきウエハ1が搬送ベルト8上に載置
される。そして搬送ベルト8が駆動し、ウエハ1を処理
ステージ9の上方に搬送する。
【0016】その間にウエハ中心出しアーム10が退避
位置から回動して中心出しアーム10の側壁10aがウ
エハ搬送ライン上の所定位置に配置される。そしてウエ
ハ1が搬送ベルト8により搬送されてきてこの中心出し
アーム10の側壁10aに当接する。これにより自動的
にウエハ1の中心と処理ステージ9の中心がほぼ一致す
る。
位置から回動して中心出しアーム10の側壁10aがウ
エハ搬送ライン上の所定位置に配置される。そしてウエ
ハ1が搬送ベルト8により搬送されてきてこの中心出し
アーム10の側壁10aに当接する。これにより自動的
にウエハ1の中心と処理ステージ9の中心がほぼ一致す
る。
【0017】この状態で搬送ベルト8が下降し、処理ス
テージ9がウエハ1を真空吸着した後、ウエハ搬送ライ
ンより若干下方に移動する。
テージ9がウエハ1を真空吸着した後、ウエハ搬送ライ
ンより若干下方に移動する。
【0018】光源12の不図示のシャッターの作動によ
り露光光の照射が開始されステージが回転することによ
りウエハ1の周辺部に所定の露光が行われる。
り露光光の照射が開始されステージが回転することによ
りウエハ1の周辺部に所定の露光が行われる。
【0019】ウエハ周辺部の所定の露光が終了すると搬
送ベルト8が上昇し、ウエハ1は再び搬送ベルト8上に
載置され処理ステージ9の真空吸着が解除される。その
後搬送ベルト8がウエハ1を搬送し、アンローダ7’上
に載置固定されたカセット6’内に搬入する。以上で本
実施例のウエハ周辺露光が終了する。
送ベルト8が上昇し、ウエハ1は再び搬送ベルト8上に
載置され処理ステージ9の真空吸着が解除される。その
後搬送ベルト8がウエハ1を搬送し、アンローダ7’上
に載置固定されたカセット6’内に搬入する。以上で本
実施例のウエハ周辺露光が終了する。
【0020】このとき露光光出射端部3cと処理ステー
ジ9との間には10mm以上の間隔があり、ウエハ1の
搬送時に搬送ベルト8が数mm上昇しても露光光出射端
部3cはウエハ搬送の障害となることはない。
ジ9との間には10mm以上の間隔があり、ウエハ1の
搬送時に搬送ベルト8が数mm上昇しても露光光出射端
部3cはウエハ搬送の障害となることはない。
【0021】図2は光学系3の詳細を表す図である。
【0022】ファイバー4から照射された光は絞り3b
を通り、結像光学系3aによりウエハ1上に結像され
る。
を通り、結像光学系3aによりウエハ1上に結像され
る。
【0023】本発明では図2に示すとおり、ファイバー
4の射出部に絞り3bを配置することにより、露光光束
周辺部の照度を高くした。また、絞り3bの形状を図3
に示したとおり、半円状にしてその半円の直線部の像を
ウエハ1の中心に向け、結像させることにより、図4に
示したとおりウエハ1との接する長さを長くした。本発
明を実施した場合の積算露光量は図5(b)に示したよ
うに、周辺露光領域と非露光領域との境界部の露光量は
最も高くなり現像後のレジスト断面は図6のようにな
り、境界部でのウエハ面にほぼ直角な鋭い角度のレジス
ト除去を可能としている。
4の射出部に絞り3bを配置することにより、露光光束
周辺部の照度を高くした。また、絞り3bの形状を図3
に示したとおり、半円状にしてその半円の直線部の像を
ウエハ1の中心に向け、結像させることにより、図4に
示したとおりウエハ1との接する長さを長くした。本発
明を実施した場合の積算露光量は図5(b)に示したよ
うに、周辺露光領域と非露光領域との境界部の露光量は
最も高くなり現像後のレジスト断面は図6のようにな
り、境界部でのウエハ面にほぼ直角な鋭い角度のレジス
ト除去を可能としている。
【0024】図7〜図9は本発明の第2の実施例を表す
図である。図7は絞りの形状を表す図であり3b’は第
2の実施例における絞りの形状の例を表す。
図である。図7は絞りの形状を表す図であり3b’は第
2の実施例における絞りの形状の例を表す。
【0025】図8(a)は絞り3b’を用いてウエハの
周辺露光を実行した際の周辺露光領域と非露光領域の境
界部の露光量を表し、図8(b)はその積算露光量を示
す図である。前記第1の実施例では光源光量の半分を遮
光するため、光源光量のロスが大きかった。本実施例に
おいて、絞りは直線部分を有し、その直線部分をファイ
バー光軸より離し、かつ絞りの中にファイバー光軸が通
るように配置する。これにより、図8に示すように周辺
露光領域と非露光領域の境界部の積算露光量は最大とは
ならないが、従来例と比較すると本発明の境界部での露
光量は十分に高く、シャープなレジスト除去が可能とな
る。絞り3b’を使用した場合は絞り3bを使用した場
合に比べて、露光域内の平均露光量が高くなる利点があ
る。
周辺露光を実行した際の周辺露光領域と非露光領域の境
界部の露光量を表し、図8(b)はその積算露光量を示
す図である。前記第1の実施例では光源光量の半分を遮
光するため、光源光量のロスが大きかった。本実施例に
おいて、絞りは直線部分を有し、その直線部分をファイ
バー光軸より離し、かつ絞りの中にファイバー光軸が通
るように配置する。これにより、図8に示すように周辺
露光領域と非露光領域の境界部の積算露光量は最大とは
ならないが、従来例と比較すると本発明の境界部での露
光量は十分に高く、シャープなレジスト除去が可能とな
る。絞り3b’を使用した場合は絞り3bを使用した場
合に比べて、露光域内の平均露光量が高くなる利点があ
る。
【0026】第1、第2の実施例では周辺露光装置単独
のシステムとして述べたが、周辺露光装置が必要なのは
スピンコーター等によりレジストをウエハに塗布したと
きから現像処理の間でありこの間は、本来は半導体素子
製造の工程においてパターンを露光するための露光装置
により半導体素子製造のための露光工程が重要な工程と
して存在する。そしてこの露光装置は特開平2−309
624号公報にも記載されているようにウエハの中心と
オリエンテーションフラットの位置を合わせるプリアラ
イメント部を持っている。このプリアライメント部には
大きく分けてウエハの外周を押し付けてウエハ中心を合
わせる接触方式とウエハをX、Y、θステージに載置し
て非接触センサーによりウエハ外周を計測しX、Y、θ
ステージの駆動によりプリアライメントを行う非接触方
式が存在する。後者の非接触方式によるプリアライメン
ト機構において第1、第2の実施例のように周辺露光の
ための光源12や投光用光学系3などを設けX、Y、θ
ステージのストロークを十分考慮することにより周辺露
光を行うことが可能である。この場合、もともとプリア
ライメントが必要であるからほぼ露光時間の増加分のみ
で処理が可能となりまた、機構そのものも本来X、Y、
θステージを持つのであるから、スペース、コストアッ
プについても少ない増加で済み非常に有効である。
のシステムとして述べたが、周辺露光装置が必要なのは
スピンコーター等によりレジストをウエハに塗布したと
きから現像処理の間でありこの間は、本来は半導体素子
製造の工程においてパターンを露光するための露光装置
により半導体素子製造のための露光工程が重要な工程と
して存在する。そしてこの露光装置は特開平2−309
624号公報にも記載されているようにウエハの中心と
オリエンテーションフラットの位置を合わせるプリアラ
イメント部を持っている。このプリアライメント部には
大きく分けてウエハの外周を押し付けてウエハ中心を合
わせる接触方式とウエハをX、Y、θステージに載置し
て非接触センサーによりウエハ外周を計測しX、Y、θ
ステージの駆動によりプリアライメントを行う非接触方
式が存在する。後者の非接触方式によるプリアライメン
ト機構において第1、第2の実施例のように周辺露光の
ための光源12や投光用光学系3などを設けX、Y、θ
ステージのストロークを十分考慮することにより周辺露
光を行うことが可能である。この場合、もともとプリア
ライメントが必要であるからほぼ露光時間の増加分のみ
で処理が可能となりまた、機構そのものも本来X、Y、
θステージを持つのであるから、スペース、コストアッ
プについても少ない増加で済み非常に有効である。
【0027】図13は露光装置における周辺露光の実施
方法を表すフローチャートである。まず、ウエハキャリ
アからウエハをロボットハンドによりプリアライメント
部に搬送する(ステップ31)。そこでウエハを概略位
置決めし(ステップ32)、その後第1、第2の実施例
の手段により周辺露光を行う(ステップ33)。次にウ
エハの位置確認を行い(ステップ34)、プリアライメ
ント部からウエハステージへウエハを搬送し(ステップ
35)、マスクのパターンをウエハ上に露光する(ステ
ップ36)。露光後ウエハをウエハキャリアに収納する
(ステップ37)。
方法を表すフローチャートである。まず、ウエハキャリ
アからウエハをロボットハンドによりプリアライメント
部に搬送する(ステップ31)。そこでウエハを概略位
置決めし(ステップ32)、その後第1、第2の実施例
の手段により周辺露光を行う(ステップ33)。次にウ
エハの位置確認を行い(ステップ34)、プリアライメ
ント部からウエハステージへウエハを搬送し(ステップ
35)、マスクのパターンをウエハ上に露光する(ステ
ップ36)。露光後ウエハをウエハキャリアに収納する
(ステップ37)。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ではウエハ
周辺露光装置において露光のための光を出射する部分と
ウエハとの間にウエハ搬送に必要な間隔をあけて、かつ
絞りとウエハのレジスト塗布面とが共役の関係になるよ
うに、ファイバーとウエハの間に絞りを含めた光学系を
配置することにより、従来例のようにファイバーがウエ
ハ搬送の障害となることはなく、よってファイバーをウ
エハ上で離れた位置に移動させる必要がなくなる。従っ
て可動部から発生した塵埃がウエハ上に付着することは
なく、クリーンな状態でのウエハ周辺露光が実現でき
る。
周辺露光装置において露光のための光を出射する部分と
ウエハとの間にウエハ搬送に必要な間隔をあけて、かつ
絞りとウエハのレジスト塗布面とが共役の関係になるよ
うに、ファイバーとウエハの間に絞りを含めた光学系を
配置することにより、従来例のようにファイバーがウエ
ハ搬送の障害となることはなく、よってファイバーをウ
エハ上で離れた位置に移動させる必要がなくなる。従っ
て可動部から発生した塵埃がウエハ上に付着することは
なく、クリーンな状態でのウエハ周辺露光が実現でき
る。
【0029】また、半円状の絞りの直線部分の像をウエ
ハ中心に向けて、その像を周辺露光部と非露光部の境界
に合わせて結像させることにより、現像後のレジストの
断面形状をレジストの破損の危険性の少ない傾斜のきつ
い形状にすることができる。これにより、ウエハ処理工
程中のレジスト破損によるウエハへの異物付着のない周
辺露光が実現され、集積回路製造上の歩留りの低下を防
ぐことができる。
ハ中心に向けて、その像を周辺露光部と非露光部の境界
に合わせて結像させることにより、現像後のレジストの
断面形状をレジストの破損の危険性の少ない傾斜のきつ
い形状にすることができる。これにより、ウエハ処理工
程中のレジスト破損によるウエハへの異物付着のない周
辺露光が実現され、集積回路製造上の歩留りの低下を防
ぐことができる。
【図1】 本発明を従来したウエハ周辺露光装置の主要
部の概略構成図である。
部の概略構成図である。
【図2】 絞りを含む結像光学系の構成図である。
【図3】 絞りの形状を表す平面図である。
【図4】 ウエハ周縁部上での露光状態の説明図であ
る。
る。
【図5】 (a)は本発明を実施したときの照度とウエ
ハエッジからの距離の関係を表すグラフであり、(b)
はその積算露光量を表すグラフである。
ハエッジからの距離の関係を表すグラフであり、(b)
はその積算露光量を表すグラフである。
【図6】 本実施例によるレジストの断面図である。
【図7】 第2の実施例に係る絞りの形状を示す平面図
である。
である。
【図8】 (a)は第2の実施例による照度とウエハエ
ッジからの距離の関係を表すグラフであり、(b)はそ
の積算露光量を表すグラフである。
ッジからの距離の関係を表すグラフであり、(b)はそ
の積算露光量を表すグラフである。
【図9】 第2の実施例におけるウエハ周縁上での露光
状態の説明図である。
状態の説明図である。
【図10】 従来技術に係るウエハ周縁上での露光状態
の説明図である。
の説明図である。
【図11】 従来技術に係る積算露光とエッジからの距
離の関係の説明図である。
離の関係の説明図である。
【図12】 従来技術によるレジストの断面図である。
【図13】 本発明に係る露光装置における周辺露光方
法を示すフローチャートである。
法を示すフローチャートである。
1;ウエハ、2;カセット、3;光学系、3a;レン
ズ、3b;絞り、3c;露光光射出端部、4;ファイバ
ー、6;ローダー、6’;アンローダー、7;ローダー
駆動部、7’;アンローダー駆動部、8;搬送ベルト、
9;処理ステージ、10;ウエハ中心出しアーム、10
a;アームの側壁、11;コントローラー、12;光
源、13;装置架台。
ズ、3b;絞り、3c;露光光射出端部、4;ファイバ
ー、6;ローダー、6’;アンローダー、7;ローダー
駆動部、7’;アンローダー駆動部、8;搬送ベルト、
9;処理ステージ、10;ウエハ中心出しアーム、10
a;アームの側壁、11;コントローラー、12;光
源、13;装置架台。
Claims (4)
- 【請求項1】 レジストを塗布したウエハを露光するた
めの光学系と該光学系内に組み込まれた絞りとを具備
し、前記光学系の光射出端部とウエハとの間にウエハ搬
送に必要な間隔を設けかつ絞りとウエハのレジスト塗布
面とが共役の関係になるように光学系を配置し、前記絞
りの形状は直線部分を有し、この直線部分側をウエハの
中心側に向けて配置し、絞りの直線部分の像をウエハ周
辺部側の露光領域とウエハ内部側の非露光領域の境界上
に形成したことを特徴とする周辺露光装置。 - 【請求項2】 前記絞りの形状は、実質上円形の一部を
直線状に切欠いた形状であることを特徴とする請求項1
の周辺露光装置。 - 【請求項3】 前記絞りの形状は、半円形状であること
を特徴とする請求項2の周辺露光装置。 - 【請求項4】 前記絞りの形状は、円の中心側を残して
円弧の一部を切欠いた部分円形状であることを特徴とす
る請求項2の周辺露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4061692A JPH05217885A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4061692A JPH05217885A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 周辺露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05217885A true JPH05217885A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12585464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4061692A Pending JPH05217885A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 周辺露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05217885A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020094128A (ko) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | (주)쎄미옵틱스 코퍼레이션 | 반도체 웨이퍼 주변 노광용 장치 및 방법 |
JP2012114191A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 周辺露光装置及びその方法 |
CN101877306B (zh) * | 2009-04-30 | 2014-12-17 | 海力士半导体有限公司 | 通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法 |
KR20160039545A (ko) * | 2014-10-01 | 2016-04-11 | 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 | 주변 노광 장치용의 광 조사 장치 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4061692A patent/JPH05217885A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020094128A (ko) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | (주)쎄미옵틱스 코퍼레이션 | 반도체 웨이퍼 주변 노광용 장치 및 방법 |
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CN105487340A (zh) * | 2014-10-01 | 2016-04-13 | 豪雅冠得股份有限公司 | 用于周边曝光装置的光照射装置 |
JP2016072543A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | 周辺露光装置用の光照射装置 |
TWI596443B (zh) * | 2014-10-01 | 2017-08-21 | 豪雅冠得光電股份有限公司 | 用於周邊曝光裝置的光照射裝置 |
CN105487340B (zh) * | 2014-10-01 | 2018-03-23 | 豪雅冠得股份有限公司 | 用于周边曝光装置的光照射装置 |
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