JP2881362B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2881362B2 JP2881362B2 JP5023270A JP2327093A JP2881362B2 JP 2881362 B2 JP2881362 B2 JP 2881362B2 JP 5023270 A JP5023270 A JP 5023270A JP 2327093 A JP2327093 A JP 2327093A JP 2881362 B2 JP2881362 B2 JP 2881362B2
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- gas
- peripheral portion
- light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行われている。上記し
たウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合には、
一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト液を
滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した液を
遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用いら
れている。
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行われている。上記し
たウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合には、
一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト液を
滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した液を
遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用いら
れている。
【0003】ところで、上述したスピナー法でフォトレ
ジスト膜を形成するとウエハ表面全面に渡ってフォトレ
ジスト膜が形成されてしまうが、後工程におけるウエハ
搬送中のハンドリング等においてウエハ周縁部に形成さ
れたフォトレジスト膜が機械的に破壊されたりしてパー
テイクルとして飛散し、歩留まりを低下させる可能性が
ある。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジス
ト膜を予め除去することが行われている。
ジスト膜を形成するとウエハ表面全面に渡ってフォトレ
ジスト膜が形成されてしまうが、後工程におけるウエハ
搬送中のハンドリング等においてウエハ周縁部に形成さ
れたフォトレジスト膜が機械的に破壊されたりしてパー
テイクルとして飛散し、歩留まりを低下させる可能性が
ある。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジス
ト膜を予め除去することが行われている。
【0004】ウエハ周縁部のフォトレジスト膜を除去す
る装置としては、例えば特開昭58−159535号公
報、特開昭59−138335号公報、特開昭59−1
58520号公報、特開昭61−73330号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜に光例えば紫外線を照射して
これを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去する
ことが行われている。
る装置としては、例えば特開昭58−159535号公
報、特開昭59−138335号公報、特開昭59−1
58520号公報、特開昭61−73330号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜に光例えば紫外線を照射して
これを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去する
ことが行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射
した際に、光エネルギによる急激な温度上昇或いは紫外
線に起因する化学反応等が原因でレジスト膜内に気泡が
発生し、これがレジスト膜の表面を突き破る時にレジス
トのパーティクルが飛散してしまう場合があった。この
ような飛散したパーティクルがウエハ表面に付着すると
ウエハの現像処理の際に現像残りとなって歩留まり低下
の原因となっていた。そこで、照射する光のエネルギを
気泡が発生しない程度まで低下させることも考えられる
が、この場合には光を照射する時間がかなり長くなって
しまい、スループットの低下の原因となり、採用するこ
とはできない。
た従来の露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射
した際に、光エネルギによる急激な温度上昇或いは紫外
線に起因する化学反応等が原因でレジスト膜内に気泡が
発生し、これがレジスト膜の表面を突き破る時にレジス
トのパーティクルが飛散してしまう場合があった。この
ような飛散したパーティクルがウエハ表面に付着すると
ウエハの現像処理の際に現像残りとなって歩留まり低下
の原因となっていた。そこで、照射する光のエネルギを
気泡が発生しない程度まで低下させることも考えられる
が、この場合には光を照射する時間がかなり長くなって
しまい、スループットの低下の原因となり、採用するこ
とはできない。
【0006】そこで、本発明者は特開平2−19461
9号公報において露光手段の近傍に排気手段を設け、露
光時に飛散したパーティクルを上記排気手段により吸引
除去するようにした装置を提案した。しかしながら、こ
の装置によれば、飛散したパーティクルをある程度は吸
引除去することができるが、十分にはパーティクルを除
去することができないことが判明した。本発明は、以上
のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案
されたものである。本発明の目的は、飛散したパーティ
クルを確実に除去することができる露光装置を提供する
ことにある。
9号公報において露光手段の近傍に排気手段を設け、露
光時に飛散したパーティクルを上記排気手段により吸引
除去するようにした装置を提案した。しかしながら、こ
の装置によれば、飛散したパーティクルをある程度は吸
引除去することができるが、十分にはパーティクルを除
去することができないことが判明した。本発明は、以上
のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案
されたものである。本発明の目的は、飛散したパーティ
クルを確実に除去することができる露光装置を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、処理膜の形成された被処理体の周縁部
に光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置
において、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段
と、前記露光手段からの光によって露光される露光部に
向けて前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガス
を吹き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた
不活性ガスを排気する排気手段とを備えるようにしたも
のである。
解決するために、処理膜の形成された被処理体の周縁部
に光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置
において、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段
と、前記露光手段からの光によって露光される露光部に
向けて前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガス
を吹き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた
不活性ガスを排気する排気手段とを備えるようにしたも
のである。
【0008】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、露光手
段により被処理体の周縁部の処理膜が露光されるとき発
生する気体が膜表面を突き破ってパーティクルが発生す
る場合でも、ガス吹き付け手段により露光部には不活性
ガスが被処理体の外方へ吹き付けられているので発生し
たパーティクルはこのガス流によって搬送され、排気手
段により吸引されて系外へ排除されることになる。
段により被処理体の周縁部の処理膜が露光されるとき発
生する気体が膜表面を突き破ってパーティクルが発生す
る場合でも、ガス吹き付け手段により露光部には不活性
ガスが被処理体の外方へ吹き付けられているので発生し
たパーティクルはこのガス流によって搬送され、排気手
段により吸引されて系外へ排除されることになる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明に係る露光装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の露光装置
の一実施例を示す構成図、図2は図1に示す露光装置の
主要部を示す斜視図、図3は図2に示す主要部の断面
図、図4は本発明の露光装置の動作を説明するための動
作説明図、図5は被処理体を示す平面図である。図示す
るように、この露光装置2は周囲が図示されない筐体に
より囲まれており、内部には被処理体、例えば半導体ウ
エハWを吸着保持するために上面が平板状になされた円
板状のスピンチャック4が設けられている。このスピン
チャック4の中央部には、図示されない真空装置に接続
された真空吸着孔6が設けられており、ウエハWを吸着
保持し得るように構成される。
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の露光装置
の一実施例を示す構成図、図2は図1に示す露光装置の
主要部を示す斜視図、図3は図2に示す主要部の断面
図、図4は本発明の露光装置の動作を説明するための動
作説明図、図5は被処理体を示す平面図である。図示す
るように、この露光装置2は周囲が図示されない筐体に
より囲まれており、内部には被処理体、例えば半導体ウ
エハWを吸着保持するために上面が平板状になされた円
板状のスピンチャック4が設けられている。このスピン
チャック4の中央部には、図示されない真空装置に接続
された真空吸着孔6が設けられており、ウエハWを吸着
保持し得るように構成される。
【0010】また、このスピンチャック4の下端部に
は、回転機構、例えばスピンモータ8が連結されてお
り、必要に応じてスピンチャック4を回転し得るように
構成されている。そして、このスピンモータ8は、図示
しない例えば水平垂直移動機構上に設けられており、ス
ピンチャック4自体を水平(X、Y)方向及び垂直
(Z)方向へ移動可能としている。
は、回転機構、例えばスピンモータ8が連結されてお
り、必要に応じてスピンチャック4を回転し得るように
構成されている。そして、このスピンモータ8は、図示
しない例えば水平垂直移動機構上に設けられており、ス
ピンチャック4自体を水平(X、Y)方向及び垂直
(Z)方向へ移動可能としている。
【0011】そして、上記スピンチャック4により吸着
保持されたウエハWの周縁部10の上方には、この周縁
部10を露光するための露光手段12が設けられてい
る。この露光手段12は、例えば光ガラス等よりなる光
射出部14を有し、この光射出部14には、例えば光フ
ァイバ等よりなる光通路16が接続されており、例えば
水銀ランプやキセノンランプ等よりなる光源18から
光、例えば紫外線を上記光射出部14まで伝搬してこれ
よりウエハWの周縁部に向けて照射し得るように構成さ
れている。
保持されたウエハWの周縁部10の上方には、この周縁
部10を露光するための露光手段12が設けられてい
る。この露光手段12は、例えば光ガラス等よりなる光
射出部14を有し、この光射出部14には、例えば光フ
ァイバ等よりなる光通路16が接続されており、例えば
水銀ランプやキセノンランプ等よりなる光源18から
光、例えば紫外線を上記光射出部14まで伝搬してこれ
よりウエハWの周縁部に向けて照射し得るように構成さ
れている。
【0012】また、この光照射部14は図示しない筐体
に一端が固定されて他端がスピンチャック4の中心方向
へ延在された第1の直線移動機構20に取り付け部材2
2を介して取り付けられており、この移動機構20の例
えばボールネジ24を駆動することにより光照射部14
をウエハWの半径方向(中心方向)へ移動し得るように
なっている。そして、このボールネジ24の端部には、
これに回転力を伝えるための例えばパルス制御されるス
テッピングモータ26が連結されている。
に一端が固定されて他端がスピンチャック4の中心方向
へ延在された第1の直線移動機構20に取り付け部材2
2を介して取り付けられており、この移動機構20の例
えばボールネジ24を駆動することにより光照射部14
をウエハWの半径方向(中心方向)へ移動し得るように
なっている。そして、このボールネジ24の端部には、
これに回転力を伝えるための例えばパルス制御されるス
テッピングモータ26が連結されている。
【0013】更に、スピンチャック4に吸着保持された
ウエハWの周縁部10の上方には、上記露光手段12と
並設させて本発明の特長とするガス吹き付け手段28が
取り付けられている。具体的には、このガス吹き付け手
段28は、上記取り付け部材22に連結された噴射ノズ
ル30(例えば、ノズル内径1〜2mm)を有してお
り、そのノズル先端30Aはウエハ周縁部である露光部
に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付ける
ようになっている。特に、上記ノズル30は、取り付け
部材22に対してウエハW乃至スピンチャック4の半径
方向(中心方向)の内側に設けられており、ガス吹き付
け時には、ウエハWの内側(中心側)からこの半径方向
外側に向けて下向き傾斜(例えば噴射流中心部の角度
が、ウエハW面に対して15〜30度)で不活性ガスを
吹き付けるように構成されている。
ウエハWの周縁部10の上方には、上記露光手段12と
並設させて本発明の特長とするガス吹き付け手段28が
取り付けられている。具体的には、このガス吹き付け手
段28は、上記取り付け部材22に連結された噴射ノズ
ル30(例えば、ノズル内径1〜2mm)を有してお
り、そのノズル先端30Aはウエハ周縁部である露光部
に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付ける
ようになっている。特に、上記ノズル30は、取り付け
部材22に対してウエハW乃至スピンチャック4の半径
方向(中心方向)の内側に設けられており、ガス吹き付
け時には、ウエハWの内側(中心側)からこの半径方向
外側に向けて下向き傾斜(例えば噴射流中心部の角度
が、ウエハW面に対して15〜30度)で不活性ガスを
吹き付けるように構成されている。
【0014】そして、この噴射ノズル30には、ガス供
給通路32を介して不活性ガスとして例えばN2 (窒
素)ガスが充填されたガス源34が接続されると共にこ
のガス供給通路32の途中には流量調整弁36が介設さ
れており、所望する流量の不活性ガスを噴射ノズル30
に向けて供給するようになっている。
給通路32を介して不活性ガスとして例えばN2 (窒
素)ガスが充填されたガス源34が接続されると共にこ
のガス供給通路32の途中には流量調整弁36が介設さ
れており、所望する流量の不活性ガスを噴射ノズル30
に向けて供給するようになっている。
【0015】また、露光手段12の僅かに下方であっ
て、保持されたウエハWの側方には、上記噴射ノズル3
0から吹き付けられた不活性ガスを排気するための排気
手段38が設けられる。具体的には、この排気手段38
は、ウエハWの表面か、それより僅かに上方に位置され
て上記噴射ノズル30に対向させて設けられた排気ノズ
ル40(例えば、ノズル開口部が20mm×40mm)
を有しており、この排気ノズル40は、排気通路42を
介して排気ポンプ44へ接続されている。従って、この
排気ポンプ44を駆動することにより、上記噴射ノズル
30から吹き出された不活性ガスは、ウエハ周縁部と接
触した後、効率的にこの排気ノズル40へ吸引導入され
るように構成されている。
て、保持されたウエハWの側方には、上記噴射ノズル3
0から吹き付けられた不活性ガスを排気するための排気
手段38が設けられる。具体的には、この排気手段38
は、ウエハWの表面か、それより僅かに上方に位置され
て上記噴射ノズル30に対向させて設けられた排気ノズ
ル40(例えば、ノズル開口部が20mm×40mm)
を有しており、この排気ノズル40は、排気通路42を
介して排気ポンプ44へ接続されている。従って、この
排気ポンプ44を駆動することにより、上記噴射ノズル
30から吹き出された不活性ガスは、ウエハ周縁部と接
触した後、効率的にこの排気ノズル40へ吸引導入され
るように構成されている。
【0016】上記排気ノズル40は、これをウエハの半
径方向へ移動可能とするために第2の直線移動機構46
へ取り付けられており、例えばこのボールネジ48の端
部に設けた駆動部、例えばステップモータ50を駆動す
ることにより排気ノズル40を所望の位置に設置し得る
ように構成されている。尚、上記排気ノズル40は、開
口部が円形、台形その他の形状でも良い。
径方向へ移動可能とするために第2の直線移動機構46
へ取り付けられており、例えばこのボールネジ48の端
部に設けた駆動部、例えばステップモータ50を駆動す
ることにより排気ノズル40を所望の位置に設置し得る
ように構成されている。尚、上記排気ノズル40は、開
口部が円形、台形その他の形状でも良い。
【0017】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。このウエハ周縁部の露光操作
は、ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であって現
像処理前であればどの工程で行っても良く、例えばレジ
スト膜の密着性を良好にするプリベーク処理の前工程
や、マスクパターン処理の前後工程、或いは現像工程の
直前の工程で行ってもよい。
動作について説明する。このウエハ周縁部の露光操作
は、ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であって現
像処理前であればどの工程で行っても良く、例えばレジ
スト膜の密着性を良好にするプリベーク処理の前工程
や、マスクパターン処理の前後工程、或いは現像工程の
直前の工程で行ってもよい。
【0018】まず、図示しないハンドリングアームによ
り、処理膜、例えばフォトレジスト膜が塗布形成された
ウエハWを搬入し、これを上昇させたスピンチャック4
に受け渡す。この時、ウエハWの中心はスピンチャック
4の回転中心に図示しない位置合わせ手段により位置合
わせされた状態でチャック4上に載置され、真空吸着孔
6の吸引力により吸着保持される。
り、処理膜、例えばフォトレジスト膜が塗布形成された
ウエハWを搬入し、これを上昇させたスピンチャック4
に受け渡す。この時、ウエハWの中心はスピンチャック
4の回転中心に図示しない位置合わせ手段により位置合
わせされた状態でチャック4上に載置され、真空吸着孔
6の吸引力により吸着保持される。
【0019】そして、露光手段12を移動可能に保持す
る第1の直線移動機構20を駆動することにより光照射
部14をウエハWの周縁部10の真上に位置させる。こ
の場合、ウエハ表面と光照射部14との間の距離L1
は、これらが接触しない範囲で干渉による影響が最も少
なくなるように、例えば0.5〜1.0mm程度に設定
する。この状態でスピンモータ8を回転駆動することに
よりウエハWを1〜2回転すると共に光源18を作動さ
せて発生した光、例えば紫外線Vを光照射部14からウ
エハ周縁部10に向けて照射し、この部分における処理
膜であるフォトレジスト膜52を周縁部10に沿って露
光する。この時、レジスト膜52の周縁部が露光される
幅L2は、ウエハのハンドリング時に接触して剥離する
恐れのある幅、例えば3〜5mm程度に設定される。ウ
エハの回転時には、ウエハWのオリフラに対応する部分
を露光する時に図示しない移動機構によりスピンチャッ
ク4自体を水平面内に移動させることによりウエハWの
周縁部10を正確に露光させる。ここで周縁部10の露
光されたウエハWの平面図は図5に示される。
る第1の直線移動機構20を駆動することにより光照射
部14をウエハWの周縁部10の真上に位置させる。こ
の場合、ウエハ表面と光照射部14との間の距離L1
は、これらが接触しない範囲で干渉による影響が最も少
なくなるように、例えば0.5〜1.0mm程度に設定
する。この状態でスピンモータ8を回転駆動することに
よりウエハWを1〜2回転すると共に光源18を作動さ
せて発生した光、例えば紫外線Vを光照射部14からウ
エハ周縁部10に向けて照射し、この部分における処理
膜であるフォトレジスト膜52を周縁部10に沿って露
光する。この時、レジスト膜52の周縁部が露光される
幅L2は、ウエハのハンドリング時に接触して剥離する
恐れのある幅、例えば3〜5mm程度に設定される。ウ
エハの回転時には、ウエハWのオリフラに対応する部分
を露光する時に図示しない移動機構によりスピンチャッ
ク4自体を水平面内に移動させることによりウエハWの
周縁部10を正確に露光させる。ここで周縁部10の露
光されたウエハWの平面図は図5に示される。
【0020】そして、この露光操作と同時にガス吹き付
け手段28を駆動してガス源34からの不活性ガス、例
えば窒素ガスを噴射ノズル30から周縁部11に向けて
吹き付けると共に排気手段38を駆動して周縁部近傍の
雰囲気を排気ノズル40から排気量10リットル/mi
n程度で排出する。この周縁露光に際しては、図3及び
図4にも示すように強力な紫外線Vが照射されたウエハ
周縁部のレジスト部分から温度上昇や化学反応等に起因
して溶剤等が気化して気泡54が発生し、この気泡54
がレジスト表面を突き破ってパーティクル56となって
飛散することになる。しかしながら、本実施例にあって
は、噴射ノズル30からN2 ガス56が強力に噴射され
ていることから、飛散した上記パーティクル56はこの
ガス流により強制的にウエハの外側へ搬送されて排気ノ
ズル40内へトラップされることになる。この場合、噴
射ノズル30は光照射部14に対してウエハの半径方向
内側に位置させているので、N2 ガス57はウエハの半
径方向の内側より外側に向けて噴射されることになり、
従って、発生したパーティクル56は確実にウエハ周縁
部10より外側へ搬送されてその外側に位置する排気ノ
ズル40にトラップされることになる。特に、排気ノズ
ル40はN2 ガスの流れ方向下流側に位置されているの
でパーティクルのトラップは確実に行われる。
け手段28を駆動してガス源34からの不活性ガス、例
えば窒素ガスを噴射ノズル30から周縁部11に向けて
吹き付けると共に排気手段38を駆動して周縁部近傍の
雰囲気を排気ノズル40から排気量10リットル/mi
n程度で排出する。この周縁露光に際しては、図3及び
図4にも示すように強力な紫外線Vが照射されたウエハ
周縁部のレジスト部分から温度上昇や化学反応等に起因
して溶剤等が気化して気泡54が発生し、この気泡54
がレジスト表面を突き破ってパーティクル56となって
飛散することになる。しかしながら、本実施例にあって
は、噴射ノズル30からN2 ガス56が強力に噴射され
ていることから、飛散した上記パーティクル56はこの
ガス流により強制的にウエハの外側へ搬送されて排気ノ
ズル40内へトラップされることになる。この場合、噴
射ノズル30は光照射部14に対してウエハの半径方向
内側に位置させているので、N2 ガス57はウエハの半
径方向の内側より外側に向けて噴射されることになり、
従って、発生したパーティクル56は確実にウエハ周縁
部10より外側へ搬送されてその外側に位置する排気ノ
ズル40にトラップされることになる。特に、排気ノズ
ル40はN2 ガスの流れ方向下流側に位置されているの
でパーティクルのトラップは確実に行われる。
【0021】このため、飛散したパーティクル56がウ
エハ面内に舞い戻ってこれに付着することを確実に防止
することができる。この時のN2 ガス57の流量は、光
照射部14からの光強度にもよるが、例えば8リットル
/min程度に設定する。尚、排気ノズル40の位置
は、これを支持する第2の直線移動機構46を駆動する
ことにより適正に制御できる。
エハ面内に舞い戻ってこれに付着することを確実に防止
することができる。この時のN2 ガス57の流量は、光
照射部14からの光強度にもよるが、例えば8リットル
/min程度に設定する。尚、排気ノズル40の位置
は、これを支持する第2の直線移動機構46を駆動する
ことにより適正に制御できる。
【0022】また、N2 ガス56を噴射することにより
冷却効果によりウエハ周縁部のレジスト膜の温度上昇が
抑制され、この結果、発生する気泡54及びパーティク
ル56の量自体も抑制することができ、ウエハ面内にパ
ーティクルが付着する可能性を一層抑制することが可能
となる。
冷却効果によりウエハ周縁部のレジスト膜の温度上昇が
抑制され、この結果、発生する気泡54及びパーティク
ル56の量自体も抑制することができ、ウエハ面内にパ
ーティクルが付着する可能性を一層抑制することが可能
となる。
【0023】このように、本実施例においては、ウエハ
周辺露光時の光強度を大きくして発泡現象及びこれに伴
うパーティクルが発生しても、ウエハWの内側から外側
へ向かうN2 ガス流によってパーティクル56を搬送
し、これを排気ノズル40によって確実にトラップする
ことが可能となる。従って、スループットを低下させる
ことなく歩留まりを向上させることが可能となる。
周辺露光時の光強度を大きくして発泡現象及びこれに伴
うパーティクルが発生しても、ウエハWの内側から外側
へ向かうN2 ガス流によってパーティクル56を搬送
し、これを排気ノズル40によって確実にトラップする
ことが可能となる。従って、スループットを低下させる
ことなく歩留まりを向上させることが可能となる。
【0024】また、ウエハWのサイズが異なる場合に
は、第1及び第2の直線移動機構20、46を駆動する
ことにより、光照射部14及び排気ノズル40の位置を
制御することができる。
は、第1及び第2の直線移動機構20、46を駆動する
ことにより、光照射部14及び排気ノズル40の位置を
制御することができる。
【0025】尚、上記実施例においては、露光手段12
の側部、すなわち、ウエハWの半径方向外方に位置する
ように排気ノズル40を設けたが、これに限定されず、
例えば図6に示すように露光手段12の光照射部14を
これより所定の間隙だけ隔てて中空円筒体58により同
軸状に囲み、排気ノズル60を形成するようにしてもよ
い。そして、この中空円筒体58は、図1にて示したと
同様に排気通路42に接続されている。この場合には、
円筒体58の先端開口部とこの中心に位置される光照射
部14の下端部との間に形成されるリング状のノズル口
62からウエハ周縁部の雰囲気を吸引排気することにな
る。尚、円筒体58の下端部分のウエハ外側部分は、フ
ード部を垂下して設けてもよい。
の側部、すなわち、ウエハWの半径方向外方に位置する
ように排気ノズル40を設けたが、これに限定されず、
例えば図6に示すように露光手段12の光照射部14を
これより所定の間隙だけ隔てて中空円筒体58により同
軸状に囲み、排気ノズル60を形成するようにしてもよ
い。そして、この中空円筒体58は、図1にて示したと
同様に排気通路42に接続されている。この場合には、
円筒体58の先端開口部とこの中心に位置される光照射
部14の下端部との間に形成されるリング状のノズル口
62からウエハ周縁部の雰囲気を吸引排気することにな
る。尚、円筒体58の下端部分のウエハ外側部分は、フ
ード部を垂下して設けてもよい。
【0026】また、上記実施例においては、不活性ガス
としてN2 ガスを用いたが、これに限定されず、例えば
CO2 ガスやArガスを用いるようにしてもよい。更に
は、被処理体としては半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、これに限定されず、LCD基板、円板状
フロッピディスクへの磁性材のスピンコーティング等に
も適用し得るのは勿論である。更に、上記実施例におい
ては、ウエハWの上面周辺部分を露光する場合について
説明したが、ウエハWの周縁部分10Aを露光する場合
にも適用が可能である。また、上記露光手段12等を2
組以上設けてもよい。
としてN2 ガスを用いたが、これに限定されず、例えば
CO2 ガスやArガスを用いるようにしてもよい。更に
は、被処理体としては半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、これに限定されず、LCD基板、円板状
フロッピディスクへの磁性材のスピンコーティング等に
も適用し得るのは勿論である。更に、上記実施例におい
ては、ウエハWの上面周辺部分を露光する場合について
説明したが、ウエハWの周縁部分10Aを露光する場合
にも適用が可能である。また、上記露光手段12等を2
組以上設けてもよい。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。被処理体の内側から外側に向かう不活性ガスに
より、処理膜上に発生したパーティクルを排除するよう
にしたので、スループットを低下させることなく歩留ま
りを大幅に向上させることができる。また、噴出される
不活性ガスの冷却作用により処理膜の温度上昇を抑制で
きるので、処理膜内の気泡の発生を抑制でき、従って、
パーティクルの発生自体も抑制できるので歩留まりを一
層向上させることができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。被処理体の内側から外側に向かう不活性ガスに
より、処理膜上に発生したパーティクルを排除するよう
にしたので、スループットを低下させることなく歩留ま
りを大幅に向上させることができる。また、噴出される
不活性ガスの冷却作用により処理膜の温度上昇を抑制で
きるので、処理膜内の気泡の発生を抑制でき、従って、
パーティクルの発生自体も抑制できるので歩留まりを一
層向上させることができる。
【図1】本発明の露光装置の一実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図2】図1に示す露光装置の主要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図3】図2に示す露光装置の主要部の断面図である。
【図4】本発明の露光装置の動作を説明するための動作
説明図である。
説明図である。
【図5】周辺露光された被処理体を示す平面図である。
【図6】本発明の露光装置の他の実施例の要部を示す拡
大断面図である。
大断面図である。
2 露光装置 4 スピンチャック 10 周縁部 12 露光手段 28 ガス吹き付け手段 30 噴射ノズル 34 ガス源 38 排気手段 40 排気ノズル 52 フォトレジスト膜(処理膜) 54 気泡 56 N2 ガス(不活性ガス) V 紫外線 W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項1】 処理膜の形成された被処理体の周縁部に
光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置に
おいて、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段と、
前記露光手段からの光によって露光される露光部に向け
て前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガスを吹
き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた不活
性ガスを排気する排気手段とを備えたことを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5023270A JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5023270A JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216025A JPH06216025A (ja) | 1994-08-05 |
JP2881362B2 true JP2881362B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12105918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5023270A Expired - Fee Related JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2881362B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3678144B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
WO2003030229A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nikon Corporation | Aligneur et procede de fabrication du dispositif |
KR100518788B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2005-10-05 | 삼성전자주식회사 | 감광액 도포 스핀 코팅 장치 |
JP5327135B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2013-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5023270A patent/JP2881362B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06216025A (ja) | 1994-08-05 |
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