JP2881362B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2881362B2 JP2881362B2 JP5023270A JP2327093A JP2881362B2 JP 2881362 B2 JP2881362 B2 JP 2881362B2 JP 5023270 A JP5023270 A JP 5023270A JP 2327093 A JP2327093 A JP 2327093A JP 2881362 B2 JP2881362 B2 JP 2881362B2
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- gas
- peripheral portion
- light
- exposure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行われている。上記し
たウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合には、
一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト液を
滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した液を
遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用いら
れている。
導体ウエハの表面にフォトレジスト膜を形成し、このフ
ォトレジスト膜にフォトリソグラフィ技術によりマスク
の微細な回路パターンを転写し、これを現像後エッチン
グ等により微細加工を施すことが行われている。上記し
たウエハ表面にフォトレジスト膜を形成する場合には、
一般的にはウエハ表面の中央部分にフォトレジスト液を
滴下し、ウエハを高速回転することにより滴下した液を
遠心力によって全面に拡散塗布するスピナー法が用いら
れている。
【０００３】ところで、上述したスピナー法でフォトレ
ジスト膜を形成するとウエハ表面全面に渡ってフォトレ
ジスト膜が形成されてしまうが、後工程におけるウエハ
搬送中のハンドリング等においてウエハ周縁部に形成さ
れたフォトレジスト膜が機械的に破壊されたりしてパー
テイクルとして飛散し、歩留まりを低下させる可能性が
ある。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジス
ト膜を予め除去することが行われている。
ジスト膜を形成するとウエハ表面全面に渡ってフォトレ
ジスト膜が形成されてしまうが、後工程におけるウエハ
搬送中のハンドリング等においてウエハ周縁部に形成さ
れたフォトレジスト膜が機械的に破壊されたりしてパー
テイクルとして飛散し、歩留まりを低下させる可能性が
ある。従って、このようなウエハ周縁部のフォトレジス
ト膜を予め除去することが行われている。
【０００４】ウエハ周縁部のフォトレジスト膜を除去す
る装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５号公
報、特開昭５９−１３８３３５号公報、特開昭５９−１
５８５２０号公報、特開昭６１−７３３３０号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜に光例えば紫外線を照射して
これを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去する
ことが行われている。
る装置としては、例えば特開昭５８−１５９５３５号公
報、特開昭５９−１３８３３５号公報、特開昭５９−１
５８５２０号公報、特開昭６１−７３３３０号公報等に
開示されているように、ウエハを回転させながらウエハ
周縁部のフォトレジスト膜に光例えば紫外線を照射して
これを露光し、現像時に周縁部のレジスト膜を除去する
ことが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射
した際に、光エネルギによる急激な温度上昇或いは紫外
線に起因する化学反応等が原因でレジスト膜内に気泡が
発生し、これがレジスト膜の表面を突き破る時にレジス
トのパーティクルが飛散してしまう場合があった。この
ような飛散したパーティクルがウエハ表面に付着すると
ウエハの現像処理の際に現像残りとなって歩留まり低下
の原因となっていた。そこで、照射する光のエネルギを
気泡が発生しない程度まで低下させることも考えられる
が、この場合には光を照射する時間がかなり長くなって
しまい、スループットの低下の原因となり、採用するこ
とはできない。
た従来の露光装置にあっては、ウエハ周縁部に光を照射
した際に、光エネルギによる急激な温度上昇或いは紫外
線に起因する化学反応等が原因でレジスト膜内に気泡が
発生し、これがレジスト膜の表面を突き破る時にレジス
トのパーティクルが飛散してしまう場合があった。この
ような飛散したパーティクルがウエハ表面に付着すると
ウエハの現像処理の際に現像残りとなって歩留まり低下
の原因となっていた。そこで、照射する光のエネルギを
気泡が発生しない程度まで低下させることも考えられる
が、この場合には光を照射する時間がかなり長くなって
しまい、スループットの低下の原因となり、採用するこ
とはできない。
【０００６】そこで、本発明者は特開平２−１９４６１
９号公報において露光手段の近傍に排気手段を設け、露
光時に飛散したパーティクルを上記排気手段により吸引
除去するようにした装置を提案した。しかしながら、こ
の装置によれば、飛散したパーティクルをある程度は吸
引除去することができるが、十分にはパーティクルを除
去することができないことが判明した。本発明は、以上
のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案
されたものである。本発明の目的は、飛散したパーティ
クルを確実に除去することができる露光装置を提供する
ことにある。
９号公報において露光手段の近傍に排気手段を設け、露
光時に飛散したパーティクルを上記排気手段により吸引
除去するようにした装置を提案した。しかしながら、こ
の装置によれば、飛散したパーティクルをある程度は吸
引除去することができるが、十分にはパーティクルを除
去することができないことが判明した。本発明は、以上
のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案
されたものである。本発明の目的は、飛散したパーティ
クルを確実に除去することができる露光装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、処理膜の形成された被処理体の周縁部
に光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置
において、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段
と、前記露光手段からの光によって露光される露光部に
向けて前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガス
を吹き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた
不活性ガスを排気する排気手段とを備えるようにしたも
のである。
解決するために、処理膜の形成された被処理体の周縁部
に光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置
において、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段
と、前記露光手段からの光によって露光される露光部に
向けて前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガス
を吹き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた
不活性ガスを排気する排気手段とを備えるようにしたも
のである。
【０００８】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、露光手
段により被処理体の周縁部の処理膜が露光されるとき発
生する気体が膜表面を突き破ってパーティクルが発生す
る場合でも、ガス吹き付け手段により露光部には不活性
ガスが被処理体の外方へ吹き付けられているので発生し
たパーティクルはこのガス流によって搬送され、排気手
段により吸引されて系外へ排除されることになる。
段により被処理体の周縁部の処理膜が露光されるとき発
生する気体が膜表面を突き破ってパーティクルが発生す
る場合でも、ガス吹き付け手段により露光部には不活性
ガスが被処理体の外方へ吹き付けられているので発生し
たパーティクルはこのガス流によって搬送され、排気手
段により吸引されて系外へ排除されることになる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係る露光装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の露光装置
の一実施例を示す構成図、図２は図１に示す露光装置の
主要部を示す斜視図、図３は図２に示す主要部の断面
図、図４は本発明の露光装置の動作を説明するための動
作説明図、図５は被処理体を示す平面図である。図示す
るように、この露光装置２は周囲が図示されない筐体に
より囲まれており、内部には被処理体、例えば半導体ウ
エハＷを吸着保持するために上面が平板状になされた円
板状のスピンチャック４が設けられている。このスピン
チャック４の中央部には、図示されない真空装置に接続
された真空吸着孔６が設けられており、ウエハＷを吸着
保持し得るように構成される。
添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の露光装置
の一実施例を示す構成図、図２は図１に示す露光装置の
主要部を示す斜視図、図３は図２に示す主要部の断面
図、図４は本発明の露光装置の動作を説明するための動
作説明図、図５は被処理体を示す平面図である。図示す
るように、この露光装置２は周囲が図示されない筐体に
より囲まれており、内部には被処理体、例えば半導体ウ
エハＷを吸着保持するために上面が平板状になされた円
板状のスピンチャック４が設けられている。このスピン
チャック４の中央部には、図示されない真空装置に接続
された真空吸着孔６が設けられており、ウエハＷを吸着
保持し得るように構成される。
【００１０】また、このスピンチャック４の下端部に
は、回転機構、例えばスピンモータ８が連結されてお
り、必要に応じてスピンチャック４を回転し得るように
構成されている。そして、このスピンモータ８は、図示
しない例えば水平垂直移動機構上に設けられており、ス
ピンチャック４自体を水平（Ｘ、Ｙ）方向及び垂直
（Ｚ）方向へ移動可能としている。
は、回転機構、例えばスピンモータ８が連結されてお
り、必要に応じてスピンチャック４を回転し得るように
構成されている。そして、このスピンモータ８は、図示
しない例えば水平垂直移動機構上に設けられており、ス
ピンチャック４自体を水平（Ｘ、Ｙ）方向及び垂直
（Ｚ）方向へ移動可能としている。
【００１１】そして、上記スピンチャック４により吸着
保持されたウエハＷの周縁部１０の上方には、この周縁
部１０を露光するための露光手段１２が設けられてい
る。この露光手段１２は、例えば光ガラス等よりなる光
射出部１４を有し、この光射出部１４には、例えば光フ
ァイバ等よりなる光通路１６が接続されており、例えば
水銀ランプやキセノンランプ等よりなる光源１８から
光、例えば紫外線を上記光射出部１４まで伝搬してこれ
よりウエハＷの周縁部に向けて照射し得るように構成さ
れている。
保持されたウエハＷの周縁部１０の上方には、この周縁
部１０を露光するための露光手段１２が設けられてい
る。この露光手段１２は、例えば光ガラス等よりなる光
射出部１４を有し、この光射出部１４には、例えば光フ
ァイバ等よりなる光通路１６が接続されており、例えば
水銀ランプやキセノンランプ等よりなる光源１８から
光、例えば紫外線を上記光射出部１４まで伝搬してこれ
よりウエハＷの周縁部に向けて照射し得るように構成さ
れている。
【００１２】また、この光照射部１４は図示しない筐体
に一端が固定されて他端がスピンチャック４の中心方向
へ延在された第１の直線移動機構２０に取り付け部材２
２を介して取り付けられており、この移動機構２０の例
えばボールネジ２４を駆動することにより光照射部１４
をウエハＷの半径方向（中心方向）へ移動し得るように
なっている。そして、このボールネジ２４の端部には、
これに回転力を伝えるための例えばパルス制御されるス
テッピングモータ２６が連結されている。
に一端が固定されて他端がスピンチャック４の中心方向
へ延在された第１の直線移動機構２０に取り付け部材２
２を介して取り付けられており、この移動機構２０の例
えばボールネジ２４を駆動することにより光照射部１４
をウエハＷの半径方向（中心方向）へ移動し得るように
なっている。そして、このボールネジ２４の端部には、
これに回転力を伝えるための例えばパルス制御されるス
テッピングモータ２６が連結されている。
【００１３】更に、スピンチャック４に吸着保持された
ウエハＷの周縁部１０の上方には、上記露光手段１２と
並設させて本発明の特長とするガス吹き付け手段２８が
取り付けられている。具体的には、このガス吹き付け手
段２８は、上記取り付け部材２２に連結された噴射ノズ
ル３０（例えば、ノズル内径１〜２ｍｍ）を有してお
り、そのノズル先端３０Ａはウエハ周縁部である露光部
に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付ける
ようになっている。特に、上記ノズル３０は、取り付け
部材２２に対してウエハＷ乃至スピンチャック４の半径
方向（中心方向）の内側に設けられており、ガス吹き付
け時には、ウエハＷの内側（中心側）からこの半径方向
外側に向けて下向き傾斜（例えば噴射流中心部の角度
が、ウエハＷ面に対して１５〜３０度）で不活性ガスを
吹き付けるように構成されている。
ウエハＷの周縁部１０の上方には、上記露光手段１２と
並設させて本発明の特長とするガス吹き付け手段２８が
取り付けられている。具体的には、このガス吹き付け手
段２８は、上記取り付け部材２２に連結された噴射ノズ
ル３０（例えば、ノズル内径１〜２ｍｍ）を有してお
り、そのノズル先端３０Ａはウエハ周縁部である露光部
に向けて開口されており、この部分にガスを吹き付ける
ようになっている。特に、上記ノズル３０は、取り付け
部材２２に対してウエハＷ乃至スピンチャック４の半径
方向（中心方向）の内側に設けられており、ガス吹き付
け時には、ウエハＷの内側（中心側）からこの半径方向
外側に向けて下向き傾斜（例えば噴射流中心部の角度
が、ウエハＷ面に対して１５〜３０度）で不活性ガスを
吹き付けるように構成されている。
【００１４】そして、この噴射ノズル３０には、ガス供
給通路３２を介して不活性ガスとして例えばＮ2 （窒
素）ガスが充填されたガス源３４が接続されると共にこ
のガス供給通路３２の途中には流量調整弁３６が介設さ
れており、所望する流量の不活性ガスを噴射ノズル３０
に向けて供給するようになっている。
給通路３２を介して不活性ガスとして例えばＮ2 （窒
素）ガスが充填されたガス源３４が接続されると共にこ
のガス供給通路３２の途中には流量調整弁３６が介設さ
れており、所望する流量の不活性ガスを噴射ノズル３０
に向けて供給するようになっている。
【００１５】また、露光手段１２の僅かに下方であっ
て、保持されたウエハＷの側方には、上記噴射ノズル３
０から吹き付けられた不活性ガスを排気するための排気
手段３８が設けられる。具体的には、この排気手段３８
は、ウエハＷの表面か、それより僅かに上方に位置され
て上記噴射ノズル３０に対向させて設けられた排気ノズ
ル４０（例えば、ノズル開口部が２０ｍｍ×４０ｍｍ）
を有しており、この排気ノズル４０は、排気通路４２を
介して排気ポンプ４４へ接続されている。従って、この
排気ポンプ４４を駆動することにより、上記噴射ノズル
３０から吹き出された不活性ガスは、ウエハ周縁部と接
触した後、効率的にこの排気ノズル４０へ吸引導入され
るように構成されている。
て、保持されたウエハＷの側方には、上記噴射ノズル３
０から吹き付けられた不活性ガスを排気するための排気
手段３８が設けられる。具体的には、この排気手段３８
は、ウエハＷの表面か、それより僅かに上方に位置され
て上記噴射ノズル３０に対向させて設けられた排気ノズ
ル４０（例えば、ノズル開口部が２０ｍｍ×４０ｍｍ）
を有しており、この排気ノズル４０は、排気通路４２を
介して排気ポンプ４４へ接続されている。従って、この
排気ポンプ４４を駆動することにより、上記噴射ノズル
３０から吹き出された不活性ガスは、ウエハ周縁部と接
触した後、効率的にこの排気ノズル４０へ吸引導入され
るように構成されている。
【００１６】上記排気ノズル４０は、これをウエハの半
径方向へ移動可能とするために第２の直線移動機構４６
へ取り付けられており、例えばこのボールネジ４８の端
部に設けた駆動部、例えばステップモータ５０を駆動す
ることにより排気ノズル４０を所望の位置に設置し得る
ように構成されている。尚、上記排気ノズル４０は、開
口部が円形、台形その他の形状でも良い。
径方向へ移動可能とするために第２の直線移動機構４６
へ取り付けられており、例えばこのボールネジ４８の端
部に設けた駆動部、例えばステップモータ５０を駆動す
ることにより排気ノズル４０を所望の位置に設置し得る
ように構成されている。尚、上記排気ノズル４０は、開
口部が円形、台形その他の形状でも良い。
【００１７】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。このウエハ周縁部の露光操作
は、ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であって現
像処理前であればどの工程で行っても良く、例えばレジ
スト膜の密着性を良好にするプリベーク処理の前工程
や、マスクパターン処理の前後工程、或いは現像工程の
直前の工程で行ってもよい。
動作について説明する。このウエハ周縁部の露光操作
は、ウエハ表面にフォトレジスト膜の形成後であって現
像処理前であればどの工程で行っても良く、例えばレジ
スト膜の密着性を良好にするプリベーク処理の前工程
や、マスクパターン処理の前後工程、或いは現像工程の
直前の工程で行ってもよい。
【００１８】まず、図示しないハンドリングアームによ
り、処理膜、例えばフォトレジスト膜が塗布形成された
ウエハＷを搬入し、これを上昇させたスピンチャック４
に受け渡す。この時、ウエハＷの中心はスピンチャック
４の回転中心に図示しない位置合わせ手段により位置合
わせされた状態でチャック４上に載置され、真空吸着孔
６の吸引力により吸着保持される。
り、処理膜、例えばフォトレジスト膜が塗布形成された
ウエハＷを搬入し、これを上昇させたスピンチャック４
に受け渡す。この時、ウエハＷの中心はスピンチャック
４の回転中心に図示しない位置合わせ手段により位置合
わせされた状態でチャック４上に載置され、真空吸着孔
６の吸引力により吸着保持される。
【００１９】そして、露光手段１２を移動可能に保持す
る第１の直線移動機構２０を駆動することにより光照射
部１４をウエハＷの周縁部１０の真上に位置させる。こ
の場合、ウエハ表面と光照射部１４との間の距離Ｌ１
は、これらが接触しない範囲で干渉による影響が最も少
なくなるように、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度に設定
する。この状態でスピンモータ８を回転駆動することに
よりウエハＷを１〜２回転すると共に光源１８を作動さ
せて発生した光、例えば紫外線Ｖを光照射部１４からウ
エハ周縁部１０に向けて照射し、この部分における処理
膜であるフォトレジスト膜５２を周縁部１０に沿って露
光する。この時、レジスト膜５２の周縁部が露光される
幅Ｌ２は、ウエハのハンドリング時に接触して剥離する
恐れのある幅、例えば３〜５ｍｍ程度に設定される。ウ
エハの回転時には、ウエハＷのオリフラに対応する部分
を露光する時に図示しない移動機構によりスピンチャッ
ク４自体を水平面内に移動させることによりウエハＷの
周縁部１０を正確に露光させる。ここで周縁部１０の露
光されたウエハＷの平面図は図５に示される。
る第１の直線移動機構２０を駆動することにより光照射
部１４をウエハＷの周縁部１０の真上に位置させる。こ
の場合、ウエハ表面と光照射部１４との間の距離Ｌ１
は、これらが接触しない範囲で干渉による影響が最も少
なくなるように、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度に設定
する。この状態でスピンモータ８を回転駆動することに
よりウエハＷを１〜２回転すると共に光源１８を作動さ
せて発生した光、例えば紫外線Ｖを光照射部１４からウ
エハ周縁部１０に向けて照射し、この部分における処理
膜であるフォトレジスト膜５２を周縁部１０に沿って露
光する。この時、レジスト膜５２の周縁部が露光される
幅Ｌ２は、ウエハのハンドリング時に接触して剥離する
恐れのある幅、例えば３〜５ｍｍ程度に設定される。ウ
エハの回転時には、ウエハＷのオリフラに対応する部分
を露光する時に図示しない移動機構によりスピンチャッ
ク４自体を水平面内に移動させることによりウエハＷの
周縁部１０を正確に露光させる。ここで周縁部１０の露
光されたウエハＷの平面図は図５に示される。
【００２０】そして、この露光操作と同時にガス吹き付
け手段２８を駆動してガス源３４からの不活性ガス、例
えば窒素ガスを噴射ノズル３０から周縁部１１に向けて
吹き付けると共に排気手段３８を駆動して周縁部近傍の
雰囲気を排気ノズル４０から排気量１０リットル／ｍｉ
ｎ程度で排出する。この周縁露光に際しては、図３及び
図４にも示すように強力な紫外線Ｖが照射されたウエハ
周縁部のレジスト部分から温度上昇や化学反応等に起因
して溶剤等が気化して気泡５４が発生し、この気泡５４
がレジスト表面を突き破ってパーティクル５６となって
飛散することになる。しかしながら、本実施例にあって
は、噴射ノズル３０からＮ2 ガス５６が強力に噴射され
ていることから、飛散した上記パーティクル５６はこの
ガス流により強制的にウエハの外側へ搬送されて排気ノ
ズル４０内へトラップされることになる。この場合、噴
射ノズル３０は光照射部１４に対してウエハの半径方向
内側に位置させているので、Ｎ2 ガス５７はウエハの半
径方向の内側より外側に向けて噴射されることになり、
従って、発生したパーティクル５６は確実にウエハ周縁
部１０より外側へ搬送されてその外側に位置する排気ノ
ズル４０にトラップされることになる。特に、排気ノズ
ル４０はＮ2 ガスの流れ方向下流側に位置されているの
でパーティクルのトラップは確実に行われる。
け手段２８を駆動してガス源３４からの不活性ガス、例
えば窒素ガスを噴射ノズル３０から周縁部１１に向けて
吹き付けると共に排気手段３８を駆動して周縁部近傍の
雰囲気を排気ノズル４０から排気量１０リットル／ｍｉ
ｎ程度で排出する。この周縁露光に際しては、図３及び
図４にも示すように強力な紫外線Ｖが照射されたウエハ
周縁部のレジスト部分から温度上昇や化学反応等に起因
して溶剤等が気化して気泡５４が発生し、この気泡５４
がレジスト表面を突き破ってパーティクル５６となって
飛散することになる。しかしながら、本実施例にあって
は、噴射ノズル３０からＮ2 ガス５６が強力に噴射され
ていることから、飛散した上記パーティクル５６はこの
ガス流により強制的にウエハの外側へ搬送されて排気ノ
ズル４０内へトラップされることになる。この場合、噴
射ノズル３０は光照射部１４に対してウエハの半径方向
内側に位置させているので、Ｎ2 ガス５７はウエハの半
径方向の内側より外側に向けて噴射されることになり、
従って、発生したパーティクル５６は確実にウエハ周縁
部１０より外側へ搬送されてその外側に位置する排気ノ
ズル４０にトラップされることになる。特に、排気ノズ
ル４０はＮ2 ガスの流れ方向下流側に位置されているの
でパーティクルのトラップは確実に行われる。
【００２１】このため、飛散したパーティクル５６がウ
エハ面内に舞い戻ってこれに付着することを確実に防止
することができる。この時のＮ2 ガス５７の流量は、光
照射部１４からの光強度にもよるが、例えば８リットル
／ｍｉｎ程度に設定する。尚、排気ノズル４０の位置
は、これを支持する第２の直線移動機構４６を駆動する
ことにより適正に制御できる。
エハ面内に舞い戻ってこれに付着することを確実に防止
することができる。この時のＮ2 ガス５７の流量は、光
照射部１４からの光強度にもよるが、例えば８リットル
／ｍｉｎ程度に設定する。尚、排気ノズル４０の位置
は、これを支持する第２の直線移動機構４６を駆動する
ことにより適正に制御できる。
【００２２】また、Ｎ2 ガス５６を噴射することにより
冷却効果によりウエハ周縁部のレジスト膜の温度上昇が
抑制され、この結果、発生する気泡５４及びパーティク
ル５６の量自体も抑制することができ、ウエハ面内にパ
ーティクルが付着する可能性を一層抑制することが可能
となる。
冷却効果によりウエハ周縁部のレジスト膜の温度上昇が
抑制され、この結果、発生する気泡５４及びパーティク
ル５６の量自体も抑制することができ、ウエハ面内にパ
ーティクルが付着する可能性を一層抑制することが可能
となる。
【００２３】このように、本実施例においては、ウエハ
周辺露光時の光強度を大きくして発泡現象及びこれに伴
うパーティクルが発生しても、ウエハＷの内側から外側
へ向かうＮ2 ガス流によってパーティクル５６を搬送
し、これを排気ノズル４０によって確実にトラップする
ことが可能となる。従って、スループットを低下させる
ことなく歩留まりを向上させることが可能となる。
周辺露光時の光強度を大きくして発泡現象及びこれに伴
うパーティクルが発生しても、ウエハＷの内側から外側
へ向かうＮ2 ガス流によってパーティクル５６を搬送
し、これを排気ノズル４０によって確実にトラップする
ことが可能となる。従って、スループットを低下させる
ことなく歩留まりを向上させることが可能となる。
【００２４】また、ウエハＷのサイズが異なる場合に
は、第１及び第２の直線移動機構２０、４６を駆動する
ことにより、光照射部１４及び排気ノズル４０の位置を
制御することができる。
は、第１及び第２の直線移動機構２０、４６を駆動する
ことにより、光照射部１４及び排気ノズル４０の位置を
制御することができる。
【００２５】尚、上記実施例においては、露光手段１２
の側部、すなわち、ウエハＷの半径方向外方に位置する
ように排気ノズル４０を設けたが、これに限定されず、
例えば図６に示すように露光手段１２の光照射部１４を
これより所定の間隙だけ隔てて中空円筒体５８により同
軸状に囲み、排気ノズル６０を形成するようにしてもよ
い。そして、この中空円筒体５８は、図１にて示したと
同様に排気通路４２に接続されている。この場合には、
円筒体５８の先端開口部とこの中心に位置される光照射
部１４の下端部との間に形成されるリング状のノズル口
６２からウエハ周縁部の雰囲気を吸引排気することにな
る。尚、円筒体５８の下端部分のウエハ外側部分は、フ
ード部を垂下して設けてもよい。
の側部、すなわち、ウエハＷの半径方向外方に位置する
ように排気ノズル４０を設けたが、これに限定されず、
例えば図６に示すように露光手段１２の光照射部１４を
これより所定の間隙だけ隔てて中空円筒体５８により同
軸状に囲み、排気ノズル６０を形成するようにしてもよ
い。そして、この中空円筒体５８は、図１にて示したと
同様に排気通路４２に接続されている。この場合には、
円筒体５８の先端開口部とこの中心に位置される光照射
部１４の下端部との間に形成されるリング状のノズル口
６２からウエハ周縁部の雰囲気を吸引排気することにな
る。尚、円筒体５８の下端部分のウエハ外側部分は、フ
ード部を垂下して設けてもよい。
【００２６】また、上記実施例においては、不活性ガス
としてＮ2 ガスを用いたが、これに限定されず、例えば
ＣＯ2 ガスやＡｒガスを用いるようにしてもよい。更に
は、被処理体としては半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ基板、円板状
フロッピディスクへの磁性材のスピンコーティング等に
も適用し得るのは勿論である。更に、上記実施例におい
ては、ウエハＷの上面周辺部分を露光する場合について
説明したが、ウエハＷの周縁部分１０Ａを露光する場合
にも適用が可能である。また、上記露光手段１２等を２
組以上設けてもよい。
としてＮ2 ガスを用いたが、これに限定されず、例えば
ＣＯ2 ガスやＡｒガスを用いるようにしてもよい。更に
は、被処理体としては半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ基板、円板状
フロッピディスクへの磁性材のスピンコーティング等に
も適用し得るのは勿論である。更に、上記実施例におい
ては、ウエハＷの上面周辺部分を露光する場合について
説明したが、ウエハＷの周縁部分１０Ａを露光する場合
にも適用が可能である。また、上記露光手段１２等を２
組以上設けてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。被処理体の内側から外側に向かう不活性ガスに
より、処理膜上に発生したパーティクルを排除するよう
にしたので、スループットを低下させることなく歩留ま
りを大幅に向上させることができる。また、噴出される
不活性ガスの冷却作用により処理膜の温度上昇を抑制で
きるので、処理膜内の気泡の発生を抑制でき、従って、
パーティクルの発生自体も抑制できるので歩留まりを一
層向上させることができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。被処理体の内側から外側に向かう不活性ガスに
より、処理膜上に発生したパーティクルを排除するよう
にしたので、スループットを低下させることなく歩留ま
りを大幅に向上させることができる。また、噴出される
不活性ガスの冷却作用により処理膜の温度上昇を抑制で
きるので、処理膜内の気泡の発生を抑制でき、従って、
パーティクルの発生自体も抑制できるので歩留まりを一
層向上させることができる。
【図１】本発明の露光装置の一実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図２】図１に示す露光装置の主要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】図２に示す露光装置の主要部の断面図である。
【図４】本発明の露光装置の動作を説明するための動作
説明図である。
説明図である。
【図５】周辺露光された被処理体を示す平面図である。
【図６】本発明の露光装置の他の実施例の要部を示す拡
大断面図である。
大断面図である。
２ 露光装置 ４ スピンチャック １０ 周縁部 １２ 露光手段 ２８ ガス吹き付け手段 ３０ 噴射ノズル ３４ ガス源 ３８ 排気手段 ４０ 排気ノズル ５２ フォトレジスト膜（処理膜） ５４ 気泡 ５６ Ｎ2 ガス（不活性ガス） Ｖ 紫外線 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項１】 処理膜の形成された被処理体の周縁部に
光を照射して前記周縁部の処理膜を露光する露光装置に
おいて、前記被処理体の周縁部を露光する露光手段と、
前記露光手段からの光によって露光される露光部に向け
て前記被処理体の内側から外側の方向へ不活性ガスを吹
き付けるガス吹き付け手段と、前記吹き付けられた不活
性ガスを排気する排気手段とを備えたことを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023270A JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023270A JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216025A JPH06216025A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2881362B2 true JP2881362B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12105918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023270A Expired - Fee Related JP2881362B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2881362B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3678144B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | フィルム回路基板の周辺露光装置 |
| WO2003030229A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nikon Corporation | Aligneur et procede de fabrication du dispositif |
| KR100518788B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2005-10-05 | 삼성전자주식회사 | 감광액 도포 스핀 코팅 장치 |
| JP5327135B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2013-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5023270A patent/JP2881362B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06216025A (ja) | 1994-08-05 |
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