JP2881332B2

JP2881332B2 - 熱電装置の製造方法

Info

Publication number: JP2881332B2
Application number: JP2123398A
Authority: JP
Inventors: 昌夫山下; 久朗今泉; 勇鋼森
Original assignee: KOMATSU EREKUTORONIKUSU KK; Komatsu Ltd
Current assignee: KOMATSU EREKUTORONIKUSU KK; Komatsu Ltd
Priority date: 1990-05-14
Filing date: 1990-05-14
Publication date: 1999-04-12
Anticipated expiration: 2014-04-12
Also published as: EP0482215A1; EP0482215A4; JPH0423368A; WO1991018422A1

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、熱電装置の製造方法に係り、特にその熱電
素子対の電極の製造に関するものである。

〔従来の技術〕

Ｐ型半導体とＮ型半導体とを、金属を介して接合して
PN素子対を形成し、この接合部を流れる電流の方向によ
って一方の端部が発熱せしめられると共に他方の端部が
冷却せしめられるいわゆるペルチェ効果を利用した熱電
素子は、小型で構造が簡単なことから、携帯用クーラ等
いろいろなデバイスに幅広い利用が期待されている。

このような熱電素子を多数個集めて形成したサーモモ
ジュールは、例えば、第６図に示すように、セラミック
ス基板等の熱伝導性の良好な絶縁性基板からなる第１お
よび第２の熱交換基板11,12間にこれに対して良好な熱
接触性をもつように多数個のPN素子対13が挟持せしめら
れると共に、各素子対13間を夫々第１および第２の電極
14,15によって直列接続せしめられて構成されている。

そして、この第１および第２の電極14,15は大電流に
も耐え得るように通常銅板からなり、熱交換基板11,12
表面に形成された導電体層パターン上に半田等の溶着層
を介して固着されている。

更にこの第１および第２の電極上には、半田層を介し
てＰ型熱電素子13a又はＮ型熱電素子13bが交互に夫々１
対ずつ固着せしめられ、PN素子対13を構成すると共に各
素子対間は直列接続されている。

ところで、熱交換効率の増大をはかるには、熱交換基
板を良好な熱伝導性を有する絶縁性の材料で構成する必
要があり、また熱歪による劣化を防止するため、熱膨張
率が小さいものでなければならない。

そこで、最近では、熱交換基板材料としては、従来か
ら用いられているアルミナセラミックス基板やベリリア
セラミックス基板に加えて、窒化アルミニウムセラミッ
クスや炭化ケイ素系セラミックス基板も提案されてい
る。このうち炭化ケイ素系セラミックスは熱伝導率が2.
7W・cm^-1K^-1とアルミナの約９倍以上であり、熱膨張率
も3.7×10^-7K^-1とアルミナセラミックスのそれに比べて
約半分と小さく、熱交換基板として用いる場合の熱歪が
小さいため、これを熱交換基板材料として用いた熱電装
置によれば温度変化に対しても損傷を受けることがな
く、熱交換効率が高く、信頼性の高い熱電装置を得るこ
とが可能となる。

ところで、このような熱電装置構造において、電極の
熱交換基板への位置決めおよび固着に際し、組み立て作
業性の向上をはかるため、電極を、熱交換基板表面に形
成した厚膜導体層パターンで構成したものが提案されて
いる。

かかる構造の熱電装置によれば、熱交換基板上の導体
パターンに電極板を位置決めする工程と固着工程とが不
要となり、工程の大幅な簡略化をはかることができると
共に、導体パターンと電極との位置ずれが生じることも
なく、信頼性を高めることができる。

ところで、熱交換基板への熱電素子の実装に際して
は、半田を介して固着されるが、この素子に対しても予
備半田を形成する一方熱交換基板の電極パターン上にも
半田を載置し、固着するという方法がとられる。

このような熱電素子への半田層の形成は、従来、素材
13をスライスし（第７図（ａ））、このスライス面に元
素拡散防止のためのニッケルめっき２を施し（第７図
（ｂ））、その上に、半田に濡れた熱板上にこすりつけ
る、あるいは半田ごてで手盛りして半田層3Sを形成し
（第７図（ｃ））、分割する（第７図（ｄ））という方
法がとられている。

しかし、図示のように半田塗布量を均一にする子とが
極めて困難である。

また、ペースト状のクリーム半田をディスペンサや印
刷法等を利用して塗布するという方法も提案されている
が、半田組成が市販品では限定され、任意組成のものを
選択できない。熱交換基板11,12の電極パターン14,15上
にてこのような熱電素子を固着しようとした場合（第７
図（ｅ））、半田コーティンクグが厚すぎる場合には半
田が余分に付着して電気的，熱的に短絡状態になる。ま
た、半田膜厚が小さすぎる場合は素子・電極間に電気的
・熱的接触推抗の増大を生じる。さらに素子・電極間に
生じた間隙に結露した水分が侵入して通電時に凍結すれ
ば、接合部損傷になる。また、素子の平衡度が悪く、ま
た高さにばらつきがあるという問題は、自動実装を採用
する場合に顕著な障害となる。

（発明が解決しようとする課題）このように、スライス面を熱板をこすりつける方法は
均一に塗布するのが困難であり、組み立て時の歩留まり
低下の原因となりやすい。

また、半田ごてで手盛りする方法は、熟練を要すう
え、工数が多く量産には不向きであるうえ、均一塗布は
困難であるという問題があった。特に、高融点半田を用
いる場合には、作業性が悪かった。

さらにクリーム半田を用いる方法では半田組成が限定
され、高融点のものをはじめ任意の組成のものを選択す
ることができない。近年、ユーザニーズによっては装置
の耐熱限界温度を高めることが要求されており、高融点
の半田を求める傾向にある。

本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、容易に均
一な半田層を有する熱電素子を形成し、量産性が高く、
信頼性の高い熱電装置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）そこで、本発明では熱電装置の熱電素子を、ペルチェ
効果を有するＰ型半導体およびＮ型半導体の各表面に半
田めっき層を形成したのち、各半導体を所望の形状に切
断分割することによって形成するようにしたことを特徴
としている。

また、この半田めっき工程は、Ｐ型半導体およびＮ型
半導体の各表面に、錫（Sn）:70〜99.95％，アンチモン
（Sb）:0.05〜30％を主成分とする半田組成を有する半
田めっき層を形成することを特徴とする。

あるいは、Ｐ型半導体およびＮ型半導体の各表面に、
錫（Sn）:10〜99.8％，鉛（Pb）:0.2〜90％を主成分と
する半田組成を有する半田めっき層を形成することを特
徴とする。

Ｐ型半導体およびＮ型半導体の各表面に、錫（Sn）:6
0〜99.9％，銅（Cu）:0.01〜40％を主成分とする半田組
成を有する半田めっき層を形成することを特徴とする。

Ｐ型半導体およびＮ型半導体の各表面に、鉛（Sn）:9
5〜99.9％，ゲルマニウム（Ge）:0.1〜５％を主成分と
する半田組成を有する半田めっき層を形成することを特
徴とする。

Ｐ型半導体およびＮ型半導体の各表面に、錫（Pb）:5
0〜95％，インジウム（In）:5〜50％を主成分とする半
田組成を有する半田めっき層を形成することを特徴とす
る。

（作用）上記方法によれば、熱電素子を、ペルチェ効果を有す
るＰ型半導体およびＮ型半導体の各表面に半田めっき層
を形成したのち、各半導体を所望の形状に切断分割する
ことによって形成するようにしているため、極めて容易
に均一な厚さの半田層を得ることが可能となる。

また、この半田めっき層の組成を、錫（Sn）:70〜99.
95％，アンチモン（Sb）:0.05〜30％を主成分とするこ
とにより、接合強度が高く、特性の安定した熱電装置を
得ることができる。ここでアンチモンの組成比が0.05％
以下であると、半田強度が低下し、30％以上であると、
濡れ性が低下する上、凝固温度範囲が広すぎて偏析を生
じ、品質が不安定となる。

あるいは、この半田めっき層の組成を、錫（Sn）:10
〜99.8％，鉛（Pb）:0.2〜90％を主成分とすることによ
り、接合硬度が高く、特性の安定した熱電装置を得るこ
とができる。ここで鉛の組成比が0.2％以下であると、
半田強度が低下し、90％以上であると、濡れ性が低下す
る。

また、この半田めっき層の組成を、錫（Sn）:60〜99.
9％，銅（Cu）:0.01〜40％を主成分とすることにより、
接合強度が高く、特性の安定した熱電装置を得ることが
できる。ここで銅の組成比が0.01％以下であると、半田
強度が低下し、40％以上であると、濡れ性が低下する
上、強固温度範囲が広すぎて偏析を生じ、品質が不安定
となる。

あるいは、この半田めっき層の組成を、錫（Sn）:95
〜99.9％，ゲルマニウム（Ge）:0.1〜５％を主成分とす
ることにより、接合強度が高く、特性の安定した熱電装
置を得ることができる。ここでゲルマニウムの組成比が
0.1％以下であると、半田強度が低下し、５％以上であ
ると、濡れ性が低下する上、強固温度範囲が広すぎて偏
析を生じ、品質が不安定となる。

さらにまた、この半田めっき層の組成を、鉛（Pb）:5
0〜95％，インジウム（In）:5〜50％を主成分とするこ
とにより、接合強度が高く、特性の安定した熱電装置を
得ることができる。ここでインジウムの組成比が５％以
下であると、濡れ性が低下し、50％以上であると、半田
強度が低下する。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細
に説明する。

実施例１第１図は、本発明実施例の熱電装置の外観を示す図、
第２図（ａ）および第２図（ｂ）は同熱電装置の要部拡
大断面を示す図である。

この熱電装置は、第１および第２の熱交換基板4a,4b
として従来のアルミナセラミックス基板を用いたもので
ある。

そして、熱電素子は、第２図に示すようにＰ型および
Ｎ型Bi−Te半導体基板1a,1bの両端面にニッケルめっき
層２および,60Sn−40Pb半田めっき層３を形成してなる
ものである。

また、第２の熱交換基板4bは、第２図に示すように、
膜厚200μｍの厚づけ銅めっき層５と、膜厚５μｍのニ
ッケルめっき層２と、膜厚５μｍのSn−Pb半田めっき層
６と３層構造の電極パターンの上にＰ型熱電素子10aお
よびＮ型熱電素子10bが固着される。一方、他方の面側
にも膜厚200μｍの厚づけ銅めっき層５と、膜厚５μｍ
のニッケルめっき層２と、膜厚５μｍのSn−Pb半田めっ
き層６との３層構造の電極パターンＥが形成されてい
る。

なお、要部拡大図は示さないが第１の熱交換基板１
も、第２の熱交換基板２と同様の構造をなしている。

このようにして第１の熱交換基板上の電極パターンお
よび第２の熱交換基板4a,4b上の電極パターンによって
隣接するＰ型熱電素子1aおよびＮ型熱電素子1bが半田溶
接法によって接続されPN素子対１が構成されると共にこ
れらのPN素子対１が互いに直列に接続され、回路の両端
に位置する電極パターンに夫々第１の電極リード７およ
び第２の電極リード８が配設される。この第１および第
２の電極リードに通電が行なわれることにより、例えば
第１の熱交換基板の側が低温部となり、第２の熱交換基
板の側が高温部となる。

次に、この熱電装置の製造方法について説明する。

まず、熱電素子の製造方法について説明する。

まず、第３図（ａ）に示すように、Ｐ型不純物を含有
するBi−Te半導体基板10aを、30×30×0.96tにスライス
する。

この後第３図（ｂ）に示すように、無電解めっき法に
より両面に膜厚５μｍのニッケル（Ni）めっき層２を形
成する。

次いで、第３図（ｃ）に示すように、スルホン酸系の
浴を用いて、膜厚20μｍのSn−Pb共晶半田めっき層３を
形成する。ここでSn−Pb共晶半田の組成は、Sn60％−Pb
40％とした。

この後、第３図（ｄ）に示すように、これをダイシン
グし、0.64×0.64×0.96tのＰ型熱電素子1aを得る。

同様にして、Ｎ型不純物を含有するBi−Te半導体基板
１を出発材料として、0.64×0.64×0.96tのＮ型熱電素
子1bを得る。

次に、第３図（ｅ）に示すように熱交換基板を形成す
る。

まず、8.7×8.7×0.635tのアルミナ（Al₂O₃）基板４
の表面に膜厚200μｍの厚づけ銅めっき層５を施した
後、エッチングによりパターン形成を行う。その上に元
素拡散防止と半田ののりをよくするために無電解ニッケ
ルめっき２を行った後、230℃に加熱してSn−Pn共晶半
田（Sn60％−Pb40％）６をなじませた熱板にこすりつ
け、ニッケルめっき全面に半田が付着したことを確認
し、フッ素ゴム製ラバーで拭い、表面に半田の大部分を
除去する。

このようにして形成された第１および第２の熱交換基
板のうち一方、例えば第２の熱交換基板２の半田パター
ン６上に、治具（図示せず）に用いて位置決めを行いつ
つ、電極表面に半田層の形成されたＰ型およびＮ型熱電
素子1a,1bを62本自動的に装着し、裏面側から加熱しつ
つ固着する。（第３図（ｆ））次に、第２の熱交換基板を載置し、最上部に40gの重
りをのせて沸点253℃のフロリナート蒸気中で20分加熱
し、第２の熱交換基板の低温側電極パターンと前記Ｐ型
およびＮ型熱電素子とを固着せしめる（第３図
（ｇ））。

そして、最後に、0.3φ電極リード7,8を微小半田ごて
を用いてとりつける。

このようにして形成された熱電装置では、半田の膜厚
が高精度に規定可能である上、平坦性もよく形成され、
また熱交換基板と電極パターンとの密着性が良好でかつ
パターン精度が良好であり、信頼性の高い熱電装置を形
成することが可能である。

このようにして熱電装置を８個製作し、10^-5Torrの真
空下で最低到達温度を実測した。その結果を第１表に示
す。

ここでは、熱電装置の底部は27℃の恒温プレートに47
℃半田を用いて接合し、測定を行った。

ここで最低到達温度は−36℃から−40℃まで変動する
が、いずれも平均値±２℃の範囲に入っていることがわ
かる。

さらにまた、この８個の熱電装置に、大気中で極性を
変えて相互に通電し、冷却−加熱サイクルを繰り返させ
た。

すなわち、まず、1.5A×10minの通電冷却により、約
−30℃に冷却し、低温側基板表面には一面に氷霜が付着
した。

次に、極性を変えた1.5A×0.8minの通電により、低温
側基板は10〜17℃に昇温し、氷霜は融解して水となっ
た。再度、極性を変えた1.5A×10minの通電冷却を行
い、低温側基板上の水分を再度凍結させた。

これを15サイクル繰り返した後、熱電装置の水分を除
去して再度10^-5Torrの真空下で最低到達温度を実測し
た。その結果を第２表に示す。

第２表の結果からもあきらかなように、間隔に侵入し
た結露水の凍結による熱電装置の特性の劣化はまったく
認められなかった。

実施例２次に、本発明の第２の実施例について説明する。

この例では、用いる半田組成を、融点232℃、98Sn−2
Sb半田とし、他の構成については実施例１とまったく同
様にした。

98Sn−2Sb半田層を熱電素子の形成するに際しては硫
酸系浴を用いて形成した。

また、アルミナ基板上への98Sn−2Sb半田層の形成に
ついては、265℃に加熱し98Sn−2Sb半田を広げた熱板に
銅めっき層パターンおよびニッケルめっき層の形成され
たアルミナ基板をこすりつけることによって形成した。

他については、測定についても実施例１とまったく同
様に行った。

このようにして熱電装置を８個製作し、10^-5Torrの真
空下で最低到達温度を実測した。その結果を第３表に示
す。

ここでも、実施例１と同様、27℃の恒温プレートに47
℃半田を用いて接合し、測定を行った。

ここで最低到達温度は−37℃から−40℃まで変動する
が、いずれも平均値±２℃の範囲に入っていることがわ
かる。

さらにまた、この８個の熱電装置に、実施例１と同
様、大気中で極性を変えて交互に通電し、冷却−加熱サ
イクルを繰り返させた。

その結果を第４表に示す。

第４表の結果からもあきらかなように、間隔に侵入し
た結露水の凍結による熱電装置の特性の劣化はまったく
認められなかった。

実施例３次に、本発明の第３の実施例について説明する。

この例では、用いる半田組成を、融点230℃、70Pb−3
0In半田とし、熱交換基板への半田コーティングをめっ
きによって行った他は、実施例１とまったく同様にし
た。

70Pb−30In半田層を熱電素子に形成するに際しては、
ほうフッ化水素酸系浴を用いた。

また、アルミナ基板上への電極パターンの形成につい
ては、次のようにして行った。

まず、第４図（ａ）に示すごとく、アルミナセラミッ
クスからなる熱交換基板4a,4b（ここでは第２の熱交換
基板についてのみ示す）の表面および裏面に粗面加工を
施す。

この後、第４図（ｂ）に示すごとく、この表面および
裏面に、無電解銅めっき法により、膜厚１〜1.5μｍの
無電解銅めっき膜25aを形成する。

続いて、第４図（ｃ）に示すごとく、表面および裏面
にドライフィルムを貼着し、フォトリソグラフィ法によ
りパターニングしてレジストパターンR1を形成する。

そして、第４図（ｄ）に示すごとく、前記無電解銅め
っき膜25aを電極とし、電解めっき法等により、基板の
表面および裏面の前記無電解銅めっき膜5a上に選択的に
膜厚数10μｍ〜100μｍの銅めっき膜25bを形成する。

次いで、第４図（ｅ）に示すごとく、電解めっき法等
により、膜厚５μｍのニッケルめっき層25cを形成す
る。

さらに、この上層に、第４図（ｆ）に示すごとく、電
解めっき法により、膜厚0.5μｍの金めっき層25dを形成
する。

そして、第４図（ｇ）に示すごとく、裏面にドライフ
ィルムを貼着し、フォトリソグラフィ法によりパターニ
ングしてレジストパターンR2を形成する。

この後、第４図（ｈ）に示すごとく、電解めっき法等
により、膜厚５μｍの70Pb−30In半田めっき層25eを形
成する。

そして、第４図（ｉ）に示すごとく、レジストパター
ンR1およびR2Rを剥離し、基板表面および裏面に電極パ
ターンを形成する。

さらに、第４図（ｊ）に示すごとく、この半田めっき
層から露呈して表面に薄く残っている無電解銅めっき層
25aを軽いエッチングにより除去する。

なお、組み立て時のフロリナート蒸気中の加熱時間は
30分とした。

このようにして熱電装置を８個製作し、10^-5Torrの真
空下で最低到達温度を実測した。その結果を第５表に示
す。

ここで最低到達温度は36℃から−39℃まで変動する
が、いずれも平均値±1.5℃の範囲に入っていることが
わかる。

その結果を第６表に示す。

第６の結果からもあきらかなように、間隙に侵入した
結露水の凍結による熱電装置の特性の劣化はまったく認
められなかった。

また熱交換基板の裏面側表面は金めっき層となってい
るため、熱電装置を清浄な各種パッケージ等に実装する
際にはフラックスなしに半田付けすることができる。

さらに、前記実施例では、絶縁性基板としてアルミナ
セラミックス基板を用いたが、ベリリヤセラミックスや
窒化アルミセラミックスを用いても良くさらに炭化ケイ
素系セラミックス基板を用いるようにすれば、炭化ケイ
素系セラミックスはアルミナセラミックス基板に比べ
て、熱交換基板の熱伝導率が９倍以上であり、かつ熱膨
張率も小さいため、熱交換効率が大幅に向上し、熱歪の
発生もなく信頼性も高い。

なお、電極パターンは、実施例に限定されることな
く、膜厚等については、適宜変更可能である。

また、前記実施例では、表面の電極パターンでは銅め
っき層の側面が露呈しているため、以下に示すような工
程を付加し、表面の電極パターンを錫めっき層25fで被
覆するようにしてもよい。

すなわち、第４図（ｊ）の工程終了後、第５図（ａ）
に示すように裏面にドライフィルムを貼着し、フォトリ
ソグラフィ法によりパターニングしてレジストパターン
R3を形成する。

そして、第５図（ｂ）に示すように無電解錫めっきを
行い、表面の電極パターン側面に露呈する銅めっき層表
面を錫層25fで被覆し、レジストパターンR3を除去する
ようにする。

このとき電極パターン表面の半田層上にも錫層は形成
されるが、半田層上にはわずかな厚さでしか形成されな
い。

なお、前記実施例では、銅層、ニッケル層、金層を形
成した後、半田めっき層に形成したが、このうちニッケ
ル層、金層については適宜変更および省略することも可
能である。

比較のために、98Sn−2Sb半田をスライスした素子に
手盛りで塗布し、他は実施例２とまったく同様に熱電装
置を作製し、最低到達温度を測定した。その結果を第７
表に示す。

この場合、最低到達温度は−10℃から−40℃まで広範
囲に変動し、２個は測定不能の不良品であった。

さらにまた、この６個の熱電装置に、実施例１乃至３
同様、大気中で極性を変えて交互に通電し、冷却−加熱
サイクルを繰り返させた。

その結果を第８表に示す。

この第８表の結果からもあきらかなように、最低到達
温度は大幅に変動し、あらたに２個が、侵入した結露水
分の凍結により冷却不能となった。

このように、実施例１乃至３の結果とこの第７表およ
び第８表を比較しても、本発明の方法によれば大幅に製
造歩留まりの優れた熱電装置を作成可能であることがわ
かる。

なお、前記実施例では、第１および第２の熱交換基板
の両方をアルミナセラミックス基板で構成し、表面に半
田めっき層を有する５層構造の電極薄膜パターンを用い
たが、いずれか一方のみをこの方法で構成し、他方は他
の材料および他の電極形成方法で構成してもよく、又、
省略し、１枚の熱交換基板のみで構成するようにしても
よい。

さらにまた、本発明の方法はアルミナセラミックス基
板のみならず、ベリリヤセラミックス、窒化アルミセラ
ミックス、炭化ケイ素系セラミックス基板等他の絶縁性
基板を用いるようにしても良い。

〔効果〕

以上説明してきたように、本発明の方法によれば、熱
電装置の熱電素子の製造に際し、ペルチェ効果を有する
Ｐ型半導体およびＮ型半導体の各表面に半田めっき層を
形成したのち、各半導体を所望の形状に切断分割するこ
とによって形成するようにしているため、極めて容易に
均一な厚さの半田層を得ることが可能となり、半田の膜
厚が高精度に規定可能となり、信頼性の高い熱電装置を
形成することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の熱電装置を示す図、第２図は同
装置の要部拡大断面を示す図、第３図（ａ）乃至第３図
（ｇ）は同熱電装置の製造工程を示す図、第４図（ａ）
乃至第４図（ｊ）は本発明の第２の実施例の同熱電装置
の熱交換基板の製造工程を示す図、第５図（ａ）および
第５図（ｂ）は同熱電装置の製造工程の変形例の一部を
示す図、第６図は従来例の熱電装置を示す図、第７図
（ａ）乃至（ｆ）は従来例の熱電素子の製造工程を示す
図である。１……PN素子対、1a……Ｐ型熱電素子、1b……Ｎ型熱電
素子、２……ニッケルめっき層、３……半田めっき層、
3S……半田、4a……第１の熱交換基板、4b……第２の熱
交換基板、Ｅ……電極パターン、５……銅めっき層、６
……半田層、７……第１の電極リード、８……第２の電
極リード、25……電極パターン、25a……無電解銅めっ
き層、25b……銅めっき層、25c……ニッケル層、25d…
…金属、25e……半田めっき層、25f……錫層、11……第
１の熱交換基板、12……第２の熱交換基板、13……PN素
子対、14……第１の電極、15……第２の電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−10674（ＪＰ，Ａ) 特開平２−271683（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−64075（ＪＰ，Ａ) 実開昭63−20465（ＪＰ，Ｕ) 実開昭63−29966（ＪＰ，Ｕ) 特公昭37−18967（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 35/32 H01L 35/34 H01L 35/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】熱交換基板上に電極を介して少なくとも１
つの熱電素子対を配設した熱電装置の製造方法におい
て、熱電素子対を形成する熱電素子対形成工程と絶縁性基板からなる熱交換基板表面に電極パターンを形
成する電極パターン形成工程と、該電極パターン上に熱電素子対を実装する実装工程とか
らなり、前記熱電素子対形成工程がペルチェ効果を有するＰ型半導体およびＮ型半導体の各
表面に半田めっきを形成する半田めっき工程と、各半導体を所望の形状に切断分割し、Ｐ型熱電素子およ
びＮ型熱電素子を形成する分割工程と、を含むようにしたことを特徴とする熱電装置の製造方
法。
【請求項２】前記半田めっき工程は、Ｐ型半導体および
Ｎ型半導体の各表面に、錫（Sn）:70〜99.95％，アンチ
モン（Sb）:0.05〜30％を主成分とする半田組成を有す
る半田めっき層を形成する工程であることを特徴とする
請求項（１）記載の熱電装置の製造方法。
【請求項３】前記半田めっき工程は、Ｐ型半導体および
Ｎ型半導体の各表面に、錫（Sn）:10〜99.8％，鉛（P
b）:0.2〜90％を主成分とする半田組成を有する半田め
っき層を形成する工程であることを特徴とする請求項
（１）記載の熱電装置の製造方法。
【請求項４】前記半田めっき工程は、Ｐ型半導体および
Ｎ型半導体の各表面に、錫（Sn）:60〜99.9％，銅（C
u）:0.01〜40％を主成分とする半田組成を有する半田め
っき層を形成する工程であることを特徴とする請求項
（１）記載の熱電装置の製造方法。
【請求項５】前記半田めっき工程は、Ｐ型半導体および
Ｎ型半導体の各表面に、錫（Sn）:95〜99.9％，ゲルマ
ニウム（Ge）:0.1〜５％を主成分とする半田組成を有す
る半田めっき層を形成する工程であることを特徴とする
請求項（１）記載の熱電装置の製造方法。
【請求項６】前記半田めっき工程は、Ｐ型半導体および
Ｎ型半導体の各表面に、鉛（Pb）:50〜95％，インジウ
ム（In）:5〜50％を主成分とする半田組成を有する半田
めっき層を形成する工程であることを特徴とする請求項
（１）記載の熱電装置の製造方法。