JP2875143B2 - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

Info

Publication number
JP2875143B2
JP2875143B2 JP5289413A JP28941393A JP2875143B2 JP 2875143 B2 JP2875143 B2 JP 2875143B2 JP 5289413 A JP5289413 A JP 5289413A JP 28941393 A JP28941393 A JP 28941393A JP 2875143 B2 JP2875143 B2 JP 2875143B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lens
fly
forming
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5289413A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0774086A (ja
Inventor
浩英 姜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansei Denshi Co Ltd
Original Assignee
Sansei Denshi Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sansei Denshi Co Ltd filed Critical Sansei Denshi Co Ltd
Publication of JPH0774086A publication Critical patent/JPH0774086A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2875143B2 publication Critical patent/JP2875143B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造のための投影
露光装置に係り、さらに詳しくは投影露光装置の変形照
明系に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体素子などの微細パターンを
形成するための投影露光装置技術としては光源の波長を
縮めたエキサイマレーザー投影露光装置と位相反転マス
ク方法及び斜入射照明方法などがある。このうち、斜入
射照明による変形照明方式は新たな装備の追加なしに分
解能を改善することができて多用されている。特に、照
明系に環状のアパーチャを設置して改造した環状照明方
式は従来に比べて１５〜２０％の分解能改善が可能であ
り焦点深度も２倍ほど改善できると確認された。
【０００３】図１には従来の投影露光装置の照明系が概
略的に示されている。同図を参照すれば、光源１の前方
に反射鏡２が置かれ、光源１の後方の光路上に順次に平
行光形成レンズ３と蠅目レンズ４が置かれる。このよう
に構成された投影露光装置の照明系では光源１から出て
きた光が反射鏡２により反射集束され平行光形成レンズ
３に入射され、前記平行光形成レンズ３から蠅目レンズ
４までは殆どの平行光が得られる。この投影露光装置の
照明系の断面Ａ−Ａ’線による光強度、即ち前記蠅目レ
ンズ４に入射される直前の光の強度はその中央部では強
くその周辺部では弱い図４の（ａ）のような形態を有す
る。
【０００４】ところで、前記の投影露光装置の照明系に
周辺部の光のみを使う環状照明またはその他の斜入射照
明を適用する場合、前述した通り周辺部の光量が少ない
ので光利用効率が極めて低い。従って、露光時間が長く
なって生産性が低くなる問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、環状
照明などその周辺部の光を用いる変形照明系の光利用効
率を高めて生産性を向上させうる投影露光装置を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明による投影露光装置は、光源と、前記光源か
ら出てきた光を平行光に形成させる平行光形成レンズ
と、前記平行光形成レンズを通過した光を受けて第２の
光源を形成する蠅目レンズと、前記平行光形成レンズと
蠅目レンズとの間の光経路上に置かれその中央部に入射
される光を分散させ前記蠅目レンズの周辺部に出射する
光分散手段とを備えることを特徴とする。本発明におい
て蠅目レンズは第２の光源を形成して所定パターンの形
成されたマスクを照明する。また光分散手段は、その中
央部が凹レンズより形成された第１光分散レンズ、また
はその中央部に多数の凸レンズが形成された第２光分散
レンズである。
【０００７】
【作用】本発明は光分散手段によりその中央部の光を蠅
目レンズの周辺部に入射させるので、蠅目レンズの周辺
部の光のみを用いる斜入射照明で光利用効率が高めら
れ、露光時間を短縮して生産性を向上しうる。
【０００８】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明による投
影露光装置の好適な一実施例を詳しく説明する。図２は
本発明の第１実施例を示す。本発明の第１実施例におい
ては光源１０、反射鏡２０、平行光形成レンズ３０、蠅
目レンズ４０が光進行経路上に順次に備えられ、平行光
形成レンズ３０と蠅目レンズ４０との間には本発明の特
徴的な要素である第１光分散レンズ５１が備えられる。
【０００９】第１光分散レンズ５１の中央部は凹レンズ
５１’より形成されその中央部に入射される平行光を発
散させ蠅目レンズ４０の周辺部に入射させる。このた
め、凹レンズ５１’を適切な曲率で形成すべき、蠅目レ
ンズ４０と所定の距離を保つべきである。このように構
成された照明系を有する本発明による投影露光装置の作
用を説明すれば次のとおりである。
【００１０】光源１０から出てきた光は反射鏡２０によ
り反射集束された後平行光形成レンズ３０に入射され
る。平行光形成レンズ３０に入射された光はその後方に
設置された第１光分散レンズ５１を経て蠅目レンズ４０
に入射される。この際、第１光分散レンズ５１の中央部
に入射した光は凹レンズ５１’により発散され蠅目レン
ズ４０の周辺部に入射し、第１光分散レンズ５１の周辺
部に入射した光りは屈折なしにそのまま通過して蠅目レ
ンズ４０の周辺部に入射される。蠅目レンズ４０の周辺
部に入射した光は第２の光源を形成しパターンの形成さ
れたマスクを斜入射照明することにより、このパターン
をマスク上に転写して半導体素子などを製造することで
ある。
【００１１】図３には本発明の第２実施例が示されてい
る。本発明の第２実施例では第１実施例と同様に、光源
１０、反射鏡２０、平行光形成レンズ３０、蠅目レンズ
４０が順次に光進行経路上に備えられ、平行光形成レン
ズ３０と蠅目レンズ４０との間には本発明の特徴的な要
素である第２光分散レンズ５２が備えられる。第２光分
散レンズ５２はその中央部に多数の小型の凸レンズ５
２’が密集されさらに他の蠅目レンズを形成する形態に
構成される。この第２光分散レンズ５２により中央部の
光が周辺部に発散される。このために凸レンズは蠅目レ
ンズの大きさをかんがみてその焦点距離が定められるべ
きである。例えば、蠅目レンズ４０の直径が５０ｍｍで
あり厚さが５ｍｍの場合、凸レンズの焦点距離は１０ｍ
ｍ内外が望ましい。
【００１２】一方、この凸レンズは位相シフト方式に使
われる回折レンズであるゾーンプレートに置き換えられ
る。このゾーンプレートはフォトレジストにより製造さ
れるが、同心を有する環状のパターン部と食刻部が交互
的に形成される。このように構成された本発明の第２実
施例の作用を説明すれば次の通りである。
【００１３】光源１０から出てきた光は反射鏡２０と平
行光形成レンズ３０を通過して第２光分散レンズ５２に
入射する。第２光分散レンズ５２はその中央部が多数の
小型凸レンズ５２’より形成されているので、これら凸
レンズに入射した光りは一応集束された後発散され蠅目
レンズ４０の周辺部に入射する。また、第２光分散レン
ズ５２の周辺部に入射した光は屈折なしにそのまま通過
して蠅目レンズ４０の周辺部に入射する。蠅目レンズ４
０の周辺部に入射した光は第２の光源を形成してパター
ンの形成されたマスクを斜入射照明することによりこの
パターンをマスク上に転写して半導体素子などを製造す
る。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の投影露光装
置は光進行経路上に配置された平行光形成レンズと蠅目
レンズとの間に光分散手段を設けて平行光形成レンズを
経て蠅目レンズの中央部に入射される光を周辺部に分散
させるよう構成される。従って、蠅目レンズに入射され
る直前の光強度が図４の（ｂ）のような形態に分布され
た中央部と周辺部が殆ど均一に現れる。このように中央
部の光が周辺部に分散されることにより主として周辺部
の光を用いる斜入射照明では光利用効率を極めて高めら
れ、よって露光時間が短縮され製品の生産性が向上され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の投影露光装置を概略的に示した側面図で
ある。
【図２】本発明による投影露光装置の第１実施例を概略
的に示した側面図である。
【図３】本発明による投影露光装置の第２実施例を概略
的に示した側面図である。
【図４】図１、図２及び図３の断面Ａ−Ａ線で光の強度
を示した図面である。
【符号の説明】
１０ 光源 ３０ 平行光形成レンズ ４０ 蠅目レンズ ５１ 第１光分散レンズ ５２ 第２光分散レンズ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源と、 前記光源から出てきた光を平行光に形成させる平行光形
    成レンズと、 前記平行光形成レンズを通過した光を受けて第２の光源
    を形成する 蠅目レンズと、前記平行光形成レンズと蠅目レンズとの間の光経路上に
    置かれその中央部に入射される光を分散させ前記蠅目レ
    ンズの周辺部に出射する光分散手段とを備え、 前記光分散手段はその中央部が凹レンズより形成された
    第１光分散レンズである ことを特徴とする投影露光装
    置。
  2. 【請求項２】 光源と、 前記光源から出てきた光を平行光に形成させる平行光形
    成レンズと、 前記平行光形成レンズを通過した光を受けて第２の光源
    を形成する蠅目レンズと、 前記平行光形成レンズと蠅目レンズとの間の光経路上に
    置かれその中央部に入射される光を分散させ前記蠅目レ
    ンズの周辺部に出射する光分散手段とを備え、 前記光分散手段はその中央部に多数の凸レンズが形成さ
    れ前記平行光形成レンズを通過した光を集束させ蠅目レ
    ンズの周辺部に発散させる第２光分散レンズである こと
    を特徴とする投影露光装置。
JP5289413A 1992-11-21 1993-11-18 投影露光装置 Expired - Fee Related JP2875143B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920021977A KR100234357B1 (ko) 1992-11-21 1992-11-21 투영노광장치
KR1992P21977 1992-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0774086A JPH0774086A (ja) 1995-03-17
JP2875143B2 true JP2875143B2 (ja) 1999-03-24

Family

ID=19343606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5289413A Expired - Fee Related JP2875143B2 (ja) 1992-11-21 1993-11-18 投影露光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5386266A (ja)
JP (1) JP2875143B2 (ja)
KR (1) KR100234357B1 (ja)
NL (1) NL194951C (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL194929C (nl) * 1992-10-20 2003-07-04 Samsung Electronics Co Ltd Projectiebelichtingssysteem.
DE19520563A1 (de) * 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
AU2002342349A1 (en) 2001-11-07 2003-05-19 Applied Materials, Inc. Maskless printer using photoelectric conversion of a light beam array
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
FR2887038A1 (fr) * 2005-06-13 2006-12-15 Thomson Licensing Sa Systeme optique et element optique correspondant
US7940464B2 (en) * 2004-12-01 2011-05-10 Thomson Licensing Optical system and corresponding optical element
KR100733137B1 (ko) * 2006-06-14 2007-06-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치
JP6598833B2 (ja) * 2017-09-11 2019-10-30 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法
CN113126188A (zh) * 2021-04-26 2021-07-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种曲面复眼透镜及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE34634E (en) * 1982-02-26 1994-06-07 Nippon Kogaku Kabushiki Kaisha Light illumination device
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
JPS59160134A (ja) * 1983-03-04 1984-09-10 Canon Inc 照明光学系
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
US4867514A (en) * 1985-11-12 1989-09-19 Hydro Fuels, Inc. Systems for deviating and (optionally) converging radiation
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
JPH0264501A (ja) * 1988-08-30 1990-03-05 Sharp Corp マイクロレンズアレイ及びその製造方法
US5153773A (en) * 1989-06-08 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device including amplitude-division and beam movements
JP2893778B2 (ja) * 1990-01-17 1999-05-24 キヤノン株式会社 露光装置
JP3360686B2 (ja) * 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
JPH04369209A (ja) * 1991-06-17 1992-12-22 Nikon Corp 露光用照明装置
JPH05217855A (ja) * 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
US5311249A (en) * 1992-02-13 1994-05-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP3075381B2 (ja) * 1992-02-17 2000-08-14 株式会社ニコン 投影露光装置及び転写方法
US5309198A (en) * 1992-02-25 1994-05-03 Nikon Corporation Light exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
NL194951B (nl) 2003-04-01
JPH0774086A (ja) 1995-03-17
KR940012508A (ko) 1994-06-23
NL194951C (nl) 2003-08-04
KR100234357B1 (ko) 1999-12-15
NL9301972A (nl) 1994-06-16
US5386266A (en) 1995-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4497015A (en) Light illumination device
US7061582B2 (en) Exposure apparatus including micro mirror array and exposure method using the same
US5610763A (en) Illuminating optical apparatus
JPH06214318A (ja) 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置
USRE34634E (en) Light illumination device
JPS60218635A (ja) 照明装置
JP3295956B2 (ja) 露光装置及び半導体素子の製造方法
JP2997351B2 (ja) 照明光学装置
JP2875143B2 (ja) 投影露光装置
JP3067491B2 (ja) 投影露光装置
JPS62115719A (ja) 照明光学系
JPH01114035A (ja) 露光装置
JPH08203803A (ja) 露光装置
JPH07142369A (ja) 露光装置
JP3339593B2 (ja) 投影露光装置、及び該装置を用いた素子製造方法
JP2914035B2 (ja) 輪帯光束形成方法および照明光学装置
US5387961A (en) Illumination system for projection exposing apparatus
JPH0620925A (ja) 露光装置
JPS61177422A (ja) 光の可干渉性の低下を図つた光学装置
JPS6380243A (ja) 露光装置用照明光学装置
JPH0769576B2 (ja) 照明光学装置
JP3296346B2 (ja) 露光装置及び半導体素子の製造方法
JP3339631B2 (ja) 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法
JP2997350B2 (ja) 照明光学装置
KR20160034806A (ko) 조명 광학장치, 노광장치, 및 물품의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees