JP2873285B1 - 半導体ウエハー - Google Patents
半導体ウエハーInfo
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- JP2873285B1 JP2873285B1 JP3797898A JP3797898A JP2873285B1 JP 2873285 B1 JP2873285 B1 JP 2873285B1 JP 3797898 A JP3797898 A JP 3797898A JP 3797898 A JP3797898 A JP 3797898A JP 2873285 B1 JP2873285 B1 JP 2873285B1
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Abstract
めると共にエピタキシャル成長膜の形状や純度を向上、
安定化させる。 【解決手段】 両面鏡面研磨仕上げした半導体ウエハ
ー、特に矩形のウエハーであって、ウエハーの裏面のみ
の外周部の一部または全部に面取り加工を施し、該ウエ
ハーの表面には面取り加工部を設けないようにした半導
体ウエハー。
Description
相エピタキシャル成長用半導体ウエハーに関する。
うち、特にエピタキシャル成長用半導体ウエハーは矩形
のものが一般的である。これには鏡面仕上を表裏両面に
施したものと、表面のみに施したものの２通りがある。
このうち後者、すなわち表面のみに鏡面仕上を施したも
のは、粗面である裏面に塵埃等が付着し易く、また破壊
強度が低いという欠点がある。したがって、このような
欠点を嫌う場合には前者、すなわち鏡面仕上を表裏両面
に施した半導体ウエハーが使用される。また、赤外線検
出器用ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅのようにウエハー裏
面より赤外線を導入し、表面側に形成された検出部に導
くようなデバイス構造には、必然的に表裏両面に鏡面仕
上を施した半導体ウエハーが使用される。
が多く、しばしば加工工程中に機械的衝撃を受け、チッ
ピングや割れが発生するというトラブルを起こすことが
ある。このための対策として単結晶インゴットからウエ
ハーを切り出した後、外周部をテーパー状にあるいは曲
線状に削るといった面取りを施してから研磨加工を進め
ていくのが一般的である。この面取り部は研磨加工が進
み厚さが薄くなっていくに従ってその部分が研磨されて
小さくなっていくが、最終研磨後も幅０．３〜１．０ｍ
ｍ程度残ることが多い。
ハーには次のような問題があった。まず、両面が鏡面で
あると肉眼でウエハーの表裏を判別するのは困難であ
り、しばしば取り扱いに間違えるという問題を生じた。
円形のウエハーの場合には、その外周にオリエンテーシ
ョンフラットと称する直線部を複数個設け、その相互の
位置関係により表裏の判別を可能ならしめていたが、矩
形ウエハーの場合はそのような対処ができない。また、
面取り部は種々の面方位よりなる結晶面の集合なので、
この半導体ウエハーにエピタキシャル成長した場合、成
長速度の高い面方位の方向に選択的にエピ膜が成長し、
エピタキシャル成長後のウエハーエッジ部は特定方向に
盛り上がったいわゆるクラウン状になってしまい、その
後のデバイス作成工程に悪影響を与える。
エハーエッジ部は、その後工程である研磨（ラッピング
およびポリシング）では上記のように十分除去されてい
ないことが多い。このため、研磨後のエッジ部には不純
物などの汚染物質が残存し易くなる。ウエハー表面およ
びこれに連接する表側エッジ部は液相エピタキシャル成
長時に、先ず液相によりメルトバックされてから成長を
開始するが、上記のようにエッジ部に残存する汚染物質
はメルトバック時に液相中に溶け出して汚染原因とな
る。このため、ウエハー表面にその後成長するエピタキ
シャル層も汚染されてしまうという問題があった。
鏡面にした矩形の半導体ウエハーの場合でも肉眼でウエ
ハーの表裏を容易に判別できるようにし、またウエハー
の表面の面取り部における特定方向に盛り上がるクラウ
ン状のエピタキシャル成長膜の成長を防止し、さらに表
側エッジ部の汚染物質に起因するエピタキシャル成長層
の汚染を効果的に防止することを課題とする。
発明は以下のようにして解決を図った。 １．両面鏡面仕上げした半導体ウエハーであって、該ウ
エハーの裏面のみの外周部の一部または全部に面取り部
を備えていることを特徴とする半導体ウエハー ２．液相エピタキシャル成長用矩形ウエハーであること
を特徴とする上記１記載の半導体ウエハー ３．矩形のＣｄＴｅまたはＣｄxＺｎ1-xＴｅ（ｘ＜１）
ウエハーであることを特徴とする上記１記載の半導体ウ
エハー
た面のうち裏面のみの外周部の一部または全部に面取り
部を設ける、すなわち最終研磨仕上げ後の状態でウエハ
ーエッジ部の面取りはウエハーの裏面のみに施し、エピ
タキシャル成長する表面には面取り部が無い状態とす
る。これによって、ウエハーは外周部の面取りの有無に
より、その表裏を容易に判別できるので、取り扱い時に
表裏を誤ることがなくなる。なお、このような面取り部
は、必ずしもウエハー外周部の全部である必要はなく外
周部の一部であってもよい。
長するウエハーの表面側に面取り部が無いので、上記に
述べたようなエピタキシャル成長時の外周部の特定方向
への異常成長やメルトバック時の汚染が無いという特徴
を有している。なお、従来の面取り加工の目的の一つで
あったウエハー加工時のチッピングや割れ等のウエハー
破損の低減効果については、ウエハー表面側に面取り部
を設けなければ無くなるわけであるが、これには次のよ
うな解決手段がある。すなわち、ウエハー表面側の面取
り深さを、後の研磨加工で除去される量と同程度にして
おくことにより解決できる。このようにすると研磨等の
操作中には面取り部が存在しているので、チッピング等
のウエハー破損が防止できる。そして最終仕上げ時点で
は該ウエハー表面側に面取り部が存在していないので、
上記にのべた本発明の機能を全てもつことができる。
以下に示す。ＶＧＦ法により育成したＣｄ0.97Ｚｎ0.03
Ｔｅ単結晶より厚さ１０００μｍ、面方位（１１１）の
３０ｘ５０ｍｍ2 ウエハー１０枚を切り出し、外周部を
面取り加工した。これらのウエハー１０枚の面取り深さ
は裏面側は全て２００μｍとし、そして表面側はウエハ
ー５枚について１００μｍ（本発明の実施例）に、他の
ウエハー５枚については２００μｍ（比較例）とした。
この後、ウエハーの両面をラッピングおよび次いでポリ
シング加工し、表面および裏面共に１００μｍ（合計で
２００μｍ）を鏡面研磨仕上げした。これにより、最終
仕上げ後本発明の実施例ウエハーの５枚の表面側外周部
には面取り部がなくなり、裏面側外周部のみに１００μ
ｍの面取り部が存在する。これに対し、比較例であるウ
エハーの５枚については表面側および裏面側の外周部の
双方に面取り部がそれぞれ１００μｍ存在する。
較例ウエハーの５枚について、表面に厚さ２μｍのＨｇ
ＣｄＴｅを液相エピタキシャル成長させた後、ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐａｗｖ法によりキャリア濃度を評価した。こ
の結果を表１に示す。
部に面取り部がない本発明の実施例は、表面側外周部に
面取り部が１００μｍ存在する比較例ウエハーに比べキ
ャリア濃度が平均的に低く、ばらつきも小さい。これは
不純物が少ないエピタキシャル膜が安定して得られてい
ることを示している。また、エピタキシャル成長膜も比
較例のウエハーでは外周部が***したクラウン状となっ
ていたのに対し、本発明の実施例では厚さの一様な良好
なエピタキシャル成長膜が得られた。さらに本発明の実
施例では表面研磨加工の最終段階まで表面側外周部に面
取り部が存在していたので、比較例と同様にチッピング
や割れ等のウエハー破損がなかった。なお、ウエハーの
裏面側の面取り部については特に問題となることはな
く、本発明の目的のためには、ウエハーの裏面側の面取
り部は外周部全面でもまたはその一部のいずれでもよ
い。
半導体ウエハー、特に矩形ウエハーの外周部の面取りを
裏面のみに施すことによって、表裏面の判別を容易なら
しめると共に成長後のエピタキシャル膜の形状や純度を
向上させ、安定化させる優れた効果を有する。
Claims (3)
- 【請求項１】 両面鏡面仕上げした半導体ウエハーであ
って、該ウエハーの裏面のみの外周部の一部または全部
に面取り部を備えていることを特徴とする半導体ウエハ
ー。 - 【請求項２】 液相エピタキシャル成長用矩形ウエハー
であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ
ー。 - 【請求項３】 矩形のＣｄＴｅまたはＣｄxＺｎ1-xＴｅ
（ｘ＜１）ウエハーであることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウエハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3797898A JP2873285B1 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体ウエハー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3797898A JP2873285B1 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体ウエハー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2873285B1 true JP2873285B1 (ja) | 1999-03-24 |
| JPH11224836A JPH11224836A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12512668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3797898A Expired - Lifetime JP2873285B1 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体ウエハー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873285B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116034186A (zh) * | 2020-09-17 | 2023-04-28 | 日本碍子株式会社 | Iii族元素氮化物半导体基板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4846915B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2011-12-28 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP3797898A patent/JP2873285B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116034186A (zh) * | 2020-09-17 | 2023-04-28 | 日本碍子株式会社 | Iii族元素氮化物半导体基板 |
Also Published As
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|---|---|
| JPH11224836A (ja) | 1999-08-17 |
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