JP2857444B2 - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JP2857444B2 JP2857444B2 JP1649590A JP1649590A JP2857444B2 JP 2857444 B2 JP2857444 B2 JP 2857444B2 JP 1649590 A JP1649590 A JP 1649590A JP 1649590 A JP1649590 A JP 1649590A JP 2857444 B2 JP2857444 B2 JP 2857444B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れた封止
用樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
用樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
（従来の技術） 近年、半導体、集積回路の分野における高集積化、高
信頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の
自動化が推進されている。例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を250℃に加熱した半田浴に浸漬して、一度に半
田付けを行う方法が採用されている。
信頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の
自動化が推進されている。例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を250℃に加熱した半田浴に浸漬して、一度に半
田付けを行う方法が採用されている。
従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂お
よび無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体
装置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性が低下
するという欠点がある。特に吸湿した半導体装置を半田
浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間あるい
は封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい耐
湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分によるリ
ーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することができ
ないという欠点がある。このため、耐湿性の影響が少な
く、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化の少
ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望されてい
た。
よび無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体
装置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性が低下
するという欠点がある。特に吸湿した半導体装置を半田
浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間あるい
は封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい耐
湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分によるリ
ーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することができ
ないという欠点がある。このため、耐湿性の影響が少な
く、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化の少
ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望されてい
た。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記の欠点を解消し、要望に応えるために
なされたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬
後の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止
用樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとする
ものである。
なされたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬
後の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止
用樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、ホスファゼン系フッ素ゴムを配合するによっ
て、半田浴浸漬後の耐湿性および半田耐熱性が向上し、
かつ成形性がよくなることを見いだし、本発明を完成し
たものである。すなわち、本発明は （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるホスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中R1はCpH2pCqF2q+1を、R2はCtH2tCsF
2s+1を、l,m,n,p,q,s,tは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファゼン系フッ素ゴムを0.1〜５重量％、また前記
（Ｄ）の無機質充填剤を25〜90重量％含有してなること
を特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂組
成物の硬化物で半導体ペレットが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
ねた結果、ホスファゼン系フッ素ゴムを配合するによっ
て、半田浴浸漬後の耐湿性および半田耐熱性が向上し、
かつ成形性がよくなることを見いだし、本発明を完成し
たものである。すなわち、本発明は （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるホスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中R1はCpH2pCqF2q+1を、R2はCtH2tCsF
2s+1を、l,m,n,p,q,s,tは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファゼン系フッ素ゴムを0.1〜５重量％、また前記
（Ｄ）の無機質充填剤を25〜90重量％含有してなること
を特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂組
成物の硬化物で半導体ペレットが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分
子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である
限り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封
止用材料として使用されているものを広く包含すること
ができる。例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘導体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエポキシノボラック系の樹脂が挙げられる。
子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である
限り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封
止用材料として使用されているものを広く包含すること
ができる。例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘導体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエポキシノボラック系の樹脂が挙げられる。
（但し、式中R1は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を、R2は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上の整
数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
基を、R2は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上の整
数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂と
しては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノー
ル類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒド
とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、
およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブ
チル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これ
らの樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ）とノボラック型フェノール樹
脂のフェノール性水酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／
（ｂ）］が0.1〜10の範囲内であることが望ましい。当
量比が0.1未満もしくは10を超えると、耐湿性、成形作
業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合
も好ましくない。従って、上記の範囲内に限定するのが
よい。
しては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノー
ル類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒド
とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、
およびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブ
チル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これ
らの樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ）とノボラック型フェノール樹
脂のフェノール性水酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／
（ｂ）］が0.1〜10の範囲内であることが望ましい。当
量比が0.1未満もしくは10を超えると、耐湿性、成形作
業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合
も好ましくない。従って、上記の範囲内に限定するのが
よい。
本発明に用いる（Ｃ）ホスファゼン系フッ素ゴムとし
ては、例えば前記一般式で示したものが用いられる。ホ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熱分解した長鎖ゴム（PNCl2）
を含フッ素アルコールと反応させたもの等が挙げられ
る。具体的な化合物としては次のものが挙げられる。
ては、例えば前記一般式で示したものが用いられる。ホ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熱分解した長鎖ゴム（PNCl2）
を含フッ素アルコールと反応させたもの等が挙げられ
る。具体的な化合物としては次のものが挙げられる。
これらは単独又は２種以上混合して使用することがで
きる。ホスファゼン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して0.1〜５重量％含有することが望ま
しい。この割合が0.1重量％未満では半田耐熱性に効果
なく、また５重量％を超えると樹脂粘度が増加する等、
成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
きる。ホスファゼン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して0.1〜５重量％含有することが望ま
しい。この割合が0.1重量％未満では半田耐熱性に効果
なく、また５重量％を超えると樹脂粘度が増加する等、
成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましくない。
本発明に用いる（Ｄ）無機質充填剤としては、シリカ
粉末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カル
シウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ベンガラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用する。これらの中でも特にシリカ粉末や
アルミナ粉末が好ましく、よく使用される。無機質充填
剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量
％である。その割合が25重量％未満では、耐湿性、半田
耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、また90重
量％を超えるとカサバリが大きくなり成形性が悪く実用
に適さない。
粉末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カル
シウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ベンガラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用する。これらの中でも特にシリカ粉末や
アルミナ粉末が好ましく、よく使用される。無機質充填
剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量
％である。その割合が25重量％未満では、耐湿性、半田
耐熱性、機械的特性および成形性が悪くなり、また90重
量％を超えるとカサバリが大きくなり成形性が悪く実用
に適さない。
本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラ
ック型フェノール樹脂、ホスファゼン系フッ素ゴムおよ
び無機質充填剤を必須成分とするが、本発明の目的を損
なわないかぎり、また必要に応じて、天然ワックス類，
合成ワックス類，直鎖脂肪酸の金属塩，酸アミド，エス
テル類，パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィ
ン，ブロム化トルエン，ヘキサブロムベンゼン，三酸化
アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック，ベンガラ
などの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促進
剤等を適宜添加配合することができる。
ック型フェノール樹脂、ホスファゼン系フッ素ゴムおよ
び無機質充填剤を必須成分とするが、本発明の目的を損
なわないかぎり、また必要に応じて、天然ワックス類，
合成ワックス類，直鎖脂肪酸の金属塩，酸アミド，エス
テル類，パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィ
ン，ブロム化トルエン，ヘキサブロムベンゼン，三酸化
アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック，ベンガラ
などの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促進
剤等を適宜添加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として製造する
場合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フ
ェノール樹脂、ホスファゼン系フッ素ゴム、無機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、またニーダ等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。そして、この成形材料を電子部品或いは電気部
品の封止に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優れ
た特性と信頼性を付与することができる。
場合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フ
ェノール樹脂、ホスファゼン系フッ素ゴム、無機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、またニーダ等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。そして、この成形材料を電子部品或いは電気部
品の封止に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優れ
た特性と信頼性を付与することができる。
本発明の半導体封止装置は、上記のようにして得られ
た封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止する
ことにより容易に製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成形法がある
が、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能であ
る。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は150℃以上の
温度で加熱硬化させることが望ましい。封止を行う半導
体ペレットとしては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
た封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止する
ことにより容易に製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成形法がある
が、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能であ
る。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化させ、
最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は150℃以上の
温度で加熱硬化させることが望ましい。封止を行う半導
体ペレットとしては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
（作用） 本発明において、ホスファゼン系フッ素ゴムを用いた
ことによって、目的とする特性が得られるものである。
ホスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ペレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
ことによって、目的とする特性が得られるものである。
ホスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ペレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
（実施例） 次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本
発明は、以下の実施例に限定されるものではない。以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
発明は、以下の実施例に限定されるものではない。以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
実施例 １ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）18％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、次のホスファゼン系フッ素ゴム0.3％、 溶融シリカ粉末71％、エステル系ワックス0.3％および
シラン系カップリング剤0.4％を配合し、常温で混合し
更に90〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料を製
造した。この成形材料を170℃に加熱した金型内にトラ
ンスファー注入し硬化させて成形品（封止品）をつくっ
た。この成形品について耐湿性等の特性を試験したの
で、その結果を第１表に示した。特に耐湿性において本
発明の顕著な効果が認められた。
5）18％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、次のホスファゼン系フッ素ゴム0.3％、 溶融シリカ粉末71％、エステル系ワックス0.3％および
シラン系カップリング剤0.4％を配合し、常温で混合し
更に90〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料を製
造した。この成形材料を170℃に加熱した金型内にトラ
ンスファー注入し硬化させて成形品（封止品）をつくっ
た。この成形品について耐湿性等の特性を試験したの
で、その結果を第１表に示した。特に耐湿性において本
発明の顕著な効果が認められた。
実施例 ２〜３ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）19％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、次のホスファゼン系フッ素ゴムを、 実施例２では0.3％、実施例３では0.3％、シリカ粉末71
％、エステル系ワックス0.3％およびシラン系カップリ
ング剤0.4％を実施例１と同様に配合、混練、粉砕して
成形材料を製造した。また実施例１と同様にして成形品
をつくり耐湿性等の特性試験を行ったので、その結果を
第１表に示した。耐湿性において本発明の顕著な効果が
認められた。
5）19％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、次のホスファゼン系フッ素ゴムを、 実施例２では0.3％、実施例３では0.3％、シリカ粉末71
％、エステル系ワックス0.3％およびシラン系カップリ
ング剤0.4％を実施例１と同様に配合、混練、粉砕して
成形材料を製造した。また実施例１と同様にして成形品
をつくり耐湿性等の特性試験を行ったので、その結果を
第１表に示した。耐湿性において本発明の顕著な効果が
認められた。
比較例 クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）19％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、シリカ粉末71％、硬化促進剤0.3％、エ
ステル系ワックス0.3％およびシラン系カップリング剤
0.4％を配合し、実施例１と同様にして成形材料を製造
した。この成形材料を用いて成形品とし、成形品の諸特
性について実施例１と同様にして試験を行い、その結果
を第１表に示した。
5）19％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、シリカ粉末71％、硬化促進剤0.3％、エ
ステル系ワックス0.3％およびシラン系カップリング剤
0.4％を配合し、実施例１と同様にして成形材料を製造
した。この成形材料を用いて成形品とし、成形品の諸特
性について実施例１と同様にして試験を行い、その結果
を第１表に示した。
［発明の効果］ 以上の説明および第１表から明らかなように、本発明
の封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレーム
に対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半
田浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の
腐食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著
しく低減することができ、しかも長時間にわたって信頼
性を保証することができる。また、250℃の半田浴浸漬
にもかかわらず優れた半田耐熱性を示した。
の封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレーム
に対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半
田浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の
腐食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著
しく低減することができ、しかも長時間にわたって信頼
性を保証することができる。また、250℃の半田浴浸漬
にもかかわらず優れた半田耐熱性を示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ //(Ｃ０８Ｌ 63/00 85:02） (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 C08L 85/02 C08G 59/62 H01L 23/29
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるホスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中R1はCpH2pCqF2q＋１を、R2はCtH2tCsF
2s＋１を、l,m,n,p,q,s,tは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファゼン系フッ素ゴムを0.1〜５重量％、また前記
（Ｄ）の無機質充填剤を25〜90重量％含有してなること
を特徴とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項２】（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるホスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中R1はCpH2pCqF2q+1を、R2はCtH2tCsF
2s+1を、l,m,n,p,q,s,tは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファゼン系フッ素ゴムを0.1〜５重量％、また前記
（Ｄ）の無機質充填剤を25〜90重量％含有した封止用樹
脂組成分の硬化物により、半導体ペレットが封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649590A JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649590A JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03221518A JPH03221518A (ja) | 1991-09-30 |
| JP2857444B2 true JP2857444B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=11917868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1649590A Expired - Fee Related JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2857444B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4635882B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2011-02-23 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| CN109535612A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-29 | 南阳医学高等专科学校 | 一种计算机用芯片封装材料及其制备方法 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1649590A patent/JP2857444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03221518A (ja) | 1991-09-30 |
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