JP4635882B2 - 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 - Google Patents
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- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N COc1ccccc1 Chemical compound COc1ccccc1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
(1) (A)1分子中に2個以上のエポキシ基を持つエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を持つ化合物、(C)次式(I)
(2) (C)成分のnが3である上記(1)記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、
(3) (C)成分のn個のR及びn個のR’が全てフェニル基である上記(1)または(2)記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、
(4) (C)成分のn個のRとn個のR’のうち2〜4個がヒドロキシフェニル基であり、他の全てがフェニル基である上記(1)または(2)記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、
(5) (C)成分のn個のR及びn個のR’が全てヒドロキシフェニル基である上記(1)または(2)記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、
(6) (A)成分のエポキシ樹脂が4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニルである上記(1)〜(5)記載のいずれかの電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、
(7) 上記(1)〜(6)記載のいずれかの電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料により素子を封止して得られる電子部品、
である。
エポキシ当量200、軟化点67℃のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量188、融点106℃のビフェニル骨格型エポキシ樹脂(4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニル)、水酸基当量106、軟化点83℃のフェノールノボラック樹脂、水酸基当量167、軟化点70℃のフェノール・アラルキル樹脂(三井東圧製;ミレックスXL−225)、トリフェニルホスフィン、カルナバワックス、カーボンブラック、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、溶融シリカ、及び難燃剤として、本発明の(C)成分であり次の構造式で示される化合物1〜化合物3
難燃剤としてエポキシ当量375、軟化点80℃、臭素含量48重量%のブロム化ビスフェノールA型エポキシ樹脂及び三酸化アンチモンを使用した以外は実施例と同様に、表1に示す配合で比較例1、2の成形材料を作製した。
(1)熱時硬度
直径100mm、厚さ3mmの円板を成形する金型を使用し、トランスファプレスにて180±3℃、6.9±0.17MPa、90秒の条件で成形材料を成形し、成形直後の成形品の熱時硬度をショア硬度計(Dタイプ)により求めた。なお、熱時硬度の値は数値が高いほど良いと評価する。
(2)吸水率
JIS−K−6911に準拠した、直径50mm厚さ3mmの円板を作製し、85℃、85%RHの条件で加湿を行い、所定時間後の重量変化から求めた。
(3)接着性
30μmのアルミ箔上に成形材料をトランスファプレスにて180±3℃、6.9±0.17MPa、90秒の条件で成形し、その後、アルミ箔の90度方向へのピール強度を測定した。
(4)難燃性
厚さ1/16インチの試験片を成形する金型を使用し、トランスファプレスにて180±3℃、6.9±0.17MPa、90秒の条件で成形材料を成形し、その後180±5℃、5時間後硬化を行った。評価はUL94−V0試験法に従った。
(5)高温放置特性
外形サイズ5×9(mm)で5μmの酸化膜を有するシリコンサブストレート上にライン/スペースが10μmのアルミ配線を形成したテスト素子を使用して、部分銀メッキを施した42アロイのリードフレームに銀ペーストで接続し、サーモソニック型ワイヤボンダにより200℃で素子のボンディングパッドとインナリードをAu線にて接続した。その後、トランスファ成形により16ピン型DIP(Dual Inline Package)を作製し、得られた試験用ICを200℃の高温槽に保管し、所定時間毎に取り出して導通試験を行い、不良数を調べた。なお、評価用ICパッケージの成形はトランスファプレスにて180±3℃、6.9±0.17MPa、90秒の条件で成形材料を成形し、その後180±5℃、5時間後硬化を行った。
Claims (4)
- (A)1分子中に2個以上のエポキシ基を持つエポキシ樹脂、
(B)1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を持つ化合物、
(C)次式(I)
(D)無機充填剤、
を必須成分とする成形材料であって、
(A)成分のエポキシ樹脂が4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニルであり、
(C)成分の含有量が充填剤(D)を除く配合成分の合計量に対して燐原子の量が0.2〜3.0重量%となる量であり、(D)成分の含有量が成形材料全体に対して70重量%以上であることを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。 - (C)成分のnが3である請求項1記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。
- (C)成分のn個のR及びn個のR’が全てフェニル基である請求項1または請求項2記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。
- 請求項1〜3各項記載のいずれかの電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料により素子を封止して得られる電子部品。
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