JP2836987B2 - セラミック基体へのめっき方法 - Google Patents
セラミック基体へのめっき方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子等の電子部品
を搭載するセラミック基体へのめっき方法に関する。
を搭載するセラミック基体へのめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等の電子部品を搭載する、セ
ラミックパッケージやセラミック基板等のセラミック基
体の、タングステンメタライズや金属からなる導体部、
ダイ付け部、キャップシール部等には、ワイヤボンディ
ング性、ダイボンディング性、シール性等の特性を向上
させるためにニッケルめっき皮膜、さらにその上に金め
っき皮膜を形成するようにしている。従来これらめっき
皮膜は電解めっきによって形成するようにしているが、
電解めっきによるときは、上記被めっき部に導通をとる
必要があり、そのため被めっき部を導通させる導通路を
別途設けて、めっき後にこの不要な導通路を切削して除
去するようにしている。このように電解めっきによると
きは、本来不必要な導通路を別途設けて、めっき後に除
去しなければならない余分な工程が必要となることか
ら、その必要のない無電解によるめっき方法が検討され
ている。
ラミックパッケージやセラミック基板等のセラミック基
体の、タングステンメタライズや金属からなる導体部、
ダイ付け部、キャップシール部等には、ワイヤボンディ
ング性、ダイボンディング性、シール性等の特性を向上
させるためにニッケルめっき皮膜、さらにその上に金め
っき皮膜を形成するようにしている。従来これらめっき
皮膜は電解めっきによって形成するようにしているが、
電解めっきによるときは、上記被めっき部に導通をとる
必要があり、そのため被めっき部を導通させる導通路を
別途設けて、めっき後にこの不要な導通路を切削して除
去するようにしている。このように電解めっきによると
きは、本来不必要な導通路を別途設けて、めっき後に除
去しなければならない余分な工程が必要となることか
ら、その必要のない無電解によるめっき方法が検討され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、各種の無電解
めっき液が開発され、実用化されている中で、無電解金
めっき液はいまだ実用に供せられる液が開発されていな
いのが実情である。この理由は液の安定性が極めて悪い
ことによる。一般に無電解金めっき液は、水酸化アルカ
リ、シアン化アルカリ、ボロン系還元剤を含み、これに
金属供給源たる水溶性金塩を添加している。しかるに上
記の組成で無電解金めっき液を調整した場合、液中にニ
ッケルが溶出すると極めて不安定となり、ニッケル溶出
量が僅か数ｐｐｍであっても液が分解してしまう。金め
っきの下地には一般にニッケルめっきが施されるが、こ
の下地ニッケルめっき皮膜上に無電解金めっきを行う
と、下地のニッケルが液中に溶出し、液が分解してしま
うのである。またたとえ、無電解ニッケルめっき皮膜上
に従来方法による無電解の金めっき皮膜を形成したとし
ても、半導体セラミックパッケージの場合には、ダイ付
け部に半導体素子を搭載する際やリード線のワイヤボン
ディングの際に４００〜４５０°Ｃの熱工程を経ること
から、この熱によって金めっき皮膜にふくれが生じ、ま
た変色して、ダイボンディング性、ワイヤボンディング
性が低下してしまう問題点がある。金めっき皮膜のふく
れ、変色を防止するため、金めっき前に行う置換金めっ
きを厚く付けることが考えられるが、置換めっきの厚付
けには限度があり、また厚付けすると、もともと置換め
っきは下地との置換によるものであるから、下地の無電
解ニッケル皮膜を荒らし、このためかえって無電解金め
っき皮膜の変色等を助長するという問題点がある。
めっき液が開発され、実用化されている中で、無電解金
めっき液はいまだ実用に供せられる液が開発されていな
いのが実情である。この理由は液の安定性が極めて悪い
ことによる。一般に無電解金めっき液は、水酸化アルカ
リ、シアン化アルカリ、ボロン系還元剤を含み、これに
金属供給源たる水溶性金塩を添加している。しかるに上
記の組成で無電解金めっき液を調整した場合、液中にニ
ッケルが溶出すると極めて不安定となり、ニッケル溶出
量が僅か数ｐｐｍであっても液が分解してしまう。金め
っきの下地には一般にニッケルめっきが施されるが、こ
の下地ニッケルめっき皮膜上に無電解金めっきを行う
と、下地のニッケルが液中に溶出し、液が分解してしま
うのである。またたとえ、無電解ニッケルめっき皮膜上
に従来方法による無電解の金めっき皮膜を形成したとし
ても、半導体セラミックパッケージの場合には、ダイ付
け部に半導体素子を搭載する際やリード線のワイヤボン
ディングの際に４００〜４５０°Ｃの熱工程を経ること
から、この熱によって金めっき皮膜にふくれが生じ、ま
た変色して、ダイボンディング性、ワイヤボンディング
性が低下してしまう問題点がある。金めっき皮膜のふく
れ、変色を防止するため、金めっき前に行う置換金めっ
きを厚く付けることが考えられるが、置換めっきの厚付
けには限度があり、また厚付けすると、もともと置換め
っきは下地との置換によるものであるから、下地の無電
解ニッケル皮膜を荒らし、このためかえって無電解金め
っき皮膜の変色等を助長するという問題点がある。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、導体
部、ダイ付け部等の被めっき部に、熱工程を経てもふく
れや変色の生じない無電解金めっき皮膜を形成すること
ができ、ワイヤボンディング性、ダイボンディング性等
の特性に優れるセラミック基体を提供できるめっき方法
を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、導体
部、ダイ付け部等の被めっき部に、熱工程を経てもふく
れや変色の生じない無電解金めっき皮膜を形成すること
ができ、ワイヤボンディング性、ダイボンディング性等
の特性に優れるセラミック基体を提供できるめっき方法
を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体セラミッ
クパッケージの導体部およびダイ付け部へ無電解ニッケ
ルめっき皮膜を形成するめっき工程と、無電解ニッケル
めっき皮膜に非酸化性雰囲気中で熱処理を施す熱処理工
程と、熱処理された無電解ニッケルめっき皮膜上に置換
金めっき皮膜を形成するめっき工程と、水酸化アルカ
リ、シアン化アルカリ、水溶性金塩およびボロン系還元
剤を含む基本液に、脂肪族多価アルコール、脂肪族不飽
和アルコール、脂肪族不飽和多価アルコール、脂肪族不
飽和カルボン酸またはこれら化合物の誘導体を単独もし
くは混合して添加した無電解金めっき液を用いて前記置
換金めっき皮膜上に無電解金めっき皮膜を形成するめっ
き工程とを含むことを特徴としている。無電解ニッケル
めっき皮膜を３μｍ以上１５μｍ以下の厚さに形成する
と好適である。また、置換金めっき皮膜を０．０４μｍ
以下の厚さに形成すると好適である。上記無電解金めっ
き液には、さらにスルホン酸誘導体またはその塩、スル
ホンアミド誘導体、スルホンイミド誘導体またはその塩
を単独もしくは混合して添加するとよい。また、無電解
金めっき液に、液のＰＨが１０〜１２の間になるに必要
な、グリシンなどの低級アミノ酸および／または塩化ア
ルカリを添加すると好適である。上記安定剤は単独また
は数種類併用して添加する。添加量は０．１ｇ／ｌ以上
で有効である。脂肪族多価アルコールおよびその誘導体
としては、１，１０−デカンジオールなどＨＯ−（ＣＨ
2 ）n −ＯＨの一般式で表されるｎ＝１〜１０の範囲の
二価アルコールおよびそのエステルなどの誘導体が有効
である。脂肪族不飽和アルコールおよびその誘導体とし
ては、アリルアルコール、クロチルアルコール、プロパ
ルギルアルコール、２−ブチン−１−オール、３−ブチ
ン−１−オールおよびこれらのエステルなどが有効であ
る。脂肪族不飽和多価アルコールおよびその誘導体とし
ては、２−ブチン−１，４−ジオール、１−ブチン−
３，４−ジオール、２−ペンチン−１，５−ジオール、
２−ペンチン−１，４−ジオールおよびこれらのエステ
ル等が有効である。脂肪族不飽和カルボン酸およびその
誘導体としては、プロピオール酸、アセチレンジカルボ
ン酸、プロピオール酸エチル、アセチレンジカルボン酸
エチルなどが有効である。上記安定剤に加えて、さらに
スルホン酸誘導体またはその塩、スルホン酸アミド誘導
体、スルホンイミド誘導体またはその塩を添加すること
によりさらに液が安定化し、液分解が抑えられる。スル
ホン酸誘導体またはその塩、スルホンアミド誘導体、ス
ルホンイミド誘導体またはその塩は単独または数種類併
用して添加する。その添加量は０．０１ｇ／ｌ以上で有
効である。スルホン酸誘導体またはその塩としては、ア
ミノベンゼンスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホ
ン酸、１，３，６−ナフタレントリスルホン酸またはこ
れらのアルカリ金属塩などが有効である。スルホンアミ
ド誘導体としては、アミノスルホンアミド、トルエンス
ルホンアミドなどが有効である。スルホンイミド誘導体
またはその塩としては、０−スルホ安息香酸イミドまた
はそのアルカリ金属塩が有効である。グリシン、塩化ア
ルカリの添加量は、基本液の組成とも関連するものであ
り、添加することにより得られるめっき液のＰＨが１０
〜１２の範囲となるようにする。グリシン、塩化アルカ
リを添加することによってＰＨが１０〜１２に低下する
にもかかわらず、金の析出速度は２μｍ／時程度の高速
性が得られ、従来の強アルカリ液の場合の析出速度の約
１．５μｍ／時よりもむしろ大きい析出速度が得られ
る。またＰＨが低下することによってセラミックをほと
んど浸食しない優れためっき液となる。グリシン、塩化
アルカリを併用すれば液の緩衝正に優れ、ＰＨの安定化
に寄与するが、それぞれ単独に添加してもよい。なおグ
リシンはアミノ酸の一種であり、グリシンの代わりに他
の低級アミノ酸を使用することもできる。基本液にはさ
らに鉛化合物あるいはタリウム化合物を０．１ｐｐｍ〜
５０ｐｐｍ（金属換算）添加するようにしてもよい。こ
れらは析出してくる結晶の調整剤として作用する。また
基本液にさらに、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどの
界面活性剤を０．０００１ｍｌ／ｌ〜１０ｍｌ／ｌ添加
すると泡切れもよく良好な金めっき皮膜が得られる。さ
らに基本液にチオ尿素、チオリンゴ酸などのメルカプト
基の形でＳを有する硫黄化合物を０．０１ｇ／ｌ〜５０
ｇ／ｌ程添加するとよい。これら硫黄化合物は還元剤と
して作用するボロン化合物の安定剤として作用する。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体セラミッ
クパッケージの導体部およびダイ付け部へ無電解ニッケ
ルめっき皮膜を形成するめっき工程と、無電解ニッケル
めっき皮膜に非酸化性雰囲気中で熱処理を施す熱処理工
程と、熱処理された無電解ニッケルめっき皮膜上に置換
金めっき皮膜を形成するめっき工程と、水酸化アルカ
リ、シアン化アルカリ、水溶性金塩およびボロン系還元
剤を含む基本液に、脂肪族多価アルコール、脂肪族不飽
和アルコール、脂肪族不飽和多価アルコール、脂肪族不
飽和カルボン酸またはこれら化合物の誘導体を単独もし
くは混合して添加した無電解金めっき液を用いて前記置
換金めっき皮膜上に無電解金めっき皮膜を形成するめっ
き工程とを含むことを特徴としている。無電解ニッケル
めっき皮膜を３μｍ以上１５μｍ以下の厚さに形成する
と好適である。また、置換金めっき皮膜を０．０４μｍ
以下の厚さに形成すると好適である。上記無電解金めっ
き液には、さらにスルホン酸誘導体またはその塩、スル
ホンアミド誘導体、スルホンイミド誘導体またはその塩
を単独もしくは混合して添加するとよい。また、無電解
金めっき液に、液のＰＨが１０〜１２の間になるに必要
な、グリシンなどの低級アミノ酸および／または塩化ア
ルカリを添加すると好適である。上記安定剤は単独また
は数種類併用して添加する。添加量は０．１ｇ／ｌ以上
で有効である。脂肪族多価アルコールおよびその誘導体
としては、１，１０−デカンジオールなどＨＯ−（ＣＨ
2 ）n −ＯＨの一般式で表されるｎ＝１〜１０の範囲の
二価アルコールおよびそのエステルなどの誘導体が有効
である。脂肪族不飽和アルコールおよびその誘導体とし
ては、アリルアルコール、クロチルアルコール、プロパ
ルギルアルコール、２−ブチン−１−オール、３−ブチ
ン−１−オールおよびこれらのエステルなどが有効であ
る。脂肪族不飽和多価アルコールおよびその誘導体とし
ては、２−ブチン−１，４−ジオール、１−ブチン−
３，４−ジオール、２−ペンチン−１，５−ジオール、
２−ペンチン−１，４−ジオールおよびこれらのエステ
ル等が有効である。脂肪族不飽和カルボン酸およびその
誘導体としては、プロピオール酸、アセチレンジカルボ
ン酸、プロピオール酸エチル、アセチレンジカルボン酸
エチルなどが有効である。上記安定剤に加えて、さらに
スルホン酸誘導体またはその塩、スルホン酸アミド誘導
体、スルホンイミド誘導体またはその塩を添加すること
によりさらに液が安定化し、液分解が抑えられる。スル
ホン酸誘導体またはその塩、スルホンアミド誘導体、ス
ルホンイミド誘導体またはその塩は単独または数種類併
用して添加する。その添加量は０．０１ｇ／ｌ以上で有
効である。スルホン酸誘導体またはその塩としては、ア
ミノベンゼンスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホ
ン酸、１，３，６−ナフタレントリスルホン酸またはこ
れらのアルカリ金属塩などが有効である。スルホンアミ
ド誘導体としては、アミノスルホンアミド、トルエンス
ルホンアミドなどが有効である。スルホンイミド誘導体
またはその塩としては、０−スルホ安息香酸イミドまた
はそのアルカリ金属塩が有効である。グリシン、塩化ア
ルカリの添加量は、基本液の組成とも関連するものであ
り、添加することにより得られるめっき液のＰＨが１０
〜１２の範囲となるようにする。グリシン、塩化アルカ
リを添加することによってＰＨが１０〜１２に低下する
にもかかわらず、金の析出速度は２μｍ／時程度の高速
性が得られ、従来の強アルカリ液の場合の析出速度の約
１．５μｍ／時よりもむしろ大きい析出速度が得られ
る。またＰＨが低下することによってセラミックをほと
んど浸食しない優れためっき液となる。グリシン、塩化
アルカリを併用すれば液の緩衝正に優れ、ＰＨの安定化
に寄与するが、それぞれ単独に添加してもよい。なおグ
リシンはアミノ酸の一種であり、グリシンの代わりに他
の低級アミノ酸を使用することもできる。基本液にはさ
らに鉛化合物あるいはタリウム化合物を０．１ｐｐｍ〜
５０ｐｐｍ（金属換算）添加するようにしてもよい。こ
れらは析出してくる結晶の調整剤として作用する。また
基本液にさらに、ポリオキシエチレンアルキルフェニル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどの
界面活性剤を０．０００１ｍｌ／ｌ〜１０ｍｌ／ｌ添加
すると泡切れもよく良好な金めっき皮膜が得られる。さ
らに基本液にチオ尿素、チオリンゴ酸などのメルカプト
基の形でＳを有する硫黄化合物を０．０１ｇ／ｌ〜５０
ｇ／ｌ程添加するとよい。これら硫黄化合物は還元剤と
して作用するボロン化合物の安定剤として作用する。
【０００６】
【作用】上記無電解金めっき液において、脂肪族多価ア
ルコール、脂肪族不飽和アルコール、脂肪族不飽和多価
アルコール、脂肪族不飽和カルボン酸あるいはこれら化
合物の誘導体は液を安定化し、液分解を抑える。この安
定化ということは、ニッケル下地上へ無電解めっきを施
しても、無電解金めっき液としての機能を維持し、液の
長寿命化が図れるということを意味する。この安定化作
用の原理は定かではないが、露出しているニッケル皮膜
上に薄膜を形成し、あらかじめ置換金めっき皮膜を形成
した場合にもそのポーラスな穴を埋め、これによりニッ
ケルの溶出を阻止するものと考えられる。このように、
無電解金めっき液中へのニッケルの溶出を抑えることが
できるので、液の安定性が保たれ、その結果良質な無電
解金めっき皮膜を形成することができ、この無電解金め
っき皮膜は熱にも安定で、ふくれや変色が発生せず、ワ
イヤボンディング性、ダイボンディング性等の特性に優
れている。
ルコール、脂肪族不飽和アルコール、脂肪族不飽和多価
アルコール、脂肪族不飽和カルボン酸あるいはこれら化
合物の誘導体は液を安定化し、液分解を抑える。この安
定化ということは、ニッケル下地上へ無電解めっきを施
しても、無電解金めっき液としての機能を維持し、液の
長寿命化が図れるということを意味する。この安定化作
用の原理は定かではないが、露出しているニッケル皮膜
上に薄膜を形成し、あらかじめ置換金めっき皮膜を形成
した場合にもそのポーラスな穴を埋め、これによりニッ
ケルの溶出を阻止するものと考えられる。このように、
無電解金めっき液中へのニッケルの溶出を抑えることが
できるので、液の安定性が保たれ、その結果良質な無電
解金めっき皮膜を形成することができ、この無電解金め
っき皮膜は熱にも安定で、ふくれや変色が発生せず、ワ
イヤボンディング性、ダイボンディング性等の特性に優
れている。
【０００７】
【実施例】第１工程；無電解ニッケルめっき工程 セラミックパッケージを脱脂、酸洗浄し、パラジウム活
性化処理を施した後、ニッケル−ボロン系の無電解ニッ
ケルめっきを行う。この無電解ニッケルめっき皮膜の厚
さは３μｍ以上の厚さにするのがよい。厚さの上限は特
にないが、経済性から１５μｍ以下がよい。無電解ニッ
ケルめっきには、ニッケル−リン系のものもあるが、皮
膜の耐熱性の点からニッケル−ボロン系がよい。無電解
ニッケルめっき液は従来の液を用いることができるが、
還元剤のボロン化合物はその添加量を低く抑えるのがよ
く、皮膜中のボロン含有率を１％以下、すなわちニッケ
ルの純度が９９％以上となるようにするのがよい。この
ようにニッケルの純度が高い程、後に形成する無電解金
めっき皮膜が耐熱性に優れることがわかった。 第２工程；熱処理工程 次にセラミックパッケージを電気炉に入れ、非酸化性雰
囲気中、７５０℃、１０分程の熱処理を施す。これによ
り、無電解ニッケルめっき皮膜中にＮｉ3 Ｂの結晶が晶
出し、皮膜が緻密化する。 第３工程；置換金めっき工程 次いで酸による活性化処理を行った後、置換金めっきを
行う。置換金めっき液は通常の市販のめっき液を用いる
ことができる。置換金めっきは無電解ニッケルめっき皮
膜を荒らすので、短時間の処理を行う。置換金めっき皮
膜の厚さは０．０４μｍ以下の薄いものでよい。 第４工程；無電解金めっき 次に洗浄処理を行った後、無電解金めっきを施す。表１
に無電解金めっき液の基本液１、２の組成を示す。また
表２に基本液１、２に各種安定剤を添加した無電解金め
っき液の実施例の液組成を示す。
性化処理を施した後、ニッケル−ボロン系の無電解ニッ
ケルめっきを行う。この無電解ニッケルめっき皮膜の厚
さは３μｍ以上の厚さにするのがよい。厚さの上限は特
にないが、経済性から１５μｍ以下がよい。無電解ニッ
ケルめっきには、ニッケル−リン系のものもあるが、皮
膜の耐熱性の点からニッケル−ボロン系がよい。無電解
ニッケルめっき液は従来の液を用いることができるが、
還元剤のボロン化合物はその添加量を低く抑えるのがよ
く、皮膜中のボロン含有率を１％以下、すなわちニッケ
ルの純度が９９％以上となるようにするのがよい。この
ようにニッケルの純度が高い程、後に形成する無電解金
めっき皮膜が耐熱性に優れることがわかった。 第２工程；熱処理工程 次にセラミックパッケージを電気炉に入れ、非酸化性雰
囲気中、７５０℃、１０分程の熱処理を施す。これによ
り、無電解ニッケルめっき皮膜中にＮｉ3 Ｂの結晶が晶
出し、皮膜が緻密化する。 第３工程；置換金めっき工程 次いで酸による活性化処理を行った後、置換金めっきを
行う。置換金めっき液は通常の市販のめっき液を用いる
ことができる。置換金めっきは無電解ニッケルめっき皮
膜を荒らすので、短時間の処理を行う。置換金めっき皮
膜の厚さは０．０４μｍ以下の薄いものでよい。 第４工程；無電解金めっき 次に洗浄処理を行った後、無電解金めっきを施す。表１
に無電解金めっき液の基本液１、２の組成を示す。また
表２に基本液１、２に各種安定剤を添加した無電解金め
っき液の実施例の液組成を示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】実施例１〜１０のめっき液を用いて、置換
金めっきしてあるニッケル下地の半導体装置用セラミッ
クパッケージに、８５℃、弱攪拌の条件で無電解金めっ
きを行い、３μｍの無電解金めっき皮膜を形成した。レ
モンイエローで半光沢の金めっき皮膜が得られ、セラミ
ック上への金の析出はなく、また液分解は起こらず、安
定であった。この無電解金めっきを施したセラミックパ
ッケージのワイヤボンディング性、ダイボンディング
性、耐熱性はいずれも良好であった。実施例１〜１０の
各液に、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
などの界面活性剤を添加し、上記と同様の無電解金めっ
きを行ったところ、泡切れが非常に良く、またセラミッ
ク上への金の析出や液分解も起こらず、良好な金めっき
皮膜が得られた、金めっき皮膜はワイヤボンディング
性、ダイボンディング性、耐熱性とも良好であった。表
３に、無電解ニッケルめっき皮膜のめっき厚を変え、実
施例１の無電解金めっき液を用いて、厚さ３μｍの無電
解金めっき皮膜を形成した場合の、４５０℃、５分の耐
熱試験、耐熱試験後のワイヤボンディング性、ダイボン
ディング性を調べた結果を示す。
金めっきしてあるニッケル下地の半導体装置用セラミッ
クパッケージに、８５℃、弱攪拌の条件で無電解金めっ
きを行い、３μｍの無電解金めっき皮膜を形成した。レ
モンイエローで半光沢の金めっき皮膜が得られ、セラミ
ック上への金の析出はなく、また液分解は起こらず、安
定であった。この無電解金めっきを施したセラミックパ
ッケージのワイヤボンディング性、ダイボンディング
性、耐熱性はいずれも良好であった。実施例１〜１０の
各液に、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
などの界面活性剤を添加し、上記と同様の無電解金めっ
きを行ったところ、泡切れが非常に良く、またセラミッ
ク上への金の析出や液分解も起こらず、良好な金めっき
皮膜が得られた、金めっき皮膜はワイヤボンディング
性、ダイボンディング性、耐熱性とも良好であった。表
３に、無電解ニッケルめっき皮膜のめっき厚を変え、実
施例１の無電解金めっき液を用いて、厚さ３μｍの無電
解金めっき皮膜を形成した場合の、４５０℃、５分の耐
熱試験、耐熱試験後のワイヤボンディング性、ダイボン
ディング性を調べた結果を示す。
【００１１】
【表３】
【００１２】表３に示されるように、下地ニッケル皮膜
の厚さが３μｍ以上の場合が概ね良好で、好適には４．
５μｍ以上の場合に金メッキ皮膜の変色がなく、ワイヤ
ボンディング性等も極めて良好であった。なお、基本液
１のみで上記と同様の条件で無電解金めっきを行ったと
ころ、約１０分後にセラミック上に金が析出し始め、液
分解が起きた。また基本液２のみでは約７分後にセラミ
ック上に金が析出し始め、液分解が起きた。上記実施例
では半導体装置用セラミックパッケージで説明したが、
各種電子部品を搭載するセラミック基板等のセラミック
基体の必要な被めっき部のめっきに適用しうることはも
ちろんである。以上本発明につき好適な実施例を挙げて
種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
の厚さが３μｍ以上の場合が概ね良好で、好適には４．
５μｍ以上の場合に金メッキ皮膜の変色がなく、ワイヤ
ボンディング性等も極めて良好であった。なお、基本液
１のみで上記と同様の条件で無電解金めっきを行ったと
ころ、約１０分後にセラミック上に金が析出し始め、液
分解が起きた。また基本液２のみでは約７分後にセラミ
ック上に金が析出し始め、液分解が起きた。上記実施例
では半導体装置用セラミックパッケージで説明したが、
各種電子部品を搭載するセラミック基板等のセラミック
基体の必要な被めっき部のめっきに適用しうることはも
ちろんである。以上本発明につき好適な実施例を挙げて
種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、導体部、
ダイ付け部等の被めっき部に、熱工程を経てもふくれや
変色の生じない無電解金めっき皮膜を形成することがで
き、ワイヤボンディング性、ダイボンディング性等の特
性に優れるセラミック基体を提供できるという著効を奏
する。
ダイ付け部等の被めっき部に、熱工程を経てもふくれや
変色の生じない無電解金めっき皮膜を形成することがで
き、ワイヤボンディング性、ダイボンディング性等の特
性に優れるセラミック基体を提供できるという著効を奏
する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−134990（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−265853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−250467（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−67159（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−124091（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303789（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−125891（ＪＰ，Ａ) 特公 昭43−16202（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/10 - 3/26
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子等の電子部品を搭載するセラ
ミック基体の被めっき部へ無電解ニッケルめっき皮膜を
形成するめっき工程と、 無電解ニッケルめっき皮膜に非酸化性雰囲気中で熱処理
を施す熱処理工程と、 熱処理された無電解ニッケルめっき皮膜上に置換金めっ
き皮膜を形成するめっき工程と、 水酸化アルカリ、シアン化アルカリ、水溶性金塩および
ボロン系還元剤を含む基本液に、脂肪族多価アルコー
ル、脂肪族不飽和アルコール、脂肪族不飽和多価アルコ
ール、脂肪族不飽和カルボン酸またはこれら化合物の誘
導体を単独もしくは混合して添加した無電解金めっき液
を用いて前記置換金めっき皮膜上に無電解金めっき皮膜
を形成するめっき工程とを含むことを特徴とするセラミ
ック基体へのめっき方法。 - 【請求項２】 無電解ニッケルめっき皮膜を３μｍ以上
１５μｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項
１記載のセラミック基体へのめっき方法。 - 【請求項３】 置換金めっき皮膜を０．０４μｍ以下の
厚さに形成することを特徴とする請求項１または２記載
のセラミック基体へのめっき方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9313491A JP2836987B2 (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | セラミック基体へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313491A JP2836987B2 (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | セラミック基体へのめっき方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6890290A Division JP2892428B2 (ja) | 1989-06-01 | 1990-03-19 | 無電解金めっき液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261091A JPH04261091A (ja) | 1992-09-17 |
| JP2836987B2 true JP2836987B2 (ja) | 1998-12-14 |
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ID=14074055
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| JP9313491A Expired - Fee Related JP2836987B2 (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | セラミック基体へのめっき方法 |
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| JP2006225744A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Hitachi Maxell Ltd | 機能性粒子及びその製造方法 |
| JP2007078595A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Hitachi Maxell Ltd | 機能性粒子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-30 JP JP9313491A patent/JP2836987B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH04261091A (ja) | 1992-09-17 |
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