JP2833552B2 - ウェハ研磨方法および研磨装置 - Google Patents
ウェハ研磨方法および研磨装置Info
- Publication number
- JP2833552B2 JP2833552B2 JP29494695A JP29494695A JP2833552B2 JP 2833552 B2 JP2833552 B2 JP 2833552B2 JP 29494695 A JP29494695 A JP 29494695A JP 29494695 A JP29494695 A JP 29494695A JP 2833552 B2 JP2833552 B2 JP 2833552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- abrasive
- polishing table
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 25
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハの研磨方法
およびその装置に関し、特に、研磨剤を用いてウェハ表
面を研磨する化学的機械研磨(CMP;Chemical Mecha
nical Polishing)法と称される研磨方法およびその装
置に関するものである。
およびその装置に関し、特に、研磨剤を用いてウェハ表
面を研磨する化学的機械研磨(CMP;Chemical Mecha
nical Polishing)法と称される研磨方法およびその装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の大規模化、多機能化
および微細化の傾向により、基板表面の凹凸が著しくな
ってきている。段差の大きい半導体基板上では、ステッ
プカバッジが悪化し、またフォトリソグラフィ工程での
精度が低下することから歩留りが低下し、信頼性の高い
製品が得られ難くなる。そこで、基板(ウェハ)表面、
特に層間絶縁膜表面を平滑化、平坦化することが求めら
れるようになり、そのための技術が各種提案され、実用
化されている。その一つに研磨剤を用いて基板表面を研
磨する化学的機械研磨法がある。
および微細化の傾向により、基板表面の凹凸が著しくな
ってきている。段差の大きい半導体基板上では、ステッ
プカバッジが悪化し、またフォトリソグラフィ工程での
精度が低下することから歩留りが低下し、信頼性の高い
製品が得られ難くなる。そこで、基板(ウェハ)表面、
特に層間絶縁膜表面を平滑化、平坦化することが求めら
れるようになり、そのための技術が各種提案され、実用
化されている。その一つに研磨剤を用いて基板表面を研
磨する化学的機械研磨法がある。
【0003】図7は、この種従来の研磨装置の断面図で
ある。同図に示されるように、研磨パッド1が貼り付け
られた研磨テーブル2上に、研磨テーブル中央部上方に
配置された研磨剤供給ノズル4より研磨剤3を流しなが
ら、基板保持部5に装着された基板を研磨テーブルに押
し付ける。研磨剤の供給は研磨開始の15秒前より行
い、研磨中は供給し続ける。研磨剤の流量は200cc
/分である。研磨剤としては、高純度の0.01μm径
の酸化シリコン、すなわちシリカ粉末をアルカリ液に混
入して作成したアルカリ性コロイダルシリカスラリが用
いられる。
ある。同図に示されるように、研磨パッド1が貼り付け
られた研磨テーブル2上に、研磨テーブル中央部上方に
配置された研磨剤供給ノズル4より研磨剤3を流しなが
ら、基板保持部5に装着された基板を研磨テーブルに押
し付ける。研磨剤の供給は研磨開始の15秒前より行
い、研磨中は供給し続ける。研磨剤の流量は200cc
/分である。研磨剤としては、高純度の0.01μm径
の酸化シリコン、すなわちシリカ粉末をアルカリ液に混
入して作成したアルカリ性コロイダルシリカスラリが用
いられる。
【0004】基板保持部5の構造は、図8に示すよう
に、基板保持部の本体を構成するステージ部9に、研磨
中に基板を保持するためのリテーナーリング8を固着
し、その内部に裏面パッド10を貼り付けたものであ
る。また、ステージ部9および裏面パッド10には、基
板7を真空吸着あるいは裏面より加圧するための裏面加
圧/真空吸着用孔11が開孔されている。研磨中にはこ
の穴より加圧し、基板中央部の研磨レートの落ち込みを
補っている。研磨テーブルおよび基板保持部は20rp
mで同一方向に回転しており、荷重を7PSI(pound
square inch )(492g/cm2 )加えることによ
り、基板表面の絶縁膜が研磨され、凹凸が平坦化され
る。
に、基板保持部の本体を構成するステージ部9に、研磨
中に基板を保持するためのリテーナーリング8を固着
し、その内部に裏面パッド10を貼り付けたものであ
る。また、ステージ部9および裏面パッド10には、基
板7を真空吸着あるいは裏面より加圧するための裏面加
圧/真空吸着用孔11が開孔されている。研磨中にはこ
の穴より加圧し、基板中央部の研磨レートの落ち込みを
補っている。研磨テーブルおよび基板保持部は20rp
mで同一方向に回転しており、荷重を7PSI(pound
square inch )(492g/cm2 )加えることによ
り、基板表面の絶縁膜が研磨され、凹凸が平坦化され
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の研磨方法では、研磨剤が研磨テーブルの回転により
研磨テーブル外に流出してしまう。研磨剤が不足すると
研磨速度が低下するだけでなく、基板表面にキズが発生
しやすくなったり、基板の研磨パッドの摩擦力が増大す
ることにより基板が基板保持部から飛び出す等の問題が
起きる。このため、研磨中は一定量以上の研磨剤を流し
続ける必要があるが、このことがランニングコストを上
昇させる原因となっている。
来の研磨方法では、研磨剤が研磨テーブルの回転により
研磨テーブル外に流出してしまう。研磨剤が不足すると
研磨速度が低下するだけでなく、基板表面にキズが発生
しやすくなったり、基板の研磨パッドの摩擦力が増大す
ることにより基板が基板保持部から飛び出す等の問題が
起きる。このため、研磨中は一定量以上の研磨剤を流し
続ける必要があるが、このことがランニングコストを上
昇させる原因となっている。
【0006】研磨剤の流出を防ぐ方法として、図9に示
すように研磨テーブルの周縁にフェンス12を設ける方
法が考えられる。しかし、この方法では、研磨剤が滞留
してしまうので、研磨枚数が多くなると研磨剤が劣化し
ていき、研磨特性が変化してしまう。この対策として、
研磨終了毎に研磨剤を入れ替える方式も考えられる。例
えば、図10に示すように、フェンスが上下する開閉機
構13を設けて研磨剤の排出を行う方法などが考えられ
るが、機構が複雑となり、処理時間も長くなってしま
う。
すように研磨テーブルの周縁にフェンス12を設ける方
法が考えられる。しかし、この方法では、研磨剤が滞留
してしまうので、研磨枚数が多くなると研磨剤が劣化し
ていき、研磨特性が変化してしまう。この対策として、
研磨終了毎に研磨剤を入れ替える方式も考えられる。例
えば、図10に示すように、フェンスが上下する開閉機
構13を設けて研磨剤の排出を行う方法などが考えられ
るが、機構が複雑となり、処理時間も長くなってしま
う。
【0007】また、前述したように、層間絶縁膜の研磨
平坦化が広く行われ始めているが、こうした目的の研磨
は基板(ウェハ自体)の鏡面研磨以上に研磨量の制御が
重要となる。すなわち、鏡面研磨の場合には表面の微小
な凹凸が問題であり、仕上げ精度はオングストロームオ
ーダーの精密さが要求されるものの、研磨量自体はミク
ロンオーダーの制御で事足りる。これに対し、層間絶縁
膜の平坦化の場合には研磨量により層間絶縁膜の厚さが
決定されるため、0.1ミクロン以下のオーダーで制御
する必要がある。このため、研磨量の面内均一性にも高
い精度が要求され、各種の研磨のパラメーターを最適化
する必要がある。理論的にはテーブルと基板の回転数を
同じにすれば基板面内の相対速度は全て等しくなり、均
等な荷重を与えることにより基板内で均一な研磨を実現
できるはずである。
平坦化が広く行われ始めているが、こうした目的の研磨
は基板(ウェハ自体)の鏡面研磨以上に研磨量の制御が
重要となる。すなわち、鏡面研磨の場合には表面の微小
な凹凸が問題であり、仕上げ精度はオングストロームオ
ーダーの精密さが要求されるものの、研磨量自体はミク
ロンオーダーの制御で事足りる。これに対し、層間絶縁
膜の平坦化の場合には研磨量により層間絶縁膜の厚さが
決定されるため、0.1ミクロン以下のオーダーで制御
する必要がある。このため、研磨量の面内均一性にも高
い精度が要求され、各種の研磨のパラメーターを最適化
する必要がある。理論的にはテーブルと基板の回転数を
同じにすれば基板面内の相対速度は全て等しくなり、均
等な荷重を与えることにより基板内で均一な研磨を実現
できるはずである。
【0008】しかし現実にはこれだけでは十分な均一性
を得るとはできない。基板と研磨パッドの間に存在する
研磨剤の量の分布も研磨量の面内分布に影響を与えるた
めである。基板と研磨パッド間の研磨剤は基板によって
掃き出されることにより、基板中央部で研磨剤が不足す
る傾向になりがちである。これにより基板中央部の研磨
レートが低下するので、基板中央部の荷重を相対的に高
める目的で前述した基板裏面の空気加圧方式等がとられ
ている。すなわち、研磨剤の不足による研磨レートの低
下を荷重により補おうという考えである。しかし、基板
中央部で研磨剤が不足する傾向は研磨パッドの表面状態
や基板の表面状態等によっても変化するため、基板面内
で荷重に分布を持たせるようにした方法では安定した均
一性を得ることは難しい。
を得るとはできない。基板と研磨パッドの間に存在する
研磨剤の量の分布も研磨量の面内分布に影響を与えるた
めである。基板と研磨パッド間の研磨剤は基板によって
掃き出されることにより、基板中央部で研磨剤が不足す
る傾向になりがちである。これにより基板中央部の研磨
レートが低下するので、基板中央部の荷重を相対的に高
める目的で前述した基板裏面の空気加圧方式等がとられ
ている。すなわち、研磨剤の不足による研磨レートの低
下を荷重により補おうという考えである。しかし、基板
中央部で研磨剤が不足する傾向は研磨パッドの表面状態
や基板の表面状態等によっても変化するため、基板面内
で荷重に分布を持たせるようにした方法では安定した均
一性を得ることは難しい。
【0009】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、第1に、研磨剤の流失を
少なくしてCMPのランニングコストを低減することで
あり、第2に、研磨剤が基板面に均等に分配されるよう
にして、研磨量の面内均一化を図ることである。
たものであって、その目的は、第1に、研磨剤の流失を
少なくしてCMPのランニングコストを低減することで
あり、第2に、研磨剤が基板面に均等に分配されるよう
にして、研磨量の面内均一化を図ることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による研磨方法は、回転する研磨テーブル上
に研磨剤を流しながら、かつ、研磨テーブルの外方から
気体を吹き付けることにより研磨剤の流失を抑制しつつ
ウェハを研磨テーブルに押し付けることによりウェハ表
面を研磨する方法であって、研磨剤流量および吹き付け
る気体の強さを調整することにより研磨テーブル上の研
磨剤の分布を制御することを特徴としている。
めの本発明による研磨方法は、回転する研磨テーブル上
に研磨剤を流しながら、かつ、研磨テーブルの外方から
気体を吹き付けることにより研磨剤の流失を抑制しつつ
ウェハを研磨テーブルに押し付けることによりウェハ表
面を研磨する方法であって、研磨剤流量および吹き付け
る気体の強さを調整することにより研磨テーブル上の研
磨剤の分布を制御することを特徴としている。
【0011】また、上記の目的を達成するための本発明
によるウェハ研磨装置は、回転手段を備えた研磨テーブ
ルと、研磨テーブル上へ研磨剤を供給する研磨剤供給手
段と、回転手段および上下動機構を有する、ウェハを前
記研磨テーブルに対向するように保持することのできる
ウェハ保持手段と、前記研磨テーブルの外方よりその内
側に向かって気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、を
有するものであって、前記気体吹き付け手段は、吹き付
け気体量制御手段および/または気体吹き付け角度制御
手段を備えていることを特徴としている。
によるウェハ研磨装置は、回転手段を備えた研磨テーブ
ルと、研磨テーブル上へ研磨剤を供給する研磨剤供給手
段と、回転手段および上下動機構を有する、ウェハを前
記研磨テーブルに対向するように保持することのできる
ウェハ保持手段と、前記研磨テーブルの外方よりその内
側に向かって気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、を
有するものであって、前記気体吹き付け手段は、吹き付
け気体量制御手段および/または気体吹き付け角度制御
手段を備えていることを特徴としている。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て以下の実施例に基づいて説明する。図1は、本発明に
よる研磨装置の第1の実施例を示す断面図であり、図2
は平面図である。本実施例の研磨装置は、従来装置と同
様に、研磨パッド1が貼付された研磨テーブル2、研磨
テーブル中央部上方に配置された、研磨剤3を供給する
ための研磨剤供給ノズル4、基板保持部5を備え、さら
に研磨テーブル周辺に4つの気体吹き出しノズル6を有
している。
て以下の実施例に基づいて説明する。図1は、本発明に
よる研磨装置の第1の実施例を示す断面図であり、図2
は平面図である。本実施例の研磨装置は、従来装置と同
様に、研磨パッド1が貼付された研磨テーブル2、研磨
テーブル中央部上方に配置された、研磨剤3を供給する
ための研磨剤供給ノズル4、基板保持部5を備え、さら
に研磨テーブル周辺に4つの気体吹き出しノズル6を有
している。
【0013】次に、この研磨装置を用いた研磨方法の第
1の実施例について説明する。20rpmで研磨テーブ
ル2を上から見て反時計方向に回転させながら、研磨開
始15秒前から200cc/分の流量で研磨剤を供給す
る。これは研磨剤を研磨テーブル上にいきわたらせるた
めである。基板を保持した基板保持部5を研磨テーブル
2と同一方向に回転させながら降下させ研磨を開始す
る。研磨開始と同時に気体吹き出しノズル6より空気を
吹き出し、同時に研磨剤供給量を50cc/分に落と
す。気体の吹き付けにより研磨剤のテーブル外への流出
が抑えられるので、テーブル上の研磨剤の量は従来例と
ほぼ等しい。
1の実施例について説明する。20rpmで研磨テーブ
ル2を上から見て反時計方向に回転させながら、研磨開
始15秒前から200cc/分の流量で研磨剤を供給す
る。これは研磨剤を研磨テーブル上にいきわたらせるた
めである。基板を保持した基板保持部5を研磨テーブル
2と同一方向に回転させながら降下させ研磨を開始す
る。研磨開始と同時に気体吹き出しノズル6より空気を
吹き出し、同時に研磨剤供給量を50cc/分に落と
す。気体の吹き付けにより研磨剤のテーブル外への流出
が抑えられるので、テーブル上の研磨剤の量は従来例と
ほぼ等しい。
【0014】図3はこのときのテーブル上の研磨剤の分
布を模式的に示した図である。研磨剤のテーブル上の高
さ分布は強調して示してある。4分間の研磨を行うと仮
定すると、従来例では850cc必要であった研磨剤の
量が本実施例では250ccに低減できる。なお、この
実施例では、従来例の場合と同様に、研磨中の基板の裏
面加圧が必要である。
布を模式的に示した図である。研磨剤のテーブル上の高
さ分布は強調して示してある。4分間の研磨を行うと仮
定すると、従来例では850cc必要であった研磨剤の
量が本実施例では250ccに低減できる。なお、この
実施例では、従来例の場合と同様に、研磨中の基板の裏
面加圧が必要である。
【0015】次に、図1、図2の示す研磨装置を用いた
研磨方法の第2の実施例について説明する。20rpm
で研磨テーブルを回転させながら、研磨開始15秒前か
ら200cc/分の流量で研磨剤を供給する。研磨開始
と同時に気体吹き出しノズル6より空気を吹き出し、同
時に研磨剤供給量を50cc/分に落とす。このときの
空気の吹き出しの強さを第1の実施例の2倍とする。図
4はこのときのテーブル上の研磨剤の分布を模式的に示
した図である。研磨剤が供給されにくい基板中央部の分
布を多くしており、中央部まで十分な量の研磨剤が供給
されるので、研磨中の基板の裏面から加圧する必要がな
い。
研磨方法の第2の実施例について説明する。20rpm
で研磨テーブルを回転させながら、研磨開始15秒前か
ら200cc/分の流量で研磨剤を供給する。研磨開始
と同時に気体吹き出しノズル6より空気を吹き出し、同
時に研磨剤供給量を50cc/分に落とす。このときの
空気の吹き出しの強さを第1の実施例の2倍とする。図
4はこのときのテーブル上の研磨剤の分布を模式的に示
した図である。研磨剤が供給されにくい基板中央部の分
布を多くしており、中央部まで十分な量の研磨剤が供給
されるので、研磨中の基板の裏面から加圧する必要がな
い。
【0016】図5は、本発明による研磨装置の第2の実
施例を示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違
する点は、第1の実施例では4本であった吹き出しノズ
ルを12本と増設した点である。これにより、研磨パッ
ド上の研磨剤の分布を円に近い形状にすることができ、
研磨の安定性を向上させることができる。
施例を示す平面図である。本実施例の先の実施例と相違
する点は、第1の実施例では4本であった吹き出しノズ
ルを12本と増設した点である。これにより、研磨パッ
ド上の研磨剤の分布を円に近い形状にすることができ、
研磨の安定性を向上させることができる。
【0017】図6は、本発明による研磨装置の第3の実
施例を示す平面図である。本実施例では、他の実施例で
は4本以上あった吹き出しノズルが1本だけとなってい
る。本実施例では、吹き出しノズルを1個だけとしても
これを基板保持部の直前に設けることにより、より単純
な構造で第1の実施例に近い効果を期待することができ
る。また、本実施例では、研磨剤供給ノズルによる研磨
剤の供給位置が基板保持部の手前中央寄りに移されてい
る。これにより研磨剤をより効果的に被研磨基板に集中
することができる。
施例を示す平面図である。本実施例では、他の実施例で
は4本以上あった吹き出しノズルが1本だけとなってい
る。本実施例では、吹き出しノズルを1個だけとしても
これを基板保持部の直前に設けることにより、より単純
な構造で第1の実施例に近い効果を期待することができ
る。また、本実施例では、研磨剤供給ノズルによる研磨
剤の供給位置が基板保持部の手前中央寄りに移されてい
る。これにより研磨剤をより効果的に被研磨基板に集中
することができる。
【0018】上記実施例では、気体吹き出しノズルから
吹き出される気体の形状については特に説明はしなかっ
たが、吹き出しノズルの先端部形状は一般的には円形で
あるため気体吹き出しノズルからの気体の吹き出し形状
は吹き出しノズルを頂点とする円錐状となっている。こ
こで、気体吹き出し形状の広がりを調節することによ
り、吹き付けの効果を変化させることができる。さら
に、吹き出しノズルの開口部形状を扁平にすることによ
り、吹き出し形状を円錐を上下につぶした形状とするこ
とができる。これによって、さらに吹き付け効果を増す
ことができる。また、吹き出しノズル毎にノズルの角度
を調整できるようにして、研磨テーブル上での研磨剤分
布の最適化を図るようにしてもよい。
吹き出される気体の形状については特に説明はしなかっ
たが、吹き出しノズルの先端部形状は一般的には円形で
あるため気体吹き出しノズルからの気体の吹き出し形状
は吹き出しノズルを頂点とする円錐状となっている。こ
こで、気体吹き出し形状の広がりを調節することによ
り、吹き付けの効果を変化させることができる。さら
に、吹き出しノズルの開口部形状を扁平にすることによ
り、吹き出し形状を円錐を上下につぶした形状とするこ
とができる。これによって、さらに吹き付け効果を増す
ことができる。また、吹き出しノズル毎にノズルの角度
を調整できるようにして、研磨テーブル上での研磨剤分
布の最適化を図るようにしてもよい。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による研磨
方法および装置は、研磨テーブル上にその周辺部より気
体を吹き付けるものであるので、研磨剤のテーブル外へ
の流出を抑制することができ、研磨剤供給量を低減する
ことができる。したがって、本発明によれば、基板研磨
工程におけるランニングコストを著しく低減することが
できる。また、研磨剤のテーブル上の分布を制御するこ
とができ、これにより研磨剤が供給されにくい基板中央
部に多くの研磨剤を分布させることにより、基板の裏面
加圧等の基板内の荷重分布を変化させるという不安定な
手法を用いることなく研磨の均一性を確保することがで
きる。
方法および装置は、研磨テーブル上にその周辺部より気
体を吹き付けるものであるので、研磨剤のテーブル外へ
の流出を抑制することができ、研磨剤供給量を低減する
ことができる。したがって、本発明によれば、基板研磨
工程におけるランニングコストを著しく低減することが
できる。また、研磨剤のテーブル上の分布を制御するこ
とができ、これにより研磨剤が供給されにくい基板中央
部に多くの研磨剤を分布させることにより、基板の裏面
加圧等の基板内の荷重分布を変化させるという不安定な
手法を用いることなく研磨の均一性を確保することがで
きる。
【図1】本発明による研磨装置の第1の実施例を示す断
面図。
面図。
【図2】本発明による研磨装置の第1の実施例を示す平
面図。
面図。
【図3】本発明による研磨方法の第1の実施例を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図4】本発明による研磨方法の第2の実施例を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図5】本発明による研磨装置の第2の実施例を示す平
面図。
面図。
【図6】本発明による研磨装置の第3の実施例を示す平
面図。
面図。
【図7】従来の研磨装置の断面図。
【図8】従来の研磨装置の基板保持部の断面図。
【図9】従来の研磨装置の改良案を示す断面図。
【図10】従来の研磨装置の他の改良案を示す断面図。
1 研磨パッド 2 研磨テーブル 3 研磨剤 4 研磨剤供給ノズル 5 基板保持部 6 気体吹き出しノズル 7 基板(ウェハ) 8 リテーナーリング 9 ステージ部 10 裏面パッド 11 裏面加圧/真空吸着用孔 12 フェンス 13 フェンス開閉機構
Claims (4)
- 【請求項1】 回転する研磨テーブル上に研磨剤を流し
ながら、かつ、研磨テーブルの外方から気体を吹き付け
ることにより研磨剤の流失を抑制しつつウェハを研磨テ
ーブルに押し付けることによりウェハ表面を研磨する研
磨方法において、研磨剤流量および吹き付ける気体の強
さを調整することにより研磨テーブル上の研磨剤の分布
を制御することを特徴とするウェハ研磨方法。 - 【請求項2】 回転する研磨テーブル上に研磨剤を流し
ながら、かつ、研磨テーブルの外方から気体を吹き付け
ることにより研磨剤の流失を抑制しつつウェハを研磨テ
ーブルに押し付けることによりウェハ表面を研磨する研
磨方法において、ウェハを研磨テーブルに押し付けるに
先立って気体を吹き付けることなく研磨剤を流してお
き、ウェハを研磨テーブルに押し付けるのとほぼ同時に
気体を吹き付け始めることを特徴とするウェハ研磨方
法。 - 【請求項3】 回転手段を備えた研磨テーブルと、研磨
テーブル上へ研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、回転
手段および上下動機構を有する、ウェハを前記研磨テー
ブルに対向するように保持することのできるウェハ保持
手段と、前記研磨テーブルの外方よりその内側に向かっ
て気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、を有するウェ
ハ研磨装置において、前記気体吹き付け手段は、吹き付
け気体量制御手段および/または気体吹き付け角度制御
手段を備えていることを特徴とするウェハ研磨装置。 - 【請求項4】 回転手段を備えた研磨テーブルと、研磨
テーブル上へ研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、回転
手段および上下動機構を有する、ウェハを前記研磨テー
ブルに対向するように保持することのできるウェハ保持
手段と、前記研磨テーブルの外方よりその内側に向かっ
て気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、を有するウェ
ハ研磨装置において、前記気体吹き付け手段の吹き出し
口先端部が扁平な形状に加工されていることを特徴とす
るウェハ研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29494695A JP2833552B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | ウェハ研磨方法および研磨装置 |
KR1019960046889A KR100403255B1 (ko) | 1995-10-19 | 1996-10-18 | 웨이퍼연마방법및웨이퍼연마장치 |
GB9621879A GB2306359B (en) | 1995-10-19 | 1996-10-21 | Wafer polishing method and wafer polishing apparatus |
US08/734,554 US5702291A (en) | 1995-10-19 | 1996-10-21 | Wafer polishing method and wafer polishing apparatus |
KR1019960048029A KR100323598B1 (ko) | 1995-10-19 | 1996-10-24 | 플라즈마에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29494695A JP2833552B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | ウェハ研磨方法および研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09109019A JPH09109019A (ja) | 1997-04-28 |
JP2833552B2 true JP2833552B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17814335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29494695A Expired - Lifetime JP2833552B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | ウェハ研磨方法および研磨装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5702291A (ja) |
JP (1) | JP2833552B2 (ja) |
KR (1) | KR100403255B1 (ja) |
GB (1) | GB2306359B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5993298A (en) * | 1997-03-06 | 1999-11-30 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface |
JPH10329011A (ja) | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 精密研磨装置及び方法 |
SG70097A1 (en) * | 1997-08-15 | 2000-01-25 | Disio Corp | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
JP3291701B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2002-06-10 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 研磨テープ |
US6007406A (en) | 1997-12-04 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Polishing systems, methods of polishing substrates, and method of preparing liquids for semiconductor fabrication process |
US5957750A (en) * | 1997-12-18 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates |
JP2000006010A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-11 | Ebara Corp | Cmp装置及びその砥液供給方法 |
US6439977B1 (en) * | 1998-12-07 | 2002-08-27 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Rotational slurry distribution system for rotary CMP system |
US6126515A (en) * | 1999-12-15 | 2000-10-03 | Nihon Micro Coating Co., Ltd. | Liquid slurry containing polyhedral monocrystalline alumina |
US6443810B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-09-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing platen equipped with guard ring for chemical mechanical polishing |
US6458020B1 (en) * | 2001-11-16 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Slurry recirculation in chemical mechanical polishing |
US7452264B2 (en) * | 2006-06-27 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Pad cleaning method |
JP2008103496A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Elpida Memory Inc | 研磨方法および研磨装置 |
JP5722619B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-05-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
CN111341856A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-06-26 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种制绒的脱水烘干方法 |
CN114833725B (zh) * | 2022-05-18 | 2023-04-07 | 北京晶亦精微科技股份有限公司 | 研磨液供给装置及研磨机 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156530A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Toshiba Corp | 半導体基板の鏡面研磨加工方法 |
US5154021A (en) * | 1991-06-26 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Pneumatic pad conditioner |
US5308438A (en) * | 1992-01-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
US5310455A (en) * | 1992-07-10 | 1994-05-10 | Lsi Logic Corporation | Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
US5299393A (en) * | 1992-07-21 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Slurry containment device for polishing semiconductor wafers |
DE69317838T2 (de) * | 1992-09-24 | 1998-11-12 | Ebara Corp | Poliergerät |
JPH0794452A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
JP3272835B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2002-04-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
KR0132274B1 (ko) * | 1994-05-16 | 1998-04-11 | 김광호 | 웨이퍼 연마 설비 |
JPH08124885A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Toshiba Corp | 半導体基板研磨装置 |
KR970018240A (ko) * | 1995-09-08 | 1997-04-30 | 모리시다 요이치 | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 |
JP2983905B2 (ja) * | 1995-09-08 | 1999-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP29494695A patent/JP2833552B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-18 KR KR1019960046889A patent/KR100403255B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-21 US US08/734,554 patent/US5702291A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-21 GB GB9621879A patent/GB2306359B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100403255B1 (ko) | 2003-12-18 |
GB2306359B (en) | 1999-05-26 |
GB2306359A (en) | 1997-05-07 |
GB9621879D0 (en) | 1996-12-11 |
KR970023801A (ko) | 1997-05-30 |
JPH09109019A (ja) | 1997-04-28 |
US5702291A (en) | 1997-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2833552B2 (ja) | ウェハ研磨方法および研磨装置 | |
US6350346B1 (en) | Apparatus for polishing workpiece | |
US7108579B2 (en) | Method and device for polishing | |
JPH0513389A (ja) | 研磨装置 | |
US6432258B1 (en) | Apparatus for and method of polishing workpiece | |
US6271140B1 (en) | Coaxial dressing for chemical mechanical polishing | |
US6136138A (en) | Method and apparatus for chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer | |
CN214213444U (zh) | 一种最终抛光设备 | |
JP5291151B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
US7121933B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus | |
JP4096286B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JPH1058309A (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
JP2003220554A (ja) | 研磨装置及びこれを用いた被研磨材の研磨方法 | |
JP3327378B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
JP3625724B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP3011146B2 (ja) | 研磨布表面調整機構、研磨布表面調整方法および研磨装置 | |
JPH09167745A (ja) | 化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体基板の製造方法 | |
JP2002273651A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JP2002270551A (ja) | 研磨ヘッドおよびこれを用いた研磨装置 | |
JPH10337651A (ja) | 化学的機械研磨装置 | |
JP2001219364A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法及び研磨パッドを用いた加工物の製造方法 | |
JP2002222784A (ja) | 平面研磨方法及び平面研磨装置 | |
US20050026551A1 (en) | Method to improve control in CMP processing | |
JP2005205594A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2000190205A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 |