JP2819682B2 - ピリミジン誘導体及び液晶組成物 - Google Patents
ピリミジン誘導体及び液晶組成物Info
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- JP2819682B2 JP2819682B2 JP27307989A JP27307989A JP2819682B2 JP 2819682 B2 JP2819682 B2 JP 2819682B2 JP 27307989 A JP27307989 A JP 27307989A JP 27307989 A JP27307989 A JP 27307989A JP 2819682 B2 JP2819682 B2 JP 2819682B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置に用いられるネマチック液晶組
成物を構成する成分として有用なピリミジン誘導体およ
び該化合物を含有する液晶組成物に関する。
成物を構成する成分として有用なピリミジン誘導体およ
び該化合物を含有する液晶組成物に関する。
〔発明の概要〕 本発明は一般式 （上式中、ＲおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。）で表わされる新規なピリミジン誘導体お
よび該化合物を含有してなる液晶組成物より構成され
る。本発明のピリミジン誘導体はスメクチック相および
ネマチック相を持つ。また、本発明のピリミジン誘導体
はネマチック相−等方性液体転移点（Ｎ−Ｉ点）が非常
に高く、粘度が小さい特徴を有する。
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。）で表わされる新規なピリミジン誘導体お
よび該化合物を含有してなる液晶組成物より構成され
る。本発明のピリミジン誘導体はスメクチック相および
ネマチック相を持つ。また、本発明のピリミジン誘導体
はネマチック相−等方性液体転移点（Ｎ−Ｉ点）が非常
に高く、粘度が小さい特徴を有する。
したがって、本発明のピリミジン誘導体と他の液晶組
成物を混合して得られる液晶組成物を用いることにより
実用温度範囲が広く、応答速度の速い液晶表示装置を提
供することができる。
成物を混合して得られる液晶組成物を用いることにより
実用温度範囲が広く、応答速度の速い液晶表示装置を提
供することができる。
液晶表示装置に用いられている液晶相にはスメクチッ
ク相、ネマチック相、コレステリック相の３種類があ
る。そして、このなかではネマチック相の電気光学効果
を利用した液晶表示装置が最も広く使われており、表示
方式としては捩れネマチック型（TN型）、動的散乱型、
ケスト−ホスト型、STN型、SBE型などが用いられてい
る。また、液晶表示装置はその他の表示装置と比較して
小型でしかも薄くでき、駆動電圧が低く、かつ消費電力
が小さく、受光素子であるため長時間使用しても目が疲
れない等の特徴を有する。そこで、これらの特徴を利用
してウォッチ、電卓、オーディオ機器、各種計測器、自
動車のダッシュボード、受話機、カメラ等の表示に応用
されてきた。また、最近ではSTN型の表示装置がパーソ
ナルコンピューターやワードプロセッサーのディスプレ
イさらにはアクティブマトリックス方式のTN型表示装置
が液晶テレビ等の画素数のたいへん多い表示にも応用さ
れ将来はCRTに代る表示装置として注目を集めている。
また、今後さらにその応用分野は拡大してゆくことが予
想される。それにしたがって液晶材料に要求される特性
も変化して行くと思われるが、以下に示した諸特性は基
本的なもので必要不可欠である。
ク相、ネマチック相、コレステリック相の３種類があ
る。そして、このなかではネマチック相の電気光学効果
を利用した液晶表示装置が最も広く使われており、表示
方式としては捩れネマチック型（TN型）、動的散乱型、
ケスト−ホスト型、STN型、SBE型などが用いられてい
る。また、液晶表示装置はその他の表示装置と比較して
小型でしかも薄くでき、駆動電圧が低く、かつ消費電力
が小さく、受光素子であるため長時間使用しても目が疲
れない等の特徴を有する。そこで、これらの特徴を利用
してウォッチ、電卓、オーディオ機器、各種計測器、自
動車のダッシュボード、受話機、カメラ等の表示に応用
されてきた。また、最近ではSTN型の表示装置がパーソ
ナルコンピューターやワードプロセッサーのディスプレ
イさらにはアクティブマトリックス方式のTN型表示装置
が液晶テレビ等の画素数のたいへん多い表示にも応用さ
れ将来はCRTに代る表示装置として注目を集めている。
また、今後さらにその応用分野は拡大してゆくことが予
想される。それにしたがって液晶材料に要求される特性
も変化して行くと思われるが、以下に示した諸特性は基
本的なもので必要不可欠である。
（１）、着色がなく、熱、光、電気的、化学的に安定で
あること。
あること。
（２）、実用温度範囲が広いこと。
（３）、電圧−輝度特性のしきい値電圧（Vth）が低
く、その温度依存性が小さいこと。
く、その温度依存性が小さいこと。
（４）、電圧−輝度特性の急峻性（β）が良好であるこ
と。
と。
（５）、電圧−輝度特性の視角依存性（α）が小さいこ
と。
と。
（６）、応答速度が速いこと。
これらの特性のうち、（１）を満足する液晶化合物は
多数存在するが、（２）以下の特性を単一成分で満足す
る液晶化合物は知られていない。そこで、複数の液晶化
合物又はその類似化合物を混合して得られる液晶組成物
を用いているのが実状である。液晶組成物の実用温度範
囲のうち下限を下げるには共融混合物に近い組成にすれ
ば良い。また上限を高くするにはネマチック−等方性液
体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）が200℃以上あるような高温
液晶化合物、例えば 等を混合している。また、応答速度を速くするには粘度
が小さい化合物（減粘剤）を混合している。
多数存在するが、（２）以下の特性を単一成分で満足す
る液晶化合物は知られていない。そこで、複数の液晶化
合物又はその類似化合物を混合して得られる液晶組成物
を用いているのが実状である。液晶組成物の実用温度範
囲のうち下限を下げるには共融混合物に近い組成にすれ
ば良い。また上限を高くするにはネマチック−等方性液
体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）が200℃以上あるような高温
液晶化合物、例えば 等を混合している。また、応答速度を速くするには粘度
が小さい化合物（減粘剤）を混合している。
自動車のダッシュボードや屋外で用いられる計器類に
使用される液晶表示装置に使われる液晶組成物には実用
温度範囲が広く（−30〜＋80℃）かつ応答速度の速いこ
とが要求される。従来、Ｎ−Ｉ点を高くするために使用
されている 等はＮ−Ｉ点が250℃以下で比較的低いのと相溶性があ
まり良くないため単一成分では目的とするＮ−Ｉ点（＞
80℃）が得られず、該化合と類似したＮ−Ｉ点を有する
数種類の液晶化合物を混合していた。しかし、これらの
化合物は分子量が大きく、一般的に粘度が高く混合する
ことにより応答速度が遅くなる欠点を有している。
使用される液晶表示装置に使われる液晶組成物には実用
温度範囲が広く（−30〜＋80℃）かつ応答速度の速いこ
とが要求される。従来、Ｎ−Ｉ点を高くするために使用
されている 等はＮ−Ｉ点が250℃以下で比較的低いのと相溶性があ
まり良くないため単一成分では目的とするＮ−Ｉ点（＞
80℃）が得られず、該化合と類似したＮ−Ｉ点を有する
数種類の液晶化合物を混合していた。しかし、これらの
化合物は分子量が大きく、一般的に粘度が高く混合する
ことにより応答速度が遅くなる欠点を有している。
そこで、本発明の目的は複数の液晶化合物又はその類
似物と少量を混合することによりＮ−Ｉ点が高く、しか
も応答速度が速い液晶組成物が得られる液晶化合物およ
び該化合物を含有する実用温度範囲が広く、応答速度の
速い液晶組成物を提供することにある。
似物と少量を混合することによりＮ−Ｉ点が高く、しか
も応答速度が速い液晶組成物が得られる液晶化合物およ
び該化合物を含有する実用温度範囲が広く、応答速度の
速い液晶組成物を提供することにある。
本発明は一般式 （上式中、ＲおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。）で表わされる新規なピリミジン誘導体で
あり、次の製造方法により得ることができる。即ち、ス
キーム１においては４−（トランス−４′−アルキルシ
クロヘキシル）安息香酸を出発原料として６段階の反応
により１−ジメチルアミノ−３−ジメチルイミノ−２− （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜10の直鎖アルキル基を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。） （ここで、Ｒ′は炭素原子数が１〜10の直鎖アルキル基
を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。） ［４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）
フェニル］−１−プロペンの過塩素酸塩を得る。スキー
ム２においてはトランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸を出発原料として５段階の反応によりトラン
ス−４−アルキルシクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩
を得る。スキーム３においては１−ジメチルアミノ−３
−ジメチルイミノ−２−［４′−（トランス−４″−ア
ルキルシクロヘキシル）フェニル］−１−プロペン （ここで、ＲおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。） の過塩素酸塩とトランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボアミジン塩酸塩の反応により本発明の化合物２−
（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン（１）を得る。
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。）で表わされる新規なピリミジン誘導体で
あり、次の製造方法により得ることができる。即ち、ス
キーム１においては４−（トランス−４′−アルキルシ
クロヘキシル）安息香酸を出発原料として６段階の反応
により１−ジメチルアミノ−３−ジメチルイミノ−２− （ここで、Ｒは炭素原子数が１〜10の直鎖アルキル基を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。） （ここで、Ｒ′は炭素原子数が１〜10の直鎖アルキル基
を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。） ［４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）
フェニル］−１−プロペンの過塩素酸塩を得る。スキー
ム２においてはトランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸を出発原料として５段階の反応によりトラン
ス−４−アルキルシクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩
を得る。スキーム３においては１−ジメチルアミノ−３
−ジメチルイミノ−２−［４′−（トランス−４″−ア
ルキルシクロヘキシル）フェニル］−１−プロペン （ここで、ＲおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。） の過塩素酸塩とトランス−４−アルキルシクロヘキサン
カルボアミジン塩酸塩の反応により本発明の化合物２−
（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン（１）を得る。
次に、ステップ順に従って製造方法の概要を説明す
る。
る。
ステップ１−１ ４−（トランス−４′−アルキルシク
ロヘキシル）安息香酸（２）を塩化チオニル（SOCl2）
で塩素化して４−（トランス−４′−アルキルシクロヘ
キシル）安息香酸クロライド（３）を得る。
ロヘキシル）安息香酸（２）を塩化チオニル（SOCl2）
で塩素化して４−（トランス−４′−アルキルシクロヘ
キシル）安息香酸クロライド（３）を得る。
ステップ１−２ 化合物（３）を水素化ビス−（メトキ
シエトキシ）アルミニウムナトリウム（NaAlH2（OC2H4O
CH3）２）で還元して４−（トランス−４′−アルキル
シクロヘキシル）ベンジルアルコール（４）を得る。
シエトキシ）アルミニウムナトリウム（NaAlH2（OC2H4O
CH3）２）で還元して４−（トランス−４′−アルキル
シクロヘキシル）ベンジルアルコール（４）を得る。
ステップ１−３ 化合物（４）をSOCl2で塩素化して４
−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）ベンジ
ルクロライド（５）を得る。
−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）ベンジ
ルクロライド（５）を得る。
ステップ１−４ 化合物（５）をジメチルスルホキシド
中でシアン化ナトリウム（NaCN）を用いてシアノ化して
４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）ベン
ジルシアナイド（６）を得る。
中でシアン化ナトリウム（NaCN）を用いてシアノ化して
４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）ベン
ジルシアナイド（６）を得る。
ステップ１−５ 化合物（６）をエタノール中で水酸化
ナトリウムと水を用いて加水分解し、塩酸で中和して４
−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）フェニ
ル酢酸（７）を得る。
ナトリウムと水を用いて加水分解し、塩酸で中和して４
−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）フェニ
ル酢酸（７）を得る。
ステップ１−６ N,N−ジメチルホルムアミド（DMF）と
オキシ塩化りん（POCl3）より調整したフィルスーマイ
ヤー試薬と化合物（７）を反応させ、過塩素酸ナトリウ
ムを加えて塩を作らせて、１−ジメチルアミノ−３−ジ
メチルイミノ−２−［４′−（トランス−４′−アルキ
ルシクロヘキシル）フェニル］−１−プロペンの過塩素
酸塩（８）を得る。
オキシ塩化りん（POCl3）より調整したフィルスーマイ
ヤー試薬と化合物（７）を反応させ、過塩素酸ナトリウ
ムを加えて塩を作らせて、１−ジメチルアミノ−３−ジ
メチルイミノ−２−［４′−（トランス−４′−アルキ
ルシクロヘキシル）フェニル］−１−プロペンの過塩素
酸塩（８）を得る。
ステップ２−１ トランス−４−アルキルシクロヘキサ
ンカルボン酸（９）をSOCl2で塩素化してトランス−４
−アルキルシクロヘキサンカルボン酸クロライド（10）
を得る。
ンカルボン酸（９）をSOCl2で塩素化してトランス−４
−アルキルシクロヘキサンカルボン酸クロライド（10）
を得る。
ステップ２−２ 化合物（10）をアンモニア水と反応さ
せてトランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
アミド（11）を得る。
せてトランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
アミド（11）を得る。
ステップ２−３ 化合物（11）をSOCl2を用いて脱水し
てトランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボニトリ
ル（12）を得る。
てトランス−４−アルキルシクロヘキサンカルボニトリ
ル（12）を得る。
ステップ２−４ 化合物（12）をエタノール中で塩化水
素ガスと反応させてトランス−４−アルキルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩（13）を得る。
素ガスと反応させてトランス−４−アルキルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩（13）を得る。
ステップ２−５ 化合物（13）をエタノール中でアンモ
ニアガスと反応させてトランス−４−アルキルシクロヘ
キサンカルボアミジン塩酸塩（14）を得る。
ニアガスと反応させてトランス−４−アルキルシクロヘ
キサンカルボアミジン塩酸塩（14）を得る。
ステップ３−１ 化合物（８）と化合物（14）をメタノ
ール中でナトリウムメトキシドを用いて反応させて本発
明の化合物２−（トランス−４′−アルキルシクロヘキ
シル）−５−［４′−（トランス−４″−アルキルシク
ロヘキシル）フェニル］ピリミジン（１）を得る。
ール中でナトリウムメトキシドを用いて反応させて本発
明の化合物２−（トランス−４′−アルキルシクロヘキ
シル）−５−［４′−（トランス−４″−アルキルシク
ロヘキシル）フェニル］ピリミジン（１）を得る。
本発明の化合物は非常に高いＮ−Ｉ点（260〜330℃）
を持ち、またネマチック相の下にスメクチック相を有す
るため、他の液晶組成物と混合した場合に結晶が析出し
にくい特徴を持つ、したがって、他の液晶組成物との相
溶性が良好であり、１〜50重量％の割合で混合すること
が可能であるが、相溶性やその他の特性を考慮した場合
には３〜20重量％の割合で混合することが好ましい。さ
らに、本発明の化合物と混合できる他の液晶化合物は限
定されるものではなく、例えば、フェニシクロヘキサン
カルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビ
フェニル系、フェニルジオキサン系、フェニルピリミジ
ン系、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン系、トラ
ン系等あらゆる材料と混合することができる。
を持ち、またネマチック相の下にスメクチック相を有す
るため、他の液晶組成物と混合した場合に結晶が析出し
にくい特徴を持つ、したがって、他の液晶組成物との相
溶性が良好であり、１〜50重量％の割合で混合すること
が可能であるが、相溶性やその他の特性を考慮した場合
には３〜20重量％の割合で混合することが好ましい。さ
らに、本発明の化合物と混合できる他の液晶化合物は限
定されるものではなく、例えば、フェニシクロヘキサン
カルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビ
フェニル系、フェニルジオキサン系、フェニルピリミジ
ン系、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン系、トラ
ン系等あらゆる材料と混合することができる。
以下、実施例と応用例とにより本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
実施例１ ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキ
シル）−５−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］ピリミジンの製造方法。
シル）−５−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］ピリミジンの製造方法。
ステップ１−１ ４−（トランス−４′−プロピルシク
ロヘキシル）安息香酸130g（0.53モル）と塩化チオニル
126g（1.06モル）を３時間還流した。過剰な塩化チオニ
ルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留（103℃/3.0mmH
g）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシ
ル）安息香酸クロライド133g（0.50モル）を得た。
ロヘキシル）安息香酸130g（0.53モル）と塩化チオニル
126g（1.06モル）を３時間還流した。過剰な塩化チオニ
ルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留（103℃/3.0mmH
g）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシ
ル）安息香酸クロライド133g（0.50モル）を得た。
ステップ１−２ 水素化ビス−（メトキシエトキシ）ア
ルミニウムナトリウムの70％トルエン溶液170cm3（0.60
モル）とトルエン170cm3から成る溶液を撹拌しながら４
−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）安息香
酸クロライド130g（0.50モル）をゆっくり還流する速度
で滴下した。その後、85−90℃で５時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、塩酸200cm3と水400cm3よりなる溶液
を滴下した。トルエン層を分離し、水層をトルエン100c
m3で３回抽出し、合せたトルエン層を10％塩酸と水で洗
浄した。トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留（110℃/2.
0mmHg）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘ
キシル）ベンジルアルコール114.4g（0.49モル）を得
た。
ルミニウムナトリウムの70％トルエン溶液170cm3（0.60
モル）とトルエン170cm3から成る溶液を撹拌しながら４
−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）安息香
酸クロライド130g（0.50モル）をゆっくり還流する速度
で滴下した。その後、85−90℃で５時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、塩酸200cm3と水400cm3よりなる溶液
を滴下した。トルエン層を分離し、水層をトルエン100c
m3で３回抽出し、合せたトルエン層を10％塩酸と水で洗
浄した。トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留（110℃/2.
0mmHg）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘ
キシル）ベンジルアルコール114.4g（0.49モル）を得
た。
ステップ１−３ ４−（トランス−４′−プロピルシク
ロヘキシル）ベンジルアルコール114.4g（0.49モル）と
塩化チオニル176g（1.48モル）を３時間還流した。過剰
な塩化チオニルを留去し、残渣を減圧蒸留（115℃/2.0m
mHg）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）ベンジルクロライド113.7g（0.45モル）を得た。
ロヘキシル）ベンジルアルコール114.4g（0.49モル）と
塩化チオニル176g（1.48モル）を３時間還流した。過剰
な塩化チオニルを留去し、残渣を減圧蒸留（115℃/2.0m
mHg）して４−（トランス−４′−プロピルシクロヘキ
シル）ベンジルクロライド113.7g（0.45モル）を得た。
ステップ１−４ ４−（トランス−４′−プロピルシク
ロヘキシル）ベンジルクロライド113.7g（0.45モル）と
シアン化ナトリウム26.7g（0.54モル）をジメチルスル
ホキシド113cm3中で撹拌下140℃まで加熱した。反応物
を室温まで冷却し、水300cm3を加えクロロホルム100cm3
で３回抽出し、合せたクロロホルム層を水洗した。クロ
ロホルムを留去し、残渣を減圧蒸留（135℃/2.0mmHg）
し、メタノールと水の混合溶媒から再結晶して４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）ベンジルシア
ナイド105.8g（0.44モル）を得た。
ロヘキシル）ベンジルクロライド113.7g（0.45モル）と
シアン化ナトリウム26.7g（0.54モル）をジメチルスル
ホキシド113cm3中で撹拌下140℃まで加熱した。反応物
を室温まで冷却し、水300cm3を加えクロロホルム100cm3
で３回抽出し、合せたクロロホルム層を水洗した。クロ
ロホルムを留去し、残渣を減圧蒸留（135℃/2.0mmHg）
し、メタノールと水の混合溶媒から再結晶して４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）ベンジルシア
ナイド105.8g（0.44モル）を得た。
ステップ１−５ ４−（トランス−４′−プロピルシク
ロヘキシル）ベンジルシアナイド105.8g（0.44モル）と
水酸化カリウム（85％）144g（2.2モル）と水39.6cm
3（2.2モル）とエタノール440cm3をアンモニアの発生が
止むまで（約10時間）還流した。エタノールを留去し、
残渣に水を加えて溶解した。これに濃塩酸300cm3を加え
分離した油層を冷却して結晶化させてから瀘過した。結
晶をメタノールと水の混合溶媒から再結晶して４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）フェニル酢酸
112g（0.43モル）を得た。
ロヘキシル）ベンジルシアナイド105.8g（0.44モル）と
水酸化カリウム（85％）144g（2.2モル）と水39.6cm
3（2.2モル）とエタノール440cm3をアンモニアの発生が
止むまで（約10時間）還流した。エタノールを留去し、
残渣に水を加えて溶解した。これに濃塩酸300cm3を加え
分離した油層を冷却して結晶化させてから瀘過した。結
晶をメタノールと水の混合溶媒から再結晶して４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）フェニル酢酸
112g（0.43モル）を得た。
ステップ１−６ 無水のN,N−ジメチルホルムアミド156
g（2.15モル）を氷水冷却し、撹拌しながらオキシ塩化
リン198g（1.29モル）を滴下してフィルス・マイヤー試
薬を調整した。この溶液を室温で撹拌しながら４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）フェニル酢酸
112g（0.43モル）の粉末を少しずつ加え、室温で１時
間、60℃で１時間、80℃で５時間撹拌した。真空ポンプ
減圧下に湯浴上でN,N−ジメチルホルムアミドを留去し
た。反応液を氷215g中に注ぎフィルス・マイヤー試薬を
分解した。過塩素酸ナトリウム106g（0.86モル）と水50
cm3とから成る溶液を加え、氷水冷却し、析出した結晶
を瀘過した。結晶をメタノールから再結晶して１−ジメ
チルアミノ−３−ジメチルイミノ−２−［４′−（トラ
ンス−４″−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−１
−プロペン過塩酸塩158g（0.37モル）を得た。
g（2.15モル）を氷水冷却し、撹拌しながらオキシ塩化
リン198g（1.29モル）を滴下してフィルス・マイヤー試
薬を調整した。この溶液を室温で撹拌しながら４−（ト
ランス−４′−プロピルシクロヘキシル）フェニル酢酸
112g（0.43モル）の粉末を少しずつ加え、室温で１時
間、60℃で１時間、80℃で５時間撹拌した。真空ポンプ
減圧下に湯浴上でN,N−ジメチルホルムアミドを留去し
た。反応液を氷215g中に注ぎフィルス・マイヤー試薬を
分解した。過塩素酸ナトリウム106g（0.86モル）と水50
cm3とから成る溶液を加え、氷水冷却し、析出した結晶
を瀘過した。結晶をメタノールから再結晶して１−ジメ
チルアミノ−３−ジメチルイミノ−２−［４′−（トラ
ンス−４″−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−１
−プロペン過塩酸塩158g（0.37モル）を得た。
ステップ２−１ トランス−４−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸19.8g（0.1モル）と塩化チオニル17.9g
（0.15モル）を３時間還流した。過剰な塩化チオニルを
留去し、残渣を減圧蒸留（130℃/3.0mmHg）してトラン
ス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド
20.8（0.096モル）を得た。
ンカルボン酸19.8g（0.1モル）と塩化チオニル17.9g
（0.15モル）を３時間還流した。過剰な塩化チオニルを
留去し、残渣を減圧蒸留（130℃/3.0mmHg）してトラン
ス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド
20.8（0.096モル）を得た。
ステップ２−２ アンモニア水（2.8％）65cm3を氷水冷
却し、撹拌しながらトランス−４−ペンチルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド20.8gを滴下した。析出した
結晶を瀘過し、水で洗浄した。結晶をアセトンとメタノ
ール混合溶媒から再結しトランス−４−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸アミド17.4g（0.088モル）を得た。
却し、撹拌しながらトランス−４−ペンチルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド20.8gを滴下した。析出した
結晶を瀘過し、水で洗浄した。結晶をアセトンとメタノ
ール混合溶媒から再結しトランス−４−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸アミド17.4g（0.088モル）を得た。
ステップ２−３ トランス−４−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸アミド17.4g（0.088モル）と塩化チオニル
52.4g（0.44モル）を10時間還流した。過剰な塩化チオ
ニルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留（96℃/3mmHg）
してトランス−４−ペンチルシアノシクロヘキサン14.7
g（0.082モル）を得た。
ンカルボン酸アミド17.4g（0.088モル）と塩化チオニル
52.4g（0.44モル）を10時間還流した。過剰な塩化チオ
ニルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留（96℃/3mmHg）
してトランス−４−ペンチルシアノシクロヘキサン14.7
g（0.082モル）を得た。
ステップ２−４ トランス−４−ペンチルシアノシクロ
ヘキサン14.7g（0.082モル）をエタノール16cm3とベン
ゼン21cm3に溶解し、氷水冷却下に濃硫酸で乾燥した塩
化水素ガスを飽和させ、密栓をして５℃以下で３日間放
置した。溶媒を湯浴上で減圧下に留去し、エタノール10
cm3から再結晶してトランス−４−ペンチルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩17.3g（0.066モル）を得
た。
ヘキサン14.7g（0.082モル）をエタノール16cm3とベン
ゼン21cm3に溶解し、氷水冷却下に濃硫酸で乾燥した塩
化水素ガスを飽和させ、密栓をして５℃以下で３日間放
置した。溶媒を湯浴上で減圧下に留去し、エタノール10
cm3から再結晶してトランス−４−ペンチルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩17.3g（0.066モル）を得
た。
ステップ２−５ トランス−４−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボイミダート塩酸塩17.3g（0.066モル）にアンモ
ニアを飽和したエタノール50cm3を加え一晩撹拌した。
溶媒を約半分留去して再結晶し、さらに瀘液を半分に濃
縮して再結晶し、結晶を合せてトランス−４−ペンチル
シクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩14.0g（0.060モ
ル）を得た。
ンカルボイミダート塩酸塩17.3g（0.066モル）にアンモ
ニアを飽和したエタノール50cm3を加え一晩撹拌した。
溶媒を約半分留去して再結晶し、さらに瀘液を半分に濃
縮して再結晶し、結晶を合せてトランス−４−ペンチル
シクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩14.0g（0.060モ
ル）を得た。
ステップ３−１ 無水メタノール75cm3にナトリウム1.0
4g（0.045モル）を溶解し、ステップ６で製造した１−
ジメチルアミノ−３−ジメチルイミノ−２−［４′−
（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル］−１−プロペン過塩素酸塩6.4g（0.015モル）とト
ランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボアミジン塩
酸塩3.5g（0.015モル）を加え３時間還流した。溶媒を
留去し、水100cm3を加えてから瀘過し、水洗した。結晶
をアセトンから再結晶して２−（トランス−４′−ペン
チルシクロヘキシル）−５−［４′−（トランス−４″
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ピリミジン4.4g
（0.010モル）を得た。この化合物の相点移点は以下の
とうりであった。
4g（0.045モル）を溶解し、ステップ６で製造した１−
ジメチルアミノ−３−ジメチルイミノ−２−［４′−
（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル］−１−プロペン過塩素酸塩6.4g（0.015モル）とト
ランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボアミジン塩
酸塩3.5g（0.015モル）を加え３時間還流した。溶媒を
留去し、水100cm3を加えてから瀘過し、水洗した。結晶
をアセトンから再結晶して２−（トランス−４′−ペン
チルシクロヘキシル）−５−［４′−（トランス−４″
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ピリミジン4.4g
（0.010モル）を得た。この化合物の相点移点は以下の
とうりであった。
（ここで、Ｃは結晶、S1、S2、S3はスメクチック相、Ｎ
はネマチック相、Ｉは等方性液体を示す。） 実施例２〜20 実施例１と同様な製造方法により次の化合物を製造し
た。
はネマチック相、Ｉは等方性液体を示す。） 実施例２〜20 実施例１と同様な製造方法により次の化合物を製造し
た。
２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−４
−［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン 実施例１〜20の化合物の相転移温度を第１表にまとめ
た。
［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−４
−［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）フ
ェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−エチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−プロピルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ブチルシクロヘキシル）−５−
［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ペンチルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン ２−（トランス−４′−ヘキシルシクロヘキシル）−５
−［４′−（トランス−４″−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ピリミジン 実施例１〜20の化合物の相転移温度を第１表にまとめ
た。
応用例 市販のネマチック液晶組成物ZLI−1565（Merk社製）9
0重量％に実施例８の化合物を10重量％混合した液晶組
成物（Ａ）および、比較例として を各々10重量％ずつ混合した液晶組成物（Ｂ）および
（Ｃ）を作った。
0重量％に実施例８の化合物を10重量％混合した液晶組
成物（Ａ）および、比較例として を各々10重量％ずつ混合した液晶組成物（Ｂ）および
（Ｃ）を作った。
これらの組成物のＮ−Ｉ点および屈折率異方性△ｎを
測定した。また、これらの液晶組成物をセル厚９μｍの
TN型液晶セルに封入し電圧−輝度特性のうち20℃におけ
るしきい値電圧（輝度10％電圧）（Vth）、視角依存性
（α）、急峻性（β）および０℃における立上り速度
（τON）と立下り速度（τOFF）を測定した。以上の結
果を第２表にまとめた。なおαおよびβは次式で定義し
た。ここで、Vsatは輝度90％の電圧、Ｔは温度、φは視
角（正面を０゜とする）である。
測定した。また、これらの液晶組成物をセル厚９μｍの
TN型液晶セルに封入し電圧−輝度特性のうち20℃におけ
るしきい値電圧（輝度10％電圧）（Vth）、視角依存性
（α）、急峻性（β）および０℃における立上り速度
（τON）と立下り速度（τOFF）を測定した。以上の結
果を第２表にまとめた。なおαおよびβは次式で定義し
た。ここで、Vsatは輝度90％の電圧、Ｔは温度、φは視
角（正面を０゜とする）である。
〔発明の効果〕 以上述べたように本発明の化合物は非常に高いＮ−Ｉ
点を有することが明らかとなった。また、本発明の化合
物と従来の液晶組成物を混合することにより実用温度範
囲が広く、視角依存性および急峻性が良好でしかも応答
速度の速い液晶組成物が得られることが確認できた。
点を有することが明らかとなった。また、本発明の化合
物と従来の液晶組成物を混合することにより実用温度範
囲が広く、視角依存性および急峻性が良好でしかも応答
速度の速い液晶組成物が得られることが確認できた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07D 239/26 C09K 19/34 C09K 19/42 G02F 1/13 500 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩＤＳ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 （上式中,RおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10の
直鎖アルキル基を示し，シクロヘキサン環はトランス配
置である。） で表わされるピリミジン誘導体。 - 【請求項２】一般式 （上式中,RおよびＲ′はそれぞれ炭素原子数が１〜10の
直鎖アルキル基を示し，シクロヘキサン環はトランス配
置である。） で表わされるピリミジン誘導体を含有することを特徴と
する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307989A JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307989A JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03133963A JPH03133963A (ja) | 1991-06-07 |
| JP2819682B2 true JP2819682B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17522852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27307989A Expired - Fee Related JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819682B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27307989A patent/JP2819682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03133963A (ja) | 1991-06-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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