JP2819682B2 - ピリミジン誘導体及び液晶組成物 - Google Patents
ピリミジン誘導体及び液晶組成物Info
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- JP2819682B2 JP2819682B2 JP27307989A JP27307989A JP2819682B2 JP 2819682 B2 JP2819682 B2 JP 2819682B2 JP 27307989 A JP27307989 A JP 27307989A JP 27307989 A JP27307989 A JP 27307989A JP 2819682 B2 JP2819682 B2 JP 2819682B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置に用いられるネマチック液晶組
成物を構成する成分として有用なピリミジン誘導体およ
び該化合物を含有する液晶組成物に関する。
成物を構成する成分として有用なピリミジン誘導体およ
び該化合物を含有する液晶組成物に関する。
〔発明の概要〕 本発明は一般式 (上式中、RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。)で表わされる新規なピリミジン誘導体お
よび該化合物を含有してなる液晶組成物より構成され
る。本発明のピリミジン誘導体はスメクチック相および
ネマチック相を持つ。また、本発明のピリミジン誘導体
はネマチック相−等方性液体転移点(N−I点)が非常
に高く、粘度が小さい特徴を有する。
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。)で表わされる新規なピリミジン誘導体お
よび該化合物を含有してなる液晶組成物より構成され
る。本発明のピリミジン誘導体はスメクチック相および
ネマチック相を持つ。また、本発明のピリミジン誘導体
はネマチック相−等方性液体転移点(N−I点)が非常
に高く、粘度が小さい特徴を有する。
したがって、本発明のピリミジン誘導体と他の液晶組
成物を混合して得られる液晶組成物を用いることにより
実用温度範囲が広く、応答速度の速い液晶表示装置を提
供することができる。
成物を混合して得られる液晶組成物を用いることにより
実用温度範囲が広く、応答速度の速い液晶表示装置を提
供することができる。
液晶表示装置に用いられている液晶相にはスメクチッ
ク相、ネマチック相、コレステリック相の3種類があ
る。そして、このなかではネマチック相の電気光学効果
を利用した液晶表示装置が最も広く使われており、表示
方式としては捩れネマチック型(TN型)、動的散乱型、
ケスト−ホスト型、STN型、SBE型などが用いられてい
る。また、液晶表示装置はその他の表示装置と比較して
小型でしかも薄くでき、駆動電圧が低く、かつ消費電力
が小さく、受光素子であるため長時間使用しても目が疲
れない等の特徴を有する。そこで、これらの特徴を利用
してウォッチ、電卓、オーディオ機器、各種計測器、自
動車のダッシュボード、受話機、カメラ等の表示に応用
されてきた。また、最近ではSTN型の表示装置がパーソ
ナルコンピューターやワードプロセッサーのディスプレ
イさらにはアクティブマトリックス方式のTN型表示装置
が液晶テレビ等の画素数のたいへん多い表示にも応用さ
れ将来はCRTに代る表示装置として注目を集めている。
また、今後さらにその応用分野は拡大してゆくことが予
想される。それにしたがって液晶材料に要求される特性
も変化して行くと思われるが、以下に示した諸特性は基
本的なもので必要不可欠である。
ク相、ネマチック相、コレステリック相の3種類があ
る。そして、このなかではネマチック相の電気光学効果
を利用した液晶表示装置が最も広く使われており、表示
方式としては捩れネマチック型(TN型)、動的散乱型、
ケスト−ホスト型、STN型、SBE型などが用いられてい
る。また、液晶表示装置はその他の表示装置と比較して
小型でしかも薄くでき、駆動電圧が低く、かつ消費電力
が小さく、受光素子であるため長時間使用しても目が疲
れない等の特徴を有する。そこで、これらの特徴を利用
してウォッチ、電卓、オーディオ機器、各種計測器、自
動車のダッシュボード、受話機、カメラ等の表示に応用
されてきた。また、最近ではSTN型の表示装置がパーソ
ナルコンピューターやワードプロセッサーのディスプレ
イさらにはアクティブマトリックス方式のTN型表示装置
が液晶テレビ等の画素数のたいへん多い表示にも応用さ
れ将来はCRTに代る表示装置として注目を集めている。
また、今後さらにその応用分野は拡大してゆくことが予
想される。それにしたがって液晶材料に要求される特性
も変化して行くと思われるが、以下に示した諸特性は基
本的なもので必要不可欠である。
(1)、着色がなく、熱、光、電気的、化学的に安定で
あること。
あること。
(2)、実用温度範囲が広いこと。
(3)、電圧−輝度特性のしきい値電圧(Vth)が低
く、その温度依存性が小さいこと。
く、その温度依存性が小さいこと。
(4)、電圧−輝度特性の急峻性(β)が良好であるこ
と。
と。
(5)、電圧−輝度特性の視角依存性(α)が小さいこ
と。
と。
(6)、応答速度が速いこと。
これらの特性のうち、(1)を満足する液晶化合物は
多数存在するが、(2)以下の特性を単一成分で満足す
る液晶化合物は知られていない。そこで、複数の液晶化
合物又はその類似化合物を混合して得られる液晶組成物
を用いているのが実状である。液晶組成物の実用温度範
囲のうち下限を下げるには共融混合物に近い組成にすれ
ば良い。また上限を高くするにはネマチック−等方性液
体相転移温度(N−I点)が200℃以上あるような高温
液晶化合物、例えば 等を混合している。また、応答速度を速くするには粘度
が小さい化合物(減粘剤)を混合している。
多数存在するが、(2)以下の特性を単一成分で満足す
る液晶化合物は知られていない。そこで、複数の液晶化
合物又はその類似化合物を混合して得られる液晶組成物
を用いているのが実状である。液晶組成物の実用温度範
囲のうち下限を下げるには共融混合物に近い組成にすれ
ば良い。また上限を高くするにはネマチック−等方性液
体相転移温度(N−I点)が200℃以上あるような高温
液晶化合物、例えば 等を混合している。また、応答速度を速くするには粘度
が小さい化合物(減粘剤)を混合している。
自動車のダッシュボードや屋外で用いられる計器類に
使用される液晶表示装置に使われる液晶組成物には実用
温度範囲が広く(−30〜+80℃)かつ応答速度の速いこ
とが要求される。従来、N−I点を高くするために使用
されている 等はN−I点が250℃以下で比較的低いのと相溶性があ
まり良くないため単一成分では目的とするN−I点(>
80℃)が得られず、該化合と類似したN−I点を有する
数種類の液晶化合物を混合していた。しかし、これらの
化合物は分子量が大きく、一般的に粘度が高く混合する
ことにより応答速度が遅くなる欠点を有している。
使用される液晶表示装置に使われる液晶組成物には実用
温度範囲が広く(−30〜+80℃)かつ応答速度の速いこ
とが要求される。従来、N−I点を高くするために使用
されている 等はN−I点が250℃以下で比較的低いのと相溶性があ
まり良くないため単一成分では目的とするN−I点(>
80℃)が得られず、該化合と類似したN−I点を有する
数種類の液晶化合物を混合していた。しかし、これらの
化合物は分子量が大きく、一般的に粘度が高く混合する
ことにより応答速度が遅くなる欠点を有している。
そこで、本発明の目的は複数の液晶化合物又はその類
似物と少量を混合することによりN−I点が高く、しか
も応答速度が速い液晶組成物が得られる液晶化合物およ
び該化合物を含有する実用温度範囲が広く、応答速度の
速い液晶組成物を提供することにある。
似物と少量を混合することによりN−I点が高く、しか
も応答速度が速い液晶組成物が得られる液晶化合物およ
び該化合物を含有する実用温度範囲が広く、応答速度の
速い液晶組成物を提供することにある。
本発明は一般式 (上式中、RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。)で表わされる新規なピリミジン誘導体で
あり、次の製造方法により得ることができる。即ち、ス
キーム1においては4−(トランス−4′−アルキルシ
クロヘキシル)安息香酸を出発原料として6段階の反応
により1−ジメチルアミノ−3−ジメチルイミノ−2− (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) (ここで、R′は炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) [4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)
フェニル]−1−プロペンの過塩素酸塩を得る。スキー
ム2においてはトランス−4−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸を出発原料として5段階の反応によりトラン
ス−4−アルキルシクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩
を得る。スキーム3においては1−ジメチルアミノ−3
−ジメチルイミノ−2−[4′−(トランス−4″−ア
ルキルシクロヘキシル)フェニル]−1−プロペン (ここで、RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。) の過塩素酸塩とトランス−4−アルキルシクロヘキサン
カルボアミジン塩酸塩の反応により本発明の化合物2−
(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン(1)を得る。
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。)で表わされる新規なピリミジン誘導体で
あり、次の製造方法により得ることができる。即ち、ス
キーム1においては4−(トランス−4′−アルキルシ
クロヘキシル)安息香酸を出発原料として6段階の反応
により1−ジメチルアミノ−3−ジメチルイミノ−2− (ここで、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) (ここで、R′は炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) [4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)
フェニル]−1−プロペンの過塩素酸塩を得る。スキー
ム2においてはトランス−4−アルキルシクロヘキサン
カルボン酸を出発原料として5段階の反応によりトラン
ス−4−アルキルシクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩
を得る。スキーム3においては1−ジメチルアミノ−3
−ジメチルイミノ−2−[4′−(トランス−4″−ア
ルキルシクロヘキシル)フェニル]−1−プロペン (ここで、RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10
の直鎖アルキル基を示し、シクロヘキサン環はトランス
配置である。) の過塩素酸塩とトランス−4−アルキルシクロヘキサン
カルボアミジン塩酸塩の反応により本発明の化合物2−
(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン(1)を得る。
次に、ステップ順に従って製造方法の概要を説明す
る。
る。
ステップ1−1 4−(トランス−4′−アルキルシク
ロヘキシル)安息香酸(2)を塩化チオニル(SOCl2)
で塩素化して4−(トランス−4′−アルキルシクロヘ
キシル)安息香酸クロライド(3)を得る。
ロヘキシル)安息香酸(2)を塩化チオニル(SOCl2)
で塩素化して4−(トランス−4′−アルキルシクロヘ
キシル)安息香酸クロライド(3)を得る。
ステップ1−2 化合物(3)を水素化ビス−(メトキ
シエトキシ)アルミニウムナトリウム(NaAlH2(OC2H4O
CH3)2)で還元して4−(トランス−4′−アルキル
シクロヘキシル)ベンジルアルコール(4)を得る。
シエトキシ)アルミニウムナトリウム(NaAlH2(OC2H4O
CH3)2)で還元して4−(トランス−4′−アルキル
シクロヘキシル)ベンジルアルコール(4)を得る。
ステップ1−3 化合物(4)をSOCl2で塩素化して4
−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)ベンジ
ルクロライド(5)を得る。
−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)ベンジ
ルクロライド(5)を得る。
ステップ1−4 化合物(5)をジメチルスルホキシド
中でシアン化ナトリウム(NaCN)を用いてシアノ化して
4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)ベン
ジルシアナイド(6)を得る。
中でシアン化ナトリウム(NaCN)を用いてシアノ化して
4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)ベン
ジルシアナイド(6)を得る。
ステップ1−5 化合物(6)をエタノール中で水酸化
ナトリウムと水を用いて加水分解し、塩酸で中和して4
−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)フェニ
ル酢酸(7)を得る。
ナトリウムと水を用いて加水分解し、塩酸で中和して4
−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)フェニ
ル酢酸(7)を得る。
ステップ1−6 N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)と
オキシ塩化りん(POCl3)より調整したフィルスーマイ
ヤー試薬と化合物(7)を反応させ、過塩素酸ナトリウ
ムを加えて塩を作らせて、1−ジメチルアミノ−3−ジ
メチルイミノ−2−[4′−(トランス−4′−アルキ
ルシクロヘキシル)フェニル]−1−プロペンの過塩素
酸塩(8)を得る。
オキシ塩化りん(POCl3)より調整したフィルスーマイ
ヤー試薬と化合物(7)を反応させ、過塩素酸ナトリウ
ムを加えて塩を作らせて、1−ジメチルアミノ−3−ジ
メチルイミノ−2−[4′−(トランス−4′−アルキ
ルシクロヘキシル)フェニル]−1−プロペンの過塩素
酸塩(8)を得る。
ステップ2−1 トランス−4−アルキルシクロヘキサ
ンカルボン酸(9)をSOCl2で塩素化してトランス−4
−アルキルシクロヘキサンカルボン酸クロライド(10)
を得る。
ンカルボン酸(9)をSOCl2で塩素化してトランス−4
−アルキルシクロヘキサンカルボン酸クロライド(10)
を得る。
ステップ2−2 化合物(10)をアンモニア水と反応さ
せてトランス−4−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
アミド(11)を得る。
せてトランス−4−アルキルシクロヘキサンカルボン酸
アミド(11)を得る。
ステップ2−3 化合物(11)をSOCl2を用いて脱水し
てトランス−4−アルキルシクロヘキサンカルボニトリ
ル(12)を得る。
てトランス−4−アルキルシクロヘキサンカルボニトリ
ル(12)を得る。
ステップ2−4 化合物(12)をエタノール中で塩化水
素ガスと反応させてトランス−4−アルキルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩(13)を得る。
素ガスと反応させてトランス−4−アルキルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩(13)を得る。
ステップ2−5 化合物(13)をエタノール中でアンモ
ニアガスと反応させてトランス−4−アルキルシクロヘ
キサンカルボアミジン塩酸塩(14)を得る。
ニアガスと反応させてトランス−4−アルキルシクロヘ
キサンカルボアミジン塩酸塩(14)を得る。
ステップ3−1 化合物(8)と化合物(14)をメタノ
ール中でナトリウムメトキシドを用いて反応させて本発
明の化合物2−(トランス−4′−アルキルシクロヘキ
シル)−5−[4′−(トランス−4″−アルキルシク
ロヘキシル)フェニル]ピリミジン(1)を得る。
ール中でナトリウムメトキシドを用いて反応させて本発
明の化合物2−(トランス−4′−アルキルシクロヘキ
シル)−5−[4′−(トランス−4″−アルキルシク
ロヘキシル)フェニル]ピリミジン(1)を得る。
本発明の化合物は非常に高いN−I点(260〜330℃)
を持ち、またネマチック相の下にスメクチック相を有す
るため、他の液晶組成物と混合した場合に結晶が析出し
にくい特徴を持つ、したがって、他の液晶組成物との相
溶性が良好であり、1〜50重量%の割合で混合すること
が可能であるが、相溶性やその他の特性を考慮した場合
には3〜20重量%の割合で混合することが好ましい。さ
らに、本発明の化合物と混合できる他の液晶化合物は限
定されるものではなく、例えば、フェニシクロヘキサン
カルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビ
フェニル系、フェニルジオキサン系、フェニルピリミジ
ン系、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン系、トラ
ン系等あらゆる材料と混合することができる。
を持ち、またネマチック相の下にスメクチック相を有す
るため、他の液晶組成物と混合した場合に結晶が析出し
にくい特徴を持つ、したがって、他の液晶組成物との相
溶性が良好であり、1〜50重量%の割合で混合すること
が可能であるが、相溶性やその他の特性を考慮した場合
には3〜20重量%の割合で混合することが好ましい。さ
らに、本発明の化合物と混合できる他の液晶化合物は限
定されるものではなく、例えば、フェニシクロヘキサン
カルボン酸エステル系、フェニルシクロヘキサン系、ビ
フェニル系、フェニルジオキサン系、フェニルピリミジ
ン系、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン系、トラ
ン系等あらゆる材料と混合することができる。
以下、実施例と応用例とにより本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
実施例1 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキ
シル)−5−[4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)フェニル]ピリミジンの製造方法。
シル)−5−[4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)フェニル]ピリミジンの製造方法。
ステップ1−1 4−(トランス−4′−プロピルシク
ロヘキシル)安息香酸130g(0.53モル)と塩化チオニル
126g(1.06モル)を3時間還流した。過剰な塩化チオニ
ルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留(103℃/3.0mmH
g)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)安息香酸クロライド133g(0.50モル)を得た。
ロヘキシル)安息香酸130g(0.53モル)と塩化チオニル
126g(1.06モル)を3時間還流した。過剰な塩化チオニ
ルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留(103℃/3.0mmH
g)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)安息香酸クロライド133g(0.50モル)を得た。
ステップ1−2 水素化ビス−(メトキシエトキシ)ア
ルミニウムナトリウムの70%トルエン溶液170cm3(0.60
モル)とトルエン170cm3から成る溶液を撹拌しながら4
−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)安息香
酸クロライド130g(0.50モル)をゆっくり還流する速度
で滴下した。その後、85−90℃で5時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、塩酸200cm3と水400cm3よりなる溶液
を滴下した。トルエン層を分離し、水層をトルエン100c
m3で3回抽出し、合せたトルエン層を10%塩酸と水で洗
浄した。トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留(110℃/2.
0mmHg)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘ
キシル)ベンジルアルコール114.4g(0.49モル)を得
た。
ルミニウムナトリウムの70%トルエン溶液170cm3(0.60
モル)とトルエン170cm3から成る溶液を撹拌しながら4
−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)安息香
酸クロライド130g(0.50モル)をゆっくり還流する速度
で滴下した。その後、85−90℃で5時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、塩酸200cm3と水400cm3よりなる溶液
を滴下した。トルエン層を分離し、水層をトルエン100c
m3で3回抽出し、合せたトルエン層を10%塩酸と水で洗
浄した。トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留(110℃/2.
0mmHg)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘ
キシル)ベンジルアルコール114.4g(0.49モル)を得
た。
ステップ1−3 4−(トランス−4′−プロピルシク
ロヘキシル)ベンジルアルコール114.4g(0.49モル)と
塩化チオニル176g(1.48モル)を3時間還流した。過剰
な塩化チオニルを留去し、残渣を減圧蒸留(115℃/2.0m
mHg)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキ
シル)ベンジルクロライド113.7g(0.45モル)を得た。
ロヘキシル)ベンジルアルコール114.4g(0.49モル)と
塩化チオニル176g(1.48モル)を3時間還流した。過剰
な塩化チオニルを留去し、残渣を減圧蒸留(115℃/2.0m
mHg)して4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキ
シル)ベンジルクロライド113.7g(0.45モル)を得た。
ステップ1−4 4−(トランス−4′−プロピルシク
ロヘキシル)ベンジルクロライド113.7g(0.45モル)と
シアン化ナトリウム26.7g(0.54モル)をジメチルスル
ホキシド113cm3中で撹拌下140℃まで加熱した。反応物
を室温まで冷却し、水300cm3を加えクロロホルム100cm3
で3回抽出し、合せたクロロホルム層を水洗した。クロ
ロホルムを留去し、残渣を減圧蒸留(135℃/2.0mmHg)
し、メタノールと水の混合溶媒から再結晶して4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)ベンジルシア
ナイド105.8g(0.44モル)を得た。
ロヘキシル)ベンジルクロライド113.7g(0.45モル)と
シアン化ナトリウム26.7g(0.54モル)をジメチルスル
ホキシド113cm3中で撹拌下140℃まで加熱した。反応物
を室温まで冷却し、水300cm3を加えクロロホルム100cm3
で3回抽出し、合せたクロロホルム層を水洗した。クロ
ロホルムを留去し、残渣を減圧蒸留(135℃/2.0mmHg)
し、メタノールと水の混合溶媒から再結晶して4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)ベンジルシア
ナイド105.8g(0.44モル)を得た。
ステップ1−5 4−(トランス−4′−プロピルシク
ロヘキシル)ベンジルシアナイド105.8g(0.44モル)と
水酸化カリウム(85%)144g(2.2モル)と水39.6cm
3(2.2モル)とエタノール440cm3をアンモニアの発生が
止むまで(約10時間)還流した。エタノールを留去し、
残渣に水を加えて溶解した。これに濃塩酸300cm3を加え
分離した油層を冷却して結晶化させてから瀘過した。結
晶をメタノールと水の混合溶媒から再結晶して4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フェニル酢酸
112g(0.43モル)を得た。
ロヘキシル)ベンジルシアナイド105.8g(0.44モル)と
水酸化カリウム(85%)144g(2.2モル)と水39.6cm
3(2.2モル)とエタノール440cm3をアンモニアの発生が
止むまで(約10時間)還流した。エタノールを留去し、
残渣に水を加えて溶解した。これに濃塩酸300cm3を加え
分離した油層を冷却して結晶化させてから瀘過した。結
晶をメタノールと水の混合溶媒から再結晶して4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フェニル酢酸
112g(0.43モル)を得た。
ステップ1−6 無水のN,N−ジメチルホルムアミド156
g(2.15モル)を氷水冷却し、撹拌しながらオキシ塩化
リン198g(1.29モル)を滴下してフィルス・マイヤー試
薬を調整した。この溶液を室温で撹拌しながら4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フェニル酢酸
112g(0.43モル)の粉末を少しずつ加え、室温で1時
間、60℃で1時間、80℃で5時間撹拌した。真空ポンプ
減圧下に湯浴上でN,N−ジメチルホルムアミドを留去し
た。反応液を氷215g中に注ぎフィルス・マイヤー試薬を
分解した。過塩素酸ナトリウム106g(0.86モル)と水50
cm3とから成る溶液を加え、氷水冷却し、析出した結晶
を瀘過した。結晶をメタノールから再結晶して1−ジメ
チルアミノ−3−ジメチルイミノ−2−[4′−(トラ
ンス−4″−プロピルシクロヘキシル)フェニル]−1
−プロペン過塩酸塩158g(0.37モル)を得た。
g(2.15モル)を氷水冷却し、撹拌しながらオキシ塩化
リン198g(1.29モル)を滴下してフィルス・マイヤー試
薬を調整した。この溶液を室温で撹拌しながら4−(ト
ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フェニル酢酸
112g(0.43モル)の粉末を少しずつ加え、室温で1時
間、60℃で1時間、80℃で5時間撹拌した。真空ポンプ
減圧下に湯浴上でN,N−ジメチルホルムアミドを留去し
た。反応液を氷215g中に注ぎフィルス・マイヤー試薬を
分解した。過塩素酸ナトリウム106g(0.86モル)と水50
cm3とから成る溶液を加え、氷水冷却し、析出した結晶
を瀘過した。結晶をメタノールから再結晶して1−ジメ
チルアミノ−3−ジメチルイミノ−2−[4′−(トラ
ンス−4″−プロピルシクロヘキシル)フェニル]−1
−プロペン過塩酸塩158g(0.37モル)を得た。
ステップ2−1 トランス−4−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸19.8g(0.1モル)と塩化チオニル17.9g
(0.15モル)を3時間還流した。過剰な塩化チオニルを
留去し、残渣を減圧蒸留(130℃/3.0mmHg)してトラン
ス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド
20.8(0.096モル)を得た。
ンカルボン酸19.8g(0.1モル)と塩化チオニル17.9g
(0.15モル)を3時間還流した。過剰な塩化チオニルを
留去し、残渣を減圧蒸留(130℃/3.0mmHg)してトラン
ス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸クロライド
20.8(0.096モル)を得た。
ステップ2−2 アンモニア水(2.8%)65cm3を氷水冷
却し、撹拌しながらトランス−4−ペンチルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド20.8gを滴下した。析出した
結晶を瀘過し、水で洗浄した。結晶をアセトンとメタノ
ール混合溶媒から再結しトランス−4−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸アミド17.4g(0.088モル)を得た。
却し、撹拌しながらトランス−4−ペンチルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド20.8gを滴下した。析出した
結晶を瀘過し、水で洗浄した。結晶をアセトンとメタノ
ール混合溶媒から再結しトランス−4−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボン酸アミド17.4g(0.088モル)を得た。
ステップ2−3 トランス−4−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸アミド17.4g(0.088モル)と塩化チオニル
52.4g(0.44モル)を10時間還流した。過剰な塩化チオ
ニルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留(96℃/3mmHg)
してトランス−4−ペンチルシアノシクロヘキサン14.7
g(0.082モル)を得た。
ンカルボン酸アミド17.4g(0.088モル)と塩化チオニル
52.4g(0.44モル)を10時間還流した。過剰な塩化チオ
ニルを減圧下に留去し、残渣を減圧蒸留(96℃/3mmHg)
してトランス−4−ペンチルシアノシクロヘキサン14.7
g(0.082モル)を得た。
ステップ2−4 トランス−4−ペンチルシアノシクロ
ヘキサン14.7g(0.082モル)をエタノール16cm3とベン
ゼン21cm3に溶解し、氷水冷却下に濃硫酸で乾燥した塩
化水素ガスを飽和させ、密栓をして5℃以下で3日間放
置した。溶媒を湯浴上で減圧下に留去し、エタノール10
cm3から再結晶してトランス−4−ペンチルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩17.3g(0.066モル)を得
た。
ヘキサン14.7g(0.082モル)をエタノール16cm3とベン
ゼン21cm3に溶解し、氷水冷却下に濃硫酸で乾燥した塩
化水素ガスを飽和させ、密栓をして5℃以下で3日間放
置した。溶媒を湯浴上で減圧下に留去し、エタノール10
cm3から再結晶してトランス−4−ペンチルシクロヘキ
サンカルボイミダート塩酸塩17.3g(0.066モル)を得
た。
ステップ2−5 トランス−4−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボイミダート塩酸塩17.3g(0.066モル)にアンモ
ニアを飽和したエタノール50cm3を加え一晩撹拌した。
溶媒を約半分留去して再結晶し、さらに瀘液を半分に濃
縮して再結晶し、結晶を合せてトランス−4−ペンチル
シクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩14.0g(0.060モ
ル)を得た。
ンカルボイミダート塩酸塩17.3g(0.066モル)にアンモ
ニアを飽和したエタノール50cm3を加え一晩撹拌した。
溶媒を約半分留去して再結晶し、さらに瀘液を半分に濃
縮して再結晶し、結晶を合せてトランス−4−ペンチル
シクロヘキサンカルボアミジン塩酸塩14.0g(0.060モ
ル)を得た。
ステップ3−1 無水メタノール75cm3にナトリウム1.0
4g(0.045モル)を溶解し、ステップ6で製造した1−
ジメチルアミノ−3−ジメチルイミノ−2−[4′−
(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)フェニ
ル]−1−プロペン過塩素酸塩6.4g(0.015モル)とト
ランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボアミジン塩
酸塩3.5g(0.015モル)を加え3時間還流した。溶媒を
留去し、水100cm3を加えてから瀘過し、水洗した。結晶
をアセトンから再結晶して2−(トランス−4′−ペン
チルシクロヘキシル)−5−[4′−(トランス−4″
−プロピルシクロヘキシル)フェニル]ピリミジン4.4g
(0.010モル)を得た。この化合物の相点移点は以下の
とうりであった。
4g(0.045モル)を溶解し、ステップ6で製造した1−
ジメチルアミノ−3−ジメチルイミノ−2−[4′−
(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)フェニ
ル]−1−プロペン過塩素酸塩6.4g(0.015モル)とト
ランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボアミジン塩
酸塩3.5g(0.015モル)を加え3時間還流した。溶媒を
留去し、水100cm3を加えてから瀘過し、水洗した。結晶
をアセトンから再結晶して2−(トランス−4′−ペン
チルシクロヘキシル)−5−[4′−(トランス−4″
−プロピルシクロヘキシル)フェニル]ピリミジン4.4g
(0.010モル)を得た。この化合物の相点移点は以下の
とうりであった。
(ここで、Cは結晶、S1、S2、S3はスメクチック相、N
はネマチック相、Iは等方性液体を示す。) 実施例2〜20 実施例1と同様な製造方法により次の化合物を製造し
た。
はネマチック相、Iは等方性液体を示す。) 実施例2〜20 実施例1と同様な製造方法により次の化合物を製造し
た。
2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−4
−[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 実施例1〜20の化合物の相転移温度を第1表にまとめ
た。
[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−エチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−4
−[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−プロピルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)フ
ェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ブチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−エチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−5−
[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシル)
フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ペンチルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 2−(トランス−4′−ヘキシルシクロヘキシル)−5
−[4′−(トランス−4″−ペンチルシクロヘキシ
ル)フェニル]ピリミジン 実施例1〜20の化合物の相転移温度を第1表にまとめ
た。
応用例 市販のネマチック液晶組成物ZLI−1565(Merk社製)9
0重量%に実施例8の化合物を10重量%混合した液晶組
成物(A)および、比較例として を各々10重量%ずつ混合した液晶組成物(B)および
(C)を作った。
0重量%に実施例8の化合物を10重量%混合した液晶組
成物(A)および、比較例として を各々10重量%ずつ混合した液晶組成物(B)および
(C)を作った。
これらの組成物のN−I点および屈折率異方性△nを
測定した。また、これらの液晶組成物をセル厚9μmの
TN型液晶セルに封入し電圧−輝度特性のうち20℃におけ
るしきい値電圧(輝度10%電圧)(Vth)、視角依存性
(α)、急峻性(β)および0℃における立上り速度
(τON)と立下り速度(τOFF)を測定した。以上の結
果を第2表にまとめた。なおαおよびβは次式で定義し
た。ここで、Vsatは輝度90%の電圧、Tは温度、φは視
角(正面を0゜とする)である。
測定した。また、これらの液晶組成物をセル厚9μmの
TN型液晶セルに封入し電圧−輝度特性のうち20℃におけ
るしきい値電圧(輝度10%電圧)(Vth)、視角依存性
(α)、急峻性(β)および0℃における立上り速度
(τON)と立下り速度(τOFF)を測定した。以上の結
果を第2表にまとめた。なおαおよびβは次式で定義し
た。ここで、Vsatは輝度90%の電圧、Tは温度、φは視
角(正面を0゜とする)である。
〔発明の効果〕 以上述べたように本発明の化合物は非常に高いN−I
点を有することが明らかとなった。また、本発明の化合
物と従来の液晶組成物を混合することにより実用温度範
囲が広く、視角依存性および急峻性が良好でしかも応答
速度の速い液晶組成物が得られることが確認できた。
点を有することが明らかとなった。また、本発明の化合
物と従来の液晶組成物を混合することにより実用温度範
囲が広く、視角依存性および急峻性が良好でしかも応答
速度の速い液晶組成物が得られることが確認できた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07D 239/26 C09K 19/34 C09K 19/42 G02F 1/13 500 CA(STN) REGISTRY(STN) WPIDS(STN)
Claims (2)
- 【請求項1】一般式 (上式中,RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10の
直鎖アルキル基を示し,シクロヘキサン環はトランス配
置である。) で表わされるピリミジン誘導体。 - 【請求項2】一般式 (上式中,RおよびR′はそれぞれ炭素原子数が1〜10の
直鎖アルキル基を示し,シクロヘキサン環はトランス配
置である。) で表わされるピリミジン誘導体を含有することを特徴と
する液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27307989A JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27307989A JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03133963A JPH03133963A (ja) | 1991-06-07 |
JP2819682B2 true JP2819682B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17522852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27307989A Expired - Fee Related JP2819682B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ピリミジン誘導体及び液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2819682B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27307989A patent/JP2819682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03133963A (ja) | 1991-06-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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