JP2816755B2 - 半導体処理装置およびレジスト処理装置 - Google Patents
半導体処理装置およびレジスト処理装置Info
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- temperature
- resist
- control means
- processing
- substrate
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体処理装置およびレジスト処理装置に
関する。
関する。
（従来の技術） 一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処
理物例えば半導体ウエハを、高温例えば数百度ないし千
数百度に加熱して処理する工程や、常温で処理する工程
が混在している。このため、常温で処理を行う半導体処
理装置においても、半導体ウエハなどを常温近傍の設定
温度に温度制御する温度制御手段を備えたものが多い。
理物例えば半導体ウエハを、高温例えば数百度ないし千
数百度に加熱して処理する工程や、常温で処理する工程
が混在している。このため、常温で処理を行う半導体処
理装置においても、半導体ウエハなどを常温近傍の設定
温度に温度制御する温度制御手段を備えたものが多い。
例えば、半導体ウエハの表面に所定量のフォトレジス
トを滴下し、この後スピンチャックにより半導体ウエハ
を高速回転させて半導体ウエハ全面に均一な膜厚のレジ
スト膜を形成するレジスト塗布装置では、常温で塗布処
理を実施するものの、半導体ウエハの温度およびフォト
レジストの温度などが形成されたレジスト膜の絶対膜
厚、膜厚の面内均一性などに大きな影響を与える。
トを滴下し、この後スピンチャックにより半導体ウエハ
を高速回転させて半導体ウエハ全面に均一な膜厚のレジ
スト膜を形成するレジスト塗布装置では、常温で塗布処
理を実施するものの、半導体ウエハの温度およびフォト
レジストの温度などが形成されたレジスト膜の絶対膜
厚、膜厚の面内均一性などに大きな影響を与える。
このため、例えば前工程が加熱工程である場合などで
も、半導体ウエハを予め冷却（あるいは加熱）して所定
の温度に設定することができるように、例えば塗布処理
前に半導体ウエハをプレート上に載置して所定の温度に
設定する温度制御機構を備えたものがある。
も、半導体ウエハを予め冷却（あるいは加熱）して所定
の温度に設定することができるように、例えば塗布処理
前に半導体ウエハをプレート上に載置して所定の温度に
設定する温度制御機構を備えたものがある。
このような温度制御機構では、半導体ウエハの温度が
予め設定した設定温度となるよう、半導体ウエハを加熱
および冷却するが、この設定温度は、通常、クリーンル
ーム内の温度、例えば23℃に予め設定される。
予め設定した設定温度となるよう、半導体ウエハを加熱
および冷却するが、この設定温度は、通常、クリーンル
ーム内の温度、例えば23℃に予め設定される。
そして、上記温度制御機構で、上記設定温度に設定さ
れた半導体ウエハは、この後搬送機構によりスピンチャ
ック上に搬送され、塗布処理が実施される。
れた半導体ウエハは、この後搬送機構によりスピンチャ
ック上に搬送され、塗布処理が実施される。
ところで、レジスト膜厚を高精度で制御するために
は、上述した半導体ウエハ温度の他に、例えば、フォト
レジスト温度、回転速度などが影響するため、半導体ウ
エハ温度の制御とともに、これらを高精度で制御する必
要がある。
は、上述した半導体ウエハ温度の他に、例えば、フォト
レジスト温度、回転速度などが影響するため、半導体ウ
エハ温度の制御とともに、これらを高精度で制御する必
要がある。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、近年半導体デバイスは高集積化される
傾向にあり、その回転パターンはますます微細化される
傾向にある。
傾向にあり、その回転パターンはますます微細化される
傾向にある。
このため、上述した従来の半導体処理装置において
も、さらに高精度な処理を行うことが要求されている。
例えばレジスト塗布装置においては、レジスト膜の絶対
膜厚の精度を向上させること、および膜厚の面内均一性
を向上させることなどが要求されている。
も、さらに高精度な処理を行うことが要求されている。
例えばレジスト塗布装置においては、レジスト膜の絶対
膜厚の精度を向上させること、および膜厚の面内均一性
を向上させることなどが要求されている。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べて処理精度を向上させることのできる半
導体処理装置およびレジスト処理装置を提供しようとす
るものである。
で、従来に較べて処理精度を向上させることのできる半
導体処理装置およびレジスト処理装置を提供しようとす
るものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理物を常温近傍の設定温度に
制御する温度制御手段と、該温度制御手段によって温度
制御された前記被処理物に所定の処理を施す処理手段と
を具備した半導体処理装置において、前記被処理物の温
度と前記処理手段による処理条件との関係を記憶する記
憶手段と、周囲温度を検出する温度検出手段と、前記温
度制御手段の設定温度を前記温度検出手段によって検出
された周囲温度に応じて変更するとともに、該周囲温度
に応じた処理条件を前記記憶手段から読み出して前記処
理手段の処理条件を読み出した処理条件に変更する制御
手段とを設けたことを特徴とする。
制御する温度制御手段と、該温度制御手段によって温度
制御された前記被処理物に所定の処理を施す処理手段と
を具備した半導体処理装置において、前記被処理物の温
度と前記処理手段による処理条件との関係を記憶する記
憶手段と、周囲温度を検出する温度検出手段と、前記温
度制御手段の設定温度を前記温度検出手段によって検出
された周囲温度に応じて変更するとともに、該周囲温度
に応じた処理条件を前記記憶手段から読み出して前記処
理手段の処理条件を読み出した処理条件に変更する制御
手段とを設けたことを特徴とする。
また、請求項２の発明は、被処理基板の塗布面にフォ
トレジスト液を滴下し、該被処理基板を回転させて塗布
するレジスト処理装置において、 前記被処理基板の温度を予め設定された基板設定温度
に制御する基板温度制御手段と、 前記フォトレジスト液の温度を予め設定されたレジス
ト設定温度に制御するレジスト温度制御手段と、 予め設定された回転設定プログラムに従って前記被処
理物の回転を制御する回転制御手段と、 周囲温度を検出する温度検出手段と、 前記周囲温度に対応する前記レジスト温度制御手段の
前記レジスト設定温度および前記回転制御手段の前記回
転設定プログラムを記憶する記憶手段と、 前記基板温度制御手段の前記基板設定温度を前記温度
検出手段によって検出された周囲温度に応じて変更する
とともに、該周囲温度に対応する前記レジスト設定温度
および前記回転設定プログラムを前記記憶手段から読み
出して、前記レジスト温度制御手段および前記回転制御
手段の設定を変更する主制御手段とを具備したことを特
徴とする。
トレジスト液を滴下し、該被処理基板を回転させて塗布
するレジスト処理装置において、 前記被処理基板の温度を予め設定された基板設定温度
に制御する基板温度制御手段と、 前記フォトレジスト液の温度を予め設定されたレジス
ト設定温度に制御するレジスト温度制御手段と、 予め設定された回転設定プログラムに従って前記被処
理物の回転を制御する回転制御手段と、 周囲温度を検出する温度検出手段と、 前記周囲温度に対応する前記レジスト温度制御手段の
前記レジスト設定温度および前記回転制御手段の前記回
転設定プログラムを記憶する記憶手段と、 前記基板温度制御手段の前記基板設定温度を前記温度
検出手段によって検出された周囲温度に応じて変更する
とともに、該周囲温度に対応する前記レジスト設定温度
および前記回転設定プログラムを前記記憶手段から読み
出して、前記レジスト温度制御手段および前記回転制御
手段の設定を変更する主制御手段とを具備したことを特
徴とする。
（作 用） 本発明者等が詳査したところ、従来の半導体処理装置
例えばレジスト塗布装置では、次のような問題があるこ
とが判明した。
例えばレジスト塗布装置では、次のような問題があるこ
とが判明した。
すなわち、上述した如く、従来の半導体処理装置例え
ばレジスト塗布装置では、温度制御機構の設定温度を予
めクリーンルーム内の通常温度、例えば23℃に設定して
おき、半導体ウエハの温度をこの設定温度に制御し、こ
の設定温度に温度制御した半導体ウエハをスピンチャッ
ク上に搬送して、塗布処理を実施する。
ばレジスト塗布装置では、温度制御機構の設定温度を予
めクリーンルーム内の通常温度、例えば23℃に設定して
おき、半導体ウエハの温度をこの設定温度に制御し、こ
の設定温度に温度制御した半導体ウエハをスピンチャッ
ク上に搬送して、塗布処理を実施する。
ところが、通常クリーンルーム内は、温度制御されて
いるものの、外部環境などの影響により、その室温には
例えば±１〜２℃程度の温度誤差がある。
いるものの、外部環境などの影響により、その室温には
例えば±１〜２℃程度の温度誤差がある。
このため、半導体ウエハを高精度で例えば23℃に温度
制御したとしても、例えばクリーンルーム内の温度が21
℃であった場合、搬送中などに半導体ウエハが冷却され
て半導体ウエハの温度が設定温度からずれてしまい、レ
ジスト膜の絶対膜厚の精度の悪化、および膜厚の面内均
一性の悪化など処理精度の悪化の一因となっていること
が判明した。
制御したとしても、例えばクリーンルーム内の温度が21
℃であった場合、搬送中などに半導体ウエハが冷却され
て半導体ウエハの温度が設定温度からずれてしまい、レ
ジスト膜の絶対膜厚の精度の悪化、および膜厚の面内均
一性の悪化など処理精度の悪化の一因となっていること
が判明した。
そこで、本発明の半導体処理装置およびレジスト処理
装置では、温度制御手段の設定温度を、温度検出手段に
よって検出された周囲温度に応じて変更するとともに、
処理手段の処理条件を、この周囲温度に応じた処理条件
に変更することによって、処理精度を向上させる。
装置では、温度制御手段の設定温度を、温度検出手段に
よって検出された周囲温度に応じて変更するとともに、
処理手段の処理条件を、この周囲温度に応じた処理条件
に変更することによって、処理精度を向上させる。
（実施例） 以下、本発明をレジスト塗布装置に適用した一実施例
を図面を参照して説明する。
を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、レジスト塗布装置には、半導体
ウエハ１を例えば真空チャック等により吸着保持し、モ
ータ２によってこの半導体ウエハ１を高速回転可能に構
成されたスピンチャック３が設けられている。このモー
タ２は、回転制御装置４により、所定のプログラムにし
たがって、その回転数を制御される。
ウエハ１を例えば真空チャック等により吸着保持し、モ
ータ２によってこの半導体ウエハ１を高速回転可能に構
成されたスピンチャック３が設けられている。このモー
タ２は、回転制御装置４により、所定のプログラムにし
たがって、その回転数を制御される。
また、このスピンチャック３には、モータ２の熱が半
導体ウエハ１に伝わらないようにして、スピンチャック
３上の半導体ウエハ１の温度を所定温度に設定するため
のチャック温度調節機構５が設けられている。このチャ
ック温度調節機構５は、例えばモータ２の回りに恒温水
を循環させる機構（２重管構造）などから構成されてお
り、その温度は、チャック温度制御装置６によって制御
される。
導体ウエハ１に伝わらないようにして、スピンチャック
３上の半導体ウエハ１の温度を所定温度に設定するため
のチャック温度調節機構５が設けられている。このチャ
ック温度調節機構５は、例えばモータ２の回りに恒温水
を循環させる機構（２重管構造）などから構成されてお
り、その温度は、チャック温度制御装置６によって制御
される。
さらに、スピンチャック３の中央部上方には、レジス
ト供給ノズル７が設けられている。このレジスト供給ノ
ズル７は、フォトレジスト液を収容するレジスト収容容
器８に接続されており、これらの間には、図示しない弁
機構、フィルタ機構、泡抜き機構などが設けられてい
る。そして、例えば高圧窒素等のガス圧でレジスト収容
容器８内のフォトレジスト液を圧送し、レジスト供給ノ
ズル７からスピンチャック３上に保持された半導体ウエ
ハ１に所定量ずつ供給するよう構成されている。また、
上記レジスト収容容器８、レジスト供給ノズル７とレジ
スト収容容器８とを接続する配管などには、例えば恒温
水を循環させる機構などからなるレジスト温度調節機構
９が設けられており、このレジスト温度調節機構９は、
レジスト温度制御装置10によって制御されるよう構成さ
れている。
ト供給ノズル７が設けられている。このレジスト供給ノ
ズル７は、フォトレジスト液を収容するレジスト収容容
器８に接続されており、これらの間には、図示しない弁
機構、フィルタ機構、泡抜き機構などが設けられてい
る。そして、例えば高圧窒素等のガス圧でレジスト収容
容器８内のフォトレジスト液を圧送し、レジスト供給ノ
ズル７からスピンチャック３上に保持された半導体ウエ
ハ１に所定量ずつ供給するよう構成されている。また、
上記レジスト収容容器８、レジスト供給ノズル７とレジ
スト収容容器８とを接続する配管などには、例えば恒温
水を循環させる機構などからなるレジスト温度調節機構
９が設けられており、このレジスト温度調節機構９は、
レジスト温度制御装置10によって制御されるよう構成さ
れている。
上述した塗布機構の側方には、プレート温度制御装置
11によって温度制御される温度調節プレート12および搬
送機構13が設けられている。そして、フォトレジスト液
を塗布する前に、予め半導体ウエハ１を温度調節プレー
ト12上に載置し、所定温度に設定した後、搬送機構13に
より、半導体ウエハ１をスピンチャック３に搬送するよ
う構成されている。
11によって温度制御される温度調節プレート12および搬
送機構13が設けられている。そして、フォトレジスト液
を塗布する前に、予め半導体ウエハ１を温度調節プレー
ト12上に載置し、所定温度に設定した後、搬送機構13に
より、半導体ウエハ１をスピンチャック３に搬送するよ
う構成されている。
また、上記回転制御装置４、チャック温度制御装置
６、レジスト温度制御装置10、プレート温度制御装置11
は、主制御装置14に接続されている。
６、レジスト温度制御装置10、プレート温度制御装置11
は、主制御装置14に接続されている。
さらに、この主制御装置14には、周囲の雰囲気温度を
検知するための温度センサ15からの温度検知信号が入力
されよう構成されており、温度センサ15によって測定さ
れた周囲雰囲気温度に応じて、チャック温度制御装置
６、レジスト温度制御装置10、プレート温度制御装置11
の設定温度を変更するよう構成されている。すなわち、
例えば温度センサ15によって測定された上記雰囲気温度
が23℃であれば、チャック温度制御装置６、レジスト温
度制御装置10、プレート温度制御装置11の設定温度を23
℃に設定し、温度センサ15によって測定された雰囲気温
度が21℃であれば、チャック温度制御装置６、レジスト
温度制御装置10、プレート温度制御装置11の設定温度を
21℃に設定するよう構成されている。すなわち、周囲雰
囲気温度にウエハ温度を設定している。
検知するための温度センサ15からの温度検知信号が入力
されよう構成されており、温度センサ15によって測定さ
れた周囲雰囲気温度に応じて、チャック温度制御装置
６、レジスト温度制御装置10、プレート温度制御装置11
の設定温度を変更するよう構成されている。すなわち、
例えば温度センサ15によって測定された上記雰囲気温度
が23℃であれば、チャック温度制御装置６、レジスト温
度制御装置10、プレート温度制御装置11の設定温度を23
℃に設定し、温度センサ15によって測定された雰囲気温
度が21℃であれば、チャック温度制御装置６、レジスト
温度制御装置10、プレート温度制御装置11の設定温度を
21℃に設定するよう構成されている。すなわち、周囲雰
囲気温度にウエハ温度を設定している。
また、主制御装置14には、データ記憶装置16が接続さ
れており、このデータ記憶装置16には、各雰囲気温度に
対する塗布条件（この場合スピンチャック３の回転数に
関する条件）が記憶されている。そして、主制御装置14
は、温度センサ15によって測定された雰囲気温度に応じ
て、データ記憶装置16内からその温度の塗布条件を読み
だし、塗布処理を制御する制御装置（回転制御装置４）
の設定をこの読み出した塗布条件に変更するよう構成さ
れている。
れており、このデータ記憶装置16には、各雰囲気温度に
対する塗布条件（この場合スピンチャック３の回転数に
関する条件）が記憶されている。そして、主制御装置14
は、温度センサ15によって測定された雰囲気温度に応じ
て、データ記憶装置16内からその温度の塗布条件を読み
だし、塗布処理を制御する制御装置（回転制御装置４）
の設定をこの読み出した塗布条件に変更するよう構成さ
れている。
上記構成のこの実施例のレジスト塗布装置は、通常ク
リーンルーム内に配置される。そして、次のようにして
塗布処理を行う。
リーンルーム内に配置される。そして、次のようにして
塗布処理を行う。
すなわち、塗布処理を行う半導体ウエハ１をまず、温
度調節プレート12上に載置して半導体ウエハ１を予め所
定の温度に設定する。
度調節プレート12上に載置して半導体ウエハ１を予め所
定の温度に設定する。
そして、この半導体ウエハ１を搬送機構13によって搬
送し、予め温度調節されているスピンチャック３上に載
置する。
送し、予め温度調節されているスピンチャック３上に載
置する。
この後、レジスト供給ノズル７からスピンチャック３
上の半導体ウエハ１に所定量のフォトレジスト液を滴下
し、モータ２によって半導体ウエハ１を所定の回転数で
所定時間、例えば回転数2000rpmで30秒回転させ、遠心
力により、フォトレジスト液を半導体ウエハ１の全面に
均一に拡散させ、塗布する。
上の半導体ウエハ１に所定量のフォトレジスト液を滴下
し、モータ２によって半導体ウエハ１を所定の回転数で
所定時間、例えば回転数2000rpmで30秒回転させ、遠心
力により、フォトレジスト液を半導体ウエハ１の全面に
均一に拡散させ、塗布する。
この時、レジスト塗布装置の配置されたクリーンルー
ム内の温度は、各種の条件によって、例えば±１〜２℃
程度の範囲で変化するが、この実施例のレジスト塗布装
置では、温度センサ15によって、周囲の雰囲気温度を測
定し、このような周囲の雰囲気温度の変化に応じて、チ
ャック温度制御装置６、レジスト温度制御装置10、プレ
ート温度制御装置11の設定温度、および、塗布処理を制
御する制御装置（回転制御装置４）の設定を変更する。
ム内の温度は、各種の条件によって、例えば±１〜２℃
程度の範囲で変化するが、この実施例のレジスト塗布装
置では、温度センサ15によって、周囲の雰囲気温度を測
定し、このような周囲の雰囲気温度の変化に応じて、チ
ャック温度制御装置６、レジスト温度制御装置10、プレ
ート温度制御装置11の設定温度、および、塗布処理を制
御する制御装置（回転制御装置４）の設定を変更する。
したがって、例えば、温度調節プレート12によって温
度調節された半導体ウエハ１の温度が、搬送機構13によ
る搬送中にクリーンルーム内のダウンフローなどの影響
によって変化したりすることがなく、適切な塗布条件で
塗布処理を実施することができるので、レジスト膜の絶
対膜厚の精度、および膜厚の面内均一性を向上させるこ
とができる。
度調節された半導体ウエハ１の温度が、搬送機構13によ
る搬送中にクリーンルーム内のダウンフローなどの影響
によって変化したりすることがなく、適切な塗布条件で
塗布処理を実施することができるので、レジスト膜の絶
対膜厚の精度、および膜厚の面内均一性を向上させるこ
とができる。
なお、上記実施例では、本発明をレジスト塗布装置に
適用した例について説明したが、本発明はかかる実施例
に限定されるものではなく、被処理物を常温近傍の温度
に温度調節して処理を実施する装置であれば、例えば現
像液塗布装置、疎水化処理液塗布装置等どのような装置
でも同様にして適用することができる。
適用した例について説明したが、本発明はかかる実施例
に限定されるものではなく、被処理物を常温近傍の温度
に温度調節して処理を実施する装置であれば、例えば現
像液塗布装置、疎水化処理液塗布装置等どのような装置
でも同様にして適用することができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の半導体処理装置および
レジスト処理装置によれば、従来に較べて処理精度を向
上させることができる。
レジスト処理装置によれば、従来に較べて処理精度を向
上させることができる。
第１図は本発明の一実施例のレジスト塗布装置の構成を
示す図である。 １……半導体ウエハ、２……モータ、３……スピンチャ
ック、４……回転制御装置、５……チャック温度調節機
構、６……チャック温度制御装置、７……レジスト供給
ノズル、８……レジスト収容容器、９……レジスト温度
調節機構、10……レジスト温度制御装置、11……プレー
ト温度制御装置、12……温度調節プレート、13……搬送
機構、14……主制御装置、15……温度センサ、16……デ
ータ記憶装置。
示す図である。 １……半導体ウエハ、２……モータ、３……スピンチャ
ック、４……回転制御装置、５……チャック温度調節機
構、６……チャック温度制御装置、７……レジスト供給
ノズル、８……レジスト収容容器、９……レジスト温度
調節機構、10……レジスト温度制御装置、11……プレー
ト温度制御装置、12……温度調節プレート、13……搬送
機構、14……主制御装置、15……温度センサ、16……デ
ータ記憶装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】被処理物を常温近傍の設定温度に制御する
温度制御手段と、該温度制御手段によって温度制御され
た前記被処理物に所定の処理を施す処理手段とを具備し
た半導体処理装置において、 前記被処理物の温度と前記処理手段による処理条件との
関係を記憶する記憶手段と、周囲温度を検出する温度検
出手段と、前記温度制御手段の設定温度を前記温度検出
手段によって検出された周囲温度に応じて変更するとと
もに、該周囲温度に応じた処理条件を前記記憶手段から
読み出して前記処理手段の処理条件を読み出した処理条
件に変更する制御手段とを設けたことを特徴とする半導
体処理装置。 - 【請求項２】被処理基板の塗布面にフォトレジスト液を
滴下し、該被処理基板を回転させて塗布するレジスト処
理装置において、 前記被処理基板の温度を予め設定された基板設定温度に
制御する基板温度制御手段と、 前記フォトレジスト液の温度を予め設定されたレジスト
設定温度に制御するレジスト温度制御手段と、 予め設定された回転設定プログラムに従って前記被処理
物の回転を制御する回転制御手段と、 周囲温度を検出する温度検出手段と、 前記周囲温度に対応する前記レジスト温度制御手段の前
記レジスト設定温度および前記回転制御手段の前記回転
設定プログラムを記憶する記憶手段と、 前記基板温度制御手段の前記基板設定温度を前記温度検
出手段によって検出された周囲温度に応じて変更すると
ともに、該周囲温度に対応する前記レジスト設定温度お
よび前記回転設定プログラムを前記記憶手段から読み出
して、前記レジスト温度制御手段および前記回転制御手
段の設定を変更する主制御手段とを具備したことを特徴
とするレジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208732A JP2816755B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体処理装置およびレジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208732A JP2816755B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体処理装置およびレジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499018A JPH0499018A (ja) | 1992-03-31 |
| JP2816755B2 true JP2816755B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=16561163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208732A Expired - Lifetime JP2816755B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体処理装置およびレジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816755B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322626B1 (en) * | 1999-06-08 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for controlling a temperature of a microelectronics substrate |
| JP2002323565A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Denso Corp | 障害物認識装置 |
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-
1990
- 1990-08-07 JP JP2208732A patent/JP2816755B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0499018A (ja) | 1992-03-31 |
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