JP2813757B2 - 位置測定装置 - Google Patents

位置測定装置

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JP2813757B2
JP2813757B2 JP6088830A JP8883094A JP2813757B2 JP 2813757 B2 JP2813757 B2 JP 2813757B2 JP 6088830 A JP6088830 A JP 6088830A JP 8883094 A JP8883094 A JP 8883094A JP 2813757 B2 JP2813757 B2 JP 2813757B2
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    • G01D5/12Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
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    • G01P13/02Indicating direction only, e.g. by weather vane
    • G01P13/04Indicating positive or negative direction of a linear movement or clockwise or anti-clockwise direction of a rotational movement

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  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、一方の物体に連結す
る周期的な測定目盛を他方の物体に連結する走査ユニッ
トの磁気抵抗素子で走査して、位置に依存する出力信号
を発生させ、これ等の出力信号から評価装置内で二つの
物体の相対位置の測定値を形成する位置測定装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種の位置測定装置は特に工作機械で
加工すべき加工品に対する工具の相対位置を測定するた
めに使用される。
【0003】欧州特許第 0 151 002 B1 号明細書には、
相対運動する二つの物体の相対位置を測定する磁気位置
測定装置が開示されている。この装置では、周期的な測
定目盛が図19の走査ユニットによりそれぞれ4つの磁
気抵抗素子から成る2群を用いて原点対称な出力信号を
発生させるために走査される。位相角度 0°と 180°の
出力信号を有する2つの群の4つの磁気抵抗素子は第一
半ブリッジ回路に対する直列回路を形成し、位相角度 9
0°と 270°の出力信号を有する2つの群の4つの磁気
抵抗素子は第二半ブリッジ回路に対する直列回路を形成
するように結線されている。両方の半ブリッジ回路の2
つの中間タップには、後続する評価装置の位置測定値を
求めるため 90°の位相差を有する2つの原点対称出力
信号が出力する。しかし、この位置測定装置では、磁気
抵抗素子の接続導線が何重にも交差するため、薄膜技術
で形成された交差接続導線の間に絶縁層を設ける必要が
あり、それに必要な調質が2つの原点対称な出力信号の
ヒステリシスを高めると言う難点がある。このように絶
縁層や交差する層を余計に設けることは走査ユニットを
高価なものにし、仕上げ段階で不良品となる可能性が高
い。
【0004】ドイツ特許第 37 19 328号明細書には、同
じような磁気位置測定装置が開示されている。この装置
では、周期的な測定目盛が図2Aの走査ユニットにより
それぞれ4つの磁気抵抗素子からなる4群を用いて原点
対称な出力信号を発生させるために走査される。接続導
線の交差を避けるため、各群の4つの磁気抵抗素子はも
はや測定目盛の1目盛周期内に一緒に配設されていな
い。特に、同じ群の位相角 0°の出力信号を有する磁気
抵抗素子と位相角 180°の出力信号を有する磁気抵抗素
子(プッシュプル素子)との間、および同じ群の位相角
90°の出力信号を有する磁気抵抗素子と位相角 270°
の出力信号を有する磁気抵抗素子(プッシュプル素子)
との間には、測定方向に測定目盛の5以上の目盛周期が
生じる。それ故、5以上の目盛周期にわたって延びる擾
乱の影響しかフィルターできない。何故なら、この例で
は、擾乱の影響が一体をなすプッシュプル素子に同じよ
うに影響を与えるからである。これに反して、5目盛周
期以下の波長の短い擾乱の影響は測定精度に不利な影響
を与える。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、冒
頭に述べた類の位置測定装置にあって、接続導線が交差
することを大幅に排除でき、波長の短い擾乱の影響が測
定精度に影響を与えない、磁気抵抗素子の配置を提示す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
により、一方の物体2に連結する周期的な測定目盛3を
他方の物体4に連結する走査ユニット5の磁気抵抗素子
An,Bnで走査して、位置に依存する出力信号S1,
S2を発生させ、これ等の出力信号から評価装置内で二
つの物体2,4の相対位置の測定値を形成する位置測定
装置にあって、 a)走査ユニット5がそれぞれ4つの磁気抵抗素子An
−Bnから成る二つの群A,Bの少なくとも一つの基本
配置を有し、 b)各基本配置の第一群Aの磁気抵抗素子Anを測定目
盛3の1目盛周期t内に目盛周期tの1/4の相互間隔
M1にして配置し、 c)各基本配置の第二群Bの4つの磁気抵抗素子Bnを
測定目盛3の目盛周期tの3/4の相互間隔にして配置
し、 d)二つの群A,Bの同相あるいは逆相の磁気抵抗素子
An,Bnをそれぞれ互いに電気接続し、 e)二つの群A,Bの中心M1から始めて、一方の群A
のn番目の磁気抵抗素子Anが他の磁気抵抗素子An,
Bnを中間接続することなく、それぞれ他方の群Bのn
番目の磁気抵抗素子Bnに直接電気接続していて、これ
等の電気接続部が交差していない、 ことによって解決されている。
【0007】更に、この発明による他の有利な構成は、
特許請求の範囲の従属請求項に記載されている。
【0008】
【実施例】以下では、この発明の実施例を図面に基づき
より詳しく説明する。図1には、第一位置測定装置の縦
断面が模式的に示してある。この装置では、磁気抵抗材
料の目盛板1が何らかの方法で第一物体2に固定されて
いる。目盛板1の表面には、測定方向Xに交互に逆極の
磁気領域NSを有する周期的な測定目盛3がある。これ
等の領域の境界には、二つのN極NNあるいは二つのS
極SSが互いに隣接している。測定目盛3は目盛周期t
を有し、この目盛は各領域NSの磁極間隔によって決ま
る。第二物体4には走査ユニット5が連結している。こ
の走査ユニットは位置に依存する出力信号を発生させる
ため、目盛板1の測定目盛3を走査する。得られた出力
信号から後続する評価装置内で二つの物体2,4の相対
位置に対する位置測定値が形成される。上記の二つの物
体2,4は図示していない工作機械の二つの機械部品に
よって構成されている。走査ユニット5には走査板6が
設けてある。この走査板の空いた表面上には、それぞれ
4つの磁気抵抗素子An,Bn (n= 1, 2, 3, 4)から成る
二つの群A,Bが配設され、これ等の抵抗素子は基本配
置を構成する。
【0009】図2によれば、両方の群A,Bの帯状の磁
気抵抗素子An,Bn が測定方向Xに延び、測定方向Xに
互いに平行に配設されている。第一群Aの4つの磁気抵
抗素子A1 〜A4 は第一目盛周期t1 の4分の1の相対
位相差を有する測定目盛3の第一目盛周期にわたって延
びている。ここでt1 =t2 =t3 =tn =tである。
従って、位相角 0°の出力信号を有する第一磁気抵抗素
子A1 が第一目盛周期t1 の第一位置「 0°」に、位相
角 90°の出力信号を有する第二磁気抵抗素子A2 が第
一目盛周期t1 の第二位置「 90°」に、位相角 180°
の出力信号を有する第三磁気抵抗素子A3 が第一目盛周
期t1 の第三位置「 180°」に、そして位相角 270°の
出力信号を有する第四磁気抵抗素子A3 が第一目盛周期
t1 の第四位置「 270°」に配設されている。
【0010】第二群Bの4つの磁気抵抗素子B1 〜B4
は測定目盛3の隣の目盛周期t2,t3,t4 に配設されて
いる。磁気抵抗素子B1 〜B4 の相対間隔は 3t/4 であ
る。両方の群A,Bの中心M1 から始めて、それぞれ一
方の群AのN番目の磁気抵抗素子An が他方の群BのN
番目の磁気抵抗素子Bn に直接電気接続している。つま
り、直列に結線されている。一方の群Aと他方の群Bの
相互に接続された素子An,Bn はそれぞれ目盛に関して
同じ位相角を有する。位相角 270°の素子A4は位相角
270°の素子B4 に直列に結線され、位相角 180°の素
子A3 は位相角180°の素子B3 に、位相角 90°の素子
A2 は位相角 90°の素子B2 に、そして位相角 0°の
素子A1 は位相角 0°の素子B1 に結線されている。基
本配置の二つの群A,Bは目盛周期tの中間間隔M1 の
間隔を置いて配置されている。
【0011】図3によれば、位相角 0°の出力信号を有
する二つの磁気抵抗素子A1,B1 は第一半ブリッジ回路
H1 の上ブリッジ分岐路に、位相角 180°の出力信号を
有する二つの磁気抵抗素子A3,B3 は第一半ブリッジ回
路H1 の下ブリッジ分岐路に、位相角 90°の出力信号
を有する二つの磁気抵抗素子A2,B2 は第二半ブリッジ
回路H2 の上ブリッジ分岐路に、そして位相角 270°の
出力信号を有する二つの磁気抵抗素子A4,B4 は第二半
ブリッジ回路H2 の下ブリッジ分岐路にそれぞれ直列に
接続されている。二つの半ブリッジ回路H1,H2 の一方
の極に電圧Uが、また他方の極に接地電位Eが印加し、
並列に接続されている。測定目盛3に対して走査ユニッ
ト5が測定運動をすると、第一半ブリッジ回路H1 の中
間タップに位相角 0°の第一原点対称出力信号S1 が、
また第二半ブリッジ回路H2 の中間タップに位相角 90
°の第二原点対称出力信号S2 が出力する。これ等の出
力信号の信号周期は測定目盛3の目盛周期tに一致す
る。二つの原点対称出力信号S1,S2 の間に 90°の位
相差があるので、測定方向Xを弁別できる。二つの原点
対称出力信号S1,S2 は二つの物体2,4の相対位置に
対する位置測定値を求めるため、補間ユニットを備えた
図示していない評価装置に導入される。
【0012】図4によれば、図2の基本配置は、それぞ
れ4つの磁気抵抗素子C1 〜C4 から成る第三群Cとそ
れぞれ4つの磁気抵抗素子D1 〜D4 から成る第三群D
を有する図2の他の基本配置によって補完される。二つ
の基本配置は相次いで直列に接続され、目盛周期tの相
互中心間隔M2 を有する。一方の群Bの各素子Bn は他
方の群Cの同相の素子Cn に直列接続されている。これ
等の接続も選択された配置によって交差なしに行える。
【0013】図5によれば、第一半ブリッジ回路H1 の
上ブリッジ分岐路の位相角 0°の出力信号を有する4つ
の磁気抵抗素子A1,B1,C1,D1 ,また第一半ブリッジ
回路H1 の下ブリッジ分岐路の位相角 180°の出力信号
を有する4つの磁気抵抗素子A3,B3,C3,D3 ,および
第二半ブリッジ回路H2 の上ブリッジ分岐路の位相角90
°の出力信号を有する4つの磁気抵抗素子A2,B2,C2,
D2 ,また第二半ブリッジ回路H2 の下ブリッジ分岐路
の位相角 270°の出力信号を有する4つの磁気抵抗素子
A4,B4,C4,D4 がそれぞれ直列接続されている。二つ
の半ブリッジ回路H1,H2 の一方の極に電圧Uが、また
他方の極に接地電位Eが印加している。測定目盛3に対
する走査ユニット5が測定運動をすると、第一半ブリッ
ジ回路H1 の中間タップに位相角 0°の第一原点対称出
力信号S1 が、また第二半ブリッジ回路H2 の中間タッ
プに位相 90°の第二原点対称出力信号S2 が出力す
る。これ等の出力信号の信号周期は測定目盛3の目盛周
期tに一致する。二つの原点対称出力信号S1,S2 の間
に 90°の位相差があるので、測定方向Xを弁別でき
る。二つの原点対称出力信号S1,S2 は二つの物体2,
4の相対位置に対する位置測定値を求めるため、補間ユ
ニットを備えた図示していない評価装置に導入される。
【0014】二つの基本配置の代わりに、図2による多
数の基本配置を直列に接続することもできる。信号を増
幅するため、図2の基本配置を多数並列に接続すると有
利である。M2 = tの相互間隔を有する二つの基本配置
をこのような並列接続回路が図6に示してある。素子A
n,Bn,Cn,Dn を半ブリッジ回路H1 〜H4 にする結線
図が図7に示してある。二つの群CとDの磁気抵抗素子
Cn,Dn によって他の半ブリッジ回路H3 とH4 が形成
される。半ブリッジ回路H3 も同じように位相角 0°の
信号S1 を出力し、半ブリッジ回路H4 も位相角 90°
の信号S2 を出力する。第二基本配置の磁気抵抗素子C
n,Dn は半ブリッジ回路H3,H4 内に半ブリッジ回路H
1,H2 の第一基本配置の素子An,Bn に対して既に詳し
く説明した配置と同じように配設されている。それ故、
これ以上の説明は省略する。図示していないが、二つ以
上の基本配置を並列に接続することもできる。
【0015】他の有利な可能性は、図4と5に示す直列
回路をこれ等の直列回路の一つまたはそれ以上のに並列
に接続することにある。この他の直列回路の素子には記
号A1n, B1nが付けてある。この配置を図8に示す。こ
れに対応する回路は図9に詳しく示してある。第一半ブ
リッジ回路H1 の信号S1 を発生するため、他の半ブリ
ッジ回路H3 が並列に接続されていることが分かる。同
じように、第二半ブリッジ回路H2 の信号S2 を発生す
るため、他の半ブリッジ回路H4 が並列に接続されてい
る。二つの直列回路の間隔は目盛周期tに一致する。
【0016】同様に、図6と図7の多数の並列回路を直
列接続できる。この配置は図示していない。基本配置の
磁気抵抗素子An,Bn は以下で説明する図10〜15に
示すように全ブリッジ回路にも接続できる。
【0017】図10によれば、二つの群A,Bの帯状の
磁気抵抗素子An,Bn が測定方向Xに垂直に延びてい
て、互いに測定方向Xに平行に配設されている。第一群
Aの4つの磁気抵抗素子A1 〜A4 は測定目盛3の第一
目盛周期t1 にわたり第一目盛周期t1 の4分の1の位
相の相互のずれをもって延びている。ここでt1 =t2
=t3 =tn =tである。従って、位相角 0°の出力信
号を有する第一磁気抵抗素子A1 が第一目盛周期t1 の
第一位置「0°」に、位相角 90°の出力信号を有する第
二磁気抵抗素子A2 が第一目盛周期t1 の第二位置「 9
0°」に、位相角 180°の出力信号を有する第三磁気抵
抗素子A3 が第一目盛周期t1 の第三位置「 180°」
に、そして位相角 270°の出力信号を有する第四磁気抵
抗素子A4が第一目盛周期t1 の第四位置「 270°」に
配設されている。
【0018】第二群Bの4つの磁気抵抗素子B1 〜B4
は測定目盛3の隣接する目盛周期t2,t3,t4 に配設さ
れている。磁気抵抗素子B1 〜B4 の相互間隔は 3t/4
である。第一群Aの最後の素子A4 と第二群Bの最初の
素子B2 の間隔は t/2である。二つの群A,Bの中心M
1 から出発して、つまり両方の群A,Bの間隔M1 でそ
れぞれ一方の群AのN番目の磁気抵抗素子An が他方の
群BのN番目の磁気抵抗素子Bn に電気接続し、ここで
N=1〜4である。従って、位相角 270°を有する素子
A4 は位相角 90°を有する素子B2 に電気接続し、位
相角 180°を有する素子A3 は位相角 0°を有する素子
B1 に、位相角 90°を有する素子A2は位相角 270°を
有する素子B4 に、また位相角 0°を有する素子A1 は
位相角180°を有する素子B3 に電気接続する。一方の
群Aの各素子An は他方の群Bの逆相の素子Bn に接続
する。配置を選択することにより、一方の群Aの素子A
n と他方の群Bの素子Bn との間の接続導線が交差しな
い。
【0019】図11には、個々の磁気抵抗素子An,Bn
をどのように接続するかが詳細に示してある。位相角 0
°を有する第一群Aの素子A1 は第一半ブリッジ回路の
第一分岐路を形成し、第二分岐路には 180°を有する第
二群Bの素子B3 が配設され、中間タップに位相角 0°
を有する信号S1bが出力する。第一半ブリッジ回路に平
行に素子A3,B1 を有する第二半ブリッジ回路が配設さ
れている。素子A1 に平行に同じ群Aの逆相素子A3 が
配設され、素子B3 に平行に同じ群Bの逆相素子B1 が
配設されている。中間タップから 180°ほど互いに位相
のずれた信号S1aとS1bが取り出せる。両方の半ブリッ
ジ回路は全ブリッジ回路を形成し、素子A1,A3 には電
源電圧Uが、また素子B3 には接地電位Eが印加する。
この第一全ブリッジ回路V1 に対して並列に第二全ブリ
ッジ回路V2 が配設されている。第二全ブリッジ回路V
2 は第一全ブリッジ回路V1 と同じように構成されてい
る。一方の半ブリッジ回路は素子A2 とB4 によって、
また他方の半ブリッジ回路は素子A4 とB2 によって形
成される。中間タップから 180°互いに位相のずれた信
号S2aとS2bが取り出せる。第二全ブリッジ回路V2 の
素子A2,A4,B4,B2 の位相角は、第一全ブリッジ回路
V1 の素子A1,A3,B3,B1 の位相角と 90°異なるの
で、信号S1aとS1bの位相角も信号S2aとS2bの位相角
とは 90°異なる。
【0020】既に説明した図2〜9の配置と同じよう
に、図10と図11の多くの基本配置を接続して直列回
路、並列回路あるいは混成直列・並列回路にできる。二
つの基本配置のこのような直列回路が図12と図13に
示してある。測定方向Xには、第一基本配置の最後の素
子B3 の外に、第二基本配置の素子Cn を有する第一素
子Cは目盛周期tの間隔M2 に配置されている。第一基
本配置の各素子Bn はそれぞれ他の基本配置の同相の素
子Cn に直列に接続され、素子Bn,Cn は交差しないよ
うに相互に接続されている。同じように、第二基本配置
の第二群Dは第一基本配置の第一群Aの素子An の外に
目盛周期tの間隔M2 に配置されている。二つの群D,
Aの同相素子Dn,An はそれぞれ直列に接続され、相互
に交差しないように接続される。
【0021】図10と図11の基本配置を多数並列に接
続する他の可能性もある。この配置を図14と15に示
す。二つの基本配置が t/2の相互間隔M2 で隣接配置さ
れている。同じ信号タップがそれぞれ相互に接続されて
いる。
【0022】説明した半ブリッジ回路と同じように、図
示しない方法でここでも直列回路と並列回路を組み合わ
せることが可能である。4つの信号S1a, S1b, S2a,
S2bから互いに 90°位相のずれた2つの信号を得るた
め、逆相の信号S1a, S1bおよびS2a, S2bが差動増幅
器に導入され、その出力端に互いに 90°位相のずれた
信号S1,S2 が出力する。
【0023】図示しないが、基本配置の各群に4つ以上
の磁気抵抗素子を配置することもできる。このことは全
ての実施例に当てはまる。既に説明したように、この発
明により、一方の群Aの磁気抵抗素子An を他方の群B
の対応する素子Bn に交差しないように接続することが
重要である。これは説明した配置、つまり素子An,Bn
の選択された順序によって達成される。群A,Bの中心
M1 から始めて、N番目の素子An,Bn の接続導線がN
+1番目の素子An+1,Bn+1 の接続導線よりも素子An,
Bn の近くを通り、全ての接続導線が互いに平行になる
ように、素子An,Bn の接続導線を選ぶ。
【0024】注意すべきことは、素子の指数 nが測定目
盛3に関して素子の位相角を規定する点にある。例え
ば、n = 1〜 4の場合、n = 1で位相角 0°が、n = 2
で位相角 90°が、n = 3で位相角 180°が、そしてn
= 4で位相角 270°が規定される。これに反して、指数
Nは基準点から始めて、連続する素子の通し番号に相当
する。
【0025】この発明は図示する測長装置に限定される
ものでなく、測角装置にも使用できる。測定目盛およ
び、場合によって、測定目盛を走査する磁気抵抗素子も
直線でなく、円弧や閉じた円の上に配置することもでき
る。測角装置に使用する場合には、この発明によれば、
磁気抵抗素子を有する基本配置が全周にわたって配置さ
れている場合、周回走査を行うと有利である。
【0026】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明による
磁気抵抗素子の配置を用いると、接続導線が交差するこ
とを大幅に排除でき、波長の短い擾乱の影響が測定精度
に影響を与えない。
【図面の簡単な説明】
【図1】位置測定装置の縦断面図である。
【図2】第一基本配置を示す図である。
【図3】図2の回路図である。
【図4】他の第一基本配置を示す図である。
【図5】図4の回路図である。
【図6】他の第一基本配置を示す図である。
【図7】図6の回路図である。
【図8】他の第一基本配置を示す図である。
【図9】図8の回路図である。
【図10】第二基本配置を示す図である。
【図11】図10の回路図である。
【図12】他の第二基本配置を示す図である。
【図13】図12の回路図である。
【図14】他の第二基本配置を示す図である。
【図15】図14の回路図である。
【符号の説明】
2,4 移動物体 3 測定目盛 5 走査ユニット A,B,C,D 群 An,Bn,Cn,Dn 磁気抵抗素子 M1 中心 S1,S2 出力信号 H1,H2 半ブリッジ回路 t 目盛周期
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲラルト・メッツ ドイツ連邦共和国、83368 ザンクト・ ゲオルゲン、ライファイゼンストラー セ、8 (56)参考文献 特開 平4−291101(JP,A) 特開 平2−231586(JP,A) 特開 平1−178816(JP,A) 特開 昭62−289724(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01D 5/245 G01B 7/00

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の物体(2)に連結する周期的な測
    定目盛(3)を他方の物体(4)に連結する走査ユニッ
    ト(5)の磁気抵抗素子(An,Bn)で走査して、位
    置に依存する出力信号S1,S2を発生させ、これ等の
    出力信号から評価装置内で二つの物体(2,4)の相対
    位置の測定値を形成する位置測定装置において、 a)走査ユニット(5)がそれぞれ4つの磁気抵抗素子
    (An−Bn)から成る二つの群(A,B)の少なくと
    も一つの基本配置を有し、 b)各基本配置の第一群(A)の磁気抵抗素子(An)
    を測定目盛(3)の1目盛周期t内に目盛周期tの1/
    4の相互間隔M1にして配置し、 c)各基本配置の第二群(B)の4つの磁気抵抗素子
    (Bn)を測定目盛(3)の目盛周期tの3/4の相互
    間隔にして配置し、 d)二つの群(A,B)の同相あるいは逆相の磁気抵抗
    素子(An,Bn)をそれぞれ互いに電気接続し、 e)二つの群(A,B)の中心(M1)から始めて、一
    方の群(A)のn番目の磁気抵抗素子(An)が他の磁
    気抵抗素子(An,Bn)を中間接続することなく、そ
    れぞれ他方の群(B)のn番目の磁気抵抗素子(Bn)
    に直接電気接続していて、これ等の電気接続部が交差し
    ていない、 ことを特徴とする位置測定装置。
  2. 【請求項2】 二つの群(A,B)のそれぞれ互いに直
    列に電気接続された素子(An,Bn)が測定目盛
    (3)に関して同じ位相位置を有していて、半ブリッジ
    (H)のブリッジ分岐路を形成し、半ブリッジ回路
    (H)の一方のブリッジ分岐路の磁気抵抗素子(An,
    Bn)の位相位置を他方のブリッジ分岐路の磁気抵抗素
    子(An,Bn)の位相位置に対して目盛周期tの1/
    2ほどずらし、位置に依存する出力信号S1,S2がブ
    リッジ分岐路の二つの接続点で出力することを特徴とす
    る請求項1に記載の位置測定装置。
  3. 【請求項3】 多数の基本配置を互いに直列に接続し、
    これ等の基本配置が測定方向(X)に1目盛周期tの相
    互間隔M2を有し、同じ位相位置を有する全ての磁気抵
    抗素子(An,Bn,Cn,Dn)が直列に接続されて
    いて、二つの半ブリッジ(H1,H2)のそれぞれ一方
    の分岐路を形成することを特徴とする請求項2に記載の
    位置測定装置。
  4. 【請求項4】 多数の基本配置を互いに並列に接続し、
    これ等の基本配置が測定方向(X)に1目盛周期tの相
    互間隔M2を有することを特徴とする請求項2に記載の
    位置測定装置。
  5. 【請求項5】 基本配置の多数の直列回路が互いに並列
    に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の位
    置測定装置。
  6. 【請求項6】 二つの群(A,B)のそれぞれ交差しな
    い状態で互いに接続された素子(An,Bn)の位相位
    置が目盛周期tの1/2ほど異なり、二つの群(A,
    B)が測定方向Xに目盛周期tの1/2の相互間隔M1
    にして配設されていて、交差しない状態で互いに接続さ
    れた2つの素子(An,Bn)がそれぞれ半ブリッジ回
    路を形成し、半ブリッジ回路の中間タップにそれぞれ9
    0°位相のずれた位置に依存する4つの出力信号S1
    a,S1b,S2a,S2bが出力することを特徴とす
    る請求項1に記載の位置測定装置。
  7. 【請求項7】 多数の基本配置を順次直列に接続し、基
    本配置がそれぞれ目盛周期tの相互間隔M2で配置され
    ていることを特徴とする請求項7に記載の位置測定装
    置。
  8. 【請求項8】 多数の基本配置を互いに並列に接続し、
    基本配置がそれぞれ目盛周期tの1/2の相互間隔M2
    で配置されていることを特徴とする請求項7に記載の位
    置測定装置。
  9. 【請求項9】 基本配置の多数の直列回路が互いに並列
    に接続されていることを特徴とする請求項8に記載の位
    置測定装置。
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