JP2809195B2 - 電力合成方法および高周波用電力増幅器 - Google Patents
電力合成方法および高周波用電力増幅器Info
- Publication number
- JP2809195B2 JP2809195B2 JP8117379A JP11737996A JP2809195B2 JP 2809195 B2 JP2809195 B2 JP 2809195B2 JP 8117379 A JP8117379 A JP 8117379A JP 11737996 A JP11737996 A JP 11737996A JP 2809195 B2 JP2809195 B2 JP 2809195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- power amplifier
- input
- circuit
- type single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電力合成方法および
電力増幅器に関し、特に、振幅変調波の増幅を行う電力
合成方法および電力増幅器に関する。
電力増幅器に関し、特に、振幅変調波の増幅を行う電力
合成方法および電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】任意の電力を加算するための電力合成方
法としては、ウィルキンソン合成、方向性結合器を用い
た合成、サーキュレータを用いた合成等の方法がある
が、これらの合成方法では、一部の電力が不平衡電力と
して合成回路中の抵抗分へ消費されるため合成効率が非
常に低いものとなる。
法としては、ウィルキンソン合成、方向性結合器を用い
た合成、サーキュレータを用いた合成等の方法がある
が、これらの合成方法では、一部の電力が不平衡電力と
して合成回路中の抵抗分へ消費されるため合成効率が非
常に低いものとなる。
【０００３】中波帯のデジタル変調送信機では、複数の
ブリッジ型シングルエンドプッシュプル（ＳＥＰＰ）電
力増幅器を使用し、各電力増幅部をＯＮ／ＯＦＦ制御
し、出力電力を直列的に合成することによって振幅変調
された出力を得ている。
ブリッジ型シングルエンドプッシュプル（ＳＥＰＰ）電
力増幅器を使用し、各電力増幅部をＯＮ／ＯＦＦ制御
し、出力電力を直列的に合成することによって振幅変調
された出力を得ている。
【０００４】図５は上記のように構成された電力加算部
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【０００５】Ｍ台設けられた電力増幅器はユニットの出
力電圧としてＶaiを出力するもので、Ｎ：１の巻線比で
ある合成トランス５０４を介することにより電圧Ｖaoと
して負荷抵抗５１４を備える二次側に伝送される。図５
（ａ）はＭ台すべての電力増幅器がＯＮ状態の場合が示
され、図５（ｂ）にはＭ台のうちのＮ台の電力増幅器が
ＯＦＦ状態の場合が示されている。
力電圧としてＶaiを出力するもので、Ｎ：１の巻線比で
ある合成トランス５０４を介することにより電圧Ｖaoと
して負荷抵抗５１４を備える二次側に伝送される。図５
（ａ）はＭ台すべての電力増幅器がＯＮ状態の場合が示
され、図５（ｂ）にはＭ台のうちのＮ台の電力増幅器が
ＯＦＦ状態の場合が示されている。
【０００６】図５（ａ）に示す状態における電力Ｐは、
負荷抵抗５１４の抵抗値をＲＬとすると、 Ｐ＝Ｍ2（Ｖao2／ＲＬ） となり、図５（ｂ）に示される状態における電力Ｐは、 Ｐ＝（Ｍ−Ｎ）2（Ｖao2／ＲＬ） となる。このような出力合成を行う場合、出力のない電
力増幅器に電流が流れるとその線路抵抗等により上式に
は表わされない損失が生じる。このため、送信機では損
失の少ない合成を行うために、出力のない電力増幅器の
出力端子間を短絡状態とすることにより高効率な合成を
実現している。
負荷抵抗５１４の抵抗値をＲＬとすると、 Ｐ＝Ｍ2（Ｖao2／ＲＬ） となり、図５（ｂ）に示される状態における電力Ｐは、 Ｐ＝（Ｍ−Ｎ）2（Ｖao2／ＲＬ） となる。このような出力合成を行う場合、出力のない電
力増幅器に電流が流れるとその線路抵抗等により上式に
は表わされない損失が生じる。このため、送信機では損
失の少ない合成を行うために、出力のない電力増幅器の
出力端子間を短絡状態とすることにより高効率な合成を
実現している。
【０００７】図６は出力のない電力増幅部の出力を短絡
する方法を説明するための図であり、上記の方法による
中波帯用のデジタル変調送信機に用いられるブリッジ型
ＳＥＰＰ電力増幅器の回路図である。
する方法を説明するための図であり、上記の方法による
中波帯用のデジタル変調送信機に用いられるブリッジ型
ＳＥＰＰ電力増幅器の回路図である。
【０００８】図６に示す電力増幅器は、ＲＦ入力端子６
３１へ入力され、励磁トランス６２０を介して伝送され
る入力電圧を、相補的に動作するＭＯＳＦＥＴ６０７，
６０８、６０９，６１０により増幅してＲＦ出力端子６
３２より出力するものである。電力増幅を行う際に、駆
動電圧入力端子６３０からの駆動電圧によって流れる電
流は、図中の破線矢印のように流れる。
３１へ入力され、励磁トランス６２０を介して伝送され
る入力電圧を、相補的に動作するＭＯＳＦＥＴ６０７，
６０８、６０９，６１０により増幅してＲＦ出力端子６
３２より出力するものである。電力増幅を行う際に、駆
動電圧入力端子６３０からの駆動電圧によって流れる電
流は、図中の破線矢印のように流れる。
【０００９】図６に示す回路がＲＦ出力側から見て短絡
状態であるためには、各ＭＯＳＦＥＴ６０７〜６１０の
ドレイン・ソース間が短絡されていればよい。各ＭＯＳ
ＦＥＴ６０７〜６１０の動作をスイッチング動作に例え
ると、ＭＯＳＦＥＴ６０７，６０８およびＭＯＳＦＥＴ
６０９，６１０のそれぞれは交互にＯＮ・ＯＦＦを繰り
返している。ＯＮ状態のＭＯＳＦＥＴではドレインから
ソースへ電流が流れ、ＯＦＦ状態のＭＯＳＦＥＴでは開
放状態となり電流は流れない。従ってＯＦＦ状態のＭＯ
ＳＦＥＴのソースからドレイン側へ電流が流れるように
構成することにより短絡回路を実現することができる。
図６に示す回路では各ＭＯＳＦＥＴのソースからドレイ
ン側へ電流を流すためのダイオード６１５〜６１８がそ
れぞれ設けられており、これにより、ＲＦ入力がなく、
各ＭＯＳＦＥＴ６０７〜６１０がＯＦＦ状態のときには
電力増幅器の出力端子間は短絡状態となり、高効率な合
成が可能となっている。
状態であるためには、各ＭＯＳＦＥＴ６０７〜６１０の
ドレイン・ソース間が短絡されていればよい。各ＭＯＳ
ＦＥＴ６０７〜６１０の動作をスイッチング動作に例え
ると、ＭＯＳＦＥＴ６０７，６０８およびＭＯＳＦＥＴ
６０９，６１０のそれぞれは交互にＯＮ・ＯＦＦを繰り
返している。ＯＮ状態のＭＯＳＦＥＴではドレインから
ソースへ電流が流れ、ＯＦＦ状態のＭＯＳＦＥＴでは開
放状態となり電流は流れない。従ってＯＦＦ状態のＭＯ
ＳＦＥＴのソースからドレイン側へ電流が流れるように
構成することにより短絡回路を実現することができる。
図６に示す回路では各ＭＯＳＦＥＴのソースからドレイ
ン側へ電流を流すためのダイオード６１５〜６１８がそ
れぞれ設けられており、これにより、ＲＦ入力がなく、
各ＭＯＳＦＥＴ６０７〜６１０がＯＦＦ状態のときには
電力増幅器の出力端子間は短絡状態となり、高効率な合
成が可能となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電力増
幅器においては、ＯＦＦ状態の電力増幅器の出力端子間
を短絡状態とするために、電力増幅を行うためのＭＯＳ
ＦＥＴのドレイン・ソース間に短絡用のダイオードを設
けている。これらのダイオードはＲＦ入力に応じて動作
することが要求される。現在の一般的なダイオードとし
て、ＶＨＦ帯等の高周波帯において図６に示した回路を
実現することのできる動作速度および電流容量を備えた
ダイオードはないため、高周波帯では高効率な合成が可
能な電力増幅器を実現することができないという問題点
がある。
幅器においては、ＯＦＦ状態の電力増幅器の出力端子間
を短絡状態とするために、電力増幅を行うためのＭＯＳ
ＦＥＴのドレイン・ソース間に短絡用のダイオードを設
けている。これらのダイオードはＲＦ入力に応じて動作
することが要求される。現在の一般的なダイオードとし
て、ＶＨＦ帯等の高周波帯において図６に示した回路を
実現することのできる動作速度および電流容量を備えた
ダイオードはないため、高周波帯では高効率な合成が可
能な電力増幅器を実現することができないという問題点
がある。
【００１１】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、高周波帯であ
っても高効率な合成が可能な電力合成方法および高周波
用電力増幅器を実現することを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、高周波帯であ
っても高効率な合成が可能な電力合成方法および高周波
用電力増幅器を実現することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の電力合成方法
は、入力されたＲＦ入力信号を増幅して共通の合成トラ
ンスへ出力する複数のブリッジ型シングルエンドプッシ
ュプル回路による電力増幅器を用いた電力合成方法にお
いて、前記ＲＦ信号が入力されない電力増幅器について
は、前記ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路を
構成するトランジスタへのバイアス電圧を供給しないこ
とを特徴とする。
は、入力されたＲＦ入力信号を増幅して共通の合成トラ
ンスへ出力する複数のブリッジ型シングルエンドプッシ
ュプル回路による電力増幅器を用いた電力合成方法にお
いて、前記ＲＦ信号が入力されない電力増幅器について
は、前記ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路を
構成するトランジスタへのバイアス電圧を供給しないこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明の高周波用電力増幅器は、入力され
たＲＦ入力信号を増幅して合成トランスへ出力するブリ
ッジ型シングルエンドプッシュプル回路による高周波用
電力増幅器において、前記ＲＦ信号が入力されたときに
のみ前記ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路を
構成するトランジスタへのバイアス電圧を供給するスイ
ッチを有することを特徴とする。
たＲＦ入力信号を増幅して合成トランスへ出力するブリ
ッジ型シングルエンドプッシュプル回路による高周波用
電力増幅器において、前記ＲＦ信号が入力されたときに
のみ前記ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路を
構成するトランジスタへのバイアス電圧を供給するスイ
ッチを有することを特徴とする。
【００１４】「作用」上記のように構成される本発明に
ついて、ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路に
ＭＯＳＦＥＴを使用した場合の作用を説明する。一般に
高周波帯用のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間の容量
はドレイン電圧が低くなるにつれて大きくなる特性を示
す。図３はＶＨＳ帯用のＭＯＳＦＥＴ：２ＳＫ１５４３
の１００ＭＨｚにおけるドレイン電圧に対するドレイン
・ソース間容量の実測値である。図３から明らかなよう
に、ドレイン・ソース間の容量はドレイン電圧が０Ｖの
ときに極端に大きな値を持つ。
ついて、ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路に
ＭＯＳＦＥＴを使用した場合の作用を説明する。一般に
高周波帯用のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間の容量
はドレイン電圧が低くなるにつれて大きくなる特性を示
す。図３はＶＨＳ帯用のＭＯＳＦＥＴ：２ＳＫ１５４３
の１００ＭＨｚにおけるドレイン電圧に対するドレイン
・ソース間容量の実測値である。図３から明らかなよう
に、ドレイン・ソース間の容量はドレイン電圧が０Ｖの
ときに極端に大きな値を持つ。
【００１５】上記のように構成される本発明において
は、電力増幅器を構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧
を制御することにより電圧増幅器出力をＯＮ／ＯＦＦ制
御するものである。
は、電力増幅器を構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧
を制御することにより電圧増幅器出力をＯＮ／ＯＦＦ制
御するものである。
【００１６】図４（ａ）はＭＯＳＦＥＴ４０７〜４１０
により構成されるブリッジ型シングルエンドプッシュプ
ル回路の電力増幅器を簡略化して示す図である。駆動電
源を０Ｖとし、ドレイン電圧を０Ｖとすると図４（ｂ）
に示すように各ＭＯＳＦＥＴ４０７〜４１０は１４００
ｐＦ程度の容量と等しく、この場合、出力側の合成トラ
ンス４０５から見たインピーダンスは高周波的に短絡状
態と見なすことができる。
により構成されるブリッジ型シングルエンドプッシュプ
ル回路の電力増幅器を簡略化して示す図である。駆動電
源を０Ｖとし、ドレイン電圧を０Ｖとすると図４（ｂ）
に示すように各ＭＯＳＦＥＴ４０７〜４１０は１４００
ｐＦ程度の容量と等しく、この場合、出力側の合成トラ
ンス４０５から見たインピーダンスは高周波的に短絡状
態と見なすことができる。
【００１７】上記の短絡と見なせる容量について説明す
ると、バイアス電圧がかからない場合にドレイン・ソー
ス間は大容量を持つこととなるが、これが高周波的に短
絡と見なせるかは、回路構成上トランジスタのドレイン
・ソース間がどの程度の抵抗成分を持っているかに依存
する。
ると、バイアス電圧がかからない場合にドレイン・ソー
ス間は大容量を持つこととなるが、これが高周波的に短
絡と見なせるかは、回路構成上トランジスタのドレイン
・ソース間がどの程度の抵抗成分を持っているかに依存
する。
【００１８】抵抗成分は、１／２πｆｃ（ｆ：周波数，
ｃ：容量）で算出される。
ｃ：容量）で算出される。
【００１９】本発明を構成するブリッジ型シングルエン
ドプッシュプル回路では抵抗成分が１Ω程度であれば短
絡と見なせると判断した。周波数ｆが１００ＭＨｚ、容
量ｃが１４００ｐＦであるから抵抗成分は１．１３Ω程
度となり、ＶＨＦ体では充分短絡と見なすことができ
る。
ドプッシュプル回路では抵抗成分が１Ω程度であれば短
絡と見なせると判断した。周波数ｆが１００ＭＨｚ、容
量ｃが１４００ｐＦであるから抵抗成分は１．１３Ω程
度となり、ＶＨＦ体では充分短絡と見なすことができ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００２１】図１は本発明の電力増幅器の一実施例の構
成を示す回路図である。本実施例の電力増幅器は、ＲＦ
入力端子１３１へ入力され、励磁トランス１２０を介し
て伝送される入力電圧を、相補的に動作するＭＯＳＦＥ
Ｔ１０７，１０８、１０９，１１０により増幅してＲＦ
出力端子１３２より出力するものである。電力増幅を行
う際に、制御電圧入力端子１３０からの駆動電圧によっ
て流れる電流は、図中の破線矢印のように流れる。
成を示す回路図である。本実施例の電力増幅器は、ＲＦ
入力端子１３１へ入力され、励磁トランス１２０を介し
て伝送される入力電圧を、相補的に動作するＭＯＳＦＥ
Ｔ１０７，１０８、１０９，１１０により増幅してＲＦ
出力端子１３２より出力するものである。電力増幅を行
う際に、制御電圧入力端子１３０からの駆動電圧によっ
て流れる電流は、図中の破線矢印のように流れる。
【００２２】各ＭＯＳＦＥＴ１０７〜１１０はいずれも
図３に示したような特性を備え、制御電圧入力端子１３
０に供給される制御電圧をバイアス電圧として動作する
もので、該制御電圧はドレイン電圧供給スイッチ１１１
を介して供給されている。ドレイン電圧供給スイッチ１
１１はＭＯＳＦＥＴ等の高速動作可能な阻止を用いて構
成されるもので、不図示の駆動回路によりＲＦ入力端子
１３１に入力があったときに各ＭＯＳＦＥＴ１０７〜１
１０へバイアス電圧を供給するように構成されている。
図３に示したような特性を備え、制御電圧入力端子１３
０に供給される制御電圧をバイアス電圧として動作する
もので、該制御電圧はドレイン電圧供給スイッチ１１１
を介して供給されている。ドレイン電圧供給スイッチ１
１１はＭＯＳＦＥＴ等の高速動作可能な阻止を用いて構
成されるもので、不図示の駆動回路によりＲＦ入力端子
１３１に入力があったときに各ＭＯＳＦＥＴ１０７〜１
１０へバイアス電圧を供給するように構成されている。
【００２３】図２は図１に示した構成による電力増幅器
２０７〜２０９による電力合成回路を示す図である。図
２（ａ）に示す状態では各電力増幅器２０７〜２０９の
ドレイン供給スイッチ１１１（図１参照）のすべてが閉
じた状態とされ、各電力増幅器からの出力は合成トラン
ス２０４〜２０６をそれぞれ介して合成されている。ま
た、図２（ｂ）に示す状態においては、電力増幅器２０
７〜２０９のうち、電力増幅器２０８についてはドレイ
ン供給スイッチ１１１が開けられてバイアス電圧の供給
が停止され、その他の電力増幅器２０７，２０９につい
てはドレイン供給スイッチ１１１が閉じた状態とされて
動作状態とされている。図２（ｂ）に示すようにバイア
ス電圧が供給されず、ドレイン電圧が０Ｖとされる電力
増幅器２０８においては各ＭＯＳＦＥＴが大きな容量と
等しくなり、高周波的には短絡状態となるので、動作状
態にある電力増幅器２０７，２０９の出力を損失なく合
成することが行われている。
２０７〜２０９による電力合成回路を示す図である。図
２（ａ）に示す状態では各電力増幅器２０７〜２０９の
ドレイン供給スイッチ１１１（図１参照）のすべてが閉
じた状態とされ、各電力増幅器からの出力は合成トラン
ス２０４〜２０６をそれぞれ介して合成されている。ま
た、図２（ｂ）に示す状態においては、電力増幅器２０
７〜２０９のうち、電力増幅器２０８についてはドレイ
ン供給スイッチ１１１が開けられてバイアス電圧の供給
が停止され、その他の電力増幅器２０７，２０９につい
てはドレイン供給スイッチ１１１が閉じた状態とされて
動作状態とされている。図２（ｂ）に示すようにバイア
ス電圧が供給されず、ドレイン電圧が０Ｖとされる電力
増幅器２０８においては各ＭＯＳＦＥＴが大きな容量と
等しくなり、高周波的には短絡状態となるので、動作状
態にある電力増幅器２０７，２０９の出力を損失なく合
成することが行われている。
【００２４】なお、以上説明した実施例においては、ブ
リッジ型シングルエンドプッシュプル回路を構成するト
ランジスタとしてＭＯＳＦＥＴを使用するものとして説
明したが、バイアス電圧がかかると容量が小さくなる、
逆に言うとバイアス電圧がかからないときに大きな容量
を持つというのは半導体一般にいえることであり、本発
明はバイアス電圧が印加されない状態のときに高周波的
に短絡状態と見なせる程度に容量が大きくなるトランジ
スタであればすべて使用することができ、使用トランジ
スタはＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。
リッジ型シングルエンドプッシュプル回路を構成するト
ランジスタとしてＭＯＳＦＥＴを使用するものとして説
明したが、バイアス電圧がかかると容量が小さくなる、
逆に言うとバイアス電圧がかからないときに大きな容量
を持つというのは半導体一般にいえることであり、本発
明はバイアス電圧が印加されない状態のときに高周波的
に短絡状態と見なせる程度に容量が大きくなるトランジ
スタであればすべて使用することができ、使用トランジ
スタはＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。
【００２５】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００２６】請求項１に記載の方法および請求項２に記
載のもののいずれにおいても高周波帯であっても損失の
少ない電力合成を行うことができ、電源利用効率のよい
高効率な合成を行うことができる効果がある。
載のもののいずれにおいても高周波帯であっても損失の
少ない電力合成を行うことができ、電源利用効率のよい
高効率な合成を行うことができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す回路図である。
【図２】（ａ），（ｂ）のそれぞれは、図１に示した電
力増幅器による電力合成回路を示す図である。
力増幅器による電力合成回路を示す図である。
【図３】ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧に対するドレイン
・ソース間容量の特性を忌め酢図である。
・ソース間容量の特性を忌め酢図である。
【図４】（ａ），（ｂ）のそれぞれは、ＭＯＳＦＥＴに
より構成されるブリッジ型シングルエンドプッシュプル
回路の電力増幅器を簡略化して示す図である。
より構成されるブリッジ型シングルエンドプッシュプル
回路の電力増幅器を簡略化して示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）のそれぞれは、従来より行われ
ている電力加算部の構成を示す図である。
ている電力加算部の構成を示す図である。
【図６】電力増幅器の従来例の構成を示す図である。
１０７〜１１０，４０７〜４１０ ＭＯＳＦＥＴ １１１ ドレイン電圧供給用スイッチ １２０ 励磁トランス １３０ 制御電圧入力端子 １３１ ＲＦ入力端子 １３２ ＲＦ出力端子 ２０４〜２０６，４０５ 合成トランス ２０７〜２０９ 電力増幅器
Claims (2)
- 【請求項１】 入力されたＲＦ入力信号を増幅して共通
の合成トランスへ出力する複数のブリッジ型シングルエ
ンドプッシュプル回路による電力増幅器を用いた電力合
成方法において、 前記ＲＦ信号が入力されない電力増幅器については、前
記ブリッジ型シングルエンドプッシュプル回路を構成す
るトランジスタへのバイアス電圧を供給しないことを特
徴とする電力合成方法。 - 【請求項２】 入力されたＲＦ入力信号を増幅して合成
トランスへ出力するブリッジ型シングルエンドプッシュ
プル回路による高周波用電力増幅器において、 前記ＲＦ信号が入力されたときにのみ前記ブリッジ型シ
ングルエンドプッシュプル回路を構成するトランジスタ
へのバイアス電圧を供給するスイッチを有することを特
徴とする高周波用電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117379A JP2809195B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 電力合成方法および高周波用電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117379A JP2809195B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 電力合成方法および高周波用電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307367A JPH09307367A (ja) | 1997-11-28 |
| JP2809195B2 true JP2809195B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=14710200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8117379A Expired - Lifetime JP2809195B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 電力合成方法および高周波用電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809195B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007143069A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| JP4992130B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-08-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 分布型電力増幅器 |
| JP5163577B2 (ja) | 2009-03-27 | 2013-03-13 | 富士通株式会社 | 増幅回路及び送受信機 |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP8117379A patent/JP2809195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09307367A (ja) | 1997-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100600507B1 (ko) | 펄스폭 변조 회로 | |
| KR100814222B1 (ko) | 스위치 모드 ｒｆ 전력 증폭기들을 위한 구동 회로들 | |
| CA2402704C (en) | System and method of producing direct audio from a power supply | |
| US20040108900A1 (en) | Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels | |
| US7339427B2 (en) | Analogue power control in a saturated amplifier | |
| JPH01254014A (ja) | 電力増幅器 | |
| US8149027B2 (en) | Circuit with a voltage dependent resistor for controlling an on/off state of a transistor | |
| US8633768B2 (en) | Amplifying device | |
| JP2809195B2 (ja) | 電力合成方法および高周波用電力増幅器 | |
| US6087900A (en) | Parallel push-pull amplifier using complementary device | |
| KR100885337B1 (ko) | 스위치 모드 회로에서 출력 임피던스 정합을 위한 회로 및방법 | |
| US4727596A (en) | High dynamic range mixer | |
| US5929708A (en) | Low-voltage radio frequency amplifier | |
| WO2003012981B1 (en) | Active element bias circuit for rf power transistor input | |
| JPH06204751A (ja) | 周波数変換装置 | |
| JP2004056211A (ja) | 半導体装置およびｄ級増幅器 | |
| JP3777040B2 (ja) | 増幅器 | |
| JP2906564B2 (ja) | Ｐｗｍ増幅器 | |
| US7859337B1 (en) | Wideband driver for class-D power amplifiers | |
| JP3406427B2 (ja) | Ｄ級電力増幅器 | |
| US20020140509A1 (en) | Efficient AC coupled CMOS RF amplifier | |
| CN114467261B (zh) | 具有宽带乘积模式控制的极化调制发射机 | |
| JP2005323030A (ja) | スイッチ半導体集積回路 | |
| JP3102023B2 (ja) | 高周波電力増幅器 | |
| Velasco-Quesada et al. | High-Efficiency Power Amplifiers |