JP2792337B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JP2792337B2 JP2792337B2 JP4143876A JP14387692A JP2792337B2 JP 2792337 B2 JP2792337 B2 JP 2792337B2 JP 4143876 A JP4143876 A JP 4143876A JP 14387692 A JP14387692 A JP 14387692A JP 2792337 B2 JP2792337 B2 JP 2792337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- capillary
- bonding
- inner lead
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいて、半導体素子の電極パッドとリードフレームのイ
ンナーリードとを金属ワイヤを絶縁材で被覆した被覆ワ
イヤを用いて接続するワイヤボンディング装置に関す
る。
おいて、半導体素子の電極パッドとリードフレームのイ
ンナーリードとを金属ワイヤを絶縁材で被覆した被覆ワ
イヤを用いて接続するワイヤボンディング装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の電極パッドとインナ
ーリードとを被覆ワイヤで接続するワイヤボンディング
の方法及びその装置は、図4及び図5の工程図(a)〜
(d)で示す様に、まず図(a)においてキャピラリー
11から突出させた被覆ワイヤ2の先端に、電気スパー
ク等によりボール3を形成させた後、キャピラリー11
を下降させ、図(b)の様にボール3を半導体素子4上
の電極パッド5に押しつけ、第1ボンディングを行な
う。次に、キャピラリー11を上昇させ、インナーリー
ド6の所定の位置へ水平移動させる。その後、図(c)
の様に再びキャピラリー11を下降させて被覆ワイヤ2
をインナーリード6に押圧し、第2ボンディングを行な
う。次に図(d)の様にクランプを閉じて被覆ワイヤ2
とキャピラリー11を同時に上昇させ、被覆ワイヤ2の
先端に再びボール3を作って次の第1ボンディングに備
える。
ーリードとを被覆ワイヤで接続するワイヤボンディング
の方法及びその装置は、図4及び図5の工程図(a)〜
(d)で示す様に、まず図(a)においてキャピラリー
11から突出させた被覆ワイヤ2の先端に、電気スパー
ク等によりボール3を形成させた後、キャピラリー11
を下降させ、図(b)の様にボール3を半導体素子4上
の電極パッド5に押しつけ、第1ボンディングを行な
う。次に、キャピラリー11を上昇させ、インナーリー
ド6の所定の位置へ水平移動させる。その後、図(c)
の様に再びキャピラリー11を下降させて被覆ワイヤ2
をインナーリード6に押圧し、第2ボンディングを行な
う。次に図(d)の様にクランプを閉じて被覆ワイヤ2
とキャピラリー11を同時に上昇させ、被覆ワイヤ2の
先端に再びボール3を作って次の第1ボンディングに備
える。
【0003】上記方法及び装置において、半導体素子4
及びインナーリード6はヒーター10により300℃に
保持されている。また、キャピラリー11は通常のキャ
ピラリーよりもその先端面の外径を大きくし、被覆ワイ
ヤ2をインナーリードに押圧する部分の面積を大きくし
密着性を向上させている。
及びインナーリード6はヒーター10により300℃に
保持されている。また、キャピラリー11は通常のキャ
ピラリーよりもその先端面の外径を大きくし、被覆ワイ
ヤ2をインナーリードに押圧する部分の面積を大きくし
密着性を向上させている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のワイヤ
ボンディング方法及び装置では、次の様な問題がある。
ボンディング方法及び装置では、次の様な問題がある。
【0005】 図5(c)で示す様に、金属ワイヤが
被覆材で被覆された状態で第2ボンディングが行われる
ため、インナーリードと被覆ワイヤの接合において被覆
材がインナーリード6と金属ワイヤ2との接合面間に介
在し、インナーリードと被覆ワイヤの接合が十分に行わ
れない。
被覆材で被覆された状態で第2ボンディングが行われる
ため、インナーリードと被覆ワイヤの接合において被覆
材がインナーリード6と金属ワイヤ2との接合面間に介
在し、インナーリードと被覆ワイヤの接合が十分に行わ
れない。
【0006】 被覆なしワイヤのボンディングに使用
するキャピラリーに較べ、キャピラリー先端面の外径が
大きい為、パッドピッチが150μm以下の小パッドピ
ッチを有するチップには適用できない。
するキャピラリーに較べ、キャピラリー先端面の外径が
大きい為、パッドピッチが150μm以下の小パッドピ
ッチを有するチップには適用できない。
【0007】 高温でボンディングを行うため、金属
ワイヤが金線の場合のAl製電極パッドと金属ワイヤの
接合部には金とアルミニウムの化合物が生じる。このた
め接合部で電気特性の劣化が生じる。
ワイヤが金線の場合のAl製電極パッドと金属ワイヤの
接合部には金とアルミニウムの化合物が生じる。このた
め接合部で電気特性の劣化が生じる。
【0008】そこで、本発明は上述した問題を解消し組
立歩留りを向上させるためのワイヤボンディング装置を
提供することを目的としている。
立歩留りを向上させるためのワイヤボンディング装置を
提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、キャピラリー
を所定のボンディング位置に移動させ、第2ボンディン
グを施す前にキャピラリーに近接配置されたレーザー照
射装置を用いてキャピラリー先端部の被覆ワイヤ部にレ
ーザーを照射し、被覆材を除去し、荷重及び超音波を印
加して第2ボンディングを施すワイヤボンディング装置
である。
を所定のボンディング位置に移動させ、第2ボンディン
グを施す前にキャピラリーに近接配置されたレーザー照
射装置を用いてキャピラリー先端部の被覆ワイヤ部にレ
ーザーを照射し、被覆材を除去し、荷重及び超音波を印
加して第2ボンディングを施すワイヤボンディング装置
である。
【0010】
【実施例】次に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
【0011】図1及び図2は本発明の一実施例の工程図
(a)〜(e)を示す。
(a)〜(e)を示す。
【0012】同図(a)に示される様に、キャピラリー
1から突出させた被覆ワイヤ2の先端の被覆材は、電気
スパークによりボール3の形成と同時に除去される。次
に同図(b)に示す様に、キャピラリー1を下降させ、
ボール3をヒーター10により200〜250℃に加熱
された半導体素子4上の電極パッド5に荷重30〜50
gで押しつけ、超音波を印加して第1ボンディングを行
なう。その後、同図(c)でキャピラリー1を上昇さ
せ、インナーリード6まで水平移動させ、同図(d)で
示す様に、キャピラリー1に近接配置されキャピラリー
1と一体に移動するレーザー照射装置9により、キャピ
ラリー1先端の被覆ワイヤ部8に50Wのレーザーを5
msec照射し、第2ボンディングされる部分の被覆材
を除去し金属ワイヤを露出させる。次に、同図(e)の
様にインナーリード6に第2ボンディングを施す。
1から突出させた被覆ワイヤ2の先端の被覆材は、電気
スパークによりボール3の形成と同時に除去される。次
に同図(b)に示す様に、キャピラリー1を下降させ、
ボール3をヒーター10により200〜250℃に加熱
された半導体素子4上の電極パッド5に荷重30〜50
gで押しつけ、超音波を印加して第1ボンディングを行
なう。その後、同図(c)でキャピラリー1を上昇さ
せ、インナーリード6まで水平移動させ、同図(d)で
示す様に、キャピラリー1に近接配置されキャピラリー
1と一体に移動するレーザー照射装置9により、キャピ
ラリー1先端の被覆ワイヤ部8に50Wのレーザーを5
msec照射し、第2ボンディングされる部分の被覆材
を除去し金属ワイヤを露出させる。次に、同図(e)の
様にインナーリード6に第2ボンディングを施す。
【0013】次に図3に他の実施例を示す。図1と同一
部分には同一符号を付してある。図に示す様に、レーザ
ー照射装置9をキャピラリー1に近接して2器配置させ
ることで、被覆材をより効率的に除去することが可能と
なる。
部分には同一符号を付してある。図に示す様に、レーザ
ー照射装置9をキャピラリー1に近接して2器配置させ
ることで、被覆材をより効率的に除去することが可能と
なる。
【0014】また、レーザーを2方向から照射するため
レーザーの出力を小さくでき、これにより除去部分の拡
大を抑えることも可能となる。
レーザーの出力を小さくでき、これにより除去部分の拡
大を抑えることも可能となる。
【0015】以上説明した実施例により、従来のワイヤ
ボンディング方法での組立歩留りの大幅な向上が可能で
ある。
ボンディング方法での組立歩留りの大幅な向上が可能で
ある。
【0016】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、インナーリ
ードにボンディングする際、第2ボンディング部の被覆
ワイヤ部分にレーザーを照射し、被覆材を除去後第2ボ
ンディングを行うため、溶解した被覆材により接合が妨
害されることもなくなり、またキャピラリー先端面の外
径を大きくする必要もなく、さらにボンディング温度を
低くできるので金とアルミニウムの化合物の発生も防止
できる。従って、被覆なしワイヤを用いたワイヤボンデ
ィング並みの組立歩留りでボンディングできるという効
果がある。
ードにボンディングする際、第2ボンディング部の被覆
ワイヤ部分にレーザーを照射し、被覆材を除去後第2ボ
ンディングを行うため、溶解した被覆材により接合が妨
害されることもなくなり、またキャピラリー先端面の外
径を大きくする必要もなく、さらにボンディング温度を
低くできるので金とアルミニウムの化合物の発生も防止
できる。従って、被覆なしワイヤを用いたワイヤボンデ
ィング並みの組立歩留りでボンディングできるという効
果がある。
【0017】また、160ピン以上の多ピンQFPにお
いて、隣り合うワイヤ同志の接触による不良で組立歩留
りがかなり低下しているパッケージに対しても本発明の
ワイヤボンディング方法を採用することで隣り合うワイ
ヤ同志の接触不良が無視できるため組立歩留りの向上が
望め、更には超多ピンパッケージに対しても組立の可能
性が大いに期待できるという効果がある。
いて、隣り合うワイヤ同志の接触による不良で組立歩留
りがかなり低下しているパッケージに対しても本発明の
ワイヤボンディング方法を採用することで隣り合うワイ
ヤ同志の接触不良が無視できるため組立歩留りの向上が
望め、更には超多ピンパッケージに対しても組立の可能
性が大いに期待できるという効果がある。
【図1】本発明の一実施例を説明する図で、同図(a)
〜(c)はそれぞれ工程図である。
〜(c)はそれぞれ工程図である。
【図2】本発明の一実施例を説明する図で、同図
(d),(e)はそれぞれ工程図である。
(d),(e)はそれぞれ工程図である。
【図3】本発明の他の実施例を説明する断面図である。
【図4】従来のボンディング方法を説明する図で、同図
(a),(b)はそれぞれ工程図である。
(a),(b)はそれぞれ工程図である。
【図5】従来のボンディング方法を説明する図で、同図
(c),(d)はそれぞれ工程図である。
(c),(d)はそれぞれ工程図である。
1 キャピラリー 2 被覆ワイヤ 3 ボール 4 半導体素子 5 電極パッド 6 インナーリード 7 クランパ 8 被覆ワイヤ部 9 レーザー照射装置 10 ヒーター 11 キャピラリー
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子上の電極パッドとリードフレ
ームのインナーリード部とを金属ワイヤを絶縁材で被覆
した被覆ワイヤを用いて接続するワイヤボンディング装
置において、キャピラリーと一体に移動するレーザー照
射装置を設け、第2ボンディングを施す前に第2ボンデ
ィングされる部分の被覆ワイヤ部にレーザーを照射し被
覆材を除去することを特徴とするワイヤボンディング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4143876A JP2792337B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4143876A JP2792337B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05343461A JPH05343461A (ja) | 1993-12-24 |
JP2792337B2 true JP2792337B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=15349067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4143876A Expired - Lifetime JP2792337B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2792337B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2990128B2 (ja) | 1997-10-16 | 1999-12-13 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置内部接続用被覆金属細線 |
JP3382918B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2003-03-04 | 田中電子工業株式会社 | 半導体素子接続用金線 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101043A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
JPH04109638A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング法及びその方法に使用する装置 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP4143876A patent/JP2792337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05343461A (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW417262B (en) | Semiconductor device of molding in ball grid array | |
JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
JPH08330346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2792337B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS60158637A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JP3128718B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3160555B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62150836A (ja) | 半導体装置 | |
JP2000124356A (ja) | 半導体パッケ―ジ用部材,半導体パッケ―ジ及び半導体パッケ―ジ製造方法 | |
JPH02211643A (ja) | 半導体装置 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11288960A (ja) | ワイヤーボンド接続方法及びボンディング表面残渣除去用ツール | |
JP2523861B2 (ja) | ワイヤ―ボンディング装置およびワイヤ―ボンディング方法 | |
JP2533675B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3455618B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
JPS5845181B2 (ja) | 半導体装置の外部リ−ドの接続方法 | |
KR20040008828A (ko) | 반도체 칩 패키지에서의 전기적 연결 수단 부착 방법 | |
JPS6211238A (ja) | 金属細線の接続方法 | |
JPH01209733A (ja) | 半導体装置 | |
JPH02144955A (ja) | リードフレーム | |
JP2001068499A (ja) | ワイヤーボンディング装置およびワイヤーボンディング方法 | |
JP2679197B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH05251517A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2000012621A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980519 |