JP2790946B2 - ペリクル膜の製造方法 - Google Patents
ペリクル膜の製造方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペリクル膜の製造方法、
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶
表示板を製造する際のゴミよけとして使用される、ペリ
クル膜の製造方法に関するものである。
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶
表示板を製造する際のゴミよけとして使用される、ペリ
クル膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれ、半導体装置や液
晶表示板などの性能や製造歩留りの低下を来すという問
題があった。このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の表
面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリ
クルを貼着する方法が行なわれている。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれ、半導体装置や液
晶表示板などの性能や製造歩留りの低下を来すという問
題があった。このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の表
面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリ
クルを貼着する方法が行なわれている。
【０００３】この場合、ゴミは露光原版の表面上には直
接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ
ー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、
ペリクル上のゴミは転写に無関係となるのであるが、こ
のペリクルは光を良く通過させるニトロセルロース、酢
酸セルロースなどからなる透明なペリクル膜をアルミニ
ウム、ステンレス、ポリエチレンなどからなるペリクル
枠の上部にペリクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着
する（特開昭58-219023 号公報参照）か、アクリル樹脂
やエポキシ樹脂などの接着剤で接着する（米国特許第4・
861・402 号明細書、特公昭63-27、 707号公報参照）とい
う方法がとられており、また、最近のものでは耐光性の
すぐれた非晶質なフッ素系ポリマーを膜材や接着剤に使
用している。
接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ
ー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、
ペリクル上のゴミは転写に無関係となるのであるが、こ
のペリクルは光を良く通過させるニトロセルロース、酢
酸セルロースなどからなる透明なペリクル膜をアルミニ
ウム、ステンレス、ポリエチレンなどからなるペリクル
枠の上部にペリクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着
する（特開昭58-219023 号公報参照）か、アクリル樹脂
やエポキシ樹脂などの接着剤で接着する（米国特許第4・
861・402 号明細書、特公昭63-27、 707号公報参照）とい
う方法がとられており、また、最近のものでは耐光性の
すぐれた非晶質なフッ素系ポリマーを膜材や接着剤に使
用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかして、このペリク
ル膜の製造は、これらの膜材料を溶剤を用いて３〜10％
の濃度に溶解したのち、スピンコーターやナイフコータ
ーを用いる溶液キャスティング法でシリコン基板やガラ
ス基板の上で成膜させるという方法で行なわれており、
このようにして作られたペリクル膜はこの基板上に成膜
された膜にペリクル枠フレームを接着してから、水中で
この基板と膜を剥離するという方法でペリクル膜とされ
ているのであるが、水中での膜剥離では水の汚れは勿論
のこと、基板裏面やフレームを抑える治具などの水と接
触する材料から発生する異物が水を媒体として膜および
フレーム全体を汚染してしまうという危険性をもつもの
であった。
ル膜の製造は、これらの膜材料を溶剤を用いて３〜10％
の濃度に溶解したのち、スピンコーターやナイフコータ
ーを用いる溶液キャスティング法でシリコン基板やガラ
ス基板の上で成膜させるという方法で行なわれており、
このようにして作られたペリクル膜はこの基板上に成膜
された膜にペリクル枠フレームを接着してから、水中で
この基板と膜を剥離するという方法でペリクル膜とされ
ているのであるが、水中での膜剥離では水の汚れは勿論
のこと、基板裏面やフレームを抑える治具などの水と接
触する材料から発生する異物が水を媒体として膜および
フレーム全体を汚染してしまうという危険性をもつもの
であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したペリクル膜の製造方法に関するもので、これ
はペリクル膜の基板からの剥離工程を相対湿度60％以上
の気体中で行なうことを特徴とするものである。
を解決したペリクル膜の製造方法に関するもので、これ
はペリクル膜の基板からの剥離工程を相対湿度60％以上
の気体中で行なうことを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは基体上に成膜した
ペリクル膜の基体からの剥離方法について種々検討した
結果、ペリクル膜の基体からの剥離工程を従来のような
水中ですることなく、これを気体中で行なえば水中剥離
のような汚染拡散が少なくなり、乾燥工程も不要となる
ので、目的とするペリクル膜を容易に、かつ効率よく得
ることができるということを見出し、気体中での処理条
件などについての研究を進めて本発明を完成させた。以
下にこれをさらに詳述する。
ペリクル膜の基体からの剥離方法について種々検討した
結果、ペリクル膜の基体からの剥離工程を従来のような
水中ですることなく、これを気体中で行なえば水中剥離
のような汚染拡散が少なくなり、乾燥工程も不要となる
ので、目的とするペリクル膜を容易に、かつ効率よく得
ることができるということを見出し、気体中での処理条
件などについての研究を進めて本発明を完成させた。以
下にこれをさらに詳述する。
【０００７】本発明のペリクル膜の製造方法は、ペリク
ル膜形成材料を溶剤に溶解して濃度が３〜10％の溶液を
作り、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなど
を用いる溶液キャスティング法でシリコン基板やガラス
基板の上にペリクル膜として成膜したのち、これにペリ
クル枠フレームを接着し、ついでペリクル膜を基板から
剥離してペリクル膜を作成するのであるが、本発明では
ペリクル膜の基板からの剥離が相対湿度60％以上の気体
中で行なわれる。
ル膜形成材料を溶剤に溶解して濃度が３〜10％の溶液を
作り、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなど
を用いる溶液キャスティング法でシリコン基板やガラス
基板の上にペリクル膜として成膜したのち、これにペリ
クル枠フレームを接着し、ついでペリクル膜を基板から
剥離してペリクル膜を作成するのであるが、本発明では
ペリクル膜の基板からの剥離が相対湿度60％以上の気体
中で行なわれる。
【０００８】ペリクル膜の基板からの剥離はペリクル膜
がペリクル枠フレームに接着されているので、剥離工程
室内において基板側を引張るだけでよく、これによれば
容易に基板からペリクル膜を剥離することができるが、
この剥離工程は相対湿度60％以上の気体中で行なわれ
る。この気体中は空気中であってもよいが、窒素ガス
中、酸素ガス中、その他の気体中、あるいはこれらの混
合気体中であってもよい。また、気体の圧力は減圧下で
も高圧下であってもよいが、作業のしやすさということ
からは大気圧下とすることがよい。
がペリクル枠フレームに接着されているので、剥離工程
室内において基板側を引張るだけでよく、これによれば
容易に基板からペリクル膜を剥離することができるが、
この剥離工程は相対湿度60％以上の気体中で行なわれ
る。この気体中は空気中であってもよいが、窒素ガス
中、酸素ガス中、その他の気体中、あるいはこれらの混
合気体中であってもよい。また、気体の圧力は減圧下で
も高圧下であってもよいが、作業のしやすさということ
からは大気圧下とすることがよい。
【０００９】また、この場合における気体の湿度は高い
ほうが剥離性が向上するが、剥離時の気体の相対湿度が
60％未満のときにはペリクル膜と基板との剥離性が悪く
なって、剥離の際に膜が伸びてシワになったり、膜が破
損し易くなるので、ペリクル膜を基板から容易に剥離す
るためには相対湿度を60％以上とし、好ましくは90％以
上のものとすることがよい。
ほうが剥離性が向上するが、剥離時の気体の相対湿度が
60％未満のときにはペリクル膜と基板との剥離性が悪く
なって、剥離の際に膜が伸びてシワになったり、膜が破
損し易くなるので、ペリクル膜を基板から容易に剥離す
るためには相対湿度を60％以上とし、好ましくは90％以
上のものとすることがよい。
【００１０】しかし、気体の湿度についてはこれが高す
ぎて結露が生ずると、水中剥離と同様にしずくによって
異物が拡散されるし、乾きムラも発生するので、高すぎ
ないようにすることも必要である。
ぎて結露が生ずると、水中剥離と同様にしずくによって
異物が拡散されるし、乾きムラも発生するので、高すぎ
ないようにすることも必要である。
【００１１】なお、このペリクル膜については少なくと
も水分子を通すことができる大きさの隙間がその分子
間、原子間に存在するものとすることがよく、これによ
ればこの隙間に水分子が通るので気体剥離でも水中剥離
と同等の剥離性が与えられる。
も水分子を通すことができる大きさの隙間がその分子
間、原子間に存在するものとすることがよく、これによ
ればこの隙間に水分子が通るので気体剥離でも水中剥離
と同等の剥離性が与えられる。
【００１２】本発明によるペリクル膜の製造は前記した
ように、ペリクル膜の基板からの剥離が相対湿度60％以
上の気体中で行なわれるのであるが、これによれば水中
剥離したときに水と接触していた基板の裏面やペリクル
枠フレームの抑える治具などから発生した異物が水を媒
介としてペリクル膜およびペリクル枠フレームなどを汚
染するという危険が全くなくなるので、目的とするペリ
クル膜およびペリクル枠フレームが汚染されず、これら
を清浄なものとして得ることができ、この場合には水中
剥離では必須とされる事後の乾燥工程が不要にもなる。
ように、ペリクル膜の基板からの剥離が相対湿度60％以
上の気体中で行なわれるのであるが、これによれば水中
剥離したときに水と接触していた基板の裏面やペリクル
枠フレームの抑える治具などから発生した異物が水を媒
介としてペリクル膜およびペリクル枠フレームなどを汚
染するという危険が全くなくなるので、目的とするペリ
クル膜およびペリクル枠フレームが汚染されず、これら
を清浄なものとして得ることができ、この場合には水中
剥離では必須とされる事後の乾燥工程が不要にもなる。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜３、比較例１〜２ 一般式
【化１】 で示され、ａ／ｂのモル比が0.52/1.0である、テトラフ
ルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する
含フッ素モノマーとの重合体・サイトップＣＴＸＳタイ
プ［旭硝子（株）製商品名］をその溶剤・ＣＴsolv 180
［旭硝子（株）製商品名］に溶解して濃度 6.0％の溶液
を調製した。
ルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する
含フッ素モノマーとの重合体・サイトップＣＴＸＳタイ
プ［旭硝子（株）製商品名］をその溶剤・ＣＴsolv 180
［旭硝子（株）製商品名］に溶解して濃度 6.0％の溶液
を調製した。
【００１４】ついでこの溶液を直径 200mm、厚さ３mmの
表面研磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて膜
厚0.84μｍの透明膜として形成させ、180 ℃で15分間乾
燥してペリクル膜を成膜させた。他方、アルマイト処理
した 120mm角のアルミニウム製のペリクル枠フレームの
上面にフッ素含有ジオルガノポリシロキサン組成物を塗
布し、このフッ素含有ジオルガノポリシロキサン組成物
の塗布面に上記で得た石英基板上に成膜されているペリ
クル膜を接着させた。
表面研磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて膜
厚0.84μｍの透明膜として形成させ、180 ℃で15分間乾
燥してペリクル膜を成膜させた。他方、アルマイト処理
した 120mm角のアルミニウム製のペリクル枠フレームの
上面にフッ素含有ジオルガノポリシロキサン組成物を塗
布し、このフッ素含有ジオルガノポリシロキサン組成物
の塗布面に上記で得た石英基板上に成膜されているペリ
クル膜を接着させた。
【００１５】つぎにこのものをステンレス製の容器内に
入れ、容器内の雰囲気を表１に示した温度、相対湿度を
もつ空気とし、この雰囲気中においてペリクル膜を石英
基板から剥離したところ、相対湿度が50％のとき（比較
例１）のときには膜が破れ、相対湿度が59％のとき（比
較例２）には膜にシワが発生したが、相対湿度が84％、
88％、99％のとき（実施例１〜３）では良好な膜が得ら
れた。
入れ、容器内の雰囲気を表１に示した温度、相対湿度を
もつ空気とし、この雰囲気中においてペリクル膜を石英
基板から剥離したところ、相対湿度が50％のとき（比較
例１）のときには膜が破れ、相対湿度が59％のとき（比
較例２）には膜にシワが発生したが、相対湿度が84％、
88％、99％のとき（実施例１〜３）では良好な膜が得ら
れた。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば従来公知の水中剥離した
ときの水を媒介とした汚染が防止されるので目的とする
ペリクル膜を清浄なものとして取得でき、爾後の乾燥工
程も不要になる。また、ペリクル膜にシワや破損を生ず
ることなく、基板から容易に剥離することができる。
ときの水を媒介とした汚染が防止されるので目的とする
ペリクル膜を清浄なものとして取得でき、爾後の乾燥工
程も不要になる。また、ペリクル膜にシワや破損を生ず
ることなく、基板から容易に剥離することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫田 周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 平１−166045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−16873（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−9849（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−39859（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−369649（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−369650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/14 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】ペリクル膜の基板からの剥離工程を相対湿
度60％以上の気体中で行なうことを特徴とするペリクル
膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24582892A JP2790946B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ペリクル膜の製造方法 |
| US08/103,928 US5368675A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-06 | Method for the preparation of a frame-supported pellicle for photolithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24582892A JP2790946B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ペリクル膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667410A JPH0667410A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2790946B2 true JP2790946B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=17139463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24582892A Expired - Lifetime JP2790946B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | ペリクル膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5368675A (ja) |
| JP (1) | JP2790946B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| US7271950B1 (en) * | 2000-02-16 | 2007-09-18 | Toppan Photomasks, Inc. | Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light |
| US7076924B2 (en) * | 2003-08-26 | 2006-07-18 | Thompson Harry A | Ovalized concrete block-out tube with tear away nailing flange |
| US20050242341A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-11-03 | Knudson Christopher T | Apparatus and method for supporting a flexible substrate during processing |
| KR102401580B1 (ko) * | 2015-06-04 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 펠리클 조립체의 제조 방법 및 펠리클 조립체를 포함하는 포토마스크 조립체의 제조 방법 |
| KR102293215B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 조립 장치 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE139185C (ja) * | ||||
| US2570273A (en) * | 1948-09-20 | 1951-10-09 | Paul L Pryor | Method of making optical pellicles |
| US4378953A (en) * | 1981-12-02 | 1983-04-05 | Advanced Semiconductor Products | Thin, optical membranes and methods and apparatus for making them |
| US4536240A (en) * | 1981-12-02 | 1985-08-20 | Advanced Semiconductor Products, Inc. | Method of forming thin optical membranes |
| JPS58219023A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| JPS60210687A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | Shigeo Matsui | 接着剤で接着された被着体同士のはく離を促進する方法 |
| US4861402A (en) * | 1984-10-16 | 1989-08-29 | Du Pont Tau Laboratories, Inc. | Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle |
| SU1326429A1 (ru) * | 1985-05-23 | 1987-07-30 | Дмитровский опытный завод алюминиевой консервной ленты | Способ отделени полимерного материала от подложки |
| JPS6211671A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Tokyo Electric Co Ltd | 電気機器 |
| US4737387A (en) * | 1986-07-07 | 1988-04-12 | Yen Yung Tsai | Removable pellicle and method |
| JPS63199784A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Nippon Carbide Ind Co Ltd | 接着シ−トの剥離方法 |
| KR960000490B1 (ko) * | 1987-07-10 | 1996-01-08 | 미쓰이세키유가가쿠고교 가부시기가이샤 | 반사 방지형 펠리클막 및 그 제조 방법 |
| JPH01110588A (ja) * | 1987-10-24 | 1989-04-27 | Ito Kogaku Kogyo Kk | プラスチツクレンズの防汚性処理方法 |
| JPH01166045A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Tosoh Corp | ペリクルの剥離法 |
| US4898058A (en) * | 1987-12-24 | 1990-02-06 | Intel Corporation | Apparatus for removing pellicles |
| CA2005096C (en) * | 1988-12-13 | 1999-03-23 | Tokinori Agou | High light-transmissive dust-proof body and method of preparing same |
| DE3912082A1 (de) * | 1989-04-13 | 1990-10-18 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von magnetischen aufzeichnungstraegern |
| US5229229A (en) * | 1990-04-27 | 1993-07-20 | Tosoh Corporation | Pellicle having reflection-preventing function |
| JP2938588B2 (ja) * | 1991-01-14 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | 光学系ゴミよけ用ペリクル |
| JP3020320B2 (ja) * | 1991-07-23 | 2000-03-15 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ−用ペリクル |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP24582892A patent/JP2790946B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-08-06 US US08/103,928 patent/US5368675A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0667410A (ja) | 1994-03-11 |
| US5368675A (en) | 1994-11-29 |
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