JP3852446B2 - 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 - Google Patents
抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3852446B2 JP3852446B2 JP2004006981A JP2004006981A JP3852446B2 JP 3852446 B2 JP3852446 B2 JP 3852446B2 JP 2004006981 A JP2004006981 A JP 2004006981A JP 2004006981 A JP2004006981 A JP 2004006981A JP 3852446 B2 JP3852446 B2 JP 3852446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resistance
- mass
- rare earth
- resistance thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
まず、電気ニッケル、電解クロム、アルミニウムメタルショット、Yメタル(試薬)、Laメタル(試薬)、Ceメタル(試薬)、ミッシュメタル(試薬)、金属シリコン塊(試薬)を原料とし、表1および表2に示す組成となるようにそれぞれ秤量して、真空溶解炉により、約2kgのNi−Cr−Al−希土類合金およびNi−Cr−Al−Si合金のインゴットを作製した。
Claims (4)
- Al:1〜15質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCr/Niが質量で0.15〜1.1となるCrおよびNiからなるNi−Cr−Al−希土類元素合金抵抗薄膜材料。
- Al:1〜15質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCr/Niが質量で0.15〜1.1となるCrおよびNiからなり、請求項1に記載の抵抗薄膜材料から抵抗薄膜を得るためのNi−Cr−Al−希土類元素合金スパッタリングターゲット。
- Al:1〜15質量%、希土類元素:0.01〜0.5質量%を含み、残部がCr/Niが質量で0.15〜1.1となるCrおよびNiからなり、かつ、大気中において、温度200℃〜500℃で、1〜10時間、熱処理されたことを特徴とするNi−Cr−Al−希土類元素合金抵抗薄膜。
- 請求項2に記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ法により、絶縁材料基板上に、Ni−Cr−Al−希土類合金からなる薄膜を生成させ、その後、該抵抗薄膜が形成された基板を、大気中において、温度200℃〜500℃で、1〜10時間、熱処理を行うことを特徴とする抵抗薄膜の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004006981A JP3852446B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-01-14 | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 |
CNB2004100900571A CN1321206C (zh) | 2003-11-04 | 2004-11-01 | 金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 |
TW93133312A TWI250218B (en) | 2003-11-04 | 2004-11-02 | Metallic resistance material, sputtering target, resistance thin film, and method for making the resistance thin film |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003374063 | 2003-11-04 | ||
JP2004006981A JP3852446B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-01-14 | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005154884A JP2005154884A (ja) | 2005-06-16 |
JP3852446B2 true JP3852446B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=34741341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004006981A Expired - Lifetime JP3852446B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-01-14 | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3852446B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4622522B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
JP2014241451A (ja) * | 2014-09-18 | 2014-12-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅導電体層付き抵抗薄膜素子 |
KR101848764B1 (ko) | 2016-04-15 | 2018-04-19 | 한국에너지기술연구원 | 초소형 온도센서 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-01-14 JP JP2004006981A patent/JP3852446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005154884A (ja) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004319737A (ja) | サーミスタ用材料及びその製造方法 | |
JP2003073810A5 (ja) | ||
JPH10270201A (ja) | Cr−N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ | |
JP6783528B2 (ja) | セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
JP4380586B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
JP4622522B2 (ja) | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
JP5045804B2 (ja) | 抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法 | |
JP3852446B2 (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
JP4895481B2 (ja) | 抵抗薄膜および抵抗薄膜形成用のスパッタリングターゲット | |
JP4775140B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2008248278A (ja) | SnO2系スパッタリングターゲットおよびスパッタ膜 | |
CN1321206C (zh) | 金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 | |
JP2005294612A5 (ja) | ||
JP7087741B2 (ja) | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜及び薄膜抵抗器、並びに抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法及び抵抗薄膜の製造方法 | |
JP7097913B2 (ja) | Ntcrセンサの製造方法 | |
JP2021075749A (ja) | スパッタリングターゲット | |
US20240175116A1 (en) | Cr-si film | |
JP4742758B2 (ja) | 薄膜抵抗体及びその製造方法 | |
WO2024075547A1 (ja) | Ni合金膜およびNi合金膜形成用スパッタリングターゲット材 | |
JP4238689B2 (ja) | 金属抵抗体およびその製造方法 | |
JPS59157282A (ja) | 高シリコンニクロム系スパツタリング用タ−ゲツト | |
KR20110047145A (ko) | 저항체 재료, 저항 박막 형성용 스퍼터링 타겟, 저항 박막, 박막 저항기 및 이들의 제조방법 | |
WO2019167564A1 (ja) | Cu-Ni合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3852446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100915 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130915 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |