JP2781500B2 - Dielectric ceramic composition for low temperature firing - Google Patents
Dielectric ceramic composition for low temperature firingInfo
- Publication number
- JP2781500B2 JP2781500B2 JP4276594A JP27659492A JP2781500B2 JP 2781500 B2 JP2781500 B2 JP 2781500B2 JP 4276594 A JP4276594 A JP 4276594A JP 27659492 A JP27659492 A JP 27659492A JP 2781500 B2 JP2781500 B2 JP 2781500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- dielectric
- composition
- oxide
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に
係り、特にストリップライン型フィルタ等の、内層導体
を有する誘電体共振器の製造に好適に用いられる、低温
焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成物に関するもので
ある。また、本発明は、そのような誘電体磁器組成物を
用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数か
ら構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共
振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric ceramic composition for low-temperature firing, and more particularly to a low-frequency firing high-frequency material suitably used for manufacturing a dielectric resonator having an inner conductor, such as a stripline type filter. The present invention relates to a dielectric ceramic composition. Further, the present invention provides a dielectric resonator obtained by using such a dielectric ceramic composition or a dielectric filter composed of a plurality of the resonators, and further a dielectric resonator or a dielectric filter obtained by using the dielectric resonator. It relates to an advantageous manufacturing method.
【０００２】[0002]
【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内装してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。2. Description of the Related Art Today, coaxial dielectric filters using a high-permittivity porcelain composition are widely used in cellular phones, automobile telephones, and the like.
On the inner peripheral surface and outer peripheral surface of the cylindrical dielectric block, respectively, a plurality of coaxial resonators provided with an inner conductor and an outer conductor are coupled and configured, There is a limit to the miniaturization, and a strip line type of a triplate structure in which a conductor is provided inside a dielectric is being studied. In this stripline type filter, conductors are arranged in a predetermined pattern in a plate-shaped dielectric and provided integrally, and a structure in which a plurality of resonators are formed is employed. (Thickness) can be reduced, so that the size can be reduced.
【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。[0003] To manufacture a dielectric filter having an inner layer conductor such as a stripline type filter, simultaneous firing of the inner layer conductor and the dielectric ceramic composition is required. Since the composition has a very high firing temperature, the composition is restricted by conductor materials that can be used as the inner layer conductor, and the composition has a low conduction resistance.
It was difficult to use g-based materials. For example, to use an Ag-Pd-based alloy or an Ag-Pt-based alloy as the inner layer conductor, the firing temperature of the dielectric ceramic composition is 1000 ° C.
In particular, in order to use Ag having a low conduction resistance alone, the firing temperature of the dielectric ceramic composition should be 90
It must be around 0 ° C. Therefore, there is a need for a dielectric ceramic composition that can be sintered at such a low firing temperature and has excellent high-frequency characteristics.
【０００４】一方、従来から、誘電体磁器組成物に関し
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でもＢ
ａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥは希土類金属）に
て構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、ま
た無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さ
い材料として知られているが、その焼成温度が１３００
℃〜１４００℃と高いところに問題があり、そのために
Ｐｂ酸化物等を添加することにより、その焼成温度の低
下を図る試みが為されてきている。[0004] On the other hand, various types of dielectric porcelain compositions have been conventionally proposed.
A dielectric porcelain composition composed of an a-Ti-RE-Bi-based oxide (RE is a rare earth metal) is a material having a high relative dielectric constant, a large unloaded Q, and a small temperature coefficient of resonance frequency. But its firing temperature is 1300
There is a problem in a high temperature range of 1 to 1400 ° C. For this reason, attempts have been made to lower the firing temperature by adding a Pb oxide or the like.
【０００５】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼粉砕物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４０５号公報においては、ＢａＯ
−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3系組成物に対して、ＰｂＯ，Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、１
０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかに
されている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報に
は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2−Ｂｉ2 Ｏ3
系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，
ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成
物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃の焼
成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更にま
た、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ3 ，
Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ4 か
らなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、
それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結するこ
とが明らかにされている。For example, in US Pat. No. 3,811,937, a calcined and ground product of barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide is added to CdO—PbO—Bi 2 O 3.
A composition comprising 8 to 30% by weight of a base glass has been disclosed.
The firing is performed at a temperature of about 1150C. Also, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-21405, BaO
Against -TiO 2 -Nd 2 O 3 based compositions, PbO, B
Each powder of i 2 O 3 , SiO 2 and ZnO is mixed and
Firing at a temperature of 050 ° C to 1150 ° C has been shown. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-124306 discloses that BaTiO 3 —Nd 2 O 3 —TiO 2 —Bi 2 O 3
Pb 3 O 4 , B 2 O 3 , SiO 2 ,
A dielectric porcelain composition comprising a predetermined amount of each of ZnO is disclosed, and it is disclosed that the composition can be fired at a firing temperature of 1000 to 1050 ° C. Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-44609 discloses BaTiO 3 ,
For a composition comprising Nd 2 O 3 , TiO 2 , Bi 2 O 3 , and Pb 3 O 4 , 2CaO.3B 2 O 3 , SiO
2 , and a dielectric porcelain composition doped with ZnO,
It has been shown to sinter at firing temperatures of 1000-1050 ° C.
【０００６】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ
単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用い
ることが出来ない。そのために、導通抵抗の大きなＰｄ
の含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得な
いのが実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘
電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せ
しめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑
み、その取り扱い上においても問題のあるものであっ
た。このように、誘電体磁器組成物の焼成温度を１００
０℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られている
が、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以
下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術
については、未だ、知られてはいないのである。However, even in the case of these conventional dielectric ceramic compositions which can be fired at a low temperature, the firing temperature is still as high as 1000 ° C. or higher, and Ag having a low conduction resistance is used.
A simple substance or an alloy material mainly composed of Ag cannot be used as the internal conductor. Therefore, Pd having a large conduction resistance
Is that only Ag-Pd-based alloys with an increased content of can be used. In addition, in these conventional dielectric ceramic compositions for low-temperature firing, a large amount of Pb oxide is added, and therefore there is a problem in handling the Pb oxide in view of the toxicity of the Pb oxide. Was. Thus, the firing temperature of the dielectric ceramic composition is set to 100
Some prior arts for reducing the temperature to around 0 ° C. are known. However, a technique for firing at a melting point of Ag of 962 ° C. or less, preferably 950 ° C. or less, and more preferably about 900 ° C. is still known. Not.
【０００７】[0007]
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、実用的な比誘電率を保持しつつ、無負荷Ｑが大き
く、且つ共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与
える、９６２℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ま
しくは９００℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、ま
た多量のＰｂ酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成
用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発
明の他の課題とするところは、そのような誘電体磁器組
成物を用いて得られた誘電体共振器若しくは該共振器の
複数から構成される誘電体フィルター、更にはそれら誘
電体共振器若しくは誘電体フィルターの有利な製造手法
を提供することにある。Here, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a large non-load Q while maintaining a practical relative permittivity, and Sintering is possible at a firing temperature of 962 ° C. (the melting point of Ag) or less, preferably at a firing temperature of around 900 ° C., which gives a dielectric ceramic having a small temperature coefficient of resonance frequency, and contains a large amount of Pb oxide. An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic composition for low-temperature sintering that does not need to be performed. Another object of the present invention is to provide a dielectric resonator obtained by using such a dielectric porcelain composition or a dielectric filter comprising a plurality of the resonators, and furthermore, a dielectric filter comprising the same. It is to provide an advantageous method of manufacturing a resonator or a dielectric filter.
【０００８】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −
ＲＥ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物に対して、所定のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの特定量を含有せしめ
ることにより、その優れた特性を確保しつつ、その焼成
温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したのであ
る。In order to solve such a problem, the present inventors have made various studies and found that BaO-TiO 2-
For a RE 2 O 3 -based dielectric porcelain composition, predetermined Zn
By incorporating a specific amount of O-B 2 O 3 -SiO 2 based glass, while ensuring the excellent properties, it was found the fact that may caused to lower the sintering temperature advantageously.
【０００９】[0009]
【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、
ＲＥは希土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式
中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦
０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦
０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成さ
れた、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ
≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１
００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量部の割
合において含有せしめてなる低温焼成用誘電体磁器組成
物にある。That is, the present invention has been completed based on such findings, and the features thereof are as follows.
The general formula: xBaO · yTiO 2 · zRE 2 O 3 ( however,
RE represents a rare earth metal), and x, y and z in the general formula are each represented by the following formula: 0.10 ≦ x ≦
0.20, 0.60 ≦ y ≦ 0.75, 0.10 ≦ z ≦
0.25 and a composition comprising barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide constituted so as to satisfy x + y + z = 1, as a main component, and 100 parts by weight of the main component composition, a general formula: k (% by weight) ZnO · m (% by weight) B 2 O 3 .n (% by weight) SiO 2 (however, 30 ≦ k
≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50, 2 ≦ n ≦ 40, k + m + n = 1
00) ZnO—B 2 O 3 —SiO
A dielectric ceramic composition for low-temperature firing, comprising a secondary glass as an auxiliary component in a ratio of 0.1 to 18 parts by weight.
【００１０】また、本発明にあっては、一般式：ｘＢａ
Ｏ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金
属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及び
ｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．
６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ
＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、酸化バリウ
ム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる組成物の１
００重量部に対して、２．５重量部までの酸化アルミニ
ウムを添加せしめてなるものを、主成分組成物とし、該
主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重
量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｓ
ｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ
≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、
０．１〜１８重量部の割合において含有せしめてなるこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物をも、その
要旨とするものであって、これによって無負荷Ｑのより
一層の改善を図ることが出来る。In the present invention, the general formula: xBa
O.yTiO 2 .zRE 2 O 3 (where RE represents a rare earth metal), and x, y and z in the general formula are each represented by the following formula: 0.10 ≦ x ≦ 0 .20,0.
60 ≦ y ≦ 0.75, 0.10 ≦ z ≦ 0.25, and x
+ Y + z = 1, comprising a composition comprising barium oxide, titanium oxide and a rare earth oxide, wherein the composition satisfies + y + z = 1.
A composition obtained by adding up to 2.5 parts by weight of aluminum oxide to 00 parts by weight is defined as a main component composition, and 100 parts by weight of the main component composition is represented by a general formula: k (% by weight) ) ZnO · m (% by weight) B 2 O 3 .n (% by weight) S
iO 2 (30 ≦ k ≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50, 2 ≦ n
≦ 40, k + m + n = 100)
The nO-B 2 O 3 -SiO 2 based glass, as a sub-component,
A dielectric ceramic composition for low-temperature firing characterized in that it is contained in a proportion of 0.1 to 18 parts by weight is also a gist of the invention, whereby the unloaded Q can be further improved. I can plan.
【００１１】さらにまた、本発明にあっては、一般式：
ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希
土類金属を示す）にて表わされ、且つ該一般式中のｘ，
ｙ及びｚが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足するように構成された、
酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる
組成物の１００重量部に対して、３．０重量部までの酸
化マンガンを添加せしめてなるものを、主成分組成物と
し、該主成分組成物の１００重量部に対して、一般式：
ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量
％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，
２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組
成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分と
して、０．１〜１８重量部の割合において含有せしめて
なることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物を
も、その要旨とするものであって、これによって窒素中
での銅導体等との同時焼成を有利に実現せしめ得る他、
無負荷Ｑや共振周波数の温度係数のより一層の改善を図
ることが出来る。Furthermore, in the present invention, the general formula:
xBaO · yTiO 2 · zRE 2 O 3 ( where, RE represents a rare earth metal) represented by, and x in the general formula,
y and z are respectively the following formulas: 0.10 ≦ x ≦ 0.2
0, 0.60 ≦ y ≦ 0.75, 0.10 ≦ z ≦ 0.2
5, and x + y + z = 1.
A composition obtained by adding up to 3.0 parts by weight of manganese oxide to 100 parts by weight of a composition comprising barium oxide, titanium oxide and a rare earth oxide is defined as a main component composition. For the parts by weight, the general formula:
k (% by weight) ZnO · m (% by weight) B 2 O 3 .n (% by weight) SiO 2 (however, 30 ≦ k ≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50,
(2 ≦ n ≦ 40, k + m + n = 100) ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 glass having a composition represented by the formula: 0.1 to 18 parts by weight as a sub-component. The dielectric ceramic composition for firing at a low temperature is also intended to be the gist of the present invention, which can advantageously realize simultaneous firing with a copper conductor or the like in nitrogen.
It is possible to further improve the no-load Q and the temperature coefficient of the resonance frequency.
【００１２】そして、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成
された導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターにおいて、かかる誘電体
磁器を、上述の如き誘電体磁器組成物、換言すれば前記
請求項１乃至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物を焼
成して得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体
パターンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金
材料にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しく
は該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨と
している。The present invention provides a dielectric resonator having a dielectric pattern and a conductor pattern formed in the dielectric ceramic by co-firing with the dielectric ceramic, or a dielectric filter comprising the resonator. Wherein the dielectric porcelain comprises a dielectric porcelain composition as described above, in other words, a dielectric porcelain obtained by firing the dielectric porcelain composition according to any one of claims 1 to 3. On the other hand, a gist of the present invention is a dielectric resonator or a dielectric filter including the resonator, wherein the conductor pattern is formed of Ag alone or an alloy material containing Ag as a main component.
【００１３】また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体
磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共振
器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造す
るに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１乃
至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体
若しくはその仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａ
ｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成さ
れる導体層を設け、それを同時焼成せしめることを特徴
とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フ
ィルターの製造方法をも、その要旨としている。Further, the present invention provides a method of manufacturing a dielectric resonator having a dielectric ceramic and a conductor pattern provided in the dielectric ceramic or a dielectric filter comprising the resonator. A, wherein the conductive pattern is applied to a molded body made of the dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 3 or a calcined product thereof.
A method for producing a dielectric resonator or a dielectric filter comprising the resonator, characterized in that a conductor layer formed of a simple substance of g or an alloy material containing Ag as a main component is provided and co-fired, This is the gist.
【００１４】[0014]
【具体的構成】ところで、かかる誘電体磁器組成物にお
いて、主成分の一つたるＢａＯの含有量が１０モル％よ
りも少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁
器の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２
０モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振
周波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題
を惹起する。また、ＴｉＯ2 については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。In the dielectric ceramic composition, when the content of BaO, one of the main components, is less than 10 mol% (x <0.10), the relative dielectric constant of the obtained dielectric ceramic Is low, while 2
If it exceeds 0 mol% (x> 0.20), there arises a problem that the temperature coefficient of the resonance frequency becomes too large. When the content of TiO 2 is less than 60 mol% (y <0.60), sintering becomes difficult and a dense sintered body cannot be obtained. On the other hand, when it exceeds 75 mol% (y> 0.7
5) There is a problem that the temperature coefficient of the resonance frequency becomes too large in the positive direction.
【００１５】また、ＲＥ2 Ｏ3 に関しては、その含有量
が１０モル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共
振周波数の温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一
方、２５モル％を越えるようになると（ｚ＞０．２
５）、焼結性が悪く、比誘電率が小さくなってしまう問
題を惹起する。When the content of RE 2 O 3 is less than 10 mol% (z <0.10), the temperature coefficient of the resonance frequency becomes too large, while 25 mol% (Z> 0.2
5) The sinterability is poor and the relative dielectric constant is reduced.
【００１６】なお、本発明において、ＲＥ2 Ｏ3 におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い比誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、共
振周波数の温度係数を制御することが出来る。しかしな
がら、そのようなＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる
場合にあっては、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合
を４０モル％以下にすることが望ましく、それを越える
と、共振周波数の温度係数が負または正に大きく変化す
る問題を生じる。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用い
る場合にあっては、三価の原子に換算して、導入される
こととなる。In the present invention, RE (rare earth metal) in RE 2 O 3 is Nd, Sm, La, C
e, Pr, etc. Among them, Nd or Nd or Sm and / or La is preferably used in combination with Nd. N
When Sm and / or La are used in combination with d, the temperature coefficient of the resonance frequency can be controlled while maintaining a high relative permittivity and no-load Q. However, when such Sm and / or La are combined, it is desirable that the ratio of Sm or La to the entire RE be 40 mol% or less, and if it exceeds that, the temperature coefficient of the resonance frequency becomes negative. Or, a problem of a large change occurs. In the case where Ce or Pr is used as RE, it is introduced after being converted into trivalent atoms.
【００１７】本発明は、上記の如き割合において、酸化
バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、またそのよう
な主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周
波数の温度係数を補正する目的で、酸化アルミニウム、
酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化
錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加含有せしめ
ることは何等差支えない。特に、前記主成分磁器組成物
への酸化アルミニウムの添加は、無負荷Ｑをより一層向
上せしめる上において極めて有効である。なお、この酸
化アルミニウムは、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化
レアアースにて構成される組成物の１００重量部当たり
２．５重量部までの割合で、好ましくは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。また酸化マ
ンガンは、主成分組成物の還元を防止する働きがあり、
このため窒素中での銅導体等との同時焼成を有利に実現
せしめ得る他、高い比誘電率を保ったまま、無負荷Ｑを
向上せしめたり、或いは共振周波数の温度係数を小さく
したりする効果を有する。なお、この酸化アルミニウム
または酸化マンガンは、それぞれ、酸化バリウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る組成物の１００重量部当たり２．５重量部または３重
量部までの割合で、好ましくはそれらは２重量部までの
割合で添加、含有せしめられることとなる。The present invention comprises a porcelain composition composed of barium oxide, titanium oxide and a rare earth oxide in the above proportions as a main component. As will be described later, a predetermined sub-component is incorporated and contained.For such a main component porcelain composition, for the purpose of improving the no-load Q and correcting the temperature coefficient of the resonance frequency, Aluminum oxide,
Addition and addition of metal oxides such as iron oxide, manganese oxide, chromium oxide, zinc oxide, tin oxide, and zirconium oxide can be carried out at all. In particular, the addition of aluminum oxide to the main component porcelain composition is extremely effective in further improving the no-load Q. This aluminum oxide is added and contained at a ratio of up to 2.5 parts by weight, preferably up to 2 parts by weight, per 100 parts by weight of the composition composed of barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide. Will be done. Also, manganese oxide has the function of preventing the reduction of the main component composition,
For this reason, simultaneous firing with a copper conductor or the like in nitrogen can be advantageously achieved, and the effect of improving the no-load Q or reducing the temperature coefficient of the resonance frequency while maintaining a high relative dielectric constant. Having. This aluminum oxide or manganese oxide is preferably used in a proportion of up to 2.5 parts by weight or 3 parts by weight per 100 parts by weight of the composition composed of barium oxide, titanium oxide, rare earth oxide and bismuth oxide, respectively. Will be added and contained in a proportion of up to 2 parts by weight.
【００１８】また、かかる本発明に従う主成分磁器組成
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、３０〜８５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とか
ら構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸化ホウ素
及び酸化珪素のそれぞれの含有量をｋ重量％、ｍ重量％
及びｎ重量％とすると、次のような式：３０≦ｋ≦８
５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００
を満足させる必要があるのである。特に、このようにＺ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 をガラスにして添加すること
により、焼成温度を効果的に下げることが可能となるの
であり、また、かかるガラスを構成する成分のうち、Ｓ
ｉＯ2 成分はガラスを作製する上において極めて重要で
あり、ガラス化を容易にするだけではなく、安定なガラ
スを得ることが出来る。In addition, ZnO-B added as an auxiliary component to the main component porcelain composition according to the present invention.
The 2 O 3 —SiO 2 glass is composed of 30 to 85% by weight of zinc oxide (ZnO) and 5 to 50% by weight of boron oxide (B 2
O 3 ) and 2 to 40% by weight of silicon oxide (SiO 2 ). That is, the contents of zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide are k weight% and m weight%, respectively.
And n weight%, the following equation: 30 ≦ k ≦ 8
5,5 ≦ m ≦ 50,2 ≦ n ≦ 40, k + m + n = 100
It is necessary to satisfy. In particular, Z
By adding nO, B 2 O 3 , and SiO 2 as glass, it is possible to effectively lower the sintering temperature, and among the components constituting such glass, S
The iO 2 component is extremely important in producing glass, and not only facilitates vitrification, but also provides stable glass.
【００１９】ところで、ＺｎＯの含有量（ｋ）が３０重
量％未満の場合にあっては、ガラス化が困難となる問題
があり、一方、８５重量％を越えるようになると、ガラ
ス化が困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼
成温度が高くなる問題を惹起する。また、Ｂ2 Ｏ3 の含
有量（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が困難
となると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる
問題があり、一方、５０重量％を越えるようになると、
無負荷Ｑが小さくなる問題を惹起する。更に、ＳｉＯ2
の含有量（ｎ）が４０重量％を越えるようになると、ガ
ラス化が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁
器組成物の焼成温度が高くなる問題を惹起する。また、
このＳｉＯ2 をガラス成分の一つとすることにより、ガ
ラス化が容易となり、以て誘電体磁器組成物の低温焼成
化に有利に寄与し得るのであり、更に無負荷Ｑの向上に
も寄与することが出来る。When the content (k) of ZnO is less than 30% by weight, there is a problem that vitrification becomes difficult. On the other hand, when it exceeds 85% by weight, vitrification becomes difficult. In addition, there arises a problem that the firing temperature of the target dielectric ceramic composition becomes high. If the content (m) of B 2 O 3 is less than 5% by weight, vitrification becomes difficult, and the firing temperature of the dielectric ceramic composition becomes high. When it comes to
This causes a problem that the no-load Q becomes small. Furthermore, SiO 2
When the content (n) exceeds 40% by weight, not only the vitrification becomes difficult, but also the problem that the firing temperature of the target dielectric ceramic composition becomes high is caused. Also,
By making this SiO 2 one of the glass components, vitrification is facilitated, which can advantageously contribute to low-temperature firing of the dielectric ceramic composition, and further contributes to improvement of no-load Q. Can be done.
【００２０】なお、かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有量
（ｋ）が４０〜７５重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４０重量％、ＳｉＯ2 の含有量（ｎ）が５〜３０
重量％である。また、かかる副成分としてのガラスに
は、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得る
が、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに対
して１０重量％までの割合とされるべきである。更に、
この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したものばか
りでなく、実質的にガラス状態となっておれば、相分離
したものであっても、また原料が部分的に残っていたり
或いは部分的に結晶化していたりするものであっても、
同様に使用可能である。Incidentally, such ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
The preferred composition range of the system glass, the content of ZnO (k) is 40 to 75 wt%, the content of B 2 O 3 (m) 10 to 40 wt%, the content of SiO 2 (n) is 5 ~ 30
% By weight. In addition, the glass as such an auxiliary component may be allowed to contain impurities such as various metal oxides, but the content of such impurities is generally limited to a ratio of up to 10% by weight based on the glass. Should. Furthermore,
Used in the present invention ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
As the system glass, not only the whole is uniformly vitrified, but also if it is in a substantially glassy state, even if it is phase-separated, the raw material partially remains or is partially Even if it is crystallized,
It can be used as well.
【００２１】そして、このような組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、副成分として、前記した主成
分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、１８重量部以下の割合において含有せしめられ、以
て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が１０００℃
以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめられ得る
のである。これに対して、かかる副成分としてのガラス
の含有量が、０．１重量部に満たない場合にあっては、
そのような副成分の添加による焼成温度の低下の充分な
効果が得られず、また１８重量部を越えて添加した場合
にあっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくな
り過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。The ZnO-B 2 O having such a composition
3 -SiO 2 based glass, as a sub-component, per 100 parts by weight of the above-mentioned main component ceramic composition, 0.1 parts by weight or more, 18 parts by weight is the additional inclusion in the following ratio, dielectric of interest Te following The firing temperature of the porcelain composition is 1000 ° C.
Hereinafter, the temperature can be lowered preferably to around 900 ° C. On the other hand, when the content of the glass as such an auxiliary component is less than 0.1 part by weight,
A sufficient effect of lowering the sintering temperature by the addition of such sub-components cannot be obtained, and when the addition exceeds 18 parts by weight, the unloaded Q of the obtained dielectric ceramic becomes too small, There is a problem that it becomes impractical.
【００２２】ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として配合
せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの配合に先立って、
前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組
成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備さ
れることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃
以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴な
う誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無
負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃
以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、
本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で
仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０
℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著し
く、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは
１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用される
こととなる。The dielectric porcelain composition according to the present invention is different from the above-mentioned main component porcelain composition in the above-described Z porcelain composition.
Although nO-B 2 O 3 -SiO 2 based glass is manufactured by allowed formulated as a secondary component, serving according subcomponent Z
nO-B 2 O 3 prior to the formulation of -SiO 2 based glass,
The above-mentioned main component porcelain composition is prepared by calcining and pulverizing the raw material composition giving the composition. Then, at the time of calcination, 900 ° C
When the above calcination temperature is employed, a decrease in the calcination temperature of the dielectric ceramic composition, an increase in the relative dielectric constant, and an increase in the no-load Q accompanying the increase in the calcination temperature are recognized. In particular, 1050 ° C
At the above calcination temperature, the effect is remarkable,
In the present invention, calcination is preferably performed at a temperature of 1050 ° C. or more. However, if the calcination temperature is 1350
When the temperature exceeds ℃, the calcined material is extremely hardened after calcination, which causes a problem in handling. Therefore, a calcination temperature of preferably 1100 ° C to 1300 ° C is advantageously employed.
【００２３】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば通常のドクターブレード
法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼粉
砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御する
ことが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒子
径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定される
こととなる。When the calcined material obtained by calcining in this manner is pulverized, the lower the average particle size of the pulverized material, the more the reduction in the firing temperature of the dielectric ceramic composition is promoted, and It is possible to increase the permittivity and the unloaded Q. Therefore, in the present invention, 0.8
The calcined product is pulverized so as to have an average particle size of not more than μm. However, when the average particle diameter of the calcined and pulverized product is smaller than 0.1 μm, the moldability of the obtained dielectric porcelain composition is reduced, for example, since it becomes difficult to form a tape by a normal doctor blade method or the like, It is desirable to control the average particle size of the calcined and pulverized product to about 0.1 to 0.8 μm. In addition, the particle diameter of such a fine pulverized product is generally measured by using a laser diffraction scattering method.
【００２４】[0024]
【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。EXAMPLES Hereinafter, some examples of the present invention will be described to clarify the present invention more specifically. However, the present invention does not impose any restrictions due to the description of such examples. Needless to say, it is not what we receive. In addition, various changes, modifications, improvements, and the like can be made to the present invention based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention, in addition to the examples described below. Should be understood.
【００２５】実施例 １ 高純度の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸
化サマリウム、酸化ランタン、酸化アルミニウム、及び
酸化マンガンを用い、それら成分を、下記表１において
示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，Ａｌ2 Ｏ3 外配量，
ＭｎＯ外配量を与えるように秤量し、それら原料を、ポ
リエチレン製ポットの中に、アルミナ玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物をポットから取り出して乾燥した後、アルミ
ナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で４時間、空気雰囲
気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、
再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共
に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定される
平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行な
い、各種の仮焼粉砕物を得た。Example 1 Using high-purity barium carbonate, titanium oxide, neodymium oxide, samarium oxide, lanthanum oxide, aluminum oxide, and manganese oxide, these components were replaced with various x, y, and z shown in Table 1 below. , RE, external distribution of Al 2 O 3 ,
The materials were weighed so as to give MnO external amounts, and the raw materials were put into a polyethylene pot together with alumina balls, pure water was added, and the mixture was wet-mixed. Then, the obtained mixture was taken out of the pot and dried, then placed in an alumina crucible, and calcined at a temperature of 1250 ° C. for 4 hours in an air atmosphere. Next, the calcined product is crushed,
Again, the zirconia cobblestone was put into a polyethylene pot, and pulverized until the average particle diameter measured using a laser diffraction scattering method became 0.8 μm or less to obtain various calcined pulverized products. Was.
【００２６】一方、高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸
化珪素を用い、それらをＺｎＯ：６３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ：２９重量％、ＳｉＯ2 ：８重量％の比率の組成Ａ、
またはＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、Ｓ
ｉＯ2 ：１０重量％の比率の組成Ｂとなるように秤量
し、それぞれ、ポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉
石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その得
られた各混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水
中に急冷して、ガラス化した。更に、この得られた各ガ
ラスを、アルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投
入し、エタノール中で平均粒子径が４μｍ程度になるま
で粉砕することにより、組成Ａまたは組成Ｂにて表わさ
れるガラスを得た。On the other hand, high-purity zinc oxide, boron oxide and silicon oxide were used, and these were made of ZnO: 63% by weight, B 2 O
3 : Composition A having a ratio of 29% by weight and SiO 2 : 8% by weight,
Or ZnO: 65% by weight, B 2 O 3 : 25% by weight, S
The components were weighed so as to obtain a composition B having a ratio of iO 2 : 10% by weight, and each of them was put into a polyethylene pot together with alumina boulders, followed by dry mixing. Thereafter, each of the obtained mixtures was melted in a chamotte crucible, quenched in water, and vitrified. Further, each of the obtained glasses is put together with an alumina cobblestone into an alumina pot, and crushed in ethanol until the average particle diameter becomes about 4 μm, whereby the glass represented by the composition A or the composition B is obtained. Obtained.
【００２７】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物と、組成ＡまたはＢのガラスの所定量（表１に示され
る量）とを、ジルコニア玉石と共に、ポリエチレン製ポ
ットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合せしめた。
その際、バインダーとしてＰＶＡを１重量％加えた。得
られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を
通して、造粒した。ガラスの添加量は、主成分組成物の
１００重量部に対する割合である。Next, the various calcined and pulverized materials thus obtained and a predetermined amount of the glass of the composition A or B (the amount shown in Table 1) are put into a polyethylene pot together with zirconia cobblestone. Pure water was added and wet mixed.
At that time, 1% by weight of PVA was added as a binder. After the obtained mixture was dried, the mixture was passed through a sieve with openings of 355 μm and granulated. The amount of glass added is the ratio to 100 parts by weight of the main component composition.
【００２８】かくして得られた造粒粉体を、プレス成形
機を用いて、面圧：１ｔ／ｃｍ2 にて成形し、２０ｍｍ
φ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。そし
て、この得られた試験片を、空気中において、９００℃
の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電体磁
器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られたサ
ンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に研磨
し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、比誘
電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器
法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τｆ）
は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波数
は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、下記表１
に示した。The granulated powder thus obtained is molded at a surface pressure of 1 t / cm 2 using a press molding machine,
A disk-shaped test piece having a size of φ × 15 mm t was obtained. Then, the obtained test piece is heated at 900 ° C. in air.
By sintering at a temperature of 2 hours, various dielectric ceramic samples were produced. Furthermore, polishing the sample obtained by this firing to the size of the disc-shaped diameter of 16 mm × 8 mm t, respectively, to measure the dielectric properties. The relative permittivity (εr) and the no-load Q are measured by a parallel conductor plate type dielectric resonator method, and the temperature coefficient of resonance frequency (τf)
Was measured in the range of −25 ° C. to 75 ° C. The measurement frequency was 2 to 4 GHz. The results obtained are shown in Table 1 below.
It was shown to.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】実施例 ２ 実施例１においてＮｏ．１３として得られた仮焼粉砕物
を用い、それと、組成ＢのＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス粉末と、ポリビニルブチラール（外配８重量
部）、可塑剤及び解膠剤の適当量を、ジルコニア玉石と
共に、アルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンと
イソプロピルアルコールの混合溶液を加えて、湿式混合
せしめた。Embodiment 2 In the embodiment 1, no. Using calcined ground product obtained as 13, therewith, of the composition B ZnO-B 2 O 3 -SiO 2
An appropriate amount of the system glass powder, polyvinyl butyral (external 8 parts by weight), a plasticizer and a deflocculant are put into an alumina pot together with zirconia balls, and a mixed solution of toluene and isopropyl alcohol is further added. And wet mixed.
【００３１】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、２０枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、ストリップライン
型フィルタを作製した。かくして得られたストリップラ
イン型フィルタについて、ネットワークアナライザーを
用い、そのフィルタ特性を測定した結果、中心周波数：
９３０ＭＨｚ、挿入損失：２．８ｄＢであった。Next, the mixture was defoamed and formed into a green tape having a thickness of 250 μm by a doctor blade method. Then, a conductive pattern of a 900 MHz band three-stage bandpass filter was printed on the obtained green tape using a printing Ag paste. Next, 20 green tapes were heated at a temperature of 100 so as to sandwich the green tape on which the conductor pattern was printed.
The layers were laminated under conditions of a temperature of 100 ° C. and a pressure of 100 kgf / cm 2 . Then, after cutting the laminate, 900 ° C. in air.
By baking at a temperature of 2 hours, a strip line type filter was produced. Using the network analyzer to measure the filter characteristics of the stripline filter thus obtained, the center frequency:
930 MHz, insertion loss: 2.8 dB.
【００３２】実施例 ３ 実施例１において試料Ｎｏ．１５として調製された主成
分組成物（仮焼粉砕物）を用いる一方、下記表２に示さ
れる組成のガラスＣ〜Ｈを、それぞれ、実施例１と同様
にして調製した。Example 3 In Example 1, the sample No. While using the main component composition (calcined and pulverized product) prepared as No. 15, glasses C to H having the compositions shown in Table 2 below were prepared in the same manner as in Example 1.
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】次いで、それぞれ粉砕された主成分組成物
の１００重量部及び各ガラスの５重量部を、ポリエチレ
ン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、更に純水
を加えて、湿式混合せしめた。そして、実施例１と同様
な造粒操作を施した後、その得られた各種の造粒物か
ら、実施例１と同様にして、サンプルをプレス成形せし
め、更に空気中で、９００℃×２時間焼成して、誘電体
磁器サンプルをそれぞれ作製し、更にその誘電体特性を
評価して、その得られた結果を、下記表３に示した。Next, 100 parts by weight of each of the pulverized main component compositions and 5 parts by weight of each glass were put into a polyethylene pot together with alumina boulders, and pure water was further added thereto, followed by wet mixing. Then, after performing the same granulation operation as in Example 1, a sample was press-molded from the obtained various granules in the same manner as in Example 1, and further, in air at 900 ° C. × 2. After firing for hours, dielectric ceramic samples were prepared, and their dielectric properties were evaluated. The obtained results are shown in Table 3 below.
【００３５】[0035]
【表３】 [Table 3]
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ2 Ｏ
3 ）を主成分とし、それら各成分が、それぞれ特定量に
おいて含有せしめられていると共に、副成分として、特
定組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの所定量
が含有せしめられていることにより、９６２℃（Ａｇの
融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼
成温度で焼結が可能であり、これによって、導通抵抗の
低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導
体として有するストリップライン型フィルタ等の誘電体
フィルタを有利に製造し得ることとなったのであり、し
かも得られる誘電体磁器は、実用的な比誘電率を有しつ
つ、無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小
さい特徴を備えているのである。As is apparent from the above description, the dielectric porcelain composition according to the present invention comprises barium oxide (BaO),
Titanium oxide (TiO 2 ), rare earth oxide (RE 2 O
3) as a main component, they each component, together are the additional inclusion in the respective specific amounts, as a secondary component, a predetermined amount of ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based glass having a specific composition are the additional inclusion Accordingly, sintering can be performed at a firing temperature of 962 ° C. (the melting point of Ag) or lower, preferably at a firing temperature of about 900 ° C., whereby Ag alone having a low conduction resistance or an alloy material containing Ag as a main component can be obtained. Can be advantageously manufactured as a dielectric filter such as a stripline type filter having an inner layer conductor, and the obtained dielectric porcelain has a practical relative dielectric constant and an unloaded Q. And the temperature coefficient of the resonance frequency is small.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−278417（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−290358（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−124306（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/46 H01B 3/02 H01B 3/12────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-278417 (JP, A) JP-A-3-290358 (JP, A) JP-A-60-124306 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) C04B 35/46 H01B 3/02 H01B 3/12
Claims (5)
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物を主成分とし、該主成
分組成物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重量
％）ＺｎＯ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）Ｓｉ
Ｏ2 （但し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦
４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、
０．１〜１８重量部の割合において含有せしめてなるこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。1. General formula: xBaO.yTiO 2 .zRE
2 O 3 (where RE represents a rare earth metal), and x, y, and z in the general formula represent the following formulas: 0.10 ≦ x ≦ 0.20, 0.60, respectively. ≦ y ≦ 0.7
5, 0.10 ≦ z ≦ 0.25, and x + y + z = 1, the composition comprising barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide as a main component, and 100% by weight of the main component composition Parts by weight, the general formula: k (% by weight) ZnO · m (% by weight) B 2 O 3 .n (% by weight) Si
O 2 (however, 30 ≦ k ≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50, 2 ≦ n ≦
40, k + m + n = 100)
The O-B 2 O 3 -SiO 2 based glass, as a sub-component,
A dielectric ceramic composition for low-temperature firing, characterized in that it is contained in a proportion of 0.1 to 18 parts by weight.
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物の１００重量部に対し
て、２．５重量部までの酸化アルミニウムを添加せしめ
てなるものを、主成分組成物とし、該主成分組成物の１
００重量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ
（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３
０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋
ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量
部の割合において含有せしめてなることを特徴とする低
温焼成用誘電体磁器組成物。2. General formula: xBaO.yTiO 2 .zRE
2 O 3 (where RE represents a rare earth metal), and x, y, and z in the general formula represent the following formulas: 0.10 ≦ x ≦ 0.20, 0.60, respectively. ≦ y ≦ 0.7
2.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the composition comprising barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide configured to satisfy 5, 0.10 ≦ z ≦ 0.25 and x + y + z = 1 The main component composition is obtained by adding aluminum oxide up to
With respect to 00 parts by weight, the general formula: k (% by weight) ZnO · m
(% By weight) B 2 O 3 .n (% by weight) SiO 2 (however,
0 ≦ k ≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50, 2 ≦ n ≦ 40, k + m +
n = 100) ZnO—B 2 O 3 −
A dielectric ceramic composition for low-temperature sintering, characterized in that an SiO 2 -based glass is contained as a sub-component in a ratio of 0.1 to 18 parts by weight.
2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）にて表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ及びｚが、それぞれ、次
式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５，０．１０≦ｚ≦０．２５，及びｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満
足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及
び酸化レアアースからなる組成物の１００重量部に対し
て、３．０重量部までの酸化マンガンを添加せしめてな
るものを、主成分組成物とし、該主成分組成物の１００
重量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重
量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦
ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝
１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスを、副成分として、０．１〜１８重量部の
割合において含有せしめてなることを特徴とする低温焼
成用誘電体磁器組成物。3. General formula: xBaO.yTiO 2 .zRE
2 O 3 (where RE represents a rare earth metal), and x, y, and z in the general formula represent the following formulas: 0.10 ≦ x ≦ 0.20, 0.60, respectively. ≦ y ≦ 0.7
3.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the composition comprising barium oxide, titanium oxide and rare earth oxide, which is configured to satisfy 5, 0.10 ≦ z ≦ 0.25 and x + y + z = 1. The main component composition was obtained by adding manganese oxide up to 100%.
With respect to parts by weight, a general formula: k (% by weight) ZnO · m (% by weight) B 2 O 3 .n (% by weight) SiO 2 (where 30 ≦
k ≦ 85, 5 ≦ m ≦ 50, 2 ≦ n ≦ 40, k + m + n =
100) ZnO—B 2 O 3 —Si having a composition represented by
A dielectric ceramic composition for low-temperature firing, characterized in that an O 2 -based glass is contained as a sub-component in a ratio of 0.1 to 18 parts by weight.
することにより該誘電体磁器内に形成された導体パター
ンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルターにおいて、かかる誘電体磁器を、前記請求
項１乃至３の何れかに記載の誘電体磁器組成物を焼成し
て得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パタ
ーンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料
にて形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該
共振器よりなる誘電体フィルター。4. A dielectric resonator having a dielectric pattern and a conductor pattern formed in the dielectric ceramic by co-firing with the dielectric ceramic, or a dielectric filter comprising the resonator. The body porcelain is composed of a dielectric porcelain obtained by firing the dielectric porcelain composition according to any one of claims 1 to 3, while the conductor pattern is composed of Ag alone or Ag as a main component. A dielectric resonator formed of an alloy material or a dielectric filter comprising the resonator.
れた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前
記誘電体磁器を与える、前記請求項１乃至３の何れかに
記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその仮
焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しくは
Ａｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を設
け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製造
方法。5. When manufacturing a dielectric resonator having a dielectric porcelain and a conductor pattern provided in the dielectric porcelain or a dielectric filter including the resonator, the dielectric porcelain is provided. A conductor layer made of Ag alone or an alloy material containing Ag as a main component, which gives the conductor pattern to a molded body made of the dielectric ceramic composition according to claim 1 or a calcined product thereof. And a method for producing a dielectric resonator or a dielectric filter comprising the resonator.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276594A JP2781500B2 (en) | 1992-03-18 | 1992-09-21 | Dielectric ceramic composition for low temperature firing |
| US07/948,585 US5264403A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-23 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| EP92308814A EP0534802B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silica glass, method of preparation and use thereof as resonator and filter |
| DE69212097T DE69212097T2 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silicon oxide glass, process for their production and their use as a resonator and filter |
| US08/102,059 US5304521A (en) | 1991-09-27 | 1993-08-04 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/181,423 US5350721A (en) | 1991-09-27 | 1994-01-14 | Dielectric ceramic composition containing ZNO-B203-SI02 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/251,567 US5488019A (en) | 1991-09-27 | 1994-05-31 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,926 US5479140A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,927 US5485132A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,937 US5493262A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9218292 | 1992-03-18 | ||
| JP4-92182 | 1992-03-18 | ||
| JP4276594A JP2781500B2 (en) | 1992-03-18 | 1992-09-21 | Dielectric ceramic composition for low temperature firing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05319920A JPH05319920A (en) | 1993-12-03 |
| JP2781500B2 true JP2781500B2 (en) | 1998-07-30 |
Family
ID=14047298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276594A Expired - Lifetime JP2781500B2 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | Dielectric ceramic composition for low temperature firing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781500B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4108836B2 (en) | 1998-07-15 | 2008-06-25 | Ｔｄｋ株式会社 | Dielectric porcelain composition |
| DE19841487C2 (en) * | 1998-09-10 | 2002-03-14 | Epcos Ag | Reduction-stable ceramic mass and its use |
| DE10043882B4 (en) * | 1999-09-07 | 2009-11-05 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic component |
| JP4837204B2 (en) * | 2001-05-01 | 2011-12-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Dielectric porcelain composition, porcelain capacitor using the same, and manufacturing method thereof |
| JP4907850B2 (en) * | 2003-06-11 | 2012-04-04 | 日本特殊陶業株式会社 | Low-temperature fired dielectric ceramic composition and manufacturing method thereof |
| JP5247561B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-07-24 | 京セラ株式会社 | Dielectric ceramics and dielectric resonator |
| CN112028491A (en) * | 2020-08-11 | 2020-12-04 | 安徽蓝讯新材料科技有限公司 | Linear array image sensor packaging method based on high-temperature co-fired ceramic |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4276594A patent/JP2781500B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05319920A (en) | 1993-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2613722B2 (en) | Method for producing dielectric ceramic composition for low-temperature firing | |
| EP0534802B1 (en) | Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silica glass, method of preparation and use thereof as resonator and filter | |
| JP2781500B2 (en) | Dielectric ceramic composition for low temperature firing | |
| JP2786977B2 (en) | Dielectric porcelain composition for low-temperature firing and method for producing the same | |
| JP2781503B2 (en) | Dielectric porcelain composition for low-temperature firing, dielectric resonator or dielectric filter obtained using the same, and methods for producing them | |
| JP3552878B2 (en) | Method for manufacturing low-temperature sintered dielectric porcelain | |
| JP3002613B2 (en) | Dielectric porcelain composition for producing dielectric resonator or filter for microwave, method for producing the same, dielectric resonator or filter for microwave obtained using the dielectric porcelain composition, and method for producing the same | |
| JP2781501B2 (en) | Dielectric ceramic composition for low temperature firing | |
| KR100401943B1 (en) | Dielectric Ceramic Compositions and Manufacturing Method using the same compositions | |
| JP2781502B2 (en) | Dielectric porcelain composition for low-temperature firing, dielectric resonator or dielectric filter obtained using the same, and methods for producing them | |
| US6258462B1 (en) | Dielectric ceramic composition and device for communication apparatus using the same | |
| JP2000086337A (en) | Dielectric porcelain composition for low-temperature firing | |
| JP3193157B2 (en) | Dielectric porcelain composition for low-temperature firing, dielectric resonator or dielectric filter obtained using the same, and methods for producing them | |
| JP2000239061A (en) | Dielectric porcelain composition | |
| JP3375450B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
| JP2004026543A (en) | Dielectric porcelain composition and laminated ceramic component using the same | |
| KR100478127B1 (en) | Dielectric Ceramic Composition | |
| KR20040106235A (en) | Dielectric material and method of producing the same | |
| JPH11228216A (en) | Dielectric ceramic composition and device for communication instrument produced by using composition | |
| JP3839868B2 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic component | |
| JP4174668B2 (en) | DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, DIELECTRIC CERAMIC USING THE SAME, AND MULTILAYER CERAMIC COMPONENT | |
| JP3074194B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
| JP4235896B2 (en) | DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, DIELECTRIC CERAMIC USING THE SAME, AND MULTILAYER CERAMIC COMPONENT | |
| EP0869514A1 (en) | A method for manufacturing a dielectric ceramic composition, dielectric ceramic and multilayer high frequency device | |
| USRE38491E1 (en) | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080515 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100515 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100515 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110515 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 15 |