JP2762813B2 - 半導体チップの接続方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相対峙する電極を導電
粒子を介して電気的に接続すると共に、接着固定するの
に使用される接続部材を用いた半導体チップの接続方法
に関する。
粒子を介して電気的に接続すると共に、接着固定するの
に使用される接続部材を用いた半導体チップの接続方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、チップコンデンサ等の半
導体チップの電極を、ガラスや合成樹脂及び金属等より
なる基板の表面に所定回路を形成してなる基板回路上に
直接接続する方法、あるいはこれら基板回路同士の接続
などの、いわゆる高密度電極の接続方法として、これら
の相対峙する電極（もしくは回路）間に接着剤を主成分
とする接続部材を介して接続する方法が知られている。
この接続部材としては、絶縁性接着剤中にカーボン、ニ
ッケル、半田及び表面に導電層を形成したプラスチック
粒子などの導電粒子を混入した異方導電性接着剤を用い
て、加圧により厚み方向に電気的接続を得る場合が代表
的である。この場合、導電粒子を用いた接着剤による接
続方式は、電気的接続の信頼性向上の為に、電極上の粒
子数を増加させると、隣接電極間にも粒子が高密度な状
態で存在してしまい絶縁性が不充分となったり、リーク
やショートを発生するなど絶縁性の保持に問題を生じて
しまう。逆に粒子数を減少すると、電極上の粒子数が不
充分となり接続信頼性が低下する。この相反する傾向
は、接続時の加熱加圧などにより、導電粒子が接着剤と
共に電極上から流出する現象により更に助長され、例え
ばピッチ９０μｍ以下といった高密度な接続に対応する
ことが困難な状況となってきた。そこで、上記接着剤方
式のあい路打開を目的に、最近例えば特開昭６３−２７
６２３７号公報や特開昭６３−２８９８２４号公報など
に見られるように、突出電極上のみに導電性接着剤を形
成して基板回路と接続する試みや、導電性を付与させた
い部分のみに導電粒子を配置させた導電粒子偏在型異方
導電性接着フィルムによる試みがなされるようになって
きた。
導体チップの電極を、ガラスや合成樹脂及び金属等より
なる基板の表面に所定回路を形成してなる基板回路上に
直接接続する方法、あるいはこれら基板回路同士の接続
などの、いわゆる高密度電極の接続方法として、これら
の相対峙する電極（もしくは回路）間に接着剤を主成分
とする接続部材を介して接続する方法が知られている。
この接続部材としては、絶縁性接着剤中にカーボン、ニ
ッケル、半田及び表面に導電層を形成したプラスチック
粒子などの導電粒子を混入した異方導電性接着剤を用い
て、加圧により厚み方向に電気的接続を得る場合が代表
的である。この場合、導電粒子を用いた接着剤による接
続方式は、電気的接続の信頼性向上の為に、電極上の粒
子数を増加させると、隣接電極間にも粒子が高密度な状
態で存在してしまい絶縁性が不充分となったり、リーク
やショートを発生するなど絶縁性の保持に問題を生じて
しまう。逆に粒子数を減少すると、電極上の粒子数が不
充分となり接続信頼性が低下する。この相反する傾向
は、接続時の加熱加圧などにより、導電粒子が接着剤と
共に電極上から流出する現象により更に助長され、例え
ばピッチ９０μｍ以下といった高密度な接続に対応する
ことが困難な状況となってきた。そこで、上記接着剤方
式のあい路打開を目的に、最近例えば特開昭６３−２７
６２３７号公報や特開昭６３−２８９８２４号公報など
に見られるように、突出電極上のみに導電性接着剤を形
成して基板回路と接続する試みや、導電性を付与させた
い部分のみに導電粒子を配置させた導電粒子偏在型異方
導電性接着フィルムによる試みがなされるようになって
きた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開昭６３−２７６２
３７号公報や特開昭６３−２８９８２４号公報などの方
法においても、接着剤層の厚みが厚過ぎる場合には接着
剤の流量が多くなる為、導電粒子は電極上から流出して
導通不良を起こしやすくなる。また厚みが薄い場合で
も、接続後には電極部分の接続厚みが最も小さくなるの
で、接続過程の接着剤の流動はこの部分が最も大きくな
り、電極部に配置された導電粒子の一部はその周囲へ押
し出され、電極間に滞留した導電粒子によって短絡が発
生する危険性があった。本発明の目的は、微小面積接続
の信頼性と電極間絶縁性に優れた高密度電極の接続が合
わせて可能である導電粒子偏在型異方導電性接着フィル
ムを用いた半導体チップの接続方法を提供するにある。
３７号公報や特開昭６３−２８９８２４号公報などの方
法においても、接着剤層の厚みが厚過ぎる場合には接着
剤の流量が多くなる為、導電粒子は電極上から流出して
導通不良を起こしやすくなる。また厚みが薄い場合で
も、接続後には電極部分の接続厚みが最も小さくなるの
で、接続過程の接着剤の流動はこの部分が最も大きくな
り、電極部に配置された導電粒子の一部はその周囲へ押
し出され、電極間に滞留した導電粒子によって短絡が発
生する危険性があった。本発明の目的は、微小面積接続
の信頼性と電極間絶縁性に優れた高密度電極の接続が合
わせて可能である導電粒子偏在型異方導電性接着フィル
ムを用いた半導体チップの接続方法を提供するにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
の突出電極と基板回路の間に、加圧変形性の導電粒子を
介在させてなる半導体チップの接続方式において、前記
半導体チップの突出電極形成面と基板回路間に、厚みが
突出電極の平均高さと導電粒子の平均粒径と回路電極の
高さとの和以下であって、接続後の突出電極、導電粒
子、回路電極それぞれの平均高さの和以上の厚みを有す
る絶縁性接着剤を介在させ、半導体チップと基板回路を
加熱加圧し、突出電極部周辺に存在する導電粒子を半導
体チップの周縁に押しやり、隣接電極間の絶縁性を保持
することを特長とする。
の突出電極と基板回路の間に、加圧変形性の導電粒子を
介在させてなる半導体チップの接続方式において、前記
半導体チップの突出電極形成面と基板回路間に、厚みが
突出電極の平均高さと導電粒子の平均粒径と回路電極の
高さとの和以下であって、接続後の突出電極、導電粒
子、回路電極それぞれの平均高さの和以上の厚みを有す
る絶縁性接着剤を介在させ、半導体チップと基板回路を
加熱加圧し、突出電極部周辺に存在する導電粒子を半導
体チップの周縁に押しやり、隣接電極間の絶縁性を保持
することを特長とする。
【０００５】本発明に用いる加圧変形性粒子とは、加圧
もしくは加熱加圧下で変形可能である粒子であり、例え
ばポリスチレン等のプラスチック粒子の表面に金属層を
形成したものや、半田のように加熱溶融性の金属粒子が
適用できる。また絶縁性接着剤としては、例えば接着シ
ート等に用いられる熱可塑性材料、熱や光により硬化性
を示す材料が広く適用できる。接続後の耐熱性や耐湿性
に優れることから硬化性材料の適用が好ましい。中で
も、エポキシ系接着剤は短時間硬化が可能で接続作業性
が良く、分子構造上接着性に優れるなどの理由からより
好ましく適用できる。
もしくは加熱加圧下で変形可能である粒子であり、例え
ばポリスチレン等のプラスチック粒子の表面に金属層を
形成したものや、半田のように加熱溶融性の金属粒子が
適用できる。また絶縁性接着剤としては、例えば接着シ
ート等に用いられる熱可塑性材料、熱や光により硬化性
を示す材料が広く適用できる。接続後の耐熱性や耐湿性
に優れることから硬化性材料の適用が好ましい。中で
も、エポキシ系接着剤は短時間硬化が可能で接続作業性
が良く、分子構造上接着性に優れるなどの理由からより
好ましく適用できる。
【０００６】導電粒子偏在型異方導電性接着フィルムを
用いた半導体チップと回路基板との接続例を以下図面に
より説明する。図１，図２、図３は接続の各段階の様子
を示す。各段階には半導体チップ側を上面とする上面図
と、各上面図中Ｘ−Ｘ′、Ｙ−Ｙ′、Ｚ−Ｚ′における
断面図を示した。なお、各上面図は半導体チップの突出
電極と導電粒子の様子が見えるように、半導体チップを
透過させて描いた。図１は導電粒子と絶縁性接着剤層を
介して突出電極と回路電極の位置合わせが行われた状態
を示している。この時、導電粒子はあらかじめ突出電極
表面または回路電極表面に接着固定しておくか、接着剤
層の電極接触部分に粒子を配置する等の方法により、突
出電極と回路電極の間のみに偏在させておく。図２は、
これらを加圧して突出電極と回路電極が導電粒子を介し
て電気的に接続された状態を示している。その際、突出
電極と回路電極によって圧縮された接着剤はその周囲へ
流動し、それに伴って導電粒子の一部も電極の周囲へ分
散する。電極部に残った導電粒子は突出電極と回路電極
に挟まれて回路を接続するが、周囲に分散した導電粒子
は粒子同士が接触して回路を短絡させる危険性がある。
図３は図２の状態を更に加圧した状態である。加圧によ
り突出電極と回路電極に挟まれていた加圧変形性の導電
粒子はつぶされ、それによって半導体チップと回路の隙
間は更に小さくなり、接着剤は回路基板と半導体チップ
裏面全面により圧縮される。すると半導体チップ中央部
から周辺部への接着剤の流れが生じ、この流れによって
突出電極間に停留していた余分な導電粒子は外部へ一掃
され、その結果回路の短絡は防がれる。この状態で加熱
または光照射等を行い、接着剤を硬化固定することによ
り、信頼性の高い接続が可能となる。
用いた半導体チップと回路基板との接続例を以下図面に
より説明する。図１，図２、図３は接続の各段階の様子
を示す。各段階には半導体チップ側を上面とする上面図
と、各上面図中Ｘ−Ｘ′、Ｙ−Ｙ′、Ｚ−Ｚ′における
断面図を示した。なお、各上面図は半導体チップの突出
電極と導電粒子の様子が見えるように、半導体チップを
透過させて描いた。図１は導電粒子と絶縁性接着剤層を
介して突出電極と回路電極の位置合わせが行われた状態
を示している。この時、導電粒子はあらかじめ突出電極
表面または回路電極表面に接着固定しておくか、接着剤
層の電極接触部分に粒子を配置する等の方法により、突
出電極と回路電極の間のみに偏在させておく。図２は、
これらを加圧して突出電極と回路電極が導電粒子を介し
て電気的に接続された状態を示している。その際、突出
電極と回路電極によって圧縮された接着剤はその周囲へ
流動し、それに伴って導電粒子の一部も電極の周囲へ分
散する。電極部に残った導電粒子は突出電極と回路電極
に挟まれて回路を接続するが、周囲に分散した導電粒子
は粒子同士が接触して回路を短絡させる危険性がある。
図３は図２の状態を更に加圧した状態である。加圧によ
り突出電極と回路電極に挟まれていた加圧変形性の導電
粒子はつぶされ、それによって半導体チップと回路の隙
間は更に小さくなり、接着剤は回路基板と半導体チップ
裏面全面により圧縮される。すると半導体チップ中央部
から周辺部への接着剤の流れが生じ、この流れによって
突出電極間に停留していた余分な導電粒子は外部へ一掃
され、その結果回路の短絡は防がれる。この状態で加熱
または光照射等を行い、接着剤を硬化固定することによ
り、信頼性の高い接続が可能となる。
【０００７】本発明は、まず第一に加圧変形性の導電粒
子を使用すること、第二に接続前の接着剤層を適切な厚
みにしておくことが必要である。即ち、接着剤層が適正
厚みよりも厚い場合には図１段階の粒子固定が行われる
前に接着剤の流動が起こり、図３段階の導電粒子排除過
程に移行するので、電極部には導電粒子がほとんど残ら
ない。このような状態で接続された回路はオープンにな
り易い。導電粒子を電極に固定するには接着剤層厚みが
半導体チップの突出電極高さ、導電粒子直径、回路電極
高さの３つの和よりも薄いことが必要である。一方、接
着剤層が薄過ぎる場合には接着剤層の流動が起こらずに
図２段階で接続が終了するので、突出電極間で短絡を生
じる危険性が高い。図３段階の導電粒子排除過程を行う
ためには接着剤層厚みが突出電極高さ、つぶれた導電粒
子の厚み、回路電極高さの３つの和よりも厚いことが必
要である。
子を使用すること、第二に接続前の接着剤層を適切な厚
みにしておくことが必要である。即ち、接着剤層が適正
厚みよりも厚い場合には図１段階の粒子固定が行われる
前に接着剤の流動が起こり、図３段階の導電粒子排除過
程に移行するので、電極部には導電粒子がほとんど残ら
ない。このような状態で接続された回路はオープンにな
り易い。導電粒子を電極に固定するには接着剤層厚みが
半導体チップの突出電極高さ、導電粒子直径、回路電極
高さの３つの和よりも薄いことが必要である。一方、接
着剤層が薄過ぎる場合には接着剤層の流動が起こらずに
図２段階で接続が終了するので、突出電極間で短絡を生
じる危険性が高い。図３段階の導電粒子排除過程を行う
ためには接着剤層厚みが突出電極高さ、つぶれた導電粒
子の厚み、回路電極高さの３つの和よりも厚いことが必
要である。
【０００８】以上のように接着剤層の厚みを上記の二つ
条件の共通部分に設定することにより信頼性の高い接続
を容易に行うことができる。ところで、図３段階は図２
段階を更に加圧することで接着剤を半導体チップ中央部
から周辺部へ向かって流動させるものであるが、導電粒
子が加圧変形性であることがこれを可能にしている。従
って導電粒子の粒径とその変形の度合いによって接着剤
の流量が決まってしまい、流動を増加させるには粒径を
大きくすること、加熱等により粒子の変形の度合いを大
きくするといった手段を講じなければならないが、ファ
インピッチでの接続を行う上では粒径を大きくすること
は不可能である。そこで加圧変形性の導電粒子を使用す
ると共に、半導体チップの突出電極も加圧変形性である
ことがより望ましい。突出電極については、粒子の排除
が円滑に行われるように高さは導電粒子直径よりも大き
いことが望ましく、また配置については半導体チップの
周囲に並んでいることが好ましい。本発明の隣接電極間
の接続後の絶縁性は、半導体チップの機能が正常に発揮
されれば良いが、１０5 Ω以上であることが好ましい。
条件の共通部分に設定することにより信頼性の高い接続
を容易に行うことができる。ところで、図３段階は図２
段階を更に加圧することで接着剤を半導体チップ中央部
から周辺部へ向かって流動させるものであるが、導電粒
子が加圧変形性であることがこれを可能にしている。従
って導電粒子の粒径とその変形の度合いによって接着剤
の流量が決まってしまい、流動を増加させるには粒径を
大きくすること、加熱等により粒子の変形の度合いを大
きくするといった手段を講じなければならないが、ファ
インピッチでの接続を行う上では粒径を大きくすること
は不可能である。そこで加圧変形性の導電粒子を使用す
ると共に、半導体チップの突出電極も加圧変形性である
ことがより望ましい。突出電極については、粒子の排除
が円滑に行われるように高さは導電粒子直径よりも大き
いことが望ましく、また配置については半導体チップの
周囲に並んでいることが好ましい。本発明の隣接電極間
の接続後の絶縁性は、半導体チップの機能が正常に発揮
されれば良いが、１０5 Ω以上であることが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明によれば、加圧変形性の導電粒子を用い
ることにより、突出電極と回路電極間において接続時の
加熱加圧により、導電粒子は電極間で変形して保持さ
れ、電極外への流出が少なく有効な電気的接続が得られ
る。この時、接着剤の厚みを適正化することで、突出電
極部以外に存在する導電粒子を、接続時の加熱加圧によ
り半導体チップの中心点から外部方向に向かう接着剤の
流動によってチップの周縁部に移動させる。チップの周
縁部は、隣接電極間に比べ大面積であることから隣接電
極間での絶縁性の保持が可能となる。本発明は上記した
ように、回路の電気的接続に関与する導電粒子は必要部
に残したままで、余分な導電粒子は外部へ排除されるの
で、突出電極間での短絡を防止し、高密度電極の接続信
頼性を向上させることができる。この導電粒子排除工程
は回路接続工程と同時に行われ、その際、既存の接続装
置の他に特別な器具や装置を必要としないので、微細回
路の接続に関して極めて簡便かつ有効な方法である。
ることにより、突出電極と回路電極間において接続時の
加熱加圧により、導電粒子は電極間で変形して保持さ
れ、電極外への流出が少なく有効な電気的接続が得られ
る。この時、接着剤の厚みを適正化することで、突出電
極部以外に存在する導電粒子を、接続時の加熱加圧によ
り半導体チップの中心点から外部方向に向かう接着剤の
流動によってチップの周縁部に移動させる。チップの周
縁部は、隣接電極間に比べ大面積であることから隣接電
極間での絶縁性の保持が可能となる。本発明は上記した
ように、回路の電気的接続に関与する導電粒子は必要部
に残したままで、余分な導電粒子は外部へ排除されるの
で、突出電極間での短絡を防止し、高密度電極の接続信
頼性を向上させることができる。この導電粒子排除工程
は回路接続工程と同時に行われ、その際、既存の接続装
置の他に特別な器具や装置を必要としないので、微細回
路の接続に関して極めて簡便かつ有効な方法である。
【００１０】
【実施例】図１の断面図中で、半導体チップの突出電極
は先端部面積が１００μｍ角、高さが２５μｍ、間隔３
０μｍで並んでおり、回路電極の高さは０．２μｍ、導
電粒子粒径が１０μｍ、図３の断面図中の回路接続後の
つぶれた導電粒子の厚さが２μｍ、突出電極高さが２２
μｍ、回路電極高さが０．２μｍである時、表１に示し
た厚みの粒子偏在型異方導電性接着フィルムを用いた場
合の回路接続例を述べる。なお、半導体チップの突出電
極は金製、導電粒子はポリスチレン核の表面に金めっ
き、回路基板はガラス製で回路および電極には金めっき
が施されている。絶縁性接着剤層には潜在性硬化剤を含
んだエポキシ系接着剤を使用した。
は先端部面積が１００μｍ角、高さが２５μｍ、間隔３
０μｍで並んでおり、回路電極の高さは０．２μｍ、導
電粒子粒径が１０μｍ、図３の断面図中の回路接続後の
つぶれた導電粒子の厚さが２μｍ、突出電極高さが２２
μｍ、回路電極高さが０．２μｍである時、表１に示し
た厚みの粒子偏在型異方導電性接着フィルムを用いた場
合の回路接続例を述べる。なお、半導体チップの突出電
極は金製、導電粒子はポリスチレン核の表面に金めっ
き、回路基板はガラス製で回路および電極には金めっき
が施されている。絶縁性接着剤層には潜在性硬化剤を含
んだエポキシ系接着剤を使用した。
【００１１】
【表１】
【００１２】接続方法について述べる。まず回路基板の
電極と、導電粒子を半導体チップの突出電極の配置に対
応して偏在化した接着フィルムの偏在導電粒子群（−電
極相当部に約７０個の導電粒子が存在）とを位置合わせ
して接着フィルムを回路基板に貼る。接着フィルムはテ
フロンなどの離型性基材上に形成されているので、基材
を剥がすために８０℃、１０kg/cm2で５秒間接着フィル
ムを加熱加圧して基材を剥離する。次に図１に示すよう
に半導体チップの突出電極と回路電極を位置合わせし
て、電極１個あたり５０gfになるように加圧しながら１
９０℃で２０秒間加熱して半導体チップを接着固定す
る。表１の実施例１〜３に示した厚みの接着フィルムを
使用して回路を接続した場合の接続抵抗の平均値は１０
〜１２Ω、隣接電極間の絶縁抵抗は１０9 Ω以上であ
り、８５℃−８５％ＲＨ２０００時間後の接続抵抗平均
値は１５〜２２Ωとやや上昇したが、絶縁抵抗は１０9
Ω以上であった。従って実施例１〜３の接着フィルムで
は信頼性の高い回路接続が可能であることがわかった。
実施例１〜３の接続後の−電極上の粒子数はいずれも５
０個以上であった。
電極と、導電粒子を半導体チップの突出電極の配置に対
応して偏在化した接着フィルムの偏在導電粒子群（−電
極相当部に約７０個の導電粒子が存在）とを位置合わせ
して接着フィルムを回路基板に貼る。接着フィルムはテ
フロンなどの離型性基材上に形成されているので、基材
を剥がすために８０℃、１０kg/cm2で５秒間接着フィル
ムを加熱加圧して基材を剥離する。次に図１に示すよう
に半導体チップの突出電極と回路電極を位置合わせし
て、電極１個あたり５０gfになるように加圧しながら１
９０℃で２０秒間加熱して半導体チップを接着固定す
る。表１の実施例１〜３に示した厚みの接着フィルムを
使用して回路を接続した場合の接続抵抗の平均値は１０
〜１２Ω、隣接電極間の絶縁抵抗は１０9 Ω以上であ
り、８５℃−８５％ＲＨ２０００時間後の接続抵抗平均
値は１５〜２２Ωとやや上昇したが、絶縁抵抗は１０9
Ω以上であった。従って実施例１〜３の接着フィルムで
は信頼性の高い回路接続が可能であることがわかった。
実施例１〜３の接続後の−電極上の粒子数はいずれも５
０個以上であった。
【００１３】一方、比較例１に示した厚みの接着フィル
ムを使用して回路を接続した場合の接続抵抗平均値は高
温高湿試験の前後で４Ωしか上昇しておらず良好である
が、絶縁抵抗は１０2 Ωであり、絶縁性がない。その原
因は、接続後の半導体チップの突出電極高さ２２μｍ、
回路電極高さ０．２μｍ、回路接続によって接続電極間
でつぶされた導電粒子の厚み２μｍとの和が２４．２μ
ｍであるのに対し、使用した接着フィルムの厚みが１８
μｍしかないために、半導体チップの突出電極部以外で
接着剤層を加圧することが出来ず、図３に示すような接
着剤の外部への流出に伴う余分な導電粒子が排除されな
かったことにある。そのため隣接電極間には回路接続に
関与しない余分な粒子が互いに接触しうるほど滞留し、
隣接電極間の絶縁性は著しく損なわれると考えられる。
また、比較例２に示した厚みの接着フィルムを使用して
回路接続を行った場合の絶縁抵抗は、１０9 Ω以上と良
好であるが、接続抵抗は１０3 Ωと大きく、高温高湿試
験後の接続抵抗値は大幅に上昇しオープンの状態となっ
た。これは突出電極高さ２５μｍ、回路電極高さ０．２
μｍ、導電粒子粒径１０μｍとの和が３５．２μｍであ
るのに対し、使用した接着フィルムの厚みが４１μｍも
あったので、突出電極と回路電極の間で導電粒子が挟ま
れて固定される前に、接着剤の外部への流出が起こって
電極部の導電粒子も外部へ排除されたために回路の充分
な接続が出来なかったものと考えられる。事実、電極上
の粒子数は０〜５個と実施例に比べ著しく少なかった。
ムを使用して回路を接続した場合の接続抵抗平均値は高
温高湿試験の前後で４Ωしか上昇しておらず良好である
が、絶縁抵抗は１０2 Ωであり、絶縁性がない。その原
因は、接続後の半導体チップの突出電極高さ２２μｍ、
回路電極高さ０．２μｍ、回路接続によって接続電極間
でつぶされた導電粒子の厚み２μｍとの和が２４．２μ
ｍであるのに対し、使用した接着フィルムの厚みが１８
μｍしかないために、半導体チップの突出電極部以外で
接着剤層を加圧することが出来ず、図３に示すような接
着剤の外部への流出に伴う余分な導電粒子が排除されな
かったことにある。そのため隣接電極間には回路接続に
関与しない余分な粒子が互いに接触しうるほど滞留し、
隣接電極間の絶縁性は著しく損なわれると考えられる。
また、比較例２に示した厚みの接着フィルムを使用して
回路接続を行った場合の絶縁抵抗は、１０9 Ω以上と良
好であるが、接続抵抗は１０3 Ωと大きく、高温高湿試
験後の接続抵抗値は大幅に上昇しオープンの状態となっ
た。これは突出電極高さ２５μｍ、回路電極高さ０．２
μｍ、導電粒子粒径１０μｍとの和が３５．２μｍであ
るのに対し、使用した接着フィルムの厚みが４１μｍも
あったので、突出電極と回路電極の間で導電粒子が挟ま
れて固定される前に、接着剤の外部への流出が起こって
電極部の導電粒子も外部へ排除されたために回路の充分
な接続が出来なかったものと考えられる。事実、電極上
の粒子数は０〜５個と実施例に比べ著しく少なかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、導電粒子を接続電極に
のみ偏在させた系において信頼性の高い接続を行うこと
が可能になった。また導電粒子を電極部だけでなく、そ
の周辺の広い範囲に配置した系の接続も行うことが可能
なので、接着剤フィルムと電極の位置合わせは著しく容
易に行えるようになった。
のみ偏在させた系において信頼性の高い接続を行うこと
が可能になった。また導電粒子を電極部だけでなく、そ
の周辺の広い範囲に配置した系の接続も行うことが可能
なので、接着剤フィルムと電極の位置合わせは著しく容
易に行えるようになった。
【図１】本発明による接続時の状態を示す上面透過図
（ａ）および断面図（ｂ）である。
（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図２】本発明による接続中の状態を示す上面透過図
（ａ）および断面図（ｂ）である。
（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図３】本発明による接続後の状態を示す上面透過図
（ａ）および断面図（ｂ）である。
（ａ）および断面図（ｂ）である。
１ 半導体チップ ２ 突出電極 ３ 導電粒子 ４ 絶縁性接着剤 ５ 回路電極 ６ 回路基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 共久 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化 成工業株式会社 下館研究所内 (72)発明者 山口 豊 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化 成工業株式会社 下館研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップの突出電極と基板回路の間
に、加圧変形性の導電粒子を介在させてなる半導体チッ
プの接続方式において、前記半導体チップの突出電極形
成面と基板回路間に、厚みが突出電極の平均高さと導電
粒子の平均粒径と回路電極の高さとの和以下であって、
接続後における突出電極、導電粒子、回路電極それぞれ
の平均高さの和以上の厚みを有する絶縁性接着剤を介在
させ、半導体チップと基板回路を加熱加圧し、隣接電極
間の絶縁性を保持することを特徴とする半導体チップの
接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1443692A JP2762813B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体チップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1443692A JP2762813B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体チップの接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206208A JPH05206208A (ja) | 1993-08-13 |
| JP2762813B2 true JP2762813B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=11860970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1443692A Expired - Lifetime JP2762813B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体チップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762813B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0954208A4 (en) | 1996-12-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD AND DEVICE FOR FIXING AN ELECTRONIC COMPONENT ON A CIRCUIT BOARD |
| KR101156177B1 (ko) * | 2010-06-16 | 2012-06-18 | 한국생산기술연구원 | 전도성 입자 수용홈이 형성된 이방 도전성 필름, 전도성 입자 수용홈이 형성된 에폭시 수지를 사용한 플립 칩 접합방법 및 이를 이용한 플립 칩 패키지 |
| JP6398416B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-10-03 | 日立化成株式会社 | 接続構造体の製造方法及び接続構造体 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP1443692A patent/JP2762813B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05206208A (ja) | 1993-08-13 |
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