JP2758803B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
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Description
果トランジスタの結晶構造に関するものである。
利用した電界効果トランジスタが、衛星通信,移動体通
信等の分野で盛んに利用されるようになっている。
で形成するAlGaAs/InGaAs2次元電子ガス
電界効果トランジスタは、例えばケッターソンら(Ke
tterson et al.)によりアイ・イー・イ
ー・イー・エレクトロン・デバイス・レターズ、198
5年,第6巻,628頁(IEEE ELECTRON
DEVICE LETTERS,1985,VOL.
6,P.628)に報告されている。図4にその主たる
構造を示す。この電界効果トランジスタは、半絶縁性G
aAs基板411、アンドープGaAs層412、アン
ドープInGaAs層413、n−AlGaAs層41
4、n−GaAs層415、オーミック電極416,4
17、ゲート電極418により構成されている。
バイスに適した材料である要因としては、電子の低電
界移動度が高い、電子のピーク速度が大きい、電子
速度のより大きなオーバーシュートが期待できる、谷
間散乱に起因する雑音が小さい、AlGaAs/In
GaAsヘテロ界面の伝導帯エネルギー不連続が大きく
量子井戸に電子が多く溜ると同時に量子井戸の外にしみ
出す電子の割合が小さい、などが挙げられる。これらの
要因のために、AlGaAs/GaAsを用いた2次元
電子ガス電界効果トランジスタに比べて、高遮断周波数
特性,高出力特性,低雑音動作等の特性向上が達成され
ている。
利用した2次元電子ガス電界効果トランジスタの研究も
行われている。これについては、例えばチャンら(CH
ANet al.)がアイ・イー・イー・イー・トラン
ザクションズ・オン・エレクトロン・デバイスィズ、1
990年,第37巻,第10号,2141頁(IEEE
TRANSACTIONS ON ELECTRON
DEVICES,1990,VOL.37,NO.1
0,P.2141)に報告している。この報告によれ
ば、この系を用いた電界効果トランジスタでは、特に低
温での直流特性等が優れていることが指摘されている。
用した電界効果トランジスタについては、特開昭62−
252975号公報に記載されている。それによると、
電子供給層として用いられるIn 0.5 (Al x Ga
1−x ) 0.5 PにおいてAlの組成比xが0.3程度
より小さい場合、ドナー準位が比較的浅い位置に形成さ
れるため高濃度のキャリアが蓄積される。またキャリア
の熱的安定性にも優れ、光照射による特性の変化もない
としている。
は、アンドープのInAlGaPとアンドープのGaA
sヘテロ接合面に形成される2次元電子ガスを利用した
電界効果トランジスタが記載されている。この構造で
は、不純物ドープされた層がないにもかかわらず、キャ
リアが十分蓄積されることを基本動作原理としている。
果トランジスタにおいては、ヘテロ界面での伝導帯エネ
ルギー不連続がより大きい程、2次元電子ガスのシート
濃度が増加し、量子井戸での電子の良好な閉じ込め効果
を得ることができる。しかし、伝導帯エネルギー不連続
の値は材料で決まっている。
ヘテロ接合材料の伝導帯エネルギー不連続の値を示して
いる。これらの値はコルチンら(S.W.CORZIN
Eet al.)によるアプライド・フィジックス・レ
ターズ、1990年,第57巻,第26号,2835頁
(APPLIED PHYSICS LETTERS,
1990,VOL.57,NO.26,P.283
5)、渡辺ら(M.O.WATANABE et a
l.)によるアプライド・フィジックス・レターズ、1
987年,第50巻,第14行,906頁(APPLI
ED PHYSICS LETTERS,1987,V
OL.50,NO.14,P.906)の報告に基づ
く。
値は、従来の系の中で大きい値が得られるAl0.2 Ga
0.8 As/In0.2 Ga0.8 Asにおいても0.28e
Vであり、さらに伝導帯エネルギー不連続が大きいヘテ
ロ接合材料が望まれている。
の大きいヘテロ接合を有する電界効果トランジスタを提
供することにある。
ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供することにあ
る。
As基板上に、電子親和力の大きい第1の半導体層と、
この第1の半導体層に比べて電子親和力が小さい第2の
半導体層が、この順に積層された電界効果トランジスタ
において、前記第1の半導体層がInGaAsで形成さ
れており、前記第1の半導体層の少なくとも一部分がn
型に不純物ドープされており、かつ前記第2の半導体層
がn型に不純物ドープされたInAlGaPで形成され
ていることを特徴とする電界効果トランジスタである。
As層の間に、InGaAsよりも電子親和力が小さ
く、かつn型に不純物ドープされた半導体層が設けられ
たことを特徴とする。
に、電子親和力の大きい第1の半導体層と、この第1の
半導体層に比べて電子親和力が小さい第2の半導体層
が、この順に積層された電界効果トランジスタにおい
て、前記第1の半導体層がアンドープのInGaAsで
形成され、かつ前記第2の半導体層がn型に不純物ドー
プされたInAlGaPで形成され、GaAs基板とI
nGaAs層の間に、InGaAsよりも電子親和力が
小さく、かつn型に不純物ドープされた半導体層が設け
られたことを特徴とする。
ける伝導帯エネルギー不連続の値は、GaAs基板上に
作られる従来の系の伝導帯エネルギー不連続の値に比較
して大きい。表1においてAl0.2 Ga0.8 As/Ga
AsとAl0.2 Ga0.8As/In0.2 Ga0.8 Asの
伝導帯エネルギー不連続の差は0.13eVである。こ
れをIn0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P/GaAsの
伝導帯エネルギー不連続の値に加えることにより、In
0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P/In0.2 Ga0.8 A
sの伝導帯エネルギー不連続の値を求めると0.41e
Vとなる。
の増加により、従来に比べ2次元電子ガスの良好な閉じ
込め効果と、より高いキャリア濃度が期待できる。また
デバイスの性能の面からみれば、相互コンダクタンス,
遮断周波数,最大出力電流などの特性向上が期待でき
る。
発明の特徴である高キャリア濃度を最大限に生かすた
め、チャネル層の少なくとも一部分をn型に不純物ドー
プしたものである。その結果、相互コンダクタンス、最
大出力電流の改善が期待できる。
本発明の特徴である高キャリア濃度を最大限に生かすた
め、チャネル層の両側にInAlGaP電子供給層を設
けているので、最大出力電流等の改善が期待できる。
に説明する。
連する参考例を表す要部断面図を示す。
ドープGaAs層112が200nmの厚さで、アンド
ープのIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層113が15n
mの厚さで、2×1018cm-3の濃度にn型にSiドー
プされたIn0.5 (Al0.3Ga0.7 )0.5 P電子供給
層114が30nmの厚さで、2×1018cm-3の濃度
にn型にSiドープされたGaAsキャップ層115が
60nmの厚さで、それぞれ有機金属化学堆積法(MO
CVD)により順次結晶成長され、前記n型キャップ層
上にソース電極116,ドレイン電極117が、AuG
eとNiの蒸着およびそれに続く熱処理アロイ工程によ
り形成されており、このオーミック電極間に前記n型に
ドープされたIn0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P電子
供給層114の途中までエッチング除去されたリセス内
部にTiとPtとAuにより形成されるショットキーゲ
ート電極118が形成されている。ゲート長は0.5μ
mである。
ンドープIn0.2 Ga0.8 As層113に形成される
量子井戸に2次元電子ガスが溜り、この電子をキャリア
として動作する。
性として、最大相互コンダクタンス360mS/mm、
遮断周波数38GHz、最大出力電流330mA/mm
が得られている。これは図4の従来例における電界効果
トランジスタで得られた最大相互コンダクタンス300
mS/mmおよび遮断周波数29GHz,最大出力電流
290mA/mmに比べて優れた特性が得られている。
構造の例を表す要部断面図を示す。
ドープGaAs層212が200nmの厚さで、アンド
ープのIn0.2 Ga0.8 Asチャネル層213が15n
mの厚さであり、このアンドープInGaAsチャネル
層中に面密度5×1012cm-2で基板方向から10nm
の位置にn型不純物Siがプレーナードープされており
(214)、2×1018cm-3の濃度にn型にSiドー
プされたIn0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P電子供給
層215が30nmの厚さで、2×1018cm-3の濃度
にn型にSiドープされたGaAsキャップ層216が
60nmの厚さで、それぞれ有機金属化学堆積法(MO
CVD)により順次結晶成長され、前記n型キャップ層
上にソース電極217,ドレイン電極218が、AuG
eとNiの蒸着およびそれに続く熱処理アロイ工程によ
り形成されており、このオーミック電極間に前記n型に
ドープされたIn0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P電子
供給層215の途中までエッチング除去されたリセス内
部にTiとPtとAuにより形成されるショットキーゲ
ート電極219が形成されている。ゲート長は0.5μ
mである。
は、アンドープIn0.2 Ga0.8 As層213に形成さ
れる量子井戸に2次元電子ガスが溜り、この電子をキャ
リアとして動作する。
性として、最大相互コンダクタンス400mS/mm、
遮断周波数30GHz、最大出力電流480mA/mm
が得られている。これは図4の従来例における電界効果
トランジスタに比べて、特に最大相互コンダクタンスと
最大出力電流が優れている。
構造の他の例を表す要部断面図を示す。
ドープGaAs層312が200nmの厚さで、2×1
018cm-3の濃度にn型にSiドープされた第1のIn
0.5(Al0.3 Ga0.7 )0.5 P電子供給層313が5
nmの厚さで、アンドープのIn0.2 Ga0.8 Asチャ
ネル層314が15nmの厚さで、2×1018cm-3の
濃度にn型にSiドープされた第2のIn0.5 (Al
0.3 Ga0.7 )0.5 P電子供給層315sが30nmの
厚さで、2×1018cm-3の濃度にn型にSiドープさ
れたGaAsキャップ層316が60nmの厚さで、そ
れぞれ有機金属化学堆積法(MOCVD)により順次結
晶成長され、前記n型キャップ層上にソース電極31
7,ドレイン電極318が、AuGeとNiの蒸着およ
びそれに続く熱処理アロイ工程により形成されており、
このオーミック電極間に前記n型にドープされたIn
0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5 P電子供給層315の途
中までエッチング除去されたリセス内部にTiとPtと
Auにより形成されるショットキーゲート電極319が
形成されている。ゲート長は0.5μmである。
は、アンドープIn0.2 Ga0.8 As層314に形成さ
れる量子井戸に2次元電子ガスが溜り、この電子をキャ
リアとして動作する。
性として、最大相互コンダクタンス310mS/mm、
遮断周波数36GHz、最大出力電流410mA/mm
が得られている。これらの特性は図4の従来例における
電界効果トランジスタに比べ優れている。
び従来例の最大相互コンダクタンス、遮断周波数および
最大出力電流の値を示す表である。
子構造とその特性を示したが、構造,材料,数字等はこ
こで示したものに限られない。例えばゲート電極を用い
る金属として使用できるものはTi/Pt/Auに限ら
ずショットキー接合を形成するものであれば良く、この
金属組成が本発明の本質的な効果に変化をもたらせるも
のではない。また、各層の厚さは、必ずしもここに例と
して示したものに限られない。
分布は一様ドープとしているが、これに限られるもので
はなく、例えば深さ方向に階段状に不純物濃度が変化し
たり、不純物分布を局在させたり(例えばプレーナード
ープ)、電子供給層とチャネル層との間にアンドープの
スペーサ層を設けたりすることなども可能である。さら
にInGaAsチャネル層の組成比または深さ方向での
組成比分布等に関しても、ここで示したものに限定され
ない。
ープを施しているが、一様ドープやステップドープなど
不純物濃度の深さ方向に関する分布を変化させることも
できる。
Asヘテロ接合を用いた2次元電子ガス電界効果トラン
ジスタでは、従来に比べて顕著に優れたDC,RF特性
並びに電流駆動能力等のデバイス特性を得ることができ
る。したがって、本発明による電界効果トランジスタ
は、マイクロ波ミリ波帯における低雑音増幅器や高出力
増幅器を構成する基本素子として、および超高速ディジ
タル集積回路を構成する基本素子として広く応用するこ
とが可能である。
例の構造を示す図である。
造を示す図である。
造を示す図である。
板 112,212,312,412 アンドープGaAs
層 113,213,313,413 アンドープIn0.2
Ga0.8 Asチャネル層 114,215 n型ドープIn0.5 (Al0.3 Ga
0.7 )0.5 P電子供給層115,216,316,4
15 n型ドープGaAsキャップ層 116,217,317,416 ソース電極 117,218,318,417 ドレイン電極 118,219,319,418 ゲート電極 214 n型不純物 313 第1のIn0.5 (Al0.3 Ga0.7 )0.5
P電子供給層 315 第2のn型ドープIn0.5 (Al0.3 Ga
0.7 )0.5 P電子供給層 414 従来例におけるn型ドープIn0.2Ga0.8As
電子供給層
Claims (3)
- 【請求項1】 半絶縁性GaAs基板上に、電子親和力
の大きい第1の半導体層と、この第1の半導体層に比べ
て電子親和力が小さい第2の半導体層が、この順に積層
された電界効果トランジスタにおいて、前記第1の半導体層がInGaAsで形成されており、
前記第1の半導体層の少なくとも一部分がn型に不純物
ドープされており、かつ前記第2の半導体層がn型に不
純物ドープされたInAlGaPで形成されていること
を 特徴とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項2】 GaAs基板とInGaAs層の間に、
InGaAsよりも電子親和力が小さく、かつn型に不
純物ドープされた半導体層が設けられたことを特徴とす
る請求項1記載の電界効果トランジスタ。 - 【請求項3】 半絶縁性GaAs基板上に、電子親和力
の大きい第1の半導体層と、この第1の半導体層に比べ
て電子親和力が小さい第2の半導体層が、この順に積層
された電界効果トランジスタにおいて、 前記第1の半導体層がアンドープのInGaAsで形成
され、かつ前記第2の半導体層がn型に不純物ドープさ
れたInAlGaPで形成され、 GaAs基板とInG
aAs層の間に、InGaAsよりも電子親和力が小さ
く、かつn型に不純物ドープされた半導体層が設けられ
たことを特徴とする電界効果トランジスタ。
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