JP2751235B2 - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents
フォトレジスト塗布装置Info
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- JP2751235B2 JP2751235B2 JP21931288A JP21931288A JP2751235B2 JP 2751235 B2 JP2751235 B2 JP 2751235B2 JP 21931288 A JP21931288 A JP 21931288A JP 21931288 A JP21931288 A JP 21931288A JP 2751235 B2 JP2751235 B2 JP 2751235B2
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- Japan
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- photoresist
- semiconductor substrate
- ultraviolet light
- photoresist coating
- coating apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトレジスト塗布装置に関し、特に半導体
基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布
装置に関する。
基板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布
装置に関する。
従来、この種のフォトレジスト塗布装置は、第４図に
示すように、上面に処理される半導体基板４を吸着固定
して回転する回転チャック１と、半導体基板４の上方か
らフォトレジストを滴下する滴下ノズル２と、回転チャ
ック１の外周を囲って設けられたカップ３とを備えて構
成されていた。
示すように、上面に処理される半導体基板４を吸着固定
して回転する回転チャック１と、半導体基板４の上方か
らフォトレジストを滴下する滴下ノズル２と、回転チャ
ック１の外周を囲って設けられたカップ３とを備えて構
成されていた。
又、第４図のフォトレジスト塗布装置を用いた半導体
装置の製造装置は、基板前処理装置とフォトレジスト塗
布装置と乾燥装置とから構成されていた（例えば、半導
体製造装置実用便覧、236頁、サイエンスフォーラム
社、昭和59年参照）。
装置の製造装置は、基板前処理装置とフォトレジスト塗
布装置と乾燥装置とから構成されていた（例えば、半導
体製造装置実用便覧、236頁、サイエンスフォーラム
社、昭和59年参照）。
上述した従来のフォトレジスト塗布装置は、フォトレ
ジスト塗布前に半導体基板表面における酸化膜やシリコ
ン表面層の脱水を目的として、ホットプレートによる加
熱やヘキサメチルジシラザンによる脱水処理機構が設け
られ、フォトレジストの密着性を向上させるものが一般
的である。
ジスト塗布前に半導体基板表面における酸化膜やシリコ
ン表面層の脱水を目的として、ホットプレートによる加
熱やヘキサメチルジシラザンによる脱水処理機構が設け
られ、フォトレジストの密着性を向上させるものが一般
的である。
特に、下地基板と密着性の悪いポジ形のフォトレジス
トを塗布する場合には、ヘキサメチルジシラザンの蒸気
処理が一般的であるが、この場合半導体基板表面に付着
するヘキサメチルジシラザンの量を制御することが困難
であり、付着量が多すぎた場合にはフォトレジストと基
板の密着性を妨げたり、露光時の発泡現象の原因になる
という欠点がある。
トを塗布する場合には、ヘキサメチルジシラザンの蒸気
処理が一般的であるが、この場合半導体基板表面に付着
するヘキサメチルジシラザンの量を制御することが困難
であり、付着量が多すぎた場合にはフォトレジストと基
板の密着性を妨げたり、露光時の発泡現象の原因になる
という欠点がある。
本発明のフォトレジスト塗布装置は、上面に半導体基
板を固定して回転する回転チャックと、前記半導体基板
上にフォトレジストを滴下する滴下ノズルとを備えるフ
ォトレジスト塗布装置において、前記フォトレジストの
滴下直前に前記半導体基板上に紫外光を直接照射する紫
外光照射部を有している。
板を固定して回転する回転チャックと、前記半導体基板
上にフォトレジストを滴下する滴下ノズルとを備えるフ
ォトレジスト塗布装置において、前記フォトレジストの
滴下直前に前記半導体基板上に紫外光を直接照射する紫
外光照射部を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
第１図に示すように、第１の実施例は前述した第４図
のフォトレジスト塗布装置に紫外光照射部５を付加した
もので、その他の構成は第４図のフォトレジスト塗布装
置と同様である。
のフォトレジスト塗布装置に紫外光照射部５を付加した
もので、その他の構成は第４図のフォトレジスト塗布装
置と同様である。
図示しない前処理部でヘキサメチルジシラザン蒸気処
理をされた半導体基板４は図示しない搬送機構により回
転チャック１上に送られ、回転チャック１に真空吸着さ
れる。従来は、この段階で滴下ノズル２からフォトレジ
ストを所要量滴下していたが、第１の実施例では、紫外
光照射部５から波長180〜300nmの紫外線を半導体基板４
上に照射し、基板表面の改質をはかる。
理をされた半導体基板４は図示しない搬送機構により回
転チャック１上に送られ、回転チャック１に真空吸着さ
れる。従来は、この段階で滴下ノズル２からフォトレジ
ストを所要量滴下していたが、第１の実施例では、紫外
光照射部５から波長180〜300nmの紫外線を半導体基板４
上に照射し、基板表面の改質をはかる。
第２図は半導体基板表面の処理方法と半導体基板上の
水滴の接触角との相関を示す特性図である。
水滴の接触角との相関を示す特性図である。
第２図において、縦軸は半導体基板上に滴下した水滴
が表面張力によって生じる接触角を測定した結果、横軸
は半導体基板の各種処理方法を示す。第２図に示すよう
に、紫外光照射により半導体基板上の改質が進み、表面
張力が非常に低下していることがわかる。
が表面張力によって生じる接触角を測定した結果、横軸
は半導体基板の各種処理方法を示す。第２図に示すよう
に、紫外光照射により半導体基板上の改質が進み、表面
張力が非常に低下していることがわかる。
即ち、紫外光照射により酸素分子のオゾン化反応を促
進し、このオゾンはさらに励起酸素原子に分解され、半
導体基板表面の有機物、特に炭素，フッカカーボン及び
炭化水素を分解する。
進し、このオゾンはさらに励起酸素原子に分解され、半
導体基板表面の有機物、特に炭素，フッカカーボン及び
炭化水素を分解する。
第３図は本発明の第２の実施例を用いる半導体装置の
製造装置の斜視図である。
製造装置の斜視図である。
第３図に示すように、半導体装置の製造装置は前処理
部としてのヘキサメチルジシラザン処理部11とホットプ
レート式オーブン12と紫外光処理部13及びフォトレジス
ト滴下部14から成るフォトレジスト塗布装置15とを含ん
で構成される。
部としてのヘキサメチルジシラザン処理部11とホットプ
レート式オーブン12と紫外光処理部13及びフォトレジス
ト滴下部14から成るフォトレジスト塗布装置15とを含ん
で構成される。
紫外光処理部13には低圧水銀灯16があり紫外光が外部
にもれないように密閉されている。半導体基板（図示せ
ず）は基板搬送路17に乗せられ、ヘキサメチルジシラザ
ン処理部11からフォトレジスト滴下部14へと順次送ら
れ、ヘキサメチルジシラザン処理部11で蒸気処理された
後、ホットプレート式オーブン12で加熱され、更に紫外
光処理部13で185nmの波長の紫外光を照射されて、フォ
トレジスト滴下部14でフォトレジストを塗布される。
にもれないように密閉されている。半導体基板（図示せ
ず）は基板搬送路17に乗せられ、ヘキサメチルジシラザ
ン処理部11からフォトレジスト滴下部14へと順次送ら
れ、ヘキサメチルジシラザン処理部11で蒸気処理された
後、ホットプレート式オーブン12で加熱され、更に紫外
光処理部13で185nmの波長の紫外光を照射されて、フォ
トレジスト滴下部14でフォトレジストを塗布される。
第２の実施例では、紫外光処理部13とフォトレジスト
滴下部14とが独立しているので、機構が簡単になる利点
がある。
滴下部14とが独立しているので、機構が簡単になる利点
がある。
以上説明したように本発明は、フォトレジストの回転
塗布直前に波長180〜300nmの紫外光を照射する紫外光照
射部を設けることにより、半導体基板上にフォトレジス
トを塗布する直前に表面の残留有機分を分解し、半導体
基板表面を改質してフォトレジストの塗布特性を向上さ
せるとともに露光時の微細加工性を向上させる効果を有
する。
塗布直前に波長180〜300nmの紫外光を照射する紫外光照
射部を設けることにより、半導体基板上にフォトレジス
トを塗布する直前に表面の残留有機分を分解し、半導体
基板表面を改質してフォトレジストの塗布特性を向上さ
せるとともに露光時の微細加工性を向上させる効果を有
する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は半導
体基板表面の処理方法と半導体基板上の水滴の接触角と
の相関を示す特性図、第３図は本発明の第２の実施例を
用いる半導体装置の製造装置の斜視図、第４図は従来の
フォトレジスト塗布装置の一例の断面図である。 １……回転チャック、２……滴下ノズル、３……カッ
プ、４……半導体基板、５……紫外光照射部、11……ヘ
キサメチルジシラザン処理部、12……ホットプレート式
オーブン、13……紫外光処理部、14……フォトレジスト
滴下部、15……フォトレジスト塗布装置、16……低圧水
銀灯、17……基板搬送路。
体基板表面の処理方法と半導体基板上の水滴の接触角と
の相関を示す特性図、第３図は本発明の第２の実施例を
用いる半導体装置の製造装置の斜視図、第４図は従来の
フォトレジスト塗布装置の一例の断面図である。 １……回転チャック、２……滴下ノズル、３……カッ
プ、４……半導体基板、５……紫外光照射部、11……ヘ
キサメチルジシラザン処理部、12……ホットプレート式
オーブン、13……紫外光処理部、14……フォトレジスト
滴下部、15……フォトレジスト塗布装置、16……低圧水
銀灯、17……基板搬送路。
Claims (1)
- 【請求項１】上面に半導体基板を固定して回転する回転
チャックと、前記半導体基板上にフォトレジストを滴下
する滴下ノズルとを備えるフォトレジスト塗布装置にお
いて、前記フォトレジストの滴下直前に前記半導体基板
上に紫外光を直接照射する紫外光照射部を有することを
特徴とするフォトレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931288A JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931288A JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266551A JPH0266551A (ja) | 1990-03-06 |
| JP2751235B2 true JP2751235B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16733513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931288A Expired - Lifetime JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751235B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312257A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Fujitsu Ltd | 微細加工方法及び装置 |
| JP5415881B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP6142839B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、記憶媒体 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21931288A patent/JP2751235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0266551A (ja) | 1990-03-06 |
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