JP2747623B2 - 液晶表示装置用ガンマ補正回路 - Google Patents
液晶表示装置用ガンマ補正回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の映像信号
処理回路に使用されるガンマ補正回路に関する。
処理回路に使用されるガンマ補正回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置に使用される液晶ディスプ
レイの入力電圧と液晶の透過率との関係は図４に示すよ
うに非線形であることから、これを線形化するために図
５に示す特性を有するガンマ補正回路を用いて映像信号
を補正するようにしている。
レイの入力電圧と液晶の透過率との関係は図４に示すよ
うに非線形であることから、これを線形化するために図
５に示す特性を有するガンマ補正回路を用いて映像信号
を補正するようにしている。
【０００３】図６は従来の液晶表示装置用ガンマ補正回
路の回路図を示している。図中ＡはトランジスタＱ１、
Ｑ２等から構成された差動増幅回路であり、この出力段
にはトランジスタＱ15、Ｑ17等から構成されたゲイン可
変回路Ｅが接続されている。図７はガンマ補正回路の入
出力特性を示している。
路の回路図を示している。図中ＡはトランジスタＱ１、
Ｑ２等から構成された差動増幅回路であり、この出力段
にはトランジスタＱ15、Ｑ17等から構成されたゲイン可
変回路Ｅが接続されている。図７はガンマ補正回路の入
出力特性を示している。
【０００４】出力Ｖ0 が電圧ＶA より小さいときには、
トランジスタＱ15はオフ状態であり、出力Ｖ0 には入力
電圧ＶINを概ねＲ１／Ｒ２倍した電圧が出力され、差動
増幅回路Ａの本来有するゲインが得られる（図７中領域
１）。入力電圧ＶINが大きくなり出力Ｖ0 が電圧ＶA を
超えると、トランジスタＱ15がオン状態となり、トラン
ジスタＱ２のコレクタ電流の変化が抵抗Ｒ１、Ｒ２の双
方に与えられる結果、出力Ｖ0 には入力電圧ＶINを概ね
Ｒ１・Ｒ３／〔Ｒ２（Ｒ１＋Ｒ３）〕倍した電圧が出力
され、差動増幅回路ＡのゲインがＲ３／（Ｒ１＋Ｒ３）
に圧縮される（図７中領域２）。更に入力電圧ＶINとと
もに出力Ｖ0 が大きくなると、Ｒ４及びＲ５に流れる電
流が増加してＲ５によるトランジスタＱ16のベース電圧
が上がる。このベース電圧がＶB を超えると、トランジ
スタＱ18のコレクタ電流とともにトランジスタＱ15のベ
ース電流が減少し、トランジスタＱ16のベース電圧が下
がる。その結果、トランジスタＱ15のコレクタ電流はト
ランジスタＱ16のベース電圧がＶB と一致するように一
定となり、出力Ｖ0 が増加しても変化することはない。
つまり出力Ｖ0 には入力電圧ＶINを概ねＲ１／Ｒ２倍し
た電圧が出力され、再び差動増幅回路Ａの本来有するゲ
インが得られる（図７中領域３）。即ち、ガンマ補正回
路の入出力特性は抵抗Ｒ１及びＲ２等により設定され、
その値は適用の液晶ディスプレイの特性に合わせて決定
されている。
トランジスタＱ15はオフ状態であり、出力Ｖ0 には入力
電圧ＶINを概ねＲ１／Ｒ２倍した電圧が出力され、差動
増幅回路Ａの本来有するゲインが得られる（図７中領域
１）。入力電圧ＶINが大きくなり出力Ｖ0 が電圧ＶA を
超えると、トランジスタＱ15がオン状態となり、トラン
ジスタＱ２のコレクタ電流の変化が抵抗Ｒ１、Ｒ２の双
方に与えられる結果、出力Ｖ0 には入力電圧ＶINを概ね
Ｒ１・Ｒ３／〔Ｒ２（Ｒ１＋Ｒ３）〕倍した電圧が出力
され、差動増幅回路ＡのゲインがＲ３／（Ｒ１＋Ｒ３）
に圧縮される（図７中領域２）。更に入力電圧ＶINとと
もに出力Ｖ0 が大きくなると、Ｒ４及びＲ５に流れる電
流が増加してＲ５によるトランジスタＱ16のベース電圧
が上がる。このベース電圧がＶB を超えると、トランジ
スタＱ18のコレクタ電流とともにトランジスタＱ15のベ
ース電流が減少し、トランジスタＱ16のベース電圧が下
がる。その結果、トランジスタＱ15のコレクタ電流はト
ランジスタＱ16のベース電圧がＶB と一致するように一
定となり、出力Ｖ0 が増加しても変化することはない。
つまり出力Ｖ0 には入力電圧ＶINを概ねＲ１／Ｒ２倍し
た電圧が出力され、再び差動増幅回路Ａの本来有するゲ
インが得られる（図７中領域３）。即ち、ガンマ補正回
路の入出力特性は抵抗Ｒ１及びＲ２等により設定され、
その値は適用の液晶ディスプレイの特性に合わせて決定
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶デ
ィスプレイの特性は製造上の理由等からバラツキが多
く、ガンマ補正回路がＩＣ化された場合、その入出力特
性を変更できないことから液晶ディスプレイの特性のバ
ラツキを完全に消去することができず、液晶ディスプレ
イの高画質化を損ねる要因となっている。同じ理由によ
り、特性の異なる液晶ディスプレイに適用することは不
可能であり、液晶ディスプレイ毎に専用のＩＣを用意し
ておかねばならない結果、コストの点でも問題となって
いる。
ィスプレイの特性は製造上の理由等からバラツキが多
く、ガンマ補正回路がＩＣ化された場合、その入出力特
性を変更できないことから液晶ディスプレイの特性のバ
ラツキを完全に消去することができず、液晶ディスプレ
イの高画質化を損ねる要因となっている。同じ理由によ
り、特性の異なる液晶ディスプレイに適用することは不
可能であり、液晶ディスプレイ毎に専用のＩＣを用意し
ておかねばならない結果、コストの点でも問題となって
いる。
【０００６】本発明は上記背景の下で創作されたもので
あり、その目的とするところは、ＩＣ化された場合でも
その入出力特性を自由に設定することができる液晶表示
装置用ガンマ補正回路を提供することにある。
あり、その目的とするところは、ＩＣ化された場合でも
その入出力特性を自由に設定することができる液晶表示
装置用ガンマ補正回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる液晶表示
装置用ガンマ補正回路は、一方の入力トランジスタのベ
ースには入力電圧ＶINが、他方の入力トランジスタのベ
ースには定電圧Ｖ1 が夫々導入されるともに、両者の入
力トランジスタのエミッタには抵抗Ｒ２が、当該入力ト
ランジスタの一方のコレクタと電源側との間には抵抗Ｒ
１が夫々接続されており、且つ入力電圧ＶINと定電圧Ｖ
1 との差を増幅し出力信号として出力する差動増幅回路
と、差動増幅回路の本来有するゲインを可変にすべく、
抵抗Ｒ１から前記入力トランジスタの一方のコレクタに
かけて流れる電流を分岐させて引き込むとともに、入力
電圧ＶINが第１の基準電圧ＶA より大きい領域で、当該
引込電流を入力電圧ＶINに対し比例定数Ｋで変化させる
ゲイン可変回路と、ゲイン可変回路の比例定数Ｋを可変
にすべく、外部入力された制御信号に応じてゲイン可変
回路の引込電流の大きさを調節する設定回路と、入力電
圧ＶINが第２の基準電圧ＶB （＞ＶA ）より大きい領域
で、ゲイン可変回路の引込電流を入力電圧ＶINの変化に
関係なく一定化するゲイン復帰回路とを具備しているこ
とを特徴としている。
装置用ガンマ補正回路は、一方の入力トランジスタのベ
ースには入力電圧ＶINが、他方の入力トランジスタのベ
ースには定電圧Ｖ1 が夫々導入されるともに、両者の入
力トランジスタのエミッタには抵抗Ｒ２が、当該入力ト
ランジスタの一方のコレクタと電源側との間には抵抗Ｒ
１が夫々接続されており、且つ入力電圧ＶINと定電圧Ｖ
1 との差を増幅し出力信号として出力する差動増幅回路
と、差動増幅回路の本来有するゲインを可変にすべく、
抵抗Ｒ１から前記入力トランジスタの一方のコレクタに
かけて流れる電流を分岐させて引き込むとともに、入力
電圧ＶINが第１の基準電圧ＶA より大きい領域で、当該
引込電流を入力電圧ＶINに対し比例定数Ｋで変化させる
ゲイン可変回路と、ゲイン可変回路の比例定数Ｋを可変
にすべく、外部入力された制御信号に応じてゲイン可変
回路の引込電流の大きさを調節する設定回路と、入力電
圧ＶINが第２の基準電圧ＶB （＞ＶA ）より大きい領域
で、ゲイン可変回路の引込電流を入力電圧ＶINの変化に
関係なく一定化するゲイン復帰回路とを具備しているこ
とを特徴としている。
【０００８】
【実施例】以下、本発明にかかる液晶表示装置用ガンマ
補正回路の一実施例を図面を参照して説明する。図１は
ガンマ補正回路の回路図である。
補正回路の一実施例を図面を参照して説明する。図１は
ガンマ補正回路の回路図である。
【０００９】図中ＡはトランジスタＱ１、Ｑ２（入力ト
ランジスタに相当する）、定電流源Ｉ1 、Ｉ2 等からな
る差動増幅回路である。トランジスタＱ１のベースには
入力電圧ＶINが、トランジスタＱ２のベースには電圧源
Ｖ１より生成した定電圧Ｖ１が夫々導入されている。ト
ランジスタＱ１とＱ２の各エミッタの間には抵抗Ｒ２
が、トランジスタＱ２のコレクタ側にはトランジスタＱ
３のエミッタ・コレクタ間、抵抗Ｒ１を介して電源ライ
ンが夫々接続されている。電源ライン、抵抗Ｒ１、トラ
ンジスタＱ３のコレクタ・エミッタ間、トランジスタＱ
２のコレクタ・エミッタ間にかけて流れる電流は、入力
電圧ＶINと定電圧Ｖ１との差を増幅した信号となってい
る。ただ、この電流は所定条件下で分岐されゲイン可変
回路Ｂにより引き込まれるようになっている。差動増幅
回路Ａの出力Ｖ0 は出力信号としてトランジスタＱ３の
コレクタから出力されている。図中ａ点からゲイン可変
回路Ｂに向けて流れる電流は引込電流Ｉb ’とし、トラ
ンジスタＱ３のエミッタからａ点に流れる電流をＩC 、
ａ点からトランジスタＱ２のコレクタに流れる電流をＩ
a とする。
ランジスタに相当する）、定電流源Ｉ1 、Ｉ2 等からな
る差動増幅回路である。トランジスタＱ１のベースには
入力電圧ＶINが、トランジスタＱ２のベースには電圧源
Ｖ１より生成した定電圧Ｖ１が夫々導入されている。ト
ランジスタＱ１とＱ２の各エミッタの間には抵抗Ｒ２
が、トランジスタＱ２のコレクタ側にはトランジスタＱ
３のエミッタ・コレクタ間、抵抗Ｒ１を介して電源ライ
ンが夫々接続されている。電源ライン、抵抗Ｒ１、トラ
ンジスタＱ３のコレクタ・エミッタ間、トランジスタＱ
２のコレクタ・エミッタ間にかけて流れる電流は、入力
電圧ＶINと定電圧Ｖ１との差を増幅した信号となってい
る。ただ、この電流は所定条件下で分岐されゲイン可変
回路Ｂにより引き込まれるようになっている。差動増幅
回路Ａの出力Ｖ0 は出力信号としてトランジスタＱ３の
コレクタから出力されている。図中ａ点からゲイン可変
回路Ｂに向けて流れる電流は引込電流Ｉb ’とし、トラ
ンジスタＱ３のエミッタからａ点に流れる電流をＩC 、
ａ点からトランジスタＱ２のコレクタに流れる電流をＩ
a とする。
【００１０】なお、トランジスタＱ３はトランジスタＱ
２のコレクタに新たにゲイン可変回路Ｂを接続したに伴
ってバッファとして備えられたものである。エミッタ接
地されたトランジスタＱ３のベースにはバイアス用の電
圧源Ｖ2が接続されており、バイアス電圧の大きさはト
ランジスタＱ２が飽和しない程度に出力レベルの大きさ
を考慮して決定することが望ましい。
２のコレクタに新たにゲイン可変回路Ｂを接続したに伴
ってバッファとして備えられたものである。エミッタ接
地されたトランジスタＱ３のベースにはバイアス用の電
圧源Ｖ2が接続されており、バイアス電圧の大きさはト
ランジスタＱ２が飽和しない程度に出力レベルの大きさ
を考慮して決定することが望ましい。
【００１１】ゲイン可変回路Ｂの回路構成について説明
すると、入力電圧ＶINは後述するゲイン復帰回路Ｄを介
してトランジスタＱ10のベースに導かれている。トラン
ジスタＱ10とトランジスタＱ８、Ｑ９とはこれで差動回
路が構成され、トランジスタＱ10とＱ９の共通エミッタ
には定電流源Ｉ5 が接続されている。トランジスタＱ９
とＱ８のベースは共通にされており、これには電圧ＶA
（第１の基準電圧に相当する）を発生する電圧源ＶA が
接続されている。トランジスタＱ８のエミッタには定電
流源Ｉ4 が接続され、トランジスタＱ９のエミッタとの
間には抵抗Ｒ３が接続されている。トランジスタＱ８の
コレクタには定電流源Ｉ3 を介して電源ラインが接続さ
れている。定電流源Ｉ3 からトランジスタＱ８のコレク
タにかけて流れる電流の一部は分岐し（これを引込電流
Ｉb とする）、後述する設定回路Ｃを介してトランジス
タＱ４、Ｑ５からなるカレントミラー回路Ｂ１の入力に
導かれている。なお、カレントミラー回路Ｂ１の出力電
流が引込電流Ｉb ’となっている。
すると、入力電圧ＶINは後述するゲイン復帰回路Ｄを介
してトランジスタＱ10のベースに導かれている。トラン
ジスタＱ10とトランジスタＱ８、Ｑ９とはこれで差動回
路が構成され、トランジスタＱ10とＱ９の共通エミッタ
には定電流源Ｉ5 が接続されている。トランジスタＱ９
とＱ８のベースは共通にされており、これには電圧ＶA
（第１の基準電圧に相当する）を発生する電圧源ＶA が
接続されている。トランジスタＱ８のエミッタには定電
流源Ｉ4 が接続され、トランジスタＱ９のエミッタとの
間には抵抗Ｒ３が接続されている。トランジスタＱ８の
コレクタには定電流源Ｉ3 を介して電源ラインが接続さ
れている。定電流源Ｉ3 からトランジスタＱ８のコレク
タにかけて流れる電流の一部は分岐し（これを引込電流
Ｉb とする）、後述する設定回路Ｃを介してトランジス
タＱ４、Ｑ５からなるカレントミラー回路Ｂ１の入力に
導かれている。なお、カレントミラー回路Ｂ１の出力電
流が引込電流Ｉb ’となっている。
【００１２】次に、ゲイン復帰回路Ｄ、設定回路Ｃにつ
いて説明する。ゲイン復帰回路ＤはトランジスタＱ12、
Q13 、定電流源Ｉ7 からなる差動回路を中心とした回路
である。トランジスタＱ12のベースには定電流源Ｉ6 及
びトランジスタＱ11のエミッタが接続されている。トラ
ンジスタＱ11のベースには入力電圧ＶINが導入されてい
る。一方、トランジスタＱ13のベースには定電流源Ｉ8
及びトランジスタＱ14のエミッタが接続されている。ト
ランジスタＱ14のベースには電圧ＶB （第２の基準電
圧）を発生する電圧源ＶBが接続されている。なお、電
圧ＶB は電圧ＶA より大きな値に設定されている。
いて説明する。ゲイン復帰回路ＤはトランジスタＱ12、
Q13 、定電流源Ｉ7 からなる差動回路を中心とした回路
である。トランジスタＱ12のベースには定電流源Ｉ6 及
びトランジスタＱ11のエミッタが接続されている。トラ
ンジスタＱ11のベースには入力電圧ＶINが導入されてい
る。一方、トランジスタＱ13のベースには定電流源Ｉ8
及びトランジスタＱ14のエミッタが接続されている。ト
ランジスタＱ14のベースには電圧ＶB （第２の基準電
圧）を発生する電圧源ＶBが接続されている。なお、電
圧ＶB は電圧ＶA より大きな値に設定されている。
【００１３】一方、設定回路ＣはトランジスタＱ６、Ｑ
７からなる電流アッテネータ回路である。トランジスタ
Ｑ６のベースには電圧Ｖ3 を発生する定電圧源Ｖ3 が接
続されている一方、トランジスタＱ７のベースには電圧
ＶC を発生する電圧源ＶC が接続されている。この電圧
ＶC は、電圧ＶA 、電圧ＶB の場合と同じく外部から供
給されるようになっており、引込電流Ｉb ’を外部から
調節するための制御信号となる。なお、設定回路Ｃの入
力電流は引込電流Ｉbである一方、出力電流は、カレン
トミラー回路Ｂ１の入出力比が１対１に設定されている
故に、引込電流Ｉb ’と等しい値となっている。
７からなる電流アッテネータ回路である。トランジスタ
Ｑ６のベースには電圧Ｖ3 を発生する定電圧源Ｖ3 が接
続されている一方、トランジスタＱ７のベースには電圧
ＶC を発生する電圧源ＶC が接続されている。この電圧
ＶC は、電圧ＶA 、電圧ＶB の場合と同じく外部から供
給されるようになっており、引込電流Ｉb ’を外部から
調節するための制御信号となる。なお、設定回路Ｃの入
力電流は引込電流Ｉbである一方、出力電流は、カレン
トミラー回路Ｂ１の入出力比が１対１に設定されている
故に、引込電流Ｉb ’と等しい値となっている。
【００１４】次に、上記のように構成されたガンマ補正
回路の動作について説明する。まず、入力電圧ＶINがＶ
B より小さい領域については、トランジスタＱ13がオフ
状態であるが、トランジスタＱ12がオン状態であるの
で、入力電圧ＶINは略そのままの電圧でトランジスタＱ
10のベースに導入される。このとき入力電圧ＶINがＶA
より小さいときには、トランジスタＱ10はオフ状態であ
る一方、トランジスタＱ8 、Ｑ9 がオン状態である。こ
のときＩ3 ＝Ｉ4 ＝Ｉ5 であれば、引込電流Ｉb は０と
なり、よって、引込電流Ｉb ’も０となり、Ｉa ＝Ｉc
となる結果、差動増幅回路Ａの出力は、入力電圧ＶINを
概ね（Ｒ１／Ｒ２）倍した電圧となる。即ち、入力電圧
ＶINがＶA より小さい領域であるときには、ゲイン可変
回路Ｂは機能しておらず、差動増幅回路Ａのゲインは概
ね（Ｒ１／Ｒ２）となる。なお、ゲイン可変回路Ｂが機
能して、引込電流Ｉb ’が入力電圧ＶINとともに変化す
るときには、差動増幅回路Ａのゲインが圧縮されること
になるが、これについては後述する。
回路の動作について説明する。まず、入力電圧ＶINがＶ
B より小さい領域については、トランジスタＱ13がオフ
状態であるが、トランジスタＱ12がオン状態であるの
で、入力電圧ＶINは略そのままの電圧でトランジスタＱ
10のベースに導入される。このとき入力電圧ＶINがＶA
より小さいときには、トランジスタＱ10はオフ状態であ
る一方、トランジスタＱ8 、Ｑ9 がオン状態である。こ
のときＩ3 ＝Ｉ4 ＝Ｉ5 であれば、引込電流Ｉb は０と
なり、よって、引込電流Ｉb ’も０となり、Ｉa ＝Ｉc
となる結果、差動増幅回路Ａの出力は、入力電圧ＶINを
概ね（Ｒ１／Ｒ２）倍した電圧となる。即ち、入力電圧
ＶINがＶA より小さい領域であるときには、ゲイン可変
回路Ｂは機能しておらず、差動増幅回路Ａのゲインは概
ね（Ｒ１／Ｒ２）となる。なお、ゲイン可変回路Ｂが機
能して、引込電流Ｉb ’が入力電圧ＶINとともに変化す
るときには、差動増幅回路Ａのゲインが圧縮されること
になるが、これについては後述する。
【００１５】入力電圧ＶINがＶA より大きくなると、ト
ランジスタＱ10がターンオンする一方、トランジスタＱ
９がターンオフする。入力電圧ＶINとともにトランジス
タＱ10のベース電圧が大きくなると、これに応じてトラ
ンジスタＱ10のエミッタから抵抗Ｒ３を介してトランジ
スタＱ８側に流れる電流が増加し、その結果、トランジ
スタＱ８のコレクタ電流が減少する。と同時に、Ｉ3 が
一定である故に、引込電流Ｉb が増加する。つまり入力
電圧ＶINがＶA より大きい領域（ＶB より小さいとす
る）では、ゲイン可変回路Ｂが機能し、引込電流Ｉb が
入力電圧ＶINに比例（比例定数をＫとする）して変化す
る（図２参照）。
ランジスタＱ10がターンオンする一方、トランジスタＱ
９がターンオフする。入力電圧ＶINとともにトランジス
タＱ10のベース電圧が大きくなると、これに応じてトラ
ンジスタＱ10のエミッタから抵抗Ｒ３を介してトランジ
スタＱ８側に流れる電流が増加し、その結果、トランジ
スタＱ８のコレクタ電流が減少する。と同時に、Ｉ3 が
一定である故に、引込電流Ｉb が増加する。つまり入力
電圧ＶINがＶA より大きい領域（ＶB より小さいとす
る）では、ゲイン可変回路Ｂが機能し、引込電流Ｉb が
入力電圧ＶINに比例（比例定数をＫとする）して変化す
る（図２参照）。
【００１６】この引込電流Ｉb はトランジスタＱ６、Ｑ
７により分配され、トランジスタＱ６側に分配された電
流が引込電流Ｉb ’となる。分配率αは電圧源ＶC によ
り制御される。つまりＶC の大きさが外部から可変にさ
れることで、分配率αが変化し、引込電流Ｉb ’の大き
さが変化する。これは比例定数Ｋを調節することができ
ることを意味している。この設定回路Ｂの機能により、
引込電流Ｉb ’の大きさが調節されると、次に説明する
ように差動増幅回路Ａのゲインの圧縮される度合いが変
化する。
７により分配され、トランジスタＱ６側に分配された電
流が引込電流Ｉb ’となる。分配率αは電圧源ＶC によ
り制御される。つまりＶC の大きさが外部から可変にさ
れることで、分配率αが変化し、引込電流Ｉb ’の大き
さが変化する。これは比例定数Ｋを調節することができ
ることを意味している。この設定回路Ｂの機能により、
引込電流Ｉb ’の大きさが調節されると、次に説明する
ように差動増幅回路Ａのゲインの圧縮される度合いが変
化する。
【００１７】入力電圧ＶINが上昇しΔＶINになったとす
ると、抵抗Ｒ２にΔＶIN／Ｒ２の電流が流れ、このとき
のＩa の変化分はΔＩa ＝−ΔＶIN／Ｒ２となる。同様
に、抵抗Ｒ３にΔＶIN／Ｒ３の電流が流れ、このときの
引込電流Ｉb の変化分は、ΔＩb ＝ΔＶIN／Ｒ３とな
る。設定回路Ｃにより、引込電流Ｉb がトランジスタＱ
６に（１／α）、トランジスタＱ７に〔（α−１）／
α〕の比で分配されるよう制御されると、引込電流
Ｉb ’の変化分は、ΔＩb ’＝Ｉb ／α＝〔ΔＶIN／
（α・Ｒ３）〕となる。
ると、抵抗Ｒ２にΔＶIN／Ｒ２の電流が流れ、このとき
のＩa の変化分はΔＩa ＝−ΔＶIN／Ｒ２となる。同様
に、抵抗Ｒ３にΔＶIN／Ｒ３の電流が流れ、このときの
引込電流Ｉb の変化分は、ΔＩb ＝ΔＶIN／Ｒ３とな
る。設定回路Ｃにより、引込電流Ｉb がトランジスタＱ
６に（１／α）、トランジスタＱ７に〔（α−１）／
α〕の比で分配されるよう制御されると、引込電流
Ｉb ’の変化分は、ΔＩb ’＝Ｉb ／α＝〔ΔＶIN／
（α・Ｒ３）〕となる。
【００１８】このときの電流Ｉc の変化分は以下の式で
表される。 ΔＩc ＝ΔＩa ＋ΔＩb ’ ＝（−ΔＶIN／Ｒ２）＋〔ΔＶIN／（α・Ｒ３）〕 ＝〔ΔＶIN（Ｒ２−α・Ｒ３）〕／（α・Ｒ２・Ｒ３） ・・・
表される。 ΔＩc ＝ΔＩa ＋ΔＩb ’ ＝（−ΔＶIN／Ｒ２）＋〔ΔＶIN／（α・Ｒ３）〕 ＝〔ΔＶIN（Ｒ２−α・Ｒ３）〕／（α・Ｒ２・Ｒ３） ・・・
【００１９】ここで抵抗Ｒ１に流れる電流と電流Ｉc
とが等しいと仮定すると、出力Ｖ0 の変化分は式によ
り以下のような式で表される。 ΔＶ0 ＝−ΔＩc ・Ｒ１ ＝−〔ΔＶIN・Ｒ１（Ｒ２−α・Ｒ３）〕／〔α・Ｒ２・Ｒ３〕 ＝〔ΔＶIN（Ｒ１／Ｒ２）・（α・Ｒ３−Ｒ２）〕／（α・Ｒ３）
とが等しいと仮定すると、出力Ｖ0 の変化分は式によ
り以下のような式で表される。 ΔＶ0 ＝−ΔＩc ・Ｒ１ ＝−〔ΔＶIN・Ｒ１（Ｒ２−α・Ｒ３）〕／〔α・Ｒ２・Ｒ３〕 ＝〔ΔＶIN（Ｒ１／Ｒ２）・（α・Ｒ３−Ｒ２）〕／（α・Ｒ３）
【００２０】上式により差動増幅回路Ａのゲインは１
−〔Ｒ２／（α・Ｒ３）〕に圧縮され、更に分配率αを
可変にすると、圧縮される度合いが変化することが判
る。
−〔Ｒ２／（α・Ｒ３）〕に圧縮され、更に分配率αを
可変にすると、圧縮される度合いが変化することが判
る。
【００２１】次に、入力電圧ＶINがＶB より大きい領域
での回路動作について説明する。入力電圧ＶINがＶB よ
り大きくなると、トランジスタＱ12がターンオフする一
方、トランジスタＱ13がターンオンする。よって、トラ
ンジスタＱ10のベース電圧は概ねＶB に維持され、これ
に伴って引込電流Ｉb が一定値に保たれる（図２参
照）。つまり入力電圧ＶINがＶB より大きい領域では、
ゲイン復帰回路Ｄが機能して、引込電流Ｉb ひいては引
込電流Ｉb ’が入力電圧ＶINと無関係に一定にされ、Δ
Ｉa ＝ΔＩC となる結果、差動増幅回路Ａのゲインは再
び（Ｒ１／Ｒ２）に戻る。
での回路動作について説明する。入力電圧ＶINがＶB よ
り大きくなると、トランジスタＱ12がターンオフする一
方、トランジスタＱ13がターンオンする。よって、トラ
ンジスタＱ10のベース電圧は概ねＶB に維持され、これ
に伴って引込電流Ｉb が一定値に保たれる（図２参
照）。つまり入力電圧ＶINがＶB より大きい領域では、
ゲイン復帰回路Ｄが機能して、引込電流Ｉb ひいては引
込電流Ｉb ’が入力電圧ＶINと無関係に一定にされ、Δ
Ｉa ＝ΔＩC となる結果、差動増幅回路Ａのゲインは再
び（Ｒ１／Ｒ２）に戻る。
【００２２】図３はガンマ補正回路の入出力特性を示し
たグラフである。電圧ＶA 、電圧ＶB 、電圧ＶC は何れ
も任意に可変することができるので、ガンマ補正回路の
入出力特性は自由に変更することができる。特に、電圧
ＶC が可変にされ、分配率αが大きくなると、ガンマ補
正回路の特性はグラフｂからグラフｃに近づき、これと
は反対に分配率αが小さくなると、グラフｂからグラフ
ａに近づく。なお、本発明にかかる液晶表示装置用ガン
マ補正回路は上記実施例に限定されず、例えば次のよう
な形態を採ってもよい。即ち、入力電圧ＶINが決まると
出力電圧が決まるので、出力電圧と電圧ＶA 、電圧ＶB
とを比較するような構成を採っても構わない。
たグラフである。電圧ＶA 、電圧ＶB 、電圧ＶC は何れ
も任意に可変することができるので、ガンマ補正回路の
入出力特性は自由に変更することができる。特に、電圧
ＶC が可変にされ、分配率αが大きくなると、ガンマ補
正回路の特性はグラフｂからグラフｃに近づき、これと
は反対に分配率αが小さくなると、グラフｂからグラフ
ａに近づく。なお、本発明にかかる液晶表示装置用ガン
マ補正回路は上記実施例に限定されず、例えば次のよう
な形態を採ってもよい。即ち、入力電圧ＶINが決まると
出力電圧が決まるので、出力電圧と電圧ＶA 、電圧ＶB
とを比較するような構成を採っても構わない。
【００２３】
【発明の効果】以上、本発明にかかる液晶表示装置用ガ
ンマ補正回路によると、ＩＣ化された場合でもその入出
力特性を自由に設定することができ、液晶ディスプレイ
の特性に合うようにすることができる。よって、液晶デ
ィスプレイの特性のバラツキを打ち消すことができ、液
晶ディスプレイの高画質化を図ることができる。また従
来とは異なり、特性の異なる液晶ディスプレイにも適用
可能で、液晶ディススプレイ毎に専用のＩＣを用意する
必要がないことから、コストの点でも大きなメリットが
ある。
ンマ補正回路によると、ＩＣ化された場合でもその入出
力特性を自由に設定することができ、液晶ディスプレイ
の特性に合うようにすることができる。よって、液晶デ
ィスプレイの特性のバラツキを打ち消すことができ、液
晶ディスプレイの高画質化を図ることができる。また従
来とは異なり、特性の異なる液晶ディスプレイにも適用
可能で、液晶ディススプレイ毎に専用のＩＣを用意する
必要がないことから、コストの点でも大きなメリットが
ある。
【図１】本発明の実施例を説明するためのガンマ補正回
路の回路図である。
路の回路図である。
【図２】ゲイン可変回路の動作を説明するための入力電
圧ＶINと引込電流Ｉb との関係を示すグラフである。
圧ＶINと引込電流Ｉb との関係を示すグラフである。
【図３】ガンマ補正回路の入出力特性を示すグラフであ
る。
る。
【図４】液晶ディスプレイの光透過率特性を示すグラフ
である。
である。
【図５】液晶表示装置用ガンマ補正回路に望まれる入出
力特性を示すグラフである。
力特性を示すグラフである。
【図６】従来のガンマ補正回路を説明するための図１に
対応する図である。
対応する図である。
【図７】図６のガンマ補正回路の入出力特性を示す図３
に対応する図である。
に対応する図である。
Ａ 差動増幅回路 Ｂ ゲイン可変回路 Ｃ 設定回路 Ｄ ゲイン復帰回路 ＶIN 入力電圧 Ｉb 、Ｉb ’ 引込電流
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の入力トランジスタのベースには入
力電圧ＶINが、他方の入力トランジスタのベースには定
電圧Ｖ1 が夫々導入されるともに、両者の入力トランジ
スタのエミッタには抵抗Ｒ２が、当該入力トランジスタ
の一方のコレクタと電源側との間には抵抗Ｒ１が夫々接
続されており、且つ入力電圧ＶINと定電圧Ｖ1 との差を
増幅し出力信号として出力する差動増幅回路と、差動増
幅回路の本来有するゲインを可変にすべく、抵抗Ｒ１か
ら前記入力トランジスタの一方のコレクタにかけて流れ
る電流を分岐させて引き込むとともに、入力電圧ＶINが
第１の基準電圧ＶA より大きい領域で、当該引込電流を
入力電圧ＶINに対し比例定数Ｋで変化させるゲイン可変
回路と、ゲイン可変回路の比例定数Ｋを可変にすべく、
外部入力された制御信号に応じてゲイン可変回路の引込
電流の大きさを調節する設定回路と、入力電圧ＶINが第
２の基準電圧ＶB （＞ＶA ）より大きい領域で、ゲイン
可変回路の引込電流を入力電圧ＶINの変化に関係なく一
定化するゲイン復帰回路とを具備していることを特徴と
する液晶表示装置用ガンマ補正回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19873891A JP2747623B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 液晶表示装置用ガンマ補正回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19873891A JP2747623B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 液晶表示装置用ガンマ補正回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519724A JPH0519724A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2747623B2 true JP2747623B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16396161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19873891A Expired - Fee Related JP2747623B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 液晶表示装置用ガンマ補正回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747623B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5404471B2 (ja) | 2010-02-26 | 2014-01-29 | 三菱電機株式会社 | ヒートポンプ装置及びヒートポンプ装置の運転制御方法 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP19873891A patent/JP2747623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519724A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
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