JP2746192B2 - 低速電子線用蛍光体 - Google Patents
低速電子線用蛍光体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面を劣化させずに保
護層で被覆した蛍光体に関するものである。本発明の蛍
光体は、比較的低電圧で加速された電子の射突を利用す
る蛍光表示管や電界放出素子等の表示部に適している。
護層で被覆した蛍光体に関するものである。本発明の蛍
光体は、比較的低電圧で加速された電子の射突を利用す
る蛍光表示管や電界放出素子等の表示部に適している。
【０００２】
【従来の技術】ＣａＳ系蛍光体、ＺｎＧａ2 Ｏ4 系蛍光
体、Ｓｒ3 ＭｇＳｉ2 Ｏ8 ：Ｅｕ2+等のアルカリ土類シ
リケート蛍光体、ＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ等のアルカリ土類
チタン酸塩蛍光体、またＹ2 Ｏ3 系蛍光体等を、蛍光表
示管や電界放出素子の発光表示部に用いようとする場合
には、これらの蛍光体を発光色に応じて所定のパターン
で塗り分ける必要がある。そのための方法としては、Ｃ
ＲＴにおける蛍光体パターンの製造工程と同様に、スラ
リー法、印刷法、電着法等が考えられる。
体、Ｓｒ3 ＭｇＳｉ2 Ｏ8 ：Ｅｕ2+等のアルカリ土類シ
リケート蛍光体、ＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ等のアルカリ土類
チタン酸塩蛍光体、またＹ2 Ｏ3 系蛍光体等を、蛍光表
示管や電界放出素子の発光表示部に用いようとする場合
には、これらの蛍光体を発光色に応じて所定のパターン
で塗り分ける必要がある。そのための方法としては、Ｃ
ＲＴにおける蛍光体パターンの製造工程と同様に、スラ
リー法、印刷法、電着法等が考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等が得た知見
によれば、前に列記した各蛍光体は焼成等の酸化を伴う
処理や水分に弱く、これによってその表面が劣化してし
まう。例えばＣａＳを例にとれば、このＣａＳ：Ｃｅ等
のアルカリ土類硫化物蛍光体は化学的に不安定なため、
表示素子用の蛍光体としてはほとんど実用化することが
できない。ここで化学的に不安定とは、空気中で酸化さ
れやすく、また加水分解されやすい点をさす。このＣａ
Ｓ：Ｃｅ蛍光体は空気中で酸化されてチオ硫酸カルシウ
ムを生じ、湿気と二酸化炭素の作用で硫化水素を発生す
る。また、冷水には難溶であるが徐々に加水分解して硫
酸カルシウムと水酸化カルシウムを生ずる。他の蛍光体
も、ＣａＳ：Ｃｅ蛍光体と同様、焼成等の酸化を伴う処
理や水分に弱く、これによってその表面が劣化してしま
う。
によれば、前に列記した各蛍光体は焼成等の酸化を伴う
処理や水分に弱く、これによってその表面が劣化してし
まう。例えばＣａＳを例にとれば、このＣａＳ：Ｃｅ等
のアルカリ土類硫化物蛍光体は化学的に不安定なため、
表示素子用の蛍光体としてはほとんど実用化することが
できない。ここで化学的に不安定とは、空気中で酸化さ
れやすく、また加水分解されやすい点をさす。このＣａ
Ｓ：Ｃｅ蛍光体は空気中で酸化されてチオ硫酸カルシウ
ムを生じ、湿気と二酸化炭素の作用で硫化水素を発生す
る。また、冷水には難溶であるが徐々に加水分解して硫
酸カルシウムと水酸化カルシウムを生ずる。他の蛍光体
も、ＣａＳ：Ｃｅ蛍光体と同様、焼成等の酸化を伴う処
理や水分に弱く、これによってその表面が劣化してしま
う。
【０００４】このような性質があるため、前に列記した
各蛍光体は、次に説明するように、蛍光体を発光表示部
として所定のパターンに被着するための工程において分
解しやすく、また所定のパターンに被着した蛍光体を焼
成する工程において酸化されやすい。
各蛍光体は、次に説明するように、蛍光体を発光表示部
として所定のパターンに被着するための工程において分
解しやすく、また所定のパターンに被着した蛍光体を焼
成する工程において酸化されやすい。
【０００５】まず、蛍光体の一般的な被着方法であるス
クリーン印刷法では、蛍光体とビークルを混合してペー
スト化し、これを基板上に所定のパターンで印刷し、さ
らにこれを大気焼成してペースト成分をＣＯ2 にして蒸
発させる。被着時に使用した有機物を焼成分解するため
には酸化雰囲気で焼成する必要があるが、そのようにす
ると、前記蛍光体自体も酸化してしまう。
クリーン印刷法では、蛍光体とビークルを混合してペー
スト化し、これを基板上に所定のパターンで印刷し、さ
らにこれを大気焼成してペースト成分をＣＯ2 にして蒸
発させる。被着時に使用した有機物を焼成分解するため
には酸化雰囲気で焼成する必要があるが、そのようにす
ると、前記蛍光体自体も酸化してしまう。
【０００６】蛍光体の他の被着方法である電着法では、
水を含む有機溶媒中に蛍光体を分散し、電気泳動の原理
で陽極に蛍光体を付着させていた。この方法では水が含
まれているので前記蛍光体は加水分解してしまう。
水を含む有機溶媒中に蛍光体を分散し、電気泳動の原理
で陽極に蛍光体を付着させていた。この方法では水が含
まれているので前記蛍光体は加水分解してしまう。
【０００７】蛍光体の他の被着方法であるスラリー法で
は、ポリビニルアルコール、重クロム酸アンモニウムを
主媒体とする液に蛍光体を分散し、これを塗布したもの
に所定パターンのマスクをかけて露光し、水現像でポリ
ビニルアルコールを除去して所定パターンを得る。この
方法も水を使うので前記蛍光体には適用できない。
は、ポリビニルアルコール、重クロム酸アンモニウムを
主媒体とする液に蛍光体を分散し、これを塗布したもの
に所定パターンのマスクをかけて露光し、水現像でポリ
ビニルアルコールを除去して所定パターンを得る。この
方法も水を使うので前記蛍光体には適用できない。
【０００８】以上の事情から、前記各蛍光体を従来の形
成方法で表示素子の発光部に形成しても、蛍光体の表面
は荒れた状態になり、発光状態が悪くて実用にならない
と考えられる。
成方法で表示素子の発光部に形成しても、蛍光体の表面
は荒れた状態になり、発光状態が悪くて実用にならない
と考えられる。
【０００９】上述したような蛍光体の表面劣化を防止す
るには、蛍光体の表面を被覆層で覆って保護すればよ
く、例えばＳｉＯ2 等によって蛍光体の表面をコートす
る方法が考えられる。しかしながら、ＳｉＯ2 膜を蛍光
体の表面に形成するためには、Ｓｉを含む原料物質を蛍
光体に塗布した後、これを大気焼成して酸化させる必要
があり、コート処理過程において蛍光体の表面が酸化に
よって劣化してしまう。従って、ＳｉＯ2 膜で被覆した
前記各蛍光体は、高速電子線によって蛍光体の内部まで
発光させる場合は別として、低速電子線によって蛍光体
の表面を発光させる蛍光表示管や電界放出素子には適用
することができなかった。
るには、蛍光体の表面を被覆層で覆って保護すればよ
く、例えばＳｉＯ2 等によって蛍光体の表面をコートす
る方法が考えられる。しかしながら、ＳｉＯ2 膜を蛍光
体の表面に形成するためには、Ｓｉを含む原料物質を蛍
光体に塗布した後、これを大気焼成して酸化させる必要
があり、コート処理過程において蛍光体の表面が酸化に
よって劣化してしまう。従って、ＳｉＯ2 膜で被覆した
前記各蛍光体は、高速電子線によって蛍光体の内部まで
発光させる場合は別として、低速電子線によって蛍光体
の表面を発光させる蛍光表示管や電界放出素子には適用
することができなかった。
【００１０】本発明は、以上説明した本願発明者等の知
見に基づいてなされたものであり、比較的低電圧で加速
された電子の射突によって蛍光体の表面を発光させる蛍
光表示管や電界放出素子等の表示部に適するように、表
面を劣化させずに保護層で被覆した低速電子線用蛍光体
を提供することを目的としている。
見に基づいてなされたものであり、比較的低電圧で加速
された電子の射突によって蛍光体の表面を発光させる蛍
光表示管や電界放出素子等の表示部に適するように、表
面を劣化させずに保護層で被覆した低速電子線用蛍光体
を提供することを目的としている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】請求項１に記載された
低速電子線用蛍光体は、蛍光体粒子の表面に被着したペ
ルヒドロポリシラザンの溶液を窒素雰囲気中で焼成して
成る窒化硅素Ｓｉ 3 Ｎ 4 で被覆されたことを特徴として
いる。
低速電子線用蛍光体は、蛍光体粒子の表面に被着したペ
ルヒドロポリシラザンの溶液を窒素雰囲気中で焼成して
成る窒化硅素Ｓｉ 3 Ｎ 4 で被覆されたことを特徴として
いる。
【００１３】請求項２に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項２記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類硫化物蛍光体であることを特徴と
している。
は、請求項２記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類硫化物蛍光体であることを特徴と
している。
【００１４】請求項３に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項２記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体が、ＣａＳ系蛍光体であることを特徴としてい
る。
は、請求項２記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体が、ＣａＳ系蛍光体であることを特徴としてい
る。
【００１５】請求項４に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体が、ＺｎＧａ2 Ｏ4 系蛍光体であることを特徴と
している。
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体が、ＺｎＧａ2 Ｏ4 系蛍光体であることを特徴と
している。
【００１６】請求項５に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類シリケート蛍光体であることを特
徴としている。
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類シリケート蛍光体であることを特
徴としている。
【００１７】請求項６に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類チタン酸塩蛍光体であることを特
徴としている。
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がアルカリ土類チタン酸塩蛍光体であることを特
徴としている。
【００１８】請求項７に記載された低速電子線用蛍光体
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がＹ2 Ｏ3 系蛍光体であることを特徴としてい
る。
は、請求項１記載の低速電子線用蛍光体において、前記
蛍光体がＹ2 Ｏ3 系蛍光体であることを特徴としてい
る。
【００１９】
【作用】有機金属化合物を窒素雰囲気内において比較的
低温で処理することにより、蛍光体の表面に金属の窒化
物を形成することができ、その際に蛍光体の表面が酸化
することはない。
低温で処理することにより、蛍光体の表面に金属の窒化
物を形成することができ、その際に蛍光体の表面が酸化
することはない。
【００２０】
【実施例】本発明者等は、［従来の技術］の項において
言及した数種類の低速電子線用蛍光体を、比較的低電圧
で加速された電子の射突によって蛍光体の表面を発光さ
せる蛍光表示管や電界放出素子等の表示部に使用できる
ように、その表面を劣化させることなく保護層で被覆す
ることに成功した。本発明者等は、このような保護層と
して、以下に説明する理由によってＳｉの窒化物を採用
した。
言及した数種類の低速電子線用蛍光体を、比較的低電圧
で加速された電子の射突によって蛍光体の表面を発光さ
せる蛍光表示管や電界放出素子等の表示部に使用できる
ように、その表面を劣化させることなく保護層で被覆す
ることに成功した。本発明者等は、このような保護層と
して、以下に説明する理由によってＳｉの窒化物を採用
した。
【００２１】まず、本発明者等は、蛍光体の表面を劣化
させることなく被覆するための保護層として酸化物は不
適当であると考えた。これは、蛍光体の表面に設けた原
料物質を酸化する時に蛍光体の表面も酸化されて劣化し
てしまうからである。また、本発明者等は前記保護層の
候補として金属の炭化物等も検討したが、金属を炭化す
る工程は雰囲気条件等を整えること等に困難が多く、実
用的でないという問題があった。そこで、本発明者等
は、その他の各種物質を比較検討した結果、Ｓｉの窒化
物を保護層として選択した。これは、金属を窒化するた
めの窒素雰囲気や、原料物質となる有機窒素化合物が技
術的・経済的な面で得やすく、また窒素化合物を原料と
して窒化金属を得る工程が比較的低温で行えるという利
点があるからである。
させることなく被覆するための保護層として酸化物は不
適当であると考えた。これは、蛍光体の表面に設けた原
料物質を酸化する時に蛍光体の表面も酸化されて劣化し
てしまうからである。また、本発明者等は前記保護層の
候補として金属の炭化物等も検討したが、金属を炭化す
る工程は雰囲気条件等を整えること等に困難が多く、実
用的でないという問題があった。そこで、本発明者等
は、その他の各種物質を比較検討した結果、Ｓｉの窒化
物を保護層として選択した。これは、金属を窒化するた
めの窒素雰囲気や、原料物質となる有機窒素化合物が技
術的・経済的な面で得やすく、また窒素化合物を原料と
して窒化金属を得る工程が比較的低温で行えるという利
点があるからである。
【００２２】以下に示す複数の実施例において、Ｓｉの
窒化物の保護層で被覆された低速電子線用蛍光体の製造
方法について説明する。 （１）実施例１ 本例は、Ｓｉの窒化物としての窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
と、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体を利用する。ＣａＳ：Ｃｅ3+
蛍光体は発光色が緑である。キシレンで２０ｗｔ％に希
釈されたポリシラザン（商標、東燃株式会社製）を用い
る。このポリシラザンは、化学式（ＳｉＨa Ｎb ）
n （但しａ＝１〜３，ｂ＝１）のペルヒドロポリシラザ
ンである。このポリシラザンの溶液中にＣａＳ：Ｃｅ3+
蛍光体を投入し、溶媒のキシレンを蒸発させて除去し、
ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体の表面にポリシラザンを被着させ
る。ポリシラザンを被着した前記ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体
をＰｔ坩堝に入れ、窒素ガス雰囲気中において６００〜
１１００℃で焼成し、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体の表面に窒
化珪素の保護膜を形成する。
窒化物の保護層で被覆された低速電子線用蛍光体の製造
方法について説明する。 （１）実施例１ 本例は、Ｓｉの窒化物としての窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
と、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体を利用する。ＣａＳ：Ｃｅ3+
蛍光体は発光色が緑である。キシレンで２０ｗｔ％に希
釈されたポリシラザン（商標、東燃株式会社製）を用い
る。このポリシラザンは、化学式（ＳｉＨa Ｎb ）
n （但しａ＝１〜３，ｂ＝１）のペルヒドロポリシラザ
ンである。このポリシラザンの溶液中にＣａＳ：Ｃｅ3+
蛍光体を投入し、溶媒のキシレンを蒸発させて除去し、
ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体の表面にポリシラザンを被着させ
る。ポリシラザンを被着した前記ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体
をＰｔ坩堝に入れ、窒素ガス雰囲気中において６００〜
１１００℃で焼成し、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体の表面に窒
化珪素の保護膜を形成する。
【００２３】例えばＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体１ｋｇにつき
Ｓｉ3 Ｎ4 を１０００ｍｇ被着する場合、即ちＣａＳ：
Ｃｅ3+蛍光体に対するＳｉ3 Ｎ4 の被着量が１０００ｍ
ｇ／ｋｇの場合には、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体１ｇについ
て０．００４６ｇのポリシラザンを用いる。本例では、
Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、１０〜２００００ｍｇ／ｋｇの
範囲内の複数の値を採用した。比較のため、保護膜を被
着しない試料（ノンコート）を用いる。
Ｓｉ3 Ｎ4 を１０００ｍｇ被着する場合、即ちＣａＳ：
Ｃｅ3+蛍光体に対するＳｉ3 Ｎ4 の被着量が１０００ｍ
ｇ／ｋｇの場合には、ＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体１ｇについ
て０．００４６ｇのポリシラザンを用いる。本例では、
Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、１０〜２００００ｍｇ／ｋｇの
範囲内の複数の値を採用した。比較のため、保護膜を被
着しない試料（ノンコート）を用いる。
【００２４】以上のようにして得られた複数の試料及び
比較例の試料を、エチルセルロースをバインダとする有
機溶媒に分散し、それぞれペーストとした。これらスク
リーン印刷法でガラス基板の陽極導体上に所定のパター
ンと厚さで塗布し、大気中において５００℃で３０分間
焼成し、それぞれ陽極基板を作製した。これらの陽極基
板を用いてそれぞれ蛍光表示管を作製し、各蛍光表示管
をアノード電圧４００Ｖで駆動し、それぞれの蛍光体の
発光輝度について評価を行った。
比較例の試料を、エチルセルロースをバインダとする有
機溶媒に分散し、それぞれペーストとした。これらスク
リーン印刷法でガラス基板の陽極導体上に所定のパター
ンと厚さで塗布し、大気中において５００℃で３０分間
焼成し、それぞれ陽極基板を作製した。これらの陽極基
板を用いてそれぞれ蛍光表示管を作製し、各蛍光表示管
をアノード電圧４００Ｖで駆動し、それぞれの蛍光体の
発光輝度について評価を行った。
【００２５】図１は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量と、初期輝度
との関係を表すグラフであり、輝度の表示は最大の輝度
を１００とした場合の相対輝度である。このグラフから
分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、３０〜１０００
０ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約７０％以上と
なり、実用上有効である。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、５０
〜５０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約８０
％以上となり、より好ましい。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、
１００〜１０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が
約９５％以上となり、最も好ましい。
との関係を表すグラフであり、輝度の表示は最大の輝度
を１００とした場合の相対輝度である。このグラフから
分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、３０〜１０００
０ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約７０％以上と
なり、実用上有効である。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、５０
〜５０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約８０
％以上となり、より好ましい。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、
１００〜１０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が
約９５％以上となり、最も好ましい。
【００２６】図２は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量と、寿命試験
５００時間後の輝度との関係を表すグラフであり、輝度
の表示は初期輝度を１００とした場合の相対輝度であ
る。このグラフから分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量
が１０ｍｇ／ｋｇ以上で比較例よりも優れた結果が得ら
れ、１００ｍｇ／ｋｇ以上では初期輝度からほとんど劣
化していない。
５００時間後の輝度との関係を表すグラフであり、輝度
の表示は初期輝度を１００とした場合の相対輝度であ
る。このグラフから分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量
が１０ｍｇ／ｋｇ以上で比較例よりも優れた結果が得ら
れ、１００ｍｇ／ｋｇ以上では初期輝度からほとんど劣
化していない。
【００２７】本例の試料を用いた蛍光表示管について、
寿命試験後にフロントガラス表面上のＳの飛散量をＡＥ
Ｓ分析（オージェ分析）によって調査したところ、Ｓｉ
3 Ｎ4 の被着量とＳ飛散量は反比例の関係にあった。即
ち、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が増加するとＳ飛散量は減少
し、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が２００ｍｇ／ｋｇ以上ではＳ
飛散は認められなかった。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が２００
ｍｇ／ｋｇ以上の範囲は、図１及び図２においても優れ
た結果が得られている。
寿命試験後にフロントガラス表面上のＳの飛散量をＡＥ
Ｓ分析（オージェ分析）によって調査したところ、Ｓｉ
3 Ｎ4 の被着量とＳ飛散量は反比例の関係にあった。即
ち、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が増加するとＳ飛散量は減少
し、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が２００ｍｇ／ｋｇ以上ではＳ
飛散は認められなかった。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が２００
ｍｇ／ｋｇ以上の範囲は、図１及び図２においても優れ
た結果が得られている。
【００２８】以上の結果から、Ｓｉ3 Ｎ4 を被着したＣ
ａＳ：Ｃｅ3+蛍光体は、蛍光表示管を作製する際の焼成
工程等によって表面が劣化することがなく、初期輝度に
優れている。また、使用に際して予想されるＳの飛散も
少なく、輝度の劣化が少ない。
ａＳ：Ｃｅ3+蛍光体は、蛍光表示管を作製する際の焼成
工程等によって表面が劣化することがなく、初期輝度に
優れている。また、使用に際して予想されるＳの飛散も
少なく、輝度の劣化が少ない。
【００２９】本例の試料を、湿度９５％の環境に７２時
間放置した後、紫外線励起によって発光させた。その相
対輝度の結果を表１に示す。
間放置した後、紫外線励起によって発光させた。その相
対輝度の結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】ノンコートの試料では湿度の影響によって
試験後の輝度が著しく劣化しているのに、本例の各試料
では輝度はほとんど変化していない。従って、Ｓｉ3 Ｎ
4 を被着したＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体は湿度によって劣化
しにくい。
試験後の輝度が著しく劣化しているのに、本例の各試料
では輝度はほとんど変化していない。従って、Ｓｉ3 Ｎ
4 を被着したＣａＳ：Ｃｅ3+蛍光体は湿度によって劣化
しにくい。
【００３２】以上説明した実施例１の工程において、蛍
光体とポリシラザンをそれぞれ別の吐出装置から空間中
に吐出させ、蛍光体の表面にポリシラザンの膜を形成し
てもよい。
光体とポリシラザンをそれぞれ別の吐出装置から空間中
に吐出させ、蛍光体の表面にポリシラザンの膜を形成し
てもよい。
【００４０】（２）実施例２ 本例は、Ｓｉの窒化物としての窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
と、ＺｎＧａ2 Ｏ4 系蛍光体としてのＺｎＧａ2 Ｏ4 ：
Ｍｎ2+蛍光体を利用する。この蛍光体の発光色は緑であ
る。キシレンで２０ｗｔ％に希釈された前記ポリシラザ
ンを用いる。このポリシラザンの溶液中にＺｎＧａ2 Ｏ
4 ：Ｍｎ2+蛍光体を投入し、溶媒のキシレンを蒸発させ
て除去し、前記蛍光体の表面にポリシラザンを被着させ
る。ポリシラザンを被着した前記蛍光体をＰｔ坩堝に入
れ、窒素ガス雰囲気中において６００〜１１００℃で焼
成し、前記蛍光体の表面に窒化珪素の保護膜を形成す
る。
と、ＺｎＧａ2 Ｏ4 系蛍光体としてのＺｎＧａ2 Ｏ4 ：
Ｍｎ2+蛍光体を利用する。この蛍光体の発光色は緑であ
る。キシレンで２０ｗｔ％に希釈された前記ポリシラザ
ンを用いる。このポリシラザンの溶液中にＺｎＧａ2 Ｏ
4 ：Ｍｎ2+蛍光体を投入し、溶媒のキシレンを蒸発させ
て除去し、前記蛍光体の表面にポリシラザンを被着させ
る。ポリシラザンを被着した前記蛍光体をＰｔ坩堝に入
れ、窒素ガス雰囲気中において６００〜１１００℃で焼
成し、前記蛍光体の表面に窒化珪素の保護膜を形成す
る。
【００４１】例えば前記蛍光体１ｋｇにつきＳｉ3 Ｎ4
を１０００ｍｇ被着する場合、即ち前記蛍光体に対する
Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が１０００ｍｇ／ｋｇの場合には、
前記蛍光体１ｇについて０．００４６ｇのポリシラザン
を用いる。本例では、Ｓｉ3Ｎ4 の被着量は、１０〜２
００００ｍｇ／ｋｇの範囲内の複数の値を採用した。比
較のため、保護膜を被着しない試料（ノンコート）を用
いた。
を１０００ｍｇ被着する場合、即ち前記蛍光体に対する
Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が１０００ｍｇ／ｋｇの場合には、
前記蛍光体１ｇについて０．００４６ｇのポリシラザン
を用いる。本例では、Ｓｉ3Ｎ4 の被着量は、１０〜２
００００ｍｇ／ｋｇの範囲内の複数の値を採用した。比
較のため、保護膜を被着しない試料（ノンコート）を用
いた。
【００４２】以上のようにして得られた複数の試料及び
比較例の試料を、エチルセルロースをバインダとする有
機溶媒に分散し、それぞれペーストとした。これらスク
リーン印刷法でガラス基板の陽極導体上に所定のパター
ンと厚さで塗布し、大気中において５２０℃で３０分間
焼成し、それぞれ陽極基板を作製した。これらの陽極基
板を用いてそれぞれ蛍光表示管を作製し、各蛍光表示管
をアノード電圧４００Ｖで駆動し、それぞれの蛍光体の
発光輝度について評価を行った。
比較例の試料を、エチルセルロースをバインダとする有
機溶媒に分散し、それぞれペーストとした。これらスク
リーン印刷法でガラス基板の陽極導体上に所定のパター
ンと厚さで塗布し、大気中において５２０℃で３０分間
焼成し、それぞれ陽極基板を作製した。これらの陽極基
板を用いてそれぞれ蛍光表示管を作製し、各蛍光表示管
をアノード電圧４００Ｖで駆動し、それぞれの蛍光体の
発光輝度について評価を行った。
【００４３】図３は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量と、初期輝度
との関係を表すグラフであり、輝度の表示は最大の輝度
を１００とした場合の相対輝度である。このグラフから
分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、１０〜１０００
０ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約７０％以上と
なり、実用上有効である。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、２０
〜５０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約８０
％以上となり、より好ましい。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、
１００〜１０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が
約９５％以上となり、最も好ましい。
との関係を表すグラフであり、輝度の表示は最大の輝度
を１００とした場合の相対輝度である。このグラフから
分かるように、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、１０〜１０００
０ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約７０％以上と
なり、実用上有効である。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、２０
〜５０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が約８０
％以上となり、より好ましい。Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量は、
１００〜１０００ｍｇ／ｋｇの範囲において相対輝度が
約９５％以上となり、最も好ましい。
【００４８】（３）実施例３ 本例は、Ｓｉの窒化物としての窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
と、アルカリ土類チタン酸塩蛍光体であるＳｒＴｉ
Ｏ3 ：Ｐｒ3+蛍光体を利用する。この蛍光体の発光色は
赤である。Ａｌ又はＧａを添加したＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ
3+蛍光体について、実施例２と同様の処理を行った。こ
れを水を溶媒としたＰＶＡを用いたスラリ法でガラス基
板に塗布し、大気中において５００℃で３０分間焼成
し、陽極基板を作製した。これを用いて蛍光表示管を製
作し、陽極における前記蛍光体の発光を評価した。表４
は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が異なる４種の試料と比較例の
初期輝度（相対輝度）を表す。表４が示すように、ノン
コートの試料に比べて本例の試料は高い初期輝度を示し
た。
と、アルカリ土類チタン酸塩蛍光体であるＳｒＴｉ
Ｏ3 ：Ｐｒ3+蛍光体を利用する。この蛍光体の発光色は
赤である。Ａｌ又はＧａを添加したＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ
3+蛍光体について、実施例２と同様の処理を行った。こ
れを水を溶媒としたＰＶＡを用いたスラリ法でガラス基
板に塗布し、大気中において５００℃で３０分間焼成
し、陽極基板を作製した。これを用いて蛍光表示管を製
作し、陽極における前記蛍光体の発光を評価した。表４
は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が異なる４種の試料と比較例の
初期輝度（相対輝度）を表す。表４が示すように、ノン
コートの試料に比べて本例の試料は高い初期輝度を示し
た。
【００４９】
【表２】
【００５０】（４）実施例４ 本例は、Ｓｉの窒化物としての窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
と、Ｙ2 Ｏ3 系蛍光体であるＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+蛍光体を
利用する。この蛍光体の発光色は赤である。実施例２と
同様の処理を行った。これを水を溶媒としたＰＶＡを用
いたスラリ法でガラス基板に塗布し、大気中において５
００℃で３０分間焼成し、陽極基板を作製した。これを
用いて蛍光表示管を製作し、陽極における前記蛍光体の
発光を評価した。表５は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が異なる
４種の試料と比較例の初期輝度（相対輝度）を表す。表
３が示すように、ノンコートの試料に比べて本例の試料
は高い初期輝度を示した。
と、Ｙ2 Ｏ3 系蛍光体であるＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+蛍光体を
利用する。この蛍光体の発光色は赤である。実施例２と
同様の処理を行った。これを水を溶媒としたＰＶＡを用
いたスラリ法でガラス基板に塗布し、大気中において５
００℃で３０分間焼成し、陽極基板を作製した。これを
用いて蛍光表示管を製作し、陽極における前記蛍光体の
発光を評価した。表５は、Ｓｉ3 Ｎ4 の被着量が異なる
４種の試料と比較例の初期輝度（相対輝度）を表す。表
３が示すように、ノンコートの試料に比べて本例の試料
は高い初期輝度を示した。
【００５１】
【表３】
【００５２】なお、前記実施例２において、ＺｎＧａ2
Ｏ4 ：Ｍｎ2+蛍光体のＧａの一部をＡｌで置換し、又は
Ｚｎの一部をＭｇに置換した蛍光体についても、耐湿度
性及び耐酸化性に関する特性はＺｎＧａ2 Ｏ4 ：Ｍｎ2+
蛍光体と変わらず、同様の効果が得られる。
Ｏ4 ：Ｍｎ2+蛍光体のＧａの一部をＡｌで置換し、又は
Ｚｎの一部をＭｇに置換した蛍光体についても、耐湿度
性及び耐酸化性に関する特性はＺｎＧａ2 Ｏ4 ：Ｍｎ2+
蛍光体と変わらず、同様の効果が得られる。
【００５３】また、Ｓｒ3 ＭｇＳｉ2 Ｏ8 ：Ｅｕ2+蛍光
体及びこれ以外のＥｕ2+で付活された他のアルカリ土類
シリケート蛍光体についても、耐湿度性及び耐酸化性に
関する特性はＳｒ3 ＭｇＳｉ2 Ｏ8 ：Ｅｕ2+蛍光体と変
わらず、同様の効果が得られる。
体及びこれ以外のＥｕ2+で付活された他のアルカリ土類
シリケート蛍光体についても、耐湿度性及び耐酸化性に
関する特性はＳｒ3 ＭｇＳｉ2 Ｏ8 ：Ｅｕ2+蛍光体と変
わらず、同様の効果が得られる。
【００５４】また、前記実施例３において、ＳｒＴｉＯ
3 ：Ｐｒ3+蛍光体のＳｒの一部を他のアルカリ土類金
属、Ａｌ又はＧａで置換した蛍光体ついても、耐湿度性
及び耐酸化性に関する特性はＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ3+蛍光
体と変わらず、同様の効果が得られる。
3 ：Ｐｒ3+蛍光体のＳｒの一部を他のアルカリ土類金
属、Ａｌ又はＧａで置換した蛍光体ついても、耐湿度性
及び耐酸化性に関する特性はＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ3+蛍光
体と変わらず、同様の効果が得られる。
【００５５】次に、以上説明した各実施例の低速電子線
用蛍光体が適用される蛍光表示管と電界放出素子につい
て図４及び図５を参照して説明する。
用蛍光体が適用される蛍光表示管と電界放出素子につい
て図４及び図５を参照して説明する。
【００５６】図４はグラフィック蛍光表示管の一例を示
す断面図である。外囲器１ａは、透光性を有する前面板
２ａと、これに対面する背面板３ａと、前面板２ａと背
面板３ａの各外周部の間に設けられる側面板４ａとが、
互いに封着されて箱形に構成されている。この外囲器１
ａの内部は高真空状態に保持されている。
す断面図である。外囲器１ａは、透光性を有する前面板
２ａと、これに対面する背面板３ａと、前面板２ａと背
面板３ａの各外周部の間に設けられる側面板４ａとが、
互いに封着されて箱形に構成されている。この外囲器１
ａの内部は高真空状態に保持されている。
【００５７】外囲器１ａの前面板２ａの内面には、複数
本の帯状の陽極５ａが互いに平行に所定の間隔をおいて
設けられている。各陽極５ａは、前面板２ａの内面に設
けられた透光性を有する帯状の陽極導体６ａと、該陽極
導体６ａの上面に被着された蛍光体層７ａによって構成
される。外囲器１ａ内の前記陽極５ａの上方には、スペ
ーサ８ａを介して複数本の線状の制御電極９ａが互いに
平行に所定の間隔をおいて張設されている。各制御電極
９ａの長手方向は、前記陽極５ａの長手方向と直交して
いる。各制御電極９ａの両端部は外囲器１ａの封着部分
を気密に貫通して外囲器１ａ外に引き出されている。外
囲器１ａ内の背面板３ａの内面には、取り付けフレーム
１０ａを介して電子源である線状の陰極１１ａが張設さ
れている。
本の帯状の陽極５ａが互いに平行に所定の間隔をおいて
設けられている。各陽極５ａは、前面板２ａの内面に設
けられた透光性を有する帯状の陽極導体６ａと、該陽極
導体６ａの上面に被着された蛍光体層７ａによって構成
される。外囲器１ａ内の前記陽極５ａの上方には、スペ
ーサ８ａを介して複数本の線状の制御電極９ａが互いに
平行に所定の間隔をおいて張設されている。各制御電極
９ａの長手方向は、前記陽極５ａの長手方向と直交して
いる。各制御電極９ａの両端部は外囲器１ａの封着部分
を気密に貫通して外囲器１ａ外に引き出されている。外
囲器１ａ内の背面板３ａの内面には、取り付けフレーム
１０ａを介して電子源である線状の陰極１１ａが張設さ
れている。
【００５８】このグラフィック蛍光表示管を駆動するに
は、隣接する２本の制御電極９ａ，９ａに同時に走査信
号を加えると共に、これを順次１本ずつ移動させながら
走査していく。制御電極９ａの走査に同期して陽極５ａ
に表示信号を与える。帯状の陽極５ａと、これに直交す
る２本の制御電極９ａ，９ａで囲まれた領域が単位発光
領域となり、選択された単位発光領域の集合によって任
意の画像表示が行われる。
は、隣接する２本の制御電極９ａ，９ａに同時に走査信
号を加えると共に、これを順次１本ずつ移動させながら
走査していく。制御電極９ａの走査に同期して陽極５ａ
に表示信号を与える。帯状の陽極５ａと、これに直交す
る２本の制御電極９ａ，９ａで囲まれた領域が単位発光
領域となり、選択された単位発光領域の集合によって任
意の画像表示が行われる。
【００５９】前記陽極５ａに設ける蛍光体層７ａを、前
述した窒化金属で被覆した蛍光体で構成すれば、初期輝
度が高く、使用時の寿命の劣化が少なく、表示品位の高
い蛍光表示管を実現できる。各陽極５ａを、赤緑青の各
発光色を有する３種類の蛍光体を交互に使用して構成す
れば、フルカラーのグラフィック蛍光表示管とすること
もできる。
述した窒化金属で被覆した蛍光体で構成すれば、初期輝
度が高く、使用時の寿命の劣化が少なく、表示品位の高
い蛍光表示管を実現できる。各陽極５ａを、赤緑青の各
発光色を有する３種類の蛍光体を交互に使用して構成す
れば、フルカラーのグラフィック蛍光表示管とすること
もできる。
【００６０】図５は電界放出素子の一例を示す断面図で
ある。電界放出形蛍光表示装置１は所定間隔をおいて対
面する第１基板２と第２基板３を有している。図示しな
いが、両基板２，３の外周部はスペーサを兼ねたシール
材によって封止されており、内部を高真空状態とされた
外囲器４が構成されている。
ある。電界放出形蛍光表示装置１は所定間隔をおいて対
面する第１基板２と第２基板３を有している。図示しな
いが、両基板２，３の外周部はスペーサを兼ねたシール
材によって封止されており、内部を高真空状態とされた
外囲器４が構成されている。
【００６１】第１基板２の内面には電子源としてＦＥＣ
５（電界放出形陰極、Field Emis-sion Cathode）が構
成されている。即ち、第１基板２の内面に設けられた陰
極導体６の上には抵抗層７があり、該抵抗層７の上には
絶縁層８を介してゲート電極９が設けられている。ゲー
ト電極９と絶縁層８には抵抗層７に達する多数の空孔１
０が形成され、各空孔１０内の抵抗層７上にはコーン形
状のエミッタ１１がそれぞれ形成されている。
５（電界放出形陰極、Field Emis-sion Cathode）が構
成されている。即ち、第１基板２の内面に設けられた陰
極導体６の上には抵抗層７があり、該抵抗層７の上には
絶縁層８を介してゲート電極９が設けられている。ゲー
ト電極９と絶縁層８には抵抗層７に達する多数の空孔１
０が形成され、各空孔１０内の抵抗層７上にはコーン形
状のエミッタ１１がそれぞれ形成されている。
【００６２】前記ＦＥＣ５に対向する第２基板３の内面
には、赤色・緑色・青色の３色をそれぞれ表示する３種
類の表示部からなる発光表示部２０が構成されている。
即ち、第２基板３の内面には、透光性電極である陽極導
体１２，１３，１４が所定間隔をおいて繰り返して被着
されている。各陽極導体１２，１３，１４の上には、赤
色・緑色・青色の３色をそれぞれ発光色とする３種の蛍
光体Ｒ，Ｇ，Ｂがそれぞれ被着されている。
には、赤色・緑色・青色の３色をそれぞれ表示する３種
類の表示部からなる発光表示部２０が構成されている。
即ち、第２基板３の内面には、透光性電極である陽極導
体１２，１３，１４が所定間隔をおいて繰り返して被着
されている。各陽極導体１２，１３，１４の上には、赤
色・緑色・青色の３色をそれぞれ発光色とする３種の蛍
光体Ｒ，Ｇ，Ｂがそれぞれ被着されている。
【００６３】ここで前記第１及び第２基板２，３はガラ
ス板、陰極導体６とゲート電極９とエミッタ１１はＭ
ｏ、抵抗層７はＰ又はＢがドープされたアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）、絶縁層８はＳｉＯ2 、陽極導体１
２，１３，１４はＩＴＯから成る。なお前記陽極導体１
２，１３，１４は透光性を必要とするので、ＩＴＯ以外
にも、他の透光性かつ導電性の薄膜、メッシュ状乃至ス
トライプ状のような透光性の構造とされたアルミニウム
等の金属薄膜等から構成することもできる。
ス板、陰極導体６とゲート電極９とエミッタ１１はＭ
ｏ、抵抗層７はＰ又はＢがドープされたアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）、絶縁層８はＳｉＯ2 、陽極導体１
２，１３，１４はＩＴＯから成る。なお前記陽極導体１
２，１３，１４は透光性を必要とするので、ＩＴＯ以外
にも、他の透光性かつ導電性の薄膜、メッシュ状乃至ス
トライプ状のような透光性の構造とされたアルミニウム
等の金属薄膜等から構成することもできる。
【００６４】前記発光表示部２０の各蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂ
の少なくとも一部に、前述した窒化金属で被覆した蛍光
体を利用すれば、初期輝度が高く、使用時の寿命の劣化
が少なく、表示品位の高い蛍光表示管を実現できる。
の少なくとも一部に、前述した窒化金属で被覆した蛍光
体を利用すれば、初期輝度が高く、使用時の寿命の劣化
が少なく、表示品位の高い蛍光表示管を実現できる。
【００６５】
【発明の効果】本発明の低速電子線用蛍光体はペルヒド
ロポリシラザンの溶液を粒子に被着して窒素雰囲気中で
焼成して成る窒化珪素Ｓｉ 3 Ｎ 4 で被覆してあるので、
被覆する工程で蛍光体の表面が劣化されることがなく、
使用時にも劣化されにくく、低電圧で加速された電子の
射突によって表面が発光するので、蛍光表示管や電界放
出素子等の表示部に適用することができる。
ロポリシラザンの溶液を粒子に被着して窒素雰囲気中で
焼成して成る窒化珪素Ｓｉ 3 Ｎ 4 で被覆してあるので、
被覆する工程で蛍光体の表面が劣化されることがなく、
使用時にも劣化されにくく、低電圧で加速された電子の
射突によって表面が発光するので、蛍光表示管や電界放
出素子等の表示部に適用することができる。
【図１】第１実施例におけるＳｉ3 Ｎ4 の被着量と蛍光
体の初期輝度との関係を表すグラフである。
体の初期輝度との関係を表すグラフである。
【図２】第１実施例におけるＳｉ3 Ｎ4 の被着量と寿命
試験５００時間後の輝度との関係を表すグラフである。
試験５００時間後の輝度との関係を表すグラフである。
【図３】第２実施例におけるＳｉ3 Ｎ4 の被着量と蛍光
体の初期輝度との関係を表すグラフである。
体の初期輝度との関係を表すグラフである。
【図４】本発明の各実施例の低速電子線用蛍光体を適用
しうる蛍光表示管の一例を示す断面図である。
しうる蛍光表示管の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の各実施例の低速電子線用蛍光体を適用
しうる電界放出素子の一例を示す断面図である。
しうる電界放出素子の一例を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 11/78 ＣＰＢ Ｃ０９Ｋ 11/78 ＣＰＢ (72)発明者 佐藤 義孝 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 平２−114193（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−59357（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−93188（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−99744（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−178386（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−168683（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−258890（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−142083（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−67391（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−238085（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−278990（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−78162（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 蛍光体粒子の表面に被着したペルヒドロ
ポリシラザンの溶液を窒素雰囲気中で焼成して成る窒化
硅素Ｓｉ 3 Ｎ 4 で被覆された低速電子線用蛍光体。 - 【請求項２】 前記蛍光体が、アルカリ土類硫化物蛍光
体である請求項１記載の低速電子線用蛍光体。 - 【請求項３】 前記蛍光体が、ＣａＳ系蛍光体である請
求項２記載の低速電子線用蛍光体。 - 【請求項４】 前記蛍光体が、ＺｎＧａ 2 Ｏ 4 系蛍光体
である請求項１記載の低速電子線用蛍光体。 - 【請求項５】 前記蛍光体が、アルカリ土類シリケート
蛍光体である請求項１記載の低速電子線用蛍光体。 - 【請求項６】 前記蛍光体が、アルカリ土類チタン酸塩
蛍光体である請求項１記載の低速電子線用蛍光体。 - 【請求項７】 前記蛍光体が、Ｙ 2 Ｏ 3 系蛍光体である
請求項１記載の低速電子線用蛍光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110785A JP2746192B2 (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 低速電子線用蛍光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110785A JP2746192B2 (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 低速電子線用蛍光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08302342A JPH08302342A (ja) | 1996-11-19 |
| JP2746192B2 true JP2746192B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=14544572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110785A Expired - Fee Related JP2746192B2 (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 低速電子線用蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746192B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8890196B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-11-18 | Goldeneye, Inc. | Lightweight self-cooling light sources |
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|---|---|---|---|---|
| EP1215703A1 (de) * | 2000-12-13 | 2002-06-19 | dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec AG | Bildschirm, insbesondere Farbbildschirm, Beschichtung desselben und Mittel zur Herstellung der Beschichtung |
| JP4524469B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-08-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体粒子およびその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル、照明装置およびｌｅｄ |
| KR100659062B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 형광체 페이스트 조성물 및 이를 이용한 평판 디스플레이장치의 제조 방법 |
| JP5318445B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-10-16 | ソニー株式会社 | 平面型表示装置 |
| JP2013505853A (ja) * | 2009-09-25 | 2013-02-21 | 海洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | 発光ガラス及びその製造方法、並びに発光装置 |
| US10174242B1 (en) * | 2018-05-17 | 2019-01-08 | Eie Materials, Inc. | Coated thioaluminate phosphor particles |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7903102A (nl) * | 1979-04-20 | 1980-10-22 | Philips Nv | Luminescerende stof met aardalkalimetaalsilikaat- aluminaatgrondrooster. |
| EP0200279B1 (en) * | 1985-05-01 | 1990-03-21 | North American Philips Corporation | Luminescent alkaline earth metal silicate and low pressure mercury vapour discharge lamp comprising such a silicate |
| JPS63278990A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Kohjin Co Ltd | 蛍光体の製造方法 |
| JPH0267391A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Nec Corp | カラーディスプレイ用陰極線管 |
| JPH02114193A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Showa Denko Kk | 薄膜放射線検出体の製造方法 |
| JPH0747733B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-05-24 | 双葉電子工業株式会社 | 青色発光蛍光体 |
| JPH02238085A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Hitachi Ltd | 赤色発光けい光体 |
| JPH0559357A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ホウ素で表面処理された蛍光体 |
| JP2698857B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1998-01-19 | 日本電信電話株式会社 | 赤外可視変換蛍光体の製造方法 |
| JP2656408B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1997-09-24 | 日本電信電話株式会社 | 赤外可視変換素子の記録情報消去方法 |
| JP2718000B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-02-25 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7110785A patent/JP2746192B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8890196B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-11-18 | Goldeneye, Inc. | Lightweight self-cooling light sources |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08302342A (ja) | 1996-11-19 |
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