JP2736655B2 - 化合物半導体結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体結晶成長方法Info
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- semiconductor crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 III−Ｖ族化合物半導体のうちのIII族元素にInが含ま
れている化合物半導体結晶を成長させる方法の改良に関
し、 Inを含む化合物半導体結晶を成長させる際、気相中で
の原料ガスの濃度に変化を生じても、結晶膜の成長速
度、組成、均一性に悪影響がなく、しかも、膜厚に関し
て原子層オーダーの制御が可能である化合物半導体結晶
成長方法を提供することを目的とし、 気相中ではInの原料であるトリメチルインジウムが熱
分解してIn原子にならない程度の温度を維持できるよう
に基板を加熱し、該基板の表面にトリメチルインジウム
及び隣や砒素などＶ族元素を含む水素化合物を交互に供
給してInを含む化合物半導体結晶を成長させる工程が含
まれてなるよう構成する。
れている化合物半導体結晶を成長させる方法の改良に関
し、 Inを含む化合物半導体結晶を成長させる際、気相中で
の原料ガスの濃度に変化を生じても、結晶膜の成長速
度、組成、均一性に悪影響がなく、しかも、膜厚に関し
て原子層オーダーの制御が可能である化合物半導体結晶
成長方法を提供することを目的とし、 気相中ではInの原料であるトリメチルインジウムが熱
分解してIn原子にならない程度の温度を維持できるよう
に基板を加熱し、該基板の表面にトリメチルインジウム
及び隣や砒素などＶ族元素を含む水素化合物を交互に供
給してInを含む化合物半導体結晶を成長させる工程が含
まれてなるよう構成する。
本発明は、III−Ｖ族化合物半導体のうちのIII族元素
にInが含まれている化合物半導体結晶を成長させる方法
の改良に関する。
にInが含まれている化合物半導体結晶を成長させる方法
の改良に関する。
現在、光通信用として長波長帯域に発振波長をもつ半
導体レーザや性能を向上させる為に量子井戸構造を備え
た半導体レーザが注目されている。
導体レーザや性能を向上させる為に量子井戸構造を備え
た半導体レーザが注目されている。
これらの半導体デバイスを作成するには、InP,InGaA
s,InGaP,InGaAsPなどInを含む化合物半導体結晶の成長
技術が重要である。
s,InGaP,InGaAsPなどInを含む化合物半導体結晶の成長
技術が重要である。
前記半導体デバイスを再現性良く、しかも、多量に製
造する為には、Inの原料に関する濃度の変化、或いは、
反応室中に於ける原料ガスの消費に起因する原料ガスの
濃度や組成の変化などに依り、成長する化合物半導体結
晶膜の組成や均一性などが影響を受けないような結晶成
長技術を開発する必要がある。
造する為には、Inの原料に関する濃度の変化、或いは、
反応室中に於ける原料ガスの消費に起因する原料ガスの
濃度や組成の変化などに依り、成長する化合物半導体結
晶膜の組成や均一性などが影響を受けないような結晶成
長技術を開発する必要がある。
従来、Inを含む化合物半導体結晶を成長させる場合、
Inの原料としては有機金属化合物であるトリメチルイン
ジウム（In（CH3）3:TMI）を、また、Ｖ族元素を含む原
料としてはアルシン（AsH3）やホスフィン（PH3）など
の水素化物を用い、これらを混合して反応室に送入し、
基板表面或いはその近傍に於ける気相中で熱分解させる
などの化学反応を利用して結晶膜を堆積させるOMVPE（o
rganometallics vapor phase epitaxy）法が主に実
施されている。
Inの原料としては有機金属化合物であるトリメチルイン
ジウム（In（CH3）3:TMI）を、また、Ｖ族元素を含む原
料としてはアルシン（AsH3）やホスフィン（PH3）など
の水素化物を用い、これらを混合して反応室に送入し、
基板表面或いはその近傍に於ける気相中で熱分解させる
などの化学反応を利用して結晶膜を堆積させるOMVPE（o
rganometallics vapor phase epitaxy）法が主に実
施されている。
第５図はIn（CH3）３とPH3とを原料ガスにし、前記OM
VPE法を実施してInPの結晶を成長させた場合のIn（C
H3）３流量依存性を表す線図であり、横軸にはIn（C
H3）３流量を、縦軸には成長膜厚をそれぞれ採ってあ
る。尚、In（CH3）３の流量は〔ml/分〕で、そして、成
長膜厚は〔Å／分〕でそれぞれ表してある。
VPE法を実施してInPの結晶を成長させた場合のIn（C
H3）３流量依存性を表す線図であり、横軸にはIn（C
H3）３流量を、縦軸には成長膜厚をそれぞれ採ってあ
る。尚、In（CH3）３の流量は〔ml/分〕で、そして、成
長膜厚は〔Å／分〕でそれぞれ表してある。
このデータを得た際の条件は、 雰囲気温度:600〔℃〕 In（CH3）３の蒸気圧:1〔Torr〕 In（CH3）３のバブラ温度:13.5〔℃〕 PH3のモル分率（m.f.）:4.8×10-2 反応室内の全圧力:15〔Torr〕 図から判るように、In（CH3）３の流量が変化するに
つれてInP結晶の成長膜厚も変化している。
つれてInP結晶の成長膜厚も変化している。
然しながら、OMVPE法では、結晶膜の成長速度が、In
の原料であるIn（CH3）３の流量、即ち、濃度に比例す
る為、 （１） In（CH3）３の容器に於ける温度変化、また、
この容器を通過する水素（H2）などのキャリヤ・ガスの
流量変化、更には、その容器中のIn（CH3）３の残量変
化に伴う蒸発量の変化などに依り、反応室中に供給され
るIn（CH3）３の濃度が変化すること、 （２） 反応室中で結晶膜が堆積されるにつれてIn（CH
3）３が消費されること、 などが原因となって結晶成長速度の再現性や同一基板内
或いは各基板間での膜厚の均一性が良くない旨の問題が
ある。
の原料であるIn（CH3）３の流量、即ち、濃度に比例す
る為、 （１） In（CH3）３の容器に於ける温度変化、また、
この容器を通過する水素（H2）などのキャリヤ・ガスの
流量変化、更には、その容器中のIn（CH3）３の残量変
化に伴う蒸発量の変化などに依り、反応室中に供給され
るIn（CH3）３の濃度が変化すること、 （２） 反応室中で結晶膜が堆積されるにつれてIn（CH
3）３が消費されること、 などが原因となって結晶成長速度の再現性や同一基板内
或いは各基板間での膜厚の均一性が良くない旨の問題が
ある。
本発明は、Inを含む化合物半導体結晶を成長させる
際、気相中での原料ガスの濃度に変化を生じても、結晶
膜の成長速度、組成、均一性に悪影響がなく、しかも、
膜厚に関して原子層オーダーの制御が可能である化合物
半導体結晶成長方法を提供しようとする。
際、気相中での原料ガスの濃度に変化を生じても、結晶
膜の成長速度、組成、均一性に悪影響がなく、しかも、
膜厚に関して原子層オーダーの制御が可能である化合物
半導体結晶成長方法を提供しようとする。
前記した従来技術に於いては、約600〔℃〕以上の高
温にした基板上にIn（CH3）３及びPH3などを同時に供給
するようにしている。従って、In（CH3）３及びPH3は、
それぞれ該基板上或いはその近傍の気相中で熱分解を起
こし、特に、In（CH3）３の場合には、基板表面にIn原
子の状態で供給されている。
温にした基板上にIn（CH3）３及びPH3などを同時に供給
するようにしている。従って、In（CH3）３及びPH3は、
それぞれ該基板上或いはその近傍の気相中で熱分解を起
こし、特に、In（CH3）３の場合には、基板表面にIn原
子の状態で供給されている。
MBE（molecular beam epitaxy）法の研究からも明
らかなことであるが、In原子の基板結晶への被着確率は
略１であり、従って、結晶の成長速度はIn（CH3）３の
導入量に比例して決定される。この為、前記したよう
に、特に、In（CH3）３の濃度変化が起こると、膜厚や
組成の変動、或いは、均一性の低下などが発生するので
ある。
らかなことであるが、In原子の基板結晶への被着確率は
略１であり、従って、結晶の成長速度はIn（CH3）３の
導入量に比例して決定される。この為、前記したよう
に、特に、In（CH3）３の濃度変化が起こると、膜厚や
組成の変動、或いは、均一性の低下などが発生するので
ある。
そこで、本発明では、基板表面近傍に於ける気相中の
温度をIn（CH3）３がIn原子にまでは分解しない程度の
温度、従って、基板温度を約300乃至400〔℃〕とし、従
来技術に比較すると約200乃至300〔℃〕も低い温度に維
持するものである。即ち、このような温度に於いては、
In（CH3）３の熱分解は起こらないか、或いは、分解が
起こってもIn（CH3）ｘ（ｘ＝１或いは２）の形のよう
な中間的な分解までしか進行せず、In原子は発生しない
ようにするものである。
温度をIn（CH3）３がIn原子にまでは分解しない程度の
温度、従って、基板温度を約300乃至400〔℃〕とし、従
来技術に比較すると約200乃至300〔℃〕も低い温度に維
持するものである。即ち、このような温度に於いては、
In（CH3）３の熱分解は起こらないか、或いは、分解が
起こってもIn（CH3）ｘ（ｘ＝１或いは２）の形のよう
な中間的な分解までしか進行せず、In原子は発生しない
ようにするものである。
このように、In原料を分子種の形で基板表面に供給す
ると、その基板表面に吸着されるInの分子種は、そこに
在るＰと化学的に結合したもののみが留まり、Ｐと結合
できなかったものは再蒸発する。従って、基板表面に吸
着されるIn分子種は、せいぜい単分子層であり、それ以
上は吸着されない。その結果、In（CH3）３の濃度が変
化しても、余分に供給された分は結晶成長に寄与しない
のである。
ると、その基板表面に吸着されるInの分子種は、そこに
在るＰと化学的に結合したもののみが留まり、Ｐと結合
できなかったものは再蒸発する。従って、基板表面に吸
着されるIn分子種は、せいぜい単分子層であり、それ以
上は吸着されない。その結果、In（CH3）３の濃度が変
化しても、余分に供給された分は結晶成長に寄与しない
のである。
この後、気相中からInの分子種を充分にパージしてか
ら、PH3など、Ｖ族元素を含むガスを供給すると、基板
表面に於ける前記した第一層目のIn或いはIn分子種と反
応が進んで原子層オーダーの結晶膜が得られるのであ
る。
ら、PH3など、Ｖ族元素を含むガスを供給すると、基板
表面に於ける前記した第一層目のIn或いはIn分子種と反
応が進んで原子層オーダーの結晶膜が得られるのであ
る。
前記したように、基板表面を最高温にし、そして、基
板表面近傍のガス温度は上昇させないようにする為に
は、基板を載置したサセプタを誘導加熱したり、裏面か
ら輻射加熱したり、赤外線ランプを照射するなどの加熱
方式を採用して実現させることができる。また、前記説
明では、InPを採り上げたが、Inを含む他の二元以上のI
II−Ｖ族化合物半導体の場合についても同様に実施する
ことができる。
板表面近傍のガス温度は上昇させないようにする為に
は、基板を載置したサセプタを誘導加熱したり、裏面か
ら輻射加熱したり、赤外線ランプを照射するなどの加熱
方式を採用して実現させることができる。また、前記説
明では、InPを採り上げたが、Inを含む他の二元以上のI
II−Ｖ族化合物半導体の場合についても同様に実施する
ことができる。
前記したようなことから、本発明に依る化合物半導体
結晶成長方法では、気相中ではInの原料であるトリメチ
ルインジウムが熱分解してIn原子にならない程度の温度
を維持できるように基板を加熱し、該基板の表面にトリ
メチルインジウム及び隣や砒素などＶ族元素を含む水素
化合物を交互に供給してInを含む化合物半導体結晶を成
長させる工程が含まれる。
結晶成長方法では、気相中ではInの原料であるトリメチ
ルインジウムが熱分解してIn原子にならない程度の温度
を維持できるように基板を加熱し、該基板の表面にトリ
メチルインジウム及び隣や砒素などＶ族元素を含む水素
化合物を交互に供給してInを含む化合物半導体結晶を成
長させる工程が含まれる。
前記手段を採ることに依り、気相中のIn（CH3）３に
濃度変化が起こっても、基板上に成長するInを含む化合
物半導体結晶膜の組成や成長率は全く影響を受けず、均
一性が高い膜を原子的スケールで再現性良く成長させる
ことができ、大量のウエハについてエピタキシャル成長
を行う場合、ウエハ間の膜厚のバラツキを一原子層以下
に抑制することが可能である。
濃度変化が起こっても、基板上に成長するInを含む化合
物半導体結晶膜の組成や成長率は全く影響を受けず、均
一性が高い膜を原子的スケールで再現性良く成長させる
ことができ、大量のウエハについてエピタキシャル成長
を行う場合、ウエハ間の膜厚のバラツキを一原子層以下
に抑制することが可能である。
第１図は本発明を実施する気相エピタキシャル成長装
置の一例を解説する為の要部説明図を表している。
置の一例を解説する為の要部説明図を表している。
図に於いて、１はウエハ装着用操作杆、２は準備室、
３はゲート・バルブ、４は反応室、５はカーボン・サセ
プタ、６は輻射加熱用ヒータ、７はターボ分子ポンプ、
８は排気口、９はフィルタ、10はロータリ・ポンプ、11
はマニホールド・バルブ、12はマスフロー・コントロー
ラ（MFC）、13はトリメチルインジウム源、14はホスフ
ィン源、15はキャリヤ・ガスであるH2送入管、16はウエ
ハをそれぞれ示している。
３はゲート・バルブ、４は反応室、５はカーボン・サセ
プタ、６は輻射加熱用ヒータ、７はターボ分子ポンプ、
８は排気口、９はフィルタ、10はロータリ・ポンプ、11
はマニホールド・バルブ、12はマスフロー・コントロー
ラ（MFC）、13はトリメチルインジウム源、14はホスフ
ィン源、15はキャリヤ・ガスであるH2送入管、16はウエ
ハをそれぞれ示している。
本発明では、In（CH3）３とＶ族元素を含むガス（図
示の気相エピタキシャル成長装置ではPH3）とをウエハ1
6上に交互に供給しなければならないので、そのガス切
り替えにはマニホールド・バルブ11を用い、ベント（Ve
nt）／ラン（run）方式で行う。そのようにして表面に
ガスが供給されるウエハ16は、厚さが350〔μｍ〕程度
であって、カーボン製のサセプタ５に形成された深さが
0.3〔mm〕程度の矩形の凹所に載置される。そのサセプ
タ５は、裏面側からヒータ６に依って輻射加熱されるよ
うになっていて、ウエハ16が300〜400〔℃〕に加熱さ
れ、しかも、その近傍の気相中に於ける温度は低く維持
されてIn原子の発生が防止されるようになっている。
示の気相エピタキシャル成長装置ではPH3）とをウエハ1
6上に交互に供給しなければならないので、そのガス切
り替えにはマニホールド・バルブ11を用い、ベント（Ve
nt）／ラン（run）方式で行う。そのようにして表面に
ガスが供給されるウエハ16は、厚さが350〔μｍ〕程度
であって、カーボン製のサセプタ５に形成された深さが
0.3〔mm〕程度の矩形の凹所に載置される。そのサセプ
タ５は、裏面側からヒータ６に依って輻射加熱されるよ
うになっていて、ウエハ16が300〜400〔℃〕に加熱さ
れ、しかも、その近傍の気相中に於ける温度は低く維持
されてIn原子の発生が防止されるようになっている。
第２図は本発明一実施例に於けるガスの供給に関する
タイミング・チャートであり、ｔ時間を表している。
タイミング・チャートであり、ｔ時間を表している。
ここでは、まず、10〔％〕PH3＋H2を流量500〔sccm〕
として10〔秒〕間に亙って流し、次に、H2を流量500〔s
ccm〕として３〔秒〕間に亙って流すことでパージを行
い、次に、TMI＋H2を流量500〔sccm〕として５〔秒〕間
に亙って流し、次に、H2を流量500〔sccm〕として３
〔秒〕間に亙って流すことでパージを行って１サイクル
が終了する。各ガスは500〔sccm〕の等流量にしてある
から、反応室４内には常に何れかのガスが500〔sccm〕
だけ流れていることになる。
として10〔秒〕間に亙って流し、次に、H2を流量500〔s
ccm〕として３〔秒〕間に亙って流すことでパージを行
い、次に、TMI＋H2を流量500〔sccm〕として５〔秒〕間
に亙って流し、次に、H2を流量500〔sccm〕として３
〔秒〕間に亙って流すことでパージを行って１サイクル
が終了する。各ガスは500〔sccm〕の等流量にしてある
から、反応室４内には常に何れかのガスが500〔sccm〕
だけ流れていることになる。
第３図は、In（CH3）３とPH3とを原料ガスにし、本発
明を実施してInPの結晶を成長させた場合のIn（CH3）３
流量依存性を表す線図であり、横軸にはIn（CH3）３流
量を、縦軸には１サイクル当たりの成長膜厚をそれぞれ
採ってある。尚、In（CH3）３の流量は〔ml/分〕で、ま
た、成長膜厚は格子定数でそれぞれ表してある。
明を実施してInPの結晶を成長させた場合のIn（CH3）３
流量依存性を表す線図であり、横軸にはIn（CH3）３流
量を、縦軸には１サイクル当たりの成長膜厚をそれぞれ
採ってある。尚、In（CH3）３の流量は〔ml/分〕で、ま
た、成長膜厚は格子定数でそれぞれ表してある。
このデータを得た際の条件は、 ウエハ16の温度:350〔℃〕 In（CH3）３の蒸気圧:3〔Torr〕 In（CH3）３を流す時間:3〔秒〕/1サイクル In（CH3）３のバブラ温度:27.1〔℃〕 PH3の濃度:20〔％〕 PH3の流量:480〔ml/分〕 PH3を流す時間:20〔秒〕/1サイクル 図から判るように、In（CH3）３の流量が10〔ml/分〕
〜90〔ml/分〕と変化しても、InP結晶の成長率は変化し
ていない。これは、成長速度が気相中のIn（CH3）３の
濃度の影響を受けていないことを示している。
〜90〔ml/分〕と変化しても、InP結晶の成長率は変化し
ていない。これは、成長速度が気相中のIn（CH3）３の
濃度の影響を受けていないことを示している。
この場合のInP結晶の成長率は、１サイクル当たり1.4
7〔Å〕であって、これはInPの1/4格子定数に相当す
る。
7〔Å〕であって、これはInPの1/4格子定数に相当す
る。
第４図はIn（CH3）３の供給時間と１サイクル当たり
のInP結晶成長膜厚との関係を表す線図であり、横軸にI
n（CH3）３をパルス的に流す場合の時間を〔秒〕で、ま
た、縦軸には１サイクル当たりの膜厚をML（monolaye
r）でそれぞれ採ってある。MLは分子層単位であって、
一分子層は1/2格子定数に相当し、ここでは約2.93
〔Å〕である。
のInP結晶成長膜厚との関係を表す線図であり、横軸にI
n（CH3）３をパルス的に流す場合の時間を〔秒〕で、ま
た、縦軸には１サイクル当たりの膜厚をML（monolaye
r）でそれぞれ採ってある。MLは分子層単位であって、
一分子層は1/2格子定数に相当し、ここでは約2.93
〔Å〕である。
図に於いて、一点鎖線は本発明一実施例の特性線であ
り、この際のウエハ16の温度は、前記同様、350〔℃〕
である。また、破線は比較の為に挙げた従来技術に依っ
た場合の特性線であり、原子層エピタキシャル成長（at
omic layer epitaxy:ALE）法を実施して得られたもの
で、この際のウエハの温度は600〔℃〕である。
り、この際のウエハ16の温度は、前記同様、350〔℃〕
である。また、破線は比較の為に挙げた従来技術に依っ
た場合の特性線であり、原子層エピタキシャル成長（at
omic layer epitaxy:ALE）法を実施して得られたもの
で、この際のウエハの温度は600〔℃〕である。
本発明に依る化合物半導体結晶成長方法に於いては、
気相中でIn（CH3）３が分解してIn原子にならない程度
の温度に基板を加熱し、トリメチルインジウム及び隣や
砒素などＶ族元素を含む化合物を交互に供給してInを含
む化合物半導体結晶を成長させるようにしている。
気相中でIn（CH3）３が分解してIn原子にならない程度
の温度に基板を加熱し、トリメチルインジウム及び隣や
砒素などＶ族元素を含む化合物を交互に供給してInを含
む化合物半導体結晶を成長させるようにしている。
前記構成を採ることに依り、気相中のIn（CH3）３に
濃度変化が起こっても、基板上に成長するInを含む化合
物半導体結晶膜の組成や成長率は全く影響を受けず、均
一性が高い膜を原子的スケールで再現性良く成長させる
ことができ、大量のウエハについてエピタキシャル成長
を行う場合、ウエハ間の膜厚のバラツキを一原子層以下
に抑制することが可能である。
濃度変化が起こっても、基板上に成長するInを含む化合
物半導体結晶膜の組成や成長率は全く影響を受けず、均
一性が高い膜を原子的スケールで再現性良く成長させる
ことができ、大量のウエハについてエピタキシャル成長
を行う場合、ウエハ間の膜厚のバラツキを一原子層以下
に抑制することが可能である。
第１図は本発明を実施する気相エピタキシャル成長装置
の一例を解説する為の要部説明図、第２図は本発明一実
施例に於けるソース・ガスの供給に関するタイミング・
チャート、第３図は本発明を実施してInP結晶を成長さ
せる場合に於けるIn（CH3）３流量依存性を説明する為
の線図、第４図は本発明を実施してInP結晶を成長させ
る場合に於けるIn（CH3）３の供給時間と１サイクル当
たりのInP結晶成長膜厚との関係を説明する為の線図、
第５図はIn（CH3）３及びPH3を原料ガスとする従来のOM
VPE法を適用してInP結晶を成長させる場合のIn（CH3）
３流量依存性を説明する為の線図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、１はウエハ装着用操作杆、２は準備室、３
はゲート・バルブ、４は反応室、５はカーボン・サセプ
タ、６は輻射加熱用ヒータ、７はターボ分子ポンプ、８
は排気口、９はフィルタ、10はロータリ・ポンプ、11は
マニホールド・バルブ、12はマスフロー・コントローラ
（MFC）、13はトリメチルインジウム源、14はホスフィ
ン源、15はキャリヤ・ガスであるH2送入管、16はウエハ
をそれぞれ示している。
の一例を解説する為の要部説明図、第２図は本発明一実
施例に於けるソース・ガスの供給に関するタイミング・
チャート、第３図は本発明を実施してInP結晶を成長さ
せる場合に於けるIn（CH3）３流量依存性を説明する為
の線図、第４図は本発明を実施してInP結晶を成長させ
る場合に於けるIn（CH3）３の供給時間と１サイクル当
たりのInP結晶成長膜厚との関係を説明する為の線図、
第５図はIn（CH3）３及びPH3を原料ガスとする従来のOM
VPE法を適用してInP結晶を成長させる場合のIn（CH3）
３流量依存性を説明する為の線図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、１はウエハ装着用操作杆、２は準備室、３
はゲート・バルブ、４は反応室、５はカーボン・サセプ
タ、６は輻射加熱用ヒータ、７はターボ分子ポンプ、８
は排気口、９はフィルタ、10はロータリ・ポンプ、11は
マニホールド・バルブ、12はマスフロー・コントローラ
（MFC）、13はトリメチルインジウム源、14はホスフィ
ン源、15はキャリヤ・ガスであるH2送入管、16はウエハ
をそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【請求項１】気相中ではInの原料であるトリメチルイン
ジウムが熱分解してIn原子にならない程度の温度を維持
できるように基板を加熱し、 該基板の表面にトリメチルインジウム及び燐や砒素など
Ｖ族元素を含む水素化合物を交互に供給してInを含む化
合物半導体結晶を成長させる工程 が含まれてなることを特徴とする化合物半導体結晶の成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160695A JP2736655B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160695A JP2736655B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212814A JPH0212814A (ja) | 1990-01-17 |
| JP2736655B2 true JP2736655B2 (ja) | 1998-04-02 |
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ID=15720470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160695A Expired - Fee Related JP2736655B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736655B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270247A (en) * | 1991-07-12 | 1993-12-14 | Fujitsu Limited | Atomic layer epitaxy of compound semiconductor |
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|---|---|---|---|---|
| JPS62213253A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63160695A patent/JP2736655B2/ja not_active Expired - Fee Related
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