JP2710222B2 - 液晶光学素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電圧無印加時に透明状
態あるいは選択反射状態となり、電圧印加時に散乱状態
となる液晶光学素子に関するものであり、本発明の液晶
光学素子は、文字、図形等を表示する表示装置、光シャ
ッター等に利用される。

【０００２】

【従来の技術】液晶を用いた表示素子は、従来、ネマチ
ック液晶を使用したＴＮ型や、ＳＴＮ型のものが実用化
されている。また近年、強誘電液晶や反強誘電液晶の開
発も行われている。しかしこれらの素子は偏光板を要す
るため、明るさ、コントラストにおいて制限を受けると
いう欠点を有している。

【０００３】一方、特公平３−５２８４３号公報に開示
された、液晶をカプセル化し、高分子樹脂中に分散する
方法では、偏光板を必要としないため光の利用効率が高
いという利点を有している。このＰＤＬＣまたはＮＣＡ
Ｐと呼ばれる液晶光学素子においては、カプセル内の液
晶の屈折率が電界の有無によって変化することを利用し
ている。つまりカプセル材の屈折率を電圧印加下の液晶
の屈折率と等しく設定することにより電圧印加下では光
を透過し透明となり、電圧を除いた時には光を散乱し不
透明となる光学素子が得られる。しかしながら上記液晶
光学素子は、高分子樹脂と液晶との屈折率差を利用して
いるため、光透過率の温度依存性が大きい、光透過率の
視野角依存性が大きい等の問題があった。

【０００４】これに対し、国際出願９２／１９６９５号
公報に開示されたカイラルネマチック液晶中に微量の高
分子樹脂を分散する方法では、電圧無印加下に液晶相は
プレナーテクスチャーを形成し素子は透明となり、電圧
印加下にフォーカルコニックテクスチャーを形成し不透
明となる液晶光学素子が得られている。一般にＰＳＣＴ
と呼ばれるこの液晶光学素子は、カイラルネマチック液
晶の相変化による光の透過散乱現象を利用しており、液
晶と高分子樹脂との屈折率差を利用するものではない。
このため、光透過率の視野角依存性も小さく、また、光
透過率の温度依存性が小さいという利点を有している。
さらにカイラルピッチの調整により、選択反射も可能と
なる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記国際出願９２／１
９６９５号公報において、高分子樹脂前駆体としては
４，４′−ビスアクリロイルビフェニルが例示されてい
る。しかしながら、上記開示技術の液晶光学素子は、光
透過型で駆動電圧が１４Ｖ以上と高く、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）等で駆動することが出来ないという問題点
があった。また上記開示技術による素子はヒステリシス
が大きく、階調表示が出来ないという問題もあった。

【０００６】特開平５−２２４１８７号公報では、上記
液晶光学素子の特性の改善が提案されており、高分子樹
脂前駆体として、４，４′−ジアクリロイルオキシ３，
３′，５，５′−テトラメチルビフェニルが例示されて
いる。しかしながら、この液晶光学素子も駆動電圧が約
１０Ｖと高く、またヒステリシスも０．８Ｖと大きく、
十分なものとは言えない。これらの２つの開示技術は、
いずれも高分子樹脂前駆体としてビフェニル骨格を有し
ている化合物を使用している。

【０００７】

【課題を解決するための手段】一般に、駆動電圧やヒス
テリシス等の電気光学特性は、高分子樹脂とカイラルネ
マチック液晶との相互作用が大きく影響していることが
知られているが、その相互作用を化学構造から予想する
ことはできていない。

【０００８】本発明者らは、前述の課題を解決するため
に鋭意研究した結果、一般式（Ｉ）

【０００９】

【化２】

【００１０】（式中、Ｒ¹ は−Ｈまたは−ＣＨ₃ を示
し、Ｒ² は−Ｏ−または直接結合を示し、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、
Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ はそれぞれ独立し、−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン
原子、置換されてもよいアミノ基、置換されてもよいア
ルキル基、置換されてもよいアルコキシル基、置換され
てもよいアリール基を示し、Ｘは−ＣＲ⁷ Ｒ⁸ −（Ｒ⁷
とＲ⁸ はそれぞれ独立し−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン原子、
置換されてもよいアミノ基、置換されてもよいアルキル
基、置換されてもよいアルコキシル基、置換されてもよ
いアリール基を示す）、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁹ −
（Ｒ⁹ は置換されてもよいアルキル基、置換されてもよ
いアリール基を示す）で示される（メタ）アクリロイル
化合物を含む高分子樹脂前駆体を光重合した化合物を、
上記相変化型の液晶光学素子のカイラルネマチック液晶
中に分散する高分子樹脂として使用することにより、低
電圧駆動が可能であり、ヒステリシス特性の優れた液晶
光学素子が得られることを見出し、本発明に至った。

【００１１】つまり本発明は、電極層が付いた少なくと
も一方が透明な２枚の基板間に液晶と高分子樹脂とから
なる調光層を挟持した液晶光学素子において、高分子樹
脂が、一般式（Ｉ）

【００１２】

【化３】

【００１３】（式中、Ｒ1 は−Ｈまたは−ＣＨ3 を示
し、Ｒ2 は−Ｏ−または直接結合を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、
Ｒ5 、Ｒ6 はそれぞれ独立し、−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン
原子、アミノ基、アルキル基、アルコキシル基、アリー
ル基を示し、Ｘは−ＣＲ7 Ｒ8 −（Ｒ7 とＲ8 はそれぞ
れ独立し−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン原子、アミノ基、アル
キル基、アルコキシル基、アリール基を示す）、−Ｏ
−、−ＮＨ−、−ＮＲ9 −（Ｒ9 はアルキル基、アリー
ル基を示す）で示される（メタ）アクリロイル化合物を
含む高分子樹脂前駆体を光重合した化合物であることを
特徴とする液晶光学素子である。

【００１４】本発明中の（メタ）アクリロイル化合物と
は、アクリレート化合物およびメタクリレート化合物、
アクリロイルオキシ化合物、メタクリロイルオキシ化合
物を示す。

【００１５】本発明の液晶光学素子の調光層に用いられ
る高分子樹脂は、（メタ）アクリロイル化合物を含む高
分子樹脂前駆体を単独で光重合したホモポリマーであっ
ても良いし、他の一種類以上の高分子樹脂前駆体とのコ
ポリマーであっても構わない。

【００１６】他の光重合性の高分子樹脂前駆体として
は、アクリロイル基、ビニル基等の通常の光重合性基を
有する高分子樹脂前駆体であればいずれも使用できる。
また光重合性基は、高分子樹脂前駆体一分子中に複数あ
っても構わない。

【００１７】本発明の（メタ）アクリロイル化合物と共
重合できる光重合性基を有する高分子樹脂前駆体として
は、２−エチルヘキシルアクリレート、ブチルエチルア
クリレート、ブトキシエチルアクリレート、２−シアノ
エチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘ
キシルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレ
ート、２−エトキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレー
ト、ジシクロペンテニルアクリレート、グリシジルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソ
ボニルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリ
ルアクリレート、モルホリンアクリレート、フェノキシ
エチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコール
アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリ
レート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル
アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ルアクリレート、２，２，３，４，４，４−ヘキサフル
オロブチルアクリレート等の単官能アクリレート化合
物、２−エチルヘキシルメタクリレート、ブチルエチル
メタクリレート、ブトキシエチルメタクリレート、２−
シアノエチルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート、２−エトキシエチルアクリレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジシク
ロペンタニルメタクリレート、イシクロペンテニルメタ
クリレート、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロ
フルフリルメタクリレート、イソボニルメタクリレー
ト、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレー
ト、モルホリンメタクリレート、フェノキシエチルメタ
クリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリ
レート、２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレー
ト、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタクリ
レート、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルメタクリレート等の単官能メタクリレート化合物、ジ
エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジ
アクリレート、ジシクロペンタニルジアクリレート、グ
リセロールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオール
ジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリト
−ルテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレー
ト、４，４′−ジアクリロイルオキシスチルベン、４，
４′−ジアクリロイルオキシジメチルスチルベン、４，
４′−ジアクリロイルオキシジエチルスチルベン、４，
４′−ジアクリロイルオキシジプロピルスチルベン、
４，４′−ジアクリロイルオキシジブチルスチルベン、
４，４′−ジアクリロイルオキシジペンチルスチルベ
ン、４，４′−ジアクリロイルオキシジヘキシルスチル
ベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジフルオロスチ
ルベン、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロペン
タンジオール、１，５−ジアクリレートウレタンアクリ
レートオリゴマー等の多官能アクリレート化合物、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジ
オールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコール
ジメタクリレート、ジシクロペンタニルジメタクリレー
トグリセロールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジ
オールメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタ
クリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペン
タエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリス
リトールトリメタクリレート、ジトリメチロールプロパ
ンテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サメタクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタメタクリレート、２，２，３，３，４，４−
ヘキサフルオロペンタンジオール、１，５−メタクリレ
ート、ウレタンメタクリレートオリゴマー等の多官能メ
タクリレート化合物、スチレン、アミノスチレン、酢酸
ビニル等があるがこれに限定されるものではない。

【００１８】高分子樹脂は、カイラルネマチック液晶中
に０．５重量％以上８．０重量％以下含有されているこ
とが望ましい。０．５重量％以下の場合には、散乱強度
が低下するためコントラストが低くなり、多すぎると電
圧無印加時の透過率が低下し、かつ駆動電圧が非常に高
くなる。

【００１９】高分子樹脂前駆体の光重合に用いられる光
線としては可視光線、紫外線の他、電子線を用いること
ができる。可視光線、紫外線による光重合を行う際には
反応促進のために光重合開始剤を添加することが望まし
い。その光重合開始剤としては、２，２−ジエトキシア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェ
ニル−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル
−）、−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−
２−メチルプロパン−１−オン、２−メチル−１−［４
−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン
−１等のアセトフェノン系、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピ
ルエーテル、ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン
系、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４−フェニ
ルベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベ
ンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサンソン、
２−クロルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン
等のチオキサンソン系、ジアゾニウム塩系、スルホニウ
ム塩系、ヨードニウム塩系、セレニウム塩系等の通常の
光重合開始剤が使用できる。開始剤は固体でも液体でも
構わないが素子の均一性の点から液晶中に溶解または相
溶するものが望ましい。開始剤濃度は高分子樹脂前駆体
の３０重量％以下が好ましい。また必要に応じてメチル
ジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸等の
光開始助剤を添加することもできる。

【００２０】本発明の液晶光学素子に使用される液晶と
しては、ネマチック液晶中にカイラル剤を混合したカイ
ラルネマチック液晶が使用されるが、これと類似の特性
を有している通常のコレステリック液晶も使用すること
ができる。

【００２１】ネマチック液晶としては、シアノ系、フッ
素系、塩素系等のいずれの液晶でも使用することができ
るが、高電荷保持率、高Δｎ、高Δεの液晶が望まし
く、特に塩素系液晶が有効である。またカイラル剤も、
特に制限は無いが、液晶と相溶することが望ましい。

【００２２】ネマチック液晶とカイラル剤の混合比は、
目的とするカイラルピッチにより決定される。カイラル
ネマチック液晶のカイラルピッチは、光透過型として使
用する場合は、素子の駆動電圧とコントラストの関係よ
り１．０μm 以上５．０μm以下が望ましい。また、選
択反射型として使用する場合は０．２５μm 以上１．０
μm 以下が望ましい。

【００２３】本発明に用いられる基板の材質は、ガラ
ス、プラスチック、金属等が使用できる。またカラーフ
ィルターを有する基板を用いて、カラー化することがで
きる。

【００２４】基板は電極層が調光層側になるように設置
する。

【００２５】電極層としてはＩＴＯ等の材質のものが利
用できるが、使用する基板自身が導電性を有している場
合は、基板を電極としても利用することもできる。電極
層は調光層と密着した状態で設置する。

【００２６】これらの電極層付き基板は液晶が配向する
ように処理されていないものでもよいが、処理されてい
ることが望ましい。この際、２枚の基板ともホモジニア
ス配向であっても良いし、一方がホモジニアス配向で、
もう一方がホメオトロピック配向である、いわゆるハイ
ブリッドであっても構わない。これらの配向処理には、
ＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶等に用いられるポリイミド等の通
常の配向膜が利用できる。またラビング処理することが
望ましい。

【００２７】基板の間隔設定には、通常の液晶デバイス
に用いられるガラスまたは高分子樹脂等から成るロッド
状、球状のスペーサーを使用することができ、その間隔
は３μm 以上３０μm 以下程度が望ましい。

【００２８】本発明の液晶光学素子は、ギャップの定ま
った基板間に、カイラルネマチック液晶および単量体の
混合物を挟持した後、光を照射して製造することができ
る。この際、混合物の注入は、減圧下でも常圧下でも構
わない。また必要であれば、加温を行っても構わない。

【００２９】本発明の液晶光学素子は、調光層を電極層
を有する２枚の透明な基板間に挟持した構造である光透
過型のみならず一方の基板が不透明な構造にも適応でき
る。例えば調光層を電極層を有する透明な基板と電極層
を有する光反射板間に挟持した素子構造、電極層を有す
る透明な基板と電極層を有する光吸収板間に挟持した素
子構造等がある。

【００３０】本発明の液晶光学素子の用途としては、窓
や間仕切り等の建築材料や文字や図形を表示する表示装
置がある。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。

【００３２】なお本発明の実施例に記述されている駆動
電圧、応答時間は以下のように定義する。

【００３３】駆動電圧： 電圧無印加時の光透過率を１
００％（初期透過率）、電圧印加により飽和した光透過
率を０％（飽和透過率）とした時、素子の光透過率が１
０％となる印加電圧。

【００３４】応答時間： オンの応答時間は、電圧無印
加時の光透過率を１００％（初期透過率）、電圧印加に
より飽和した光透過率を０％（飽和透過率）とした時、
電圧印加後に、素子の光透過率が１００％から１０％に
減少するまでの時間である。また、同様にオフの応答時
間は、印加電圧除去後、素子の光透過率が０％から９０
％に増加するまでの時間である。

【００３５】電荷保持率： ５Ｖ、６０μｓのパルス電
圧を素子に印加する。１６．７ｍｓ後に素子が保持して
いる電圧をＶとすると、電荷保持率は以下の式で示され
る。

【００３６】電荷保持率＝（Ｖ／５）×１００ （％） （実施例１）塩素系ネマチック液晶ＴＬ２１５（メルク
社製）９５．６ｗｔ％、カイラル剤Ｓ８１１（メルク社
製）２．４ｗｔ％（カイラルネマチック液晶のカイラル
ピッチは３．８μm ）、高分子樹脂前駆体２．７−ジア
クリロイルオキシフルオレン１．９ｗｔ％および重合開
始剤ベンゾインメチルエーテル０．１０ｗｔ％の混合液
を２枚のホモジニアス配向処理された電極層付き透明ガ
ラス基板から成るギャップ９μm の液晶セルに注入し
た。この液晶セルを２０℃に保ち、０．１ｍＷ／cm² の
紫外線（波長３６５nm）を１５０分間照射し、高分子樹
脂前駆体を硬化させた。

【００３７】作製した液晶光学素子の電気光学特性は、
光源としてヘリウム−ネオンレーザ、検出器としてフォ
トダイオードを用いて１００Ｈｚの矩形波を印加して測
定した。光学系のＦ値は１５であった。２５℃での特性
は以下の通りである。

【００３８】 駆動電圧 ７．６Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８０％ 光透過率（８Ｖ印加時） １．５％ コントラスト ８０ ヒステリシス ０．２１Ｖ 応答時間（オン；８Ｖ印加） １５ｍｓ （オフ） １２ｍｓ 電荷保持率 ９３％ （実施例２）塩素系液晶ＴＬ２１５（メルク社製）９
５．６ｗｔ％、カイラル剤Ｓ８１１（メルク社製）２．
５ｗｔ％（カイラルネマチック液晶のカイラルピッチは
３．６μm ）、高分子樹脂前駆体２．７−ジアクリロイ
ルフルオレン１．８ｗｔ％および２，２−ジエトキシア
セトフェノン０．１０ｗｔ％の混合液を２枚のホモジニ
アス配向処理された電極層付き透明ガラス基板から成る
ギャップ９μm の液晶セルに注入した。

【００３９】紫外線の照射条件および電気光学特性の評
価条件は実施例１と同じ条件で行った。

【００４０】 駆動電圧 ７．６Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８４％ 光透過率（７Ｖ印加時） １．２％ コントラスト ７０ ヒステリシス ０．１３Ｖ 応答時間（オン；８Ｖ） １８ｍｓ （オフ） １１ｍｓ 電荷保持率 ９０％ （比較例１）高分子樹脂前駆体として、２．７−ジアク
リロイルオキシフルオレンの代わりに４，４′−ビスア
クリロイルビフェニル（１．９ｗｔ％）を使用する以外
は実施例１と同等の条件で行った。

【００４１】 駆動電圧 １４．２Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８０％ 光透過率（２０Ｖ印加時） １．５％ コントラスト ３２ ヒステリシス ４．５Ｖ 応答時間（立ち下がり；２０Ｖ印加） １２ｍｓ （立ち上がり） １７ｍｓ 電荷保持率 ９２％ （比較例２）高分子樹脂前駆体として、２．７−ジアク
リロイルフルオレンの代わりに４，４′−ジアクリロイ
ルオキシビフェニル（１．９ｗｔ％）を使用する以外は
実施例１と同等の条件で行った。

【００４２】 駆動電圧 １４．５Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８１％ 光透過率（１７Ｖ印加時） ３．０％ コントラスト ２７ ヒステリシス ３．７Ｖ 応答時間（オン；１７Ｖ） １０ｍｓ （オフ） １２ｍｓ 電荷保持率 ９１％ （実施例３）高分子樹脂前駆体として、２．７−ジアク
リロイルオキシフルオレンの代わりに２．７−ジアクリ
ロイルオキシジベンゾフラン（１．９ｗｔ％）を使用す
る以外は実施例１と同等の条件で行った。

【００４３】 駆動電圧 ７．７Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８４％ 光透過率（７Ｖ印加時） １．５％ コントラスト ５６ ヒステリシス ０．２０Ｖ 応答時間（オン；８Ｖ） ２５ｍｓ （オフ） １５ｍｓ 電荷保持率 ９２％ （実施例４）高分子樹脂前駆体として、２．７−ジアク
リロイルフルオレンの代わりに２．７−ジメタクリロイ
ルフルオレン（１．９ｗｔ％）を使用する以外は実施例
２と同等の条件で行った。

【００４４】 駆動電圧 ７．６Ｖ 光透過率（電圧無印加時） ８０％ 光透過率（７Ｖ印加時） １．０％ コントラスト ８０ ヒステリシス ０．２１ 応答時間（オン；８Ｖ） １５ｍｓ （オフ） １３ｍｓ 電荷保持率 ９１％ （実施例５）液晶の重量％を７０ｗｔ％、カイラル剤の
重量％を２８ｗｔ％とする以外は実施例１と同等の条件
で素子を作製した。作製した素子は電圧無印加時に可視
光を選択反射した。また５０Ｖ、１００Ｈｚの電圧を印
加するとフォーカルコニック状態（散乱状態）となり、
それをメモリーした。そして、１００Ｖのパルス電圧を
印加すると、可視光の選択反射状態に戻った。電荷保持
率は９０％であった。

【００４５】

【発明の効果】本発明の液晶光学素子によれば、相変化
を用いた液晶光学素子の駆動電圧が低下し、ＴＦＴ駆動
が可能となる。またヒステリシスも低下するため、階調
表示が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係わる液晶光学素子の光透
過率のグラフを示している。

【図２】本発明の実施例１に係わる液晶光学素子の構造
を示している。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 電極層 ３ 配向膜 ４ 高分子樹脂 ５ カイラルネマチック液晶

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電極層が付いた少なくとも一方が透明な２
   枚の基板間にカイラルネマチック液晶と高分子樹脂とか
   らなる調光層を挟持し、電界無印加時にプレナーテクス
   チャーとなり、電界印加時にフォーカルコニックステク
   スチャーとなる液晶光学素子において、前記高分子樹脂
   が、一般式（Ｉ） 【化１】（式中、Ｒ1 は−Ｈまたは−ＣＨ3 を示し、Ｒ
   2 は−Ｏ−または直接結合を示し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、
   Ｒ6 はそれぞれ独立し、−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン原子、
   アミノ基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基を
   示し、Ｘは−ＣＲ7 Ｒ8 −（Ｒ7 とＲ8 はそれぞれ独立
   し−Ｈ、−ＯＨ、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル
   基、アルコキシル基、アリール基を示す）、−Ｏ−、−
   ＮＨ−、−ＮＲ9 −（Ｒ9 はアルキル基、アリール基を
   示す）で示される（メタ）アクリロイル化合物を含む高
   分子樹脂前駆体を光重合した化合物であることを特徴と
   する液晶光学素子。