JP2706411B2 - 歪量子井戸半導体レーザ - Google Patents
歪量子井戸半導体レーザInfo
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに関し、特
に歪量子井戸構造を有する半導体レーザの特性を向上し
たものである。
に歪量子井戸構造を有する半導体レーザの特性を向上し
たものである。
【0002】
【従来の技術】従来の歪量子井戸半導体レーザの一例を
図2に示す。その構造は以下のような化合物半導体結晶
の積層構造であって、共振器長 900μmで 450A/cm2 と
いう低しきい値電流密度が得られている。即ちn−In
P基板(1)上にn−InPバッファ層(2)とノンド
ープGaInAsP(λg = 1.1μm)光閉じ込め層
(3)を順に設け、さらにその上に光を発生する活性層
(4)としてノンドープInAsy P1-y (y=0.55)
歪量子井戸層(4a)、ノンドープGaInAsP(λ
g = 1.1μm)障壁層(4b)、ノンドープInAsy
P1-y (y=0.55)量子井戸層(4a)を順に設け、さ
らにその上にノンドープGaInAsP(λg = 1.1μ
m)光閉じ込め層(5)、p−InPクラッド層
(6)、p+ −GaInAsPコンタクト層(7)を順
に積層したものである。
図2に示す。その構造は以下のような化合物半導体結晶
の積層構造であって、共振器長 900μmで 450A/cm2 と
いう低しきい値電流密度が得られている。即ちn−In
P基板(1)上にn−InPバッファ層(2)とノンド
ープGaInAsP(λg = 1.1μm)光閉じ込め層
(3)を順に設け、さらにその上に光を発生する活性層
(4)としてノンドープInAsy P1-y (y=0.55)
歪量子井戸層(4a)、ノンドープGaInAsP(λ
g = 1.1μm)障壁層(4b)、ノンドープInAsy
P1-y (y=0.55)量子井戸層(4a)を順に設け、さ
らにその上にノンドープGaInAsP(λg = 1.1μ
m)光閉じ込め層(5)、p−InPクラッド層
(6)、p+ −GaInAsPコンタクト層(7)を順
に積層したものである。
【0003】ところで、このような歪量子井戸半導体レ
ーザは光閉じ込め層(3)(5)及び障壁層(4b)
と、歪量子井戸層(4a)との組成の違いによってエネ
ルギーバンドの井戸構造が形成されていると共に、歪量
子井戸層(4a)のV族元素の組成比y=0.55の場合
は、格子定数の差に基づき該層に圧縮応力が加わってお
り、その歪量は1.77%である。さらに歪量子井戸層は半
導体レーザの発振しきい値電流や高周波特性の上から膜
厚の厚いもの又は歪量子井戸層の数を増やしたものが望
まれている。しかしながら上記歪量の下では膜厚を厚く
し、もしくは層数を増やすと結晶に転位が導入されてし
まうのでこれには自ずと限界がある。即ちその臨界膜厚
(複数層の場合は各膜厚の合計)は約 300オングストロ
ームであることが実験的に得られている。
ーザは光閉じ込め層(3)(5)及び障壁層(4b)
と、歪量子井戸層(4a)との組成の違いによってエネ
ルギーバンドの井戸構造が形成されていると共に、歪量
子井戸層(4a)のV族元素の組成比y=0.55の場合
は、格子定数の差に基づき該層に圧縮応力が加わってお
り、その歪量は1.77%である。さらに歪量子井戸層は半
導体レーザの発振しきい値電流や高周波特性の上から膜
厚の厚いもの又は歪量子井戸層の数を増やしたものが望
まれている。しかしながら上記歪量の下では膜厚を厚く
し、もしくは層数を増やすと結晶に転位が導入されてし
まうのでこれには自ずと限界がある。即ちその臨界膜厚
(複数層の場合は各膜厚の合計)は約 300オングストロ
ームであることが実験的に得られている。
【0004】上記の歪量子井戸半導体レーザにおいて
は、歪量子井戸層の1層当りの膜厚は80オングストロー
ムであるので、合計の膜厚は 300オングストローム以下
に規制されることにより上記の場合歪量子井戸層の層数
は2〜3層となる。
は、歪量子井戸層の1層当りの膜厚は80オングストロー
ムであるので、合計の膜厚は 300オングストローム以下
に規制されることにより上記の場合歪量子井戸層の層数
は2〜3層となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来の歪量子
井戸半導体レーザでは上記のように量子井戸層がわずか
に2層であるため、発振に必要なキャリア密度が上昇
し、即ち量子井戸層の1層当り負担するキャリア数が増
大してしまう。その結果無歪の量子井戸半導体レーザに
比べて発振しきい値電流の温度特性が劣るため、温度変
化に対して光の発振強度が敏感に応答してしまうので好
ましくなく、さらに高周波特性も悪かった。
井戸半導体レーザでは上記のように量子井戸層がわずか
に2層であるため、発振に必要なキャリア密度が上昇
し、即ち量子井戸層の1層当り負担するキャリア数が増
大してしまう。その結果無歪の量子井戸半導体レーザに
比べて発振しきい値電流の温度特性が劣るため、温度変
化に対して光の発振強度が敏感に応答してしまうので好
ましくなく、さらに高周波特性も悪かった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は以上に鑑み種々
検討の結果、低しきい値電流動作を維持しつつ、しきい
値電流の温度特性及び高周波特性の優れた歪量子井戸半
導体レーザを提供するもので、InP基板上に、光を発
生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層と、それを
上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層とを少なく
とも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を
形成する量子井戸層としてInAsyP1−y(0<y
≦1)層を用い、少なくとも障壁層としてIn1−xG
axP(0<x≦1)層を用いたことを特徴とするもの
である。
検討の結果、低しきい値電流動作を維持しつつ、しきい
値電流の温度特性及び高周波特性の優れた歪量子井戸半
導体レーザを提供するもので、InP基板上に、光を発
生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層と、それを
上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層とを少なく
とも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を
形成する量子井戸層としてInAsyP1−y(0<y
≦1)層を用い、少なくとも障壁層としてIn1−xG
axP(0<x≦1)層を用いたことを特徴とするもの
である。
【0007】
【実施例】次に本発明を一実施例により詳細に説明す
る。図1は本発明歪量子井戸半導体レーザの構成の一例
を示すもので、活性層(4′)を挟んで下側のn−In
P基板(1)、n−InPバッファ層(2)及びノンド
ープGaInAsP(λg = 1.1μm)光閉じ込め層
(3)と、上側のノンドープGaInAsP(λg =
1.1μm)光閉じ込め層(5)、p−InPクラッド層
(6)及びp+ −GaInAsコンタクト層(7)の積
層構造は図2の従来例と同様である。
る。図1は本発明歪量子井戸半導体レーザの構成の一例
を示すもので、活性層(4′)を挟んで下側のn−In
P基板(1)、n−InPバッファ層(2)及びノンド
ープGaInAsP(λg = 1.1μm)光閉じ込め層
(3)と、上側のノンドープGaInAsP(λg =
1.1μm)光閉じ込め層(5)、p−InPクラッド層
(6)及びp+ −GaInAsコンタクト層(7)の積
層構造は図2の従来例と同様である。
【0008】本発明ではさらに活性層(4′)を、5層
のノンドープInAsy P1-y (y=0.55)歪量子井戸
層(4a)(4a)…と、これら歪量子井戸層(4a)
(4a)…の間に4層のノンドープIn1-x Gax P
(x=0.1)障壁層(4c)を交互に積層した構成とした
ものである。
のノンドープInAsy P1-y (y=0.55)歪量子井戸
層(4a)(4a)…と、これら歪量子井戸層(4a)
(4a)…の間に4層のノンドープIn1-x Gax P
(x=0.1)障壁層(4c)を交互に積層した構成とした
ものである。
【0009】この結果しきい値電流密度は 500A/cm
2 (共振器長 600μm)であり、従来のものと同等の低
しきい値電流密度のものが得られた。
2 (共振器長 600μm)であり、従来のものと同等の低
しきい値電流密度のものが得られた。
【0010】また上記本発明の歪量子井戸半導体レーザ
を埋込み型レーザにしたところ、室温でのしきい値電流
は3mAであり従来と同レベルであったにもかかわらず、
しきい値電流の温度依存性は、しきい値電流が温度に対
して敏感か否かの指標となる特性温度が従来60Kであっ
たものが75Kと大きくなり、本発明半導体レーザによれ
ばしきい値電流が温度に対して安定となった。
を埋込み型レーザにしたところ、室温でのしきい値電流
は3mAであり従来と同レベルであったにもかかわらず、
しきい値電流の温度依存性は、しきい値電流が温度に対
して敏感か否かの指標となる特性温度が従来60Kであっ
たものが75Kと大きくなり、本発明半導体レーザによれ
ばしきい値電流が温度に対して安定となった。
【0011】さらに本発明の半導体レーザによればカッ
トオフ周波数も従来の4GHz から10GHz へと大幅に改善
されて高周波特性が向上した。即ちレーザのより高速で
の駆動が可能となった。
トオフ周波数も従来の4GHz から10GHz へと大幅に改善
されて高周波特性が向上した。即ちレーザのより高速で
の駆動が可能となった。
【0012】次に上記本発明の構成を考察すると、歪量
子井戸層(4a)の1層当りの膜厚は前記のように80オ
ングストロームであり、該層の歪は圧縮歪でその量は1.
77%である。また障壁層(4c)の歪は引張り歪でその
量は 0.7%である。従って等価的な歪量は約1%とな
る。そしてこのときの臨界膜厚は約 400オングストロー
ムであることから、歪量子井戸層は5層としても転位は
生じないことがわかる。なお上記実施例では光閉じ込め
層としてGaInAsP(λg = 1.1μm)について説
明したがGax In1-x Pであってもよい。
子井戸層(4a)の1層当りの膜厚は前記のように80オ
ングストロームであり、該層の歪は圧縮歪でその量は1.
77%である。また障壁層(4c)の歪は引張り歪でその
量は 0.7%である。従って等価的な歪量は約1%とな
る。そしてこのときの臨界膜厚は約 400オングストロー
ムであることから、歪量子井戸層は5層としても転位は
生じないことがわかる。なお上記実施例では光閉じ込め
層としてGaInAsP(λg = 1.1μm)について説
明したがGax In1-x Pであってもよい。
【0013】
【発明の効果】このように本発明によれば歪量子井戸半
導体レーザの低しきい値電流動作を維持しつつ、該レー
ザのしきい値電流の温度特性及び高周波特性を大きく改
善することができ、高品質の半導体レーザが得られる等
顕著な効果を奏する。
導体レーザの低しきい値電流動作を維持しつつ、該レー
ザのしきい値電流の温度特性及び高周波特性を大きく改
善することができ、高品質の半導体レーザが得られる等
顕著な効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図2】従来例を示す説明図である。
1 n−InP基板 2 n−InPバッファ層 3,5 ノンドープGaInAsP光閉じ込め層 4,4′ 活性層 4a ノンドープInAsy P1-y 歪量子井戸層 4b ノンドープGaInAsP障壁層 4c ノンドープIn1-x Gax P障壁層 6 p−InPクラッド層 7 p+ −InPコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−90062(JP,A) 特開 平4−22185(JP,A) 特開 平3−3384(JP,A) APPL.PHYS.LETT.61〜 21!(1992)P.2506−2508 APPL.PHYS.LETT.65〜 20!(1994)P.2536−2538
Claims (1)
- 【請求項1】 InP基板上に、光を発生する量子井戸
層と障壁層とからなる活性層と、これを上下から挟んで
光を閉じ込める光閉じ込め層とを少なくとも有する歪量
子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井
戸層としてInAsyP1−y(0<y≦1)層を用
い、少なくとも障壁層としてIn1−xGaxP(0<
x≦1)層を用いたことを特徴とする歪量子井戸半導体
レーザ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4353406A JP2706411B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 歪量子井戸半導体レーザ |
EP93310013A EP0601890B1 (en) | 1992-12-11 | 1993-12-13 | Strained quantum well type semiconductor laser device |
DE69302002T DE69302002T2 (de) | 1992-12-11 | 1993-12-13 | Quantumwell-Halbleiterlaser-Vorrichtung mit verspanntem Gitter |
US08/165,298 US5390208A (en) | 1992-12-11 | 1993-12-13 | Strained quantum well type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4353406A JP2706411B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 歪量子井戸半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06204600A JPH06204600A (ja) | 1994-07-22 |
JP2706411B2 true JP2706411B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=18430627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4353406A Expired - Fee Related JP2706411B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 歪量子井戸半導体レーザ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5390208A (ja) |
EP (1) | EP0601890B1 (ja) |
JP (1) | JP2706411B2 (ja) |
DE (1) | DE69302002T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1130715A2 (en) * | 1994-09-28 | 2001-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dsistributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
US5793787A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Type II quantum well laser with enhanced optical matrix |
US7276390B2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-10-02 | Avago Technologies General Ip Pte Ltd | Long wavelength indium arsenide phosphide (InAsP) quantum well active region and method for producing same |
US20070209653A1 (en) * | 2003-03-06 | 2007-09-13 | Exhausto, Inc. | Pressure Controller for a Mechanical Draft System |
CN1879266A (zh) * | 2003-11-06 | 2006-12-13 | 波科海姆技术公共有限公司 | 高温激光二极管 |
CN104167662A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-11-26 | 南京青辰光电科技有限公司 | 一种量子阱结构的宽谱激光器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62183583A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Fujitsu Ltd | 埋込み型半導体レ−ザ |
JPH033384A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
CA2028899C (en) * | 1989-10-31 | 1997-03-04 | Teturo Ijichi | Semiconductor laser elements and method for the production thereof |
US5079601A (en) * | 1989-12-20 | 1992-01-07 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic devices based on intraband transitions in combinations of type i and type ii tunnel junctions |
US5040186A (en) * | 1990-03-13 | 1991-08-13 | At&T Bell Laboratories | InP-based quantum-well laser |
JPH0422185A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
JPH0690062A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4353406A patent/JP2706411B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-13 EP EP93310013A patent/EP0601890B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-13 US US08/165,298 patent/US5390208A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-13 DE DE69302002T patent/DE69302002T2/de not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
APPL.PHYS.LETT.61〜21!(1992)P.2506−2508 |
APPL.PHYS.LETT.65〜20!(1994)P.2536−2538 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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