JP2705837B2 - 分布型光温度センサ - Google Patents
分布型光温度センサInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、光ファイバ内に光を入射したときに発生
するラマン散乱光を利用した分布型光温度センサに関す
る。
するラマン散乱光を利用した分布型光温度センサに関す
る。
[従来の技術] 光ファイバ中に波長λの光を入射すると、光ファイバ
内で散乱が起こり、光の一部が後方散乱光として入射端
へ戻ってくる。この後方散乱光は、入射光と同一波長の
レイリー散乱光と、入射光と波長がλ0だけ異なるラマ
ン散乱光とに分けられ、さらにラマン散乱光は、波長が
λ+λ0のストークス光と、波長がλ−λ0のアンチス
トークス光とに分けられる。そしてこれらラマン散乱光
の強度は温度に依存しているので、ストークス光および
アンチストークス光の、光ファイバに沿った強度分布を
測定することによって、電力ケーブル等の長尺物の温度
分布を測定することに、特に適している。
内で散乱が起こり、光の一部が後方散乱光として入射端
へ戻ってくる。この後方散乱光は、入射光と同一波長の
レイリー散乱光と、入射光と波長がλ0だけ異なるラマ
ン散乱光とに分けられ、さらにラマン散乱光は、波長が
λ+λ0のストークス光と、波長がλ−λ0のアンチス
トークス光とに分けられる。そしてこれらラマン散乱光
の強度は温度に依存しているので、ストークス光および
アンチストークス光の、光ファイバに沿った強度分布を
測定することによって、電力ケーブル等の長尺物の温度
分布を測定することに、特に適している。
第4図は従来のこの種の温度センサの一例を示したも
のである。図中符号1はGaAs系半導体レーザよりなる光
源であり、この光源1より出射された光は、光ファイバ
2内へ導波される。光ファイバ2は、その内部でラマン
散乱光を発生させるためのものであって、ケーブル等の
被測定物に沿って、密着配置されている。光ファイバ2
内で発生したラマン散乱光は、レイリ後方散乱光と共に
光源1へ向って導波される。ラマン散乱光とレイリ後方
散乱光は共に、光源1と光ファイバセンサ部2との間に
設けられた光ファイバカプラ等からなる分岐器3によっ
て、ストークス光を検出するためのストークス光測定光
路4(光ファイバ)と、アンチストークス光を検出する
ためのアンチストークス光測定光路5(光ファイバ)と
に分岐される。ストークス光測定光路4中にはストーク
ス光のみを他の散乱光から分波する分波器6が、またア
ンチストークス光測定光路5中にはアンチストークス光
のみを他の散乱光から分波する分波器7が、それぞれ設
けられている。そして、分波器6によって分波されたス
トークス光はホトマルやアバランシェホトダイオード等
からなる光検出器8によって、また同様の分波器7によ
って分波されたアンチストークス光は光検出器9によっ
て、電気信号に変換され、この電気信号に基づいて被測
定物の温度分布が測定される。第5図はストークス光
(符号L1)およびアンチストークス光(符号L2)の強度
変化の一例を示す図であり、この図において横軸は時間
であり、同時に距離を示している。また、符号Aは温度
が他の部分より高い部分である。また、この測定は、通
常、ストークス光とアンチストークス光の各強度の比を
とって行なわれる。第6図に強度比の変化を示す。
のである。図中符号1はGaAs系半導体レーザよりなる光
源であり、この光源1より出射された光は、光ファイバ
2内へ導波される。光ファイバ2は、その内部でラマン
散乱光を発生させるためのものであって、ケーブル等の
被測定物に沿って、密着配置されている。光ファイバ2
内で発生したラマン散乱光は、レイリ後方散乱光と共に
光源1へ向って導波される。ラマン散乱光とレイリ後方
散乱光は共に、光源1と光ファイバセンサ部2との間に
設けられた光ファイバカプラ等からなる分岐器3によっ
て、ストークス光を検出するためのストークス光測定光
路4(光ファイバ)と、アンチストークス光を検出する
ためのアンチストークス光測定光路5(光ファイバ)と
に分岐される。ストークス光測定光路4中にはストーク
ス光のみを他の散乱光から分波する分波器6が、またア
ンチストークス光測定光路5中にはアンチストークス光
のみを他の散乱光から分波する分波器7が、それぞれ設
けられている。そして、分波器6によって分波されたス
トークス光はホトマルやアバランシェホトダイオード等
からなる光検出器8によって、また同様の分波器7によ
って分波されたアンチストークス光は光検出器9によっ
て、電気信号に変換され、この電気信号に基づいて被測
定物の温度分布が測定される。第5図はストークス光
(符号L1)およびアンチストークス光(符号L2)の強度
変化の一例を示す図であり、この図において横軸は時間
であり、同時に距離を示している。また、符号Aは温度
が他の部分より高い部分である。また、この測定は、通
常、ストークス光とアンチストークス光の各強度の比を
とって行なわれる。第6図に強度比の変化を示す。
[発明が解決しようとする課題] ところで、上述した光検出器8,9の出力信号は極めて
微小な信号であり、このため、ノイズが多い信号であ
る。そこで、上記の測定においては、測定を多数回(例
えば、数万回)行い、各測定結果を積算平均してノイズ
の影響を除去して測定値を得る必要がある。しかしなが
ら、このように多数回の測定を行うと、測定データが膨
大になり、そのデータの転送、記録時間も多くかかり、
この結果、測定結果を得るのに時間がかかり、測定の実
時間性が悪くなる問題があった。このような問題は、電
力ケーブルの温度分布からケーブルの地絡を検出する場
合等のように、社会的に重要なシステムへの適用に対し
ては大きな問題である。
微小な信号であり、このため、ノイズが多い信号であ
る。そこで、上記の測定においては、測定を多数回(例
えば、数万回)行い、各測定結果を積算平均してノイズ
の影響を除去して測定値を得る必要がある。しかしなが
ら、このように多数回の測定を行うと、測定データが膨
大になり、そのデータの転送、記録時間も多くかかり、
この結果、測定結果を得るのに時間がかかり、測定の実
時間性が悪くなる問題があった。このような問題は、電
力ケーブルの温度分布からケーブルの地絡を検出する場
合等のように、社会的に重要なシステムへの適用に対し
ては大きな問題である。
そこでこの発明は、測定時間の向上を図った分布型光
温度センサを提供することを目的としている。
温度センサを提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 第1発明は、被測定物に沿って配置された光ファイバ
と、内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光によ
ってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を分波
器によってストークス光とアンチストークス光とに分波
し、これらストークス光およびアンチストークス光を各
々サンプリングしてディジタルデータに変換し、このデ
ィジタルデータを各サンプリング点毎に加算平均して記
憶する第1,第2の温度検出部と、前記第1,第2の温度検
出部から出力される光の一方を選択的に前記光ファイバ
へ供給する光スイッチと、前記第1,第2の温度検出部か
ら供給されるディジタルデータを受け、前記被測定物の
温度分布を表示する表示手段とを有し、前記第1の温度
検出部がデータ収集を行っている時は前記第2の温度検
出部が内部のデータを前記表示手段へ転送し、前記第2
の温度検出部がデータ収集を行っている時は前記第1の
温度検出部が内部のデータを前記表示手段へ転送するこ
とを特徴としている。
と、内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光によ
ってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を分波
器によってストークス光とアンチストークス光とに分波
し、これらストークス光およびアンチストークス光を各
々サンプリングしてディジタルデータに変換し、このデ
ィジタルデータを各サンプリング点毎に加算平均して記
憶する第1,第2の温度検出部と、前記第1,第2の温度検
出部から出力される光の一方を選択的に前記光ファイバ
へ供給する光スイッチと、前記第1,第2の温度検出部か
ら供給されるディジタルデータを受け、前記被測定物の
温度分布を表示する表示手段とを有し、前記第1の温度
検出部がデータ収集を行っている時は前記第2の温度検
出部が内部のデータを前記表示手段へ転送し、前記第2
の温度検出部がデータ収集を行っている時は前記第1の
温度検出部が内部のデータを前記表示手段へ転送するこ
とを特徴としている。
また第2発明は、被測定物に沿って配置された光ファ
イバと、内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光
によってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を
分波器によってストークス光とアンチストークス光とに
分波する発光/受光部と、これらストークス光およびア
ンチストークス光をサンプリングしてディジタルデータ
に変換し、このディジタルデータを各サンプリング点毎
に加算平均して記憶する第1,第2のデータ記憶部と、前
記第1,第2のデータ記憶部から供給されるディジタルデ
ータを受け、前記被測定物の温度分布を表示する表示手
段とを有し、前記第1のデータ記憶部がデータ収集を行
っている時は前記第2のデータ記憶部が内部のデータを
前記表示手段へ転送し、前記第2のデータ記憶部がデー
タ収集を行っている時は前記第1のデータ記憶部が内部
のデータが前記表示手段へ転送することを特徴としてい
る。
イバと、内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光
によってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を
分波器によってストークス光とアンチストークス光とに
分波する発光/受光部と、これらストークス光およびア
ンチストークス光をサンプリングしてディジタルデータ
に変換し、このディジタルデータを各サンプリング点毎
に加算平均して記憶する第1,第2のデータ記憶部と、前
記第1,第2のデータ記憶部から供給されるディジタルデ
ータを受け、前記被測定物の温度分布を表示する表示手
段とを有し、前記第1のデータ記憶部がデータ収集を行
っている時は前記第2のデータ記憶部が内部のデータを
前記表示手段へ転送し、前記第2のデータ記憶部がデー
タ収集を行っている時は前記第1のデータ記憶部が内部
のデータが前記表示手段へ転送することを特徴としてい
る。
[作用] 第1発明によれば、温度検出部を2系統設けこれらの
温度検出部を交互に使用しながら測定を行う。また、第
2発明によれば、データ記憶部は2系統設け、これらを
交互に使用しながら測定を行う。このような構成によ
り、従来のものに比較し倍のスピードで測定を行うこと
が可能となる。
温度検出部を交互に使用しながら測定を行う。また、第
2発明によれば、データ記憶部は2系統設け、これらを
交互に使用しながら測定を行う。このような構成によ
り、従来のものに比較し倍のスピードで測定を行うこと
が可能となる。
[実施例] 以下、図面を参照しこの発明の実施例について説明す
る。第1図は同実施例の構成を示すブロック図である。
この図において、11はマイクロコンピュータ、12はブラ
ウン管あるいは液晶等による表示装置、Bはバスライ
ン、13,14は同一構成の温度検出部、15は光スイッチ、1
6は温度分布の計測が行なわれる例えば1000mの電力ケー
ブルに沿って密着配置された光ファイバ(MM,SM石英形
ファイバ)である。なお、第1図および第2図において
は、光ファイバの経路を実線によって、また、電気回線
を破線によって示している。
る。第1図は同実施例の構成を示すブロック図である。
この図において、11はマイクロコンピュータ、12はブラ
ウン管あるいは液晶等による表示装置、Bはバスライ
ン、13,14は同一構成の温度検出部、15は光スイッチ、1
6は温度分布の計測が行なわれる例えば1000mの電力ケー
ブルに沿って密着配置された光ファイバ(MM,SM石英形
ファイバ)である。なお、第1図および第2図において
は、光ファイバの経路を実線によって、また、電気回線
を破線によって示している。
第2図は温度検出部13,14の構成を示すブロック図で
あり、この図において第4図の各部と同一部分には同一
の符号を付し、その説明を省略する。この図において、
21はレーザ駆動回路であり、マイクロコンピュータ11か
らの指示を受け、半導体レーザ1(波長;0.9μm)をパ
ルス駆動する。23,24は各々、光検出器8,9の出力信号を
一旦サンプリングした後ディジタルデータに変換するA/
D(アナログ/ディジタル)変換器(10ビット,20MHz)
であり、各々の出力は加算器25,26へ供給される。加算
器25はA/D変換器23の出力データとメモリ27の出力デー
タとを加算するもので、その加算結果は同メモリ27に記
憶されると共に、インターフェイス回路28、バスライン
Bを介してマイクロコンピュータ11へ供給される。同様
に、加算器26はA/D変換器24の出力データとメモリ29の
出力データとを加算するもので、その加算結果は同メモ
リ29に記憶されると共に、インターフェイス回路28、バ
スラインBを介してマイクロコンピュータ11へ供給され
る。
あり、この図において第4図の各部と同一部分には同一
の符号を付し、その説明を省略する。この図において、
21はレーザ駆動回路であり、マイクロコンピュータ11か
らの指示を受け、半導体レーザ1(波長;0.9μm)をパ
ルス駆動する。23,24は各々、光検出器8,9の出力信号を
一旦サンプリングした後ディジタルデータに変換するA/
D(アナログ/ディジタル)変換器(10ビット,20MHz)
であり、各々の出力は加算器25,26へ供給される。加算
器25はA/D変換器23の出力データとメモリ27の出力デー
タとを加算するもので、その加算結果は同メモリ27に記
憶されると共に、インターフェイス回路28、バスライン
Bを介してマイクロコンピュータ11へ供給される。同様
に、加算器26はA/D変換器24の出力データとメモリ29の
出力データとを加算するもので、その加算結果は同メモ
リ29に記憶されると共に、インターフェイス回路28、バ
スラインBを介してマイクロコンピュータ11へ供給され
る。
次に、上記構成による分布型光温度センサの動作を説
明する。まず、マイクロコンピュータ11が温度検出部13
のレーザ駆動回路21へスタート指令を出力すると共に、
温度検出部13,14内のメモリ27,29を各々クリアし、次い
で、光スイッチ15を温度検出部13側に切り替える。レー
ザ駆動回路21はマイクロコンピュータ11からの指令を受
け、半導体レーザ1をパルス駆動する。これにより、半
導体レーザ1からパルス状の光が放射され、この光が分
岐器3,光ファイバ17,光スイッチ15を介して光ファイバ1
6(G150/125ファイバ)へ導かれる。これにより、光フ
ァイバ16内においてラマン散乱光が発生し、このラマン
散乱光が分岐器3を介して分波器6,7へ導かれ、これら
の分岐器6,7によってストークス光およびアンチストー
クス光が抽出される。そして、これらのストークス光お
よびアンチストークス光の強度が光検出器8,9によって
アナログ信号に変換され、A/D変換器23,24へ供給され
る。A/D変換器23,24は各々、例えば距離10mの点(第5
図の横軸参照)に対応するデータをサンプリングし、A/
D変換して、加算器25,26へ出力する。加算器25,26は、
供給されたデータとメモリ27,29内のデータ(この場合
「0」)を加算し、この加算結果をメモリ27,29内に書
き込む。
明する。まず、マイクロコンピュータ11が温度検出部13
のレーザ駆動回路21へスタート指令を出力すると共に、
温度検出部13,14内のメモリ27,29を各々クリアし、次い
で、光スイッチ15を温度検出部13側に切り替える。レー
ザ駆動回路21はマイクロコンピュータ11からの指令を受
け、半導体レーザ1をパルス駆動する。これにより、半
導体レーザ1からパルス状の光が放射され、この光が分
岐器3,光ファイバ17,光スイッチ15を介して光ファイバ1
6(G150/125ファイバ)へ導かれる。これにより、光フ
ァイバ16内においてラマン散乱光が発生し、このラマン
散乱光が分岐器3を介して分波器6,7へ導かれ、これら
の分岐器6,7によってストークス光およびアンチストー
クス光が抽出される。そして、これらのストークス光お
よびアンチストークス光の強度が光検出器8,9によって
アナログ信号に変換され、A/D変換器23,24へ供給され
る。A/D変換器23,24は各々、例えば距離10mの点(第5
図の横軸参照)に対応するデータをサンプリングし、A/
D変換して、加算器25,26へ出力する。加算器25,26は、
供給されたデータとメモリ27,29内のデータ(この場合
「0」)を加算し、この加算結果をメモリ27,29内に書
き込む。
次に、レーザ駆動回路21は再び半導体レーザ1をパル
ス駆動する。これにより、半導体レーザ1から再び光が
放射されて光ファイバ16へ導かれ、光ファイバ16におい
てストークス光およびアンチストークス光が発生し、こ
れらのストークス光およびアンチストークス光がアナロ
グ信号に変換されてA/D変換器23,24へ供給される。A/D
変換器23,24は各々、上記と同様に距離10mの点に対応す
るデータをサンプリングし、A/D変換して、加算器25,26
へ出力する。加算器25,26は、供給されたデータとメモ
リ27,29内のデータを加算し、この加算結果を同メモリ2
7,29内に書き込む。
ス駆動する。これにより、半導体レーザ1から再び光が
放射されて光ファイバ16へ導かれ、光ファイバ16におい
てストークス光およびアンチストークス光が発生し、こ
れらのストークス光およびアンチストークス光がアナロ
グ信号に変換されてA/D変換器23,24へ供給される。A/D
変換器23,24は各々、上記と同様に距離10mの点に対応す
るデータをサンプリングし、A/D変換して、加算器25,26
へ出力する。加算器25,26は、供給されたデータとメモ
リ27,29内のデータを加算し、この加算結果を同メモリ2
7,29内に書き込む。
以下、同様の処理が繰り返される。これにより、距離
10mの点に対応するデータが規定の個数累算され、この
累算結果(すなわち、平均化されたデータ)がメモリ2
7,29内に記憶される。
10mの点に対応するデータが規定の個数累算され、この
累算結果(すなわち、平均化されたデータ)がメモリ2
7,29内に記憶される。
そして、上述した距離10mの点のデータ収録/累算が
終了すると、次に、上記と同様にして距離20mの点につ
いて規定個数のデータ収録/累算が行なわれ、以下、順
次、1000m(電力ケーブルの長さ)の点までデータ収録
/累算が行なわれる。この間、3万〜6万回の光パルス
放射およびデータ収録が行なわれる。
終了すると、次に、上記と同様にして距離20mの点につ
いて規定個数のデータ収録/累算が行なわれ、以下、順
次、1000m(電力ケーブルの長さ)の点までデータ収録
/累算が行なわれる。この間、3万〜6万回の光パルス
放射およびデータ収録が行なわれる。
次に、マイクロコンピュータ11は、温度検出部14のレ
ーザ駆動回路21へスタート指令を出力すると共に光スイ
ッチ15を温度検出部14側に切り替える。以後、上記と全
く同様にして、温度検出部14内のメモリ27,29内に逐次
累算データが収録される。
ーザ駆動回路21へスタート指令を出力すると共に光スイ
ッチ15を温度検出部14側に切り替える。以後、上記と全
く同様にして、温度検出部14内のメモリ27,29内に逐次
累算データが収録される。
マイクロコンピュータ11は、上述したスタート指令お
よび光スイッチ15の切り替えを行った後、温度検出部13
のメモリ27,29にアクセスして、同メモリ27,29内のデー
タを読み出し、 ストークス光/アンチストークス光 なる比をとり、この比の値を表示装置12に横軸を時間
(距離に対応)として表示させる。これにより、第6図
と同様の表示が行なわれ、温度が異常に高くなっている
点を一目で検出することができる。
よび光スイッチ15の切り替えを行った後、温度検出部13
のメモリ27,29にアクセスして、同メモリ27,29内のデー
タを読み出し、 ストークス光/アンチストークス光 なる比をとり、この比の値を表示装置12に横軸を時間
(距離に対応)として表示させる。これにより、第6図
と同様の表示が行なわれ、温度が異常に高くなっている
点を一目で検出することができる。
次に、マイクロコンピュータ11は、温度検出部14にお
けるデータ収録が終了した時点で、温度検出部13のレー
ザ駆動回路21へスタート指令を出力し、次いで、温度検
出部14のメモリ27,29内のデータを読み出して表示を行
い、以下、同様の処理を繰り返す。
けるデータ収録が終了した時点で、温度検出部13のレー
ザ駆動回路21へスタート指令を出力し、次いで、温度検
出部14のメモリ27,29内のデータを読み出して表示を行
い、以下、同様の処理を繰り返す。
次に、この発明の第2の実施例について第3図を参照
して説明する。なお、この図において第2図の各部に対
応する部分には同一の符号が付してある。この図におい
て32,33は同一構成によるデータ記憶部であり、第2図
に示すA/D変換器23,24、加算器25,26、メモリ27,29、イ
ンターフェイス回路28によって構成される回路と同一の
回路である。また、発光/受光部34は第2図におけるレ
ーザ駆動回路21、半導体レーザ1、分岐器3、光ファイ
バ17、測定光路4,5、分波器6,7、光検出器8,9によって
構成される装置と同一の装置である。
して説明する。なお、この図において第2図の各部に対
応する部分には同一の符号が付してある。この図におい
て32,33は同一構成によるデータ記憶部であり、第2図
に示すA/D変換器23,24、加算器25,26、メモリ27,29、イ
ンターフェイス回路28によって構成される回路と同一の
回路である。また、発光/受光部34は第2図におけるレ
ーザ駆動回路21、半導体レーザ1、分岐器3、光ファイ
バ17、測定光路4,5、分波器6,7、光検出器8,9によって
構成される装置と同一の装置である。
そして、この実施例の場合も、まず、データ記憶部32
内のメモリにデータ収録が行なわれ、この収録が終わる
と、次にデータ記憶部33内のメモリにデータ収録が行な
われ、このデータ収録の間に、データ記憶部32に収録さ
れたデータがマイクロコンピュータ11に転送され、演算
処理され、表示装置12において表示される。そして、デ
ータ記憶部33におけるデータ収録が終了すると、同デー
タ記憶部33内のデータがマイクロコンピュータ11へ転送
されると共に、データ記憶部32のデータ収録が行なわ
れ、以下、同様の処理が繰り返えされる。
内のメモリにデータ収録が行なわれ、この収録が終わる
と、次にデータ記憶部33内のメモリにデータ収録が行な
われ、このデータ収録の間に、データ記憶部32に収録さ
れたデータがマイクロコンピュータ11に転送され、演算
処理され、表示装置12において表示される。そして、デ
ータ記憶部33におけるデータ収録が終了すると、同デー
タ記憶部33内のデータがマイクロコンピュータ11へ転送
されると共に、データ記憶部32のデータ収録が行なわ
れ、以下、同様の処理が繰り返えされる。
このように、上記第1,第2の実施例においては、2系
統のデータ収録部を有しているので、従来のものに比較
し2倍の速さで温度分布の測定を行うことができる。こ
の結果、例えば7万ボルトのCVケーブルの温度分布か
ら、同ケーブルの地絡を検出する場合等に用いて好適で
ある。ちなみに、上記7万ボルトケーブルの地絡時に
は、ケーブルが150度〜200度の温度に数秒間上昇する
が、これに先立ちケーブル内では微小なアーク放電が起
こり、温度が多少上昇する。具体的には、約10度〜20
度、約10秒間上昇する。上記実施例によれば、このよう
な僅かな温度変化をも検出することが可能である。
統のデータ収録部を有しているので、従来のものに比較
し2倍の速さで温度分布の測定を行うことができる。こ
の結果、例えば7万ボルトのCVケーブルの温度分布か
ら、同ケーブルの地絡を検出する場合等に用いて好適で
ある。ちなみに、上記7万ボルトケーブルの地絡時に
は、ケーブルが150度〜200度の温度に数秒間上昇する
が、これに先立ちケーブル内では微小なアーク放電が起
こり、温度が多少上昇する。具体的には、約10度〜20
度、約10秒間上昇する。上記実施例によれば、このよう
な僅かな温度変化をも検出することが可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、2系統のデ
ータ収録部を有しているので、従来のものに比較し測定
時間を向上させることができる効果がある。
ータ収録部を有しているので、従来のものに比較し測定
時間を向上させることができる効果がある。
第1図はこの発明の第1の実施例の構成を示すブロック
図、第2図は同実施例における温度検出部13,14の構成
を示すブロック図、第3図はこの発明の第2の実施例の
構成を示すブロック図、第4図は従来の分布型光温度セ
ンサの要部を示す概略構成図、第5図は光ファイバ内に
パルス状の光を放射した場合において発生するラマン散
乱光の2成分であるストークス光およびアンチストーク
ス光の変化を示す図、第6図はストークス光とアンチス
トークス光の比の値の変化を示す図である。 11……マイクロコンピュータ、12……表示装置、13,14
……温度検出部、15……光スイッチ、16……光ファイ
バ、32,33……データ記憶部、34……発光/受光部。
図、第2図は同実施例における温度検出部13,14の構成
を示すブロック図、第3図はこの発明の第2の実施例の
構成を示すブロック図、第4図は従来の分布型光温度セ
ンサの要部を示す概略構成図、第5図は光ファイバ内に
パルス状の光を放射した場合において発生するラマン散
乱光の2成分であるストークス光およびアンチストーク
ス光の変化を示す図、第6図はストークス光とアンチス
トークス光の比の値の変化を示す図である。 11……マイクロコンピュータ、12……表示装置、13,14
……温度検出部、15……光スイッチ、16……光ファイ
バ、32,33……データ記憶部、34……発光/受光部。
フロントページの続き (72)発明者 和田 史生 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株 式会社佐倉工場内 (56)参考文献 特開 平1−126522(JP,A) 特開 昭61−273094(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】(a)被測定物に沿って配置された光ファ
イバと、 (b)内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光に
よってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を分
波器によってストークス光とアンチストークス光とに分
波し、これらストークス光およびアンチストークス光を
各々サンプリングしてディジタルデータに変換し、この
ディジタルデータを各サンプリング点毎に加算平均して
記憶する第1,第2の温度検出部と、 (c)前記第1,第2の温度検出部から出力される光の一
方を選択的に前記光ファイバへ供給する光スイッチと、 (d)前記第1,第2の温度検出部から供給されるディジ
タルデータを受け、前記被測定物の温度分布を表示する
表示手段とを有し、 (e)前記第1の温度検出部がデータ収集を行っている
時は前記第2の温度検出部が内部のデータを前記表示手
段へ転送し、前記第2の温度検出部がデータ収集を行っ
ている時は前記第1の温度検出部が内部のデータを前記
表示手段へ転送ることを特徴とする分布型光温度セン
サ。 - 【請求項2】(a)被測定物に沿って配置された光ファ
イバと、 (b)内部の光源から前記光ファイバ内へ入射した光に
よってラマン散乱光を発生させ、このラマン散乱光を分
波器によってストークス光とアンチストークス光とに分
波する発光/受光部と、 (c)これらストークス光およびアンチストークス光を
サンプリングしてディジタルデータに変換し、このディ
ジタルデータを各サンプリング点毎に加算平均して記憶
する第1,第2のデータ記憶部と、 (d)前記第1,第2のデータ記憶部から供給されるディ
ジタルデータを受け、前記被測定物の温度分布を表示す
る表示手段とを有し、 (e)前記第1のデータ記憶部がデータ収集を行ってい
る時は前記第2のデータ記憶部が内部のデータを前記表
示手段へ転送し、前記第2のデータ記憶部がデータ収集
を行っている時は前記第1のデータ記憶部が内部のデー
タを前記表示手段へ転送することを特徴とする分布型光
温度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044134A JP2705837B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 分布型光温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044134A JP2705837B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 分布型光温度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03246431A JPH03246431A (ja) | 1991-11-01 |
JP2705837B2 true JP2705837B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=12683157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2044134A Expired - Lifetime JP2705837B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 分布型光温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2705837B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2044134A patent/JP2705837B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03246431A (ja) | 1991-11-01 |
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