JP2695473B2 - ２４―オキソステロイド誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規な24−オキソステロイド誘導体及びその
製造方法に関する。本発明の24−オキソステロイド誘導
体は、慢性腎不全、副甲状腺機能低下症、骨軟化症など
のカルシウム代謝の欠陥症の治療に有効であることが知
られている１α,25−ジヒドロキシビタミンD₃、並びに
ビタミンD₃様の活性を有することが知られている１α−
ヒドロキシビタミンD₃、1,24,25−トリヒドロキシビタ
ミンD₃又は１α,25,26−トリヒドロキシビタミンD₃など
の１α位に水酸基を有するビタミンD₃誘導体の合成中間
体として有用である。

［従来の技術］ 従来、１α位に水酸基を有するビタミンD₃誘導体の製
造方法としては、例えば、コレステロールを原料として
使用することにより１α−ヒドロキシビタミンD₃を製造
する方法（特開昭48−62750号公報及び特開昭49−95956
号公報参照）、コレスタ−1,4,6−トリエン−３−オン
−25−オールから誘導されるコレスタ−1,5,7−トリエ
ン−３−オン−25−オールを合成中間体として経由する
１α,25−ジヒドロキシビタミンD₃の製造方法（特開昭5
1−100056号公報参照）、（24R）−１α,3β,24,25−テ
トラヒドロキシコレスタ−5,7−ジエンに不活性溶媒中
で紫外線を照射し、生成した（24R）−１α,24,25−ト
リヒドロキシプレビタミンD₃を異性化することによって
（24R）−１α,24,25−トリヒドロキシビタミンD₃を製
造する方法（特開昭51−108046号公報参照）などが知ら
れている。

［発明が解決しようとする課題］ 上記の通り、１α位に水酸基を有するビタミンD₃誘導
体の製造方法は種々知られているが、該１α位に水酸基
を有するビタミンD₃誘導体を製造するに際し、合成中間
体として使用できる化合物を多くの化合物の中から選択
することができれば、原料事情に応じてその製造プロセ
スを適宜変更することが可能となり好ましい。

しかして、本発明の１つの目的は、１α位に水酸基を
有する種々のビタミンD₃誘導体に変換され得る新規な化
合物を提供することにある。さらに本発明の他の１つの
目的は、該新規な化合物の製造方法を提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、上記の目的は 一般式 （式中、R¹及びR²はそれぞれ水素原子又は水酸基の保護
基を表わし、R³は低級アルキル基、低級アルケニル基、
アラルキル基又はアリール基を表わし、R⁴は式 で示される基を表わし、X¹は水素原子若しくは式−OY¹
で示される基を表わし、かつX²は水素原子若しくは式−
CH₂X²¹で示される基を表わし、X²¹は水素原子若しくは
式−OY²で示される基を表わすか、又はX¹とX²は一緒に
なってメチレン基又はエチレン基を表わし、X³は水素原
子又は式−CH₂X³¹で示される基を表わし、X³¹は水素原
子又は式−OY³で示される基を表わし、Y¹、Y²及びY³は
それぞれ水素原子若しくは水酸基の保護基を表わすか又
はY¹とY²は一緒になってアルキリデン基を表わすか又は
Y¹、Y²及びY³は一緒になって式 で示される基を表わし、R⁵は水素原子、低級アルキル基
又はアリール基を表わす）で示される24−オキソステロ
イド誘導体 一般式 （式中、R¹、R²、R³及びR⁴は前記定義の通りである） で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体 一般式 （式中、R¹及びR²は前記定義の通りであり、Ｚはハロゲ
ン原子又は式−OSO₂R⁶で示される基を表わし、R⁶は低級
アルキル基又はアリール基を表わす） で示されるプレグナン誘導体と一般式 （式中、R³及びR⁴は前記定義の通りである）で示された
β−ケトエステルを塩基性物質の存在下に反応させるこ
とを特徴とする一般式（Ｉ）で示される24−オキソステ
ロイド誘導体の製造方法、 一般式（Ｉ）で示される24−オキソステロイド誘導体
を脱アルコキシカルボニル化することを特徴とする一般
式 （式中、R¹¹及びR²¹はそれぞれ水素原子又は水酸基の保
護基を表わし、R⁴¹は式 で示される基を表わし、X¹²は水素原子若しくは式−OY
¹²で示される基を表わし、かつX²²は水素原子若しくは
式−CH₂X²³で示される基を表わし、X²³は水素原子若し
くは式−OY²²で示される基を表わすか、又はX¹²とX²²は
一緒になってメチレン基又はエチレン基を表わし、X³²
は水素原子又は式−CH₂X³³で示される基を表わし、X³³
は水素原子又は式−OY³²で示される基を表わし、Y¹²、Y
²²及びY³²はそれぞれ水素原子若しくは水酸基の保護基
を表わすか又はY¹²とY²²は一緒になってアルキリデン基
を表わすか又はY¹²、Y²²及びY³²は一緒になって式 で示される基を表わし、R⁵¹は水素原子、低級アルキル
基又はアリール基を表わす） で示される24−オキソステロイド誘導体の製造方法並び
に 一般式（II）で示される24−オキソ−9,10−セコステ
ロイド誘導体を脱アルコキシカルボニル化することを特
徴とする一般式 （式中、R¹¹、R²¹及びR⁴¹は前記定義の通りある） で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体の
製造方法を提供することにより達成される。

上記各一般式におけるR¹、R²、R³、R⁵、R⁶、R¹¹、
R²¹、R⁵¹、Y¹、Y²、Y³、Y¹²、Y²²、Y³²及びＺを以下に
詳しく説明する。

R¹、R²、R¹¹、R²¹、Y¹、Y²、Y³、Y¹²、Y²²及びY³²が
表わす水酸基の保護基としては、水酸基の保護の目的を
達成するかぎり、通常その目的で用いられているいずれ
の保護基でもよいが、具体的には、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、三置換シリル基、置換基を有していて
もよいアルコキシメチル基などが挙げられる。ここで、
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチ
リル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル
基、ピバロイル基、ベンゾイル基、モノクロルアセチル
基、トリフルオロアセチル基などが挙げられ、アルコキ
シカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基などの
脂肪族アルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル
基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニル基などのアレノ
キシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−
ニトロベンジルオキシカルボニル基などのアラルキルオ
キシカルボニル基などが挙げられ、三置換シリル基とし
ては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ
イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基な
どのトリアルキルシリル基;t−ブチルジフェニルシリル
基などのジアリールアルキルシリル基などが挙げられ、
置換基を有していてもよいアルコキシメチル基として
は、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベ
ンジルオキシエトキシメチル基などのアルコキシメチル
基;1−エトキシエチル基、１−メトキシ−１−メチルエ
チル基などのアルキル置換アルコキシメチル基；テトラ
ヒドロピラン−２−イル基、テトラヒドロフラン−２−
イル基などの２−オキサシクロアルキル基などが挙げら
れる。

R³が表わす低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基などが挙げられ、
低級アルケニル基としては、アリル基、２−ブテニル
基、２−メチル−２−プロペニル基、３−メチル−２−
ブテニル基、3,7−ジメチル−2,6−オクタジエニル基な
どが挙げられ、アラルキル基としては、ベンジル基、ｐ
−メトキシベンジル基、シンナミル基などが挙げられ、
アリール基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｐ−
メトキシフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、ナフ
チル基などが挙げられる。

R⁵及びR⁵¹が表わす低級アルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、アリール基
としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。

R⁶が表わす低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基などが挙げられ、アリール基とし
ては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｐ−ブロモフェニル
基、ナフチル基などが挙げられる。

Y¹とY²及びY¹²とY²²が一緒になって表わすアルキリデ
ン基としては、メチレン基、エチリデン基、イソプロピ
リデン基、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン
基、ベンジリデン基などが挙げられる。

Ｚが表わすハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などが挙げられる。

一般式（III）で示されるプレグナン誘導体は、例え
ば以下の方法により製造することができる。

（上記式中、R¹、R²及びR⁶は前記定義の通りであり、Z¹
はハロゲン原子を表わし、THPはテトラヒドロピラン−
２−イル基を表わす） 上記において、一般式（III−１）で示される化合
物、一般式（III−１−１）で示される化合物、一般式
（III−１−２）で示される化合物及び一般式（III−
２）で示される化合物は、一般式（III）で示される化
合物に包含される。

上記一般式（VII）で示される化合物、一般式（III−
１）で示される化合物、一般式（III−１−１）で示さ
れる化合物、一般式（III−１−２）で示される化合物
及び一般式（III−２）で示される化合物を以後それぞ
れ下記のように称することがある。

またスルホナート（III−１）のうちR¹及びR²がそれ
ぞれ以下の基を表わす場合、以後それぞれ下記の様に称
することがある。

アルコール（VII）は、横山らの方法［日本化学会第5
8春季年会講演予稿集II、2IL34、1184ページ（1989年）
参照］に従って調製することができる。

アルコール（VII）は、アルコールをスルホナートに
変換する一般的な方法に従ってスルホナート（III−１
−１）に変換することができる。この変換は、例えば、
三級アミンの存在下塩化スルホニル化合物と反応させる
ことにより行なわれる。反応に用いられる塩化スルホニ
ル化合物としては、塩化メタンスルホニル、塩化エタン
スルホニル、塩化２−プロパンスルホニルなどの塩化ア
ルカンスルホニル；塩化ベンゼンスルホニル、塩化ｐ−
トルエンスルホニル、塩化ｐ−ブロモベンゼンスルホニ
ル、塩化ナフタレンスルホニルなどの塩化アレーンスル
ホニルなどが挙げられ、その使用量はアルコール（VI
I）１モルに対して、通常約1.0〜20モルである。使用さ
れる三級アミンとしては、ピリジン、トリエチルアミ
ン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルアミノピリ
ジンなどが挙げられ、その使用量は、塩化スルホニル化
合物１モルに対して、通常約1.5〜100モルである。この
反応は、通常溶媒中で行なわれるが、使用する三級アミ
ンを溶媒として用いることも可能であり、また塩化メチ
レン、クロロホルムなど反応に悪影響を及ぼさない溶媒
を用いることもできる。溶媒の使用量はアルコール（VI
I）に対して、通常約５〜200倍重量である。反応は、通
常−10〜30℃の範囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたスルホナート（III−１−１）
の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応にお
いて行なわれている単離・精製方法と同様にして行なわ
れる。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエー
テルなどの有機溶媒で抽出し、冷希塩酸、重曹水、食塩
水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必要に
応じて再結晶・クロマトグラフィなどにより精製し、ス
ルホナート（III−１−１）を得ることができる。

スルホナート（III−１−１）は、常法に従って１位
及び３位のTHP基を除去することにより、スルホナート
（III−１−２）に変換することができる。例えば、ｐ
−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジ
ニウム、塩酸、硫酸などの酸触媒存在下、水又はメタノ
ール、エタノールなどの低級アルコールにより加溶媒分
解することにより実施される。

この様にして得られたスルホナート（III−１−２）
の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応にお
いて行なわれている単離・精製法と同様にして行なわれ
る。例えば、重曹水を加え中和し、必要に応じて低級ア
ルコールを留去した後ジエチルエーテルなどの有機溶媒
で抽出し、食塩水で洗浄したのち乾燥・濃縮して粗生成
物を得、必要に応じて再結晶・クロマトグラフィなどに
より精製してスルホナート（III−１−２）を得ること
ができる。

スルホナート（III−１−２）は、常法に従って１位
及び３位の水酸基を保護することによりスルホナート
（III−１）に変換することができる。なおこの際、１
位又は３位の水酸基のいずれか一方の水酸基を選択的に
保護したのちに他方の水酸基を保護することもできる。

スルホナート（III−１−２）からスルホナート（III
−１−３）への変換は常法に従って行なわれる。例え
ば、塩基性物質の存在下に、カルボン酸の無水物又はハ
ロゲン化物を作用させることにより行なわれる。使用さ
れるカルボン酸無水物としては、無水酢酸、無水プロピ
オン酸、無水酪酸、無水モノクロル酢酸、無水トリフル
オロ酢酸などが挙げられ、カルボン酸ハロゲン化物とし
ては、塩化アセチル、塩化プロピオニル、塩化ブチリ
ル、塩化イソブチリル、塩化バレリル、塩化イソバレリ
ル、塩化ピバロイル、塩化ベンゾイルなどが挙げられ
る。カルボン酸の無水物又はハロゲン化物の使用量は、
スルホナート（III−１−２）１モルに対して、通常約
２〜20モルである。反応に用いられる塩基性物質として
は、ピリジン、トリエチルアミン、イジソプロピルエチ
ルアミン、ジエチルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどの金属水酸化物；水素化
ナトリウムなどの金属水素化物などが挙げられる。塩基
性物質の使用量は、用いる塩基性物質によっても異なる
が、スルホナート（III−１−２）１モルに対して、通
常約１〜200モルである。この際、N,N−ジメチルアミノ
ピリジン、ピロリジノピリジンなどのエステル化触媒を
共存させることも可能である。このエステル化触媒の使
用量は、スルホナート（III−１−２）１モルに対し
て、通常約0.05〜0.2モルである。反応は、通常溶媒中
で行なわれるが、塩基性物質として使用する有機塩基を
溶媒として用いることも可能であり、又、塩化メチレ
ン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシドなどの
反応に悪影響を及ぼさない溶媒を用いることも可能であ
る。溶媒の使用量は、スルホナート（III−１−２）に
対して、通常約５〜200倍重量である。反応は、通常約
−20〜200℃の範囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたスルホナート（III−１−３）
の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応にお
いて行なわれている単離・精製方法と同様にして行なわ
れる。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエー
テルなどの有機溶媒で抽出し、冷希塩酸、水、重曹水、
食塩水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必
要に応じて再結晶・クロマトグラフィなどにより精製
し、スルホナート（III−１−３）を得ることができ
る。

スルホナート（III−１−２）からスルホナート（III
−１−４）への変換は、常法に従って行なわれる。例え
ば、塩基性物質の存在下に、クロル炭酸エステルを作用
させることにより行なわれる。反応に用いられるクロル
炭酸エステルとしては、クロル炭酸メチル、クロル炭酸
エチル、クロル炭酸イソプロピル、クロル炭酸フェニ
ル、クロル炭酸ｐ−メトキシフェニル、クロル炭酸ベン
ジル、クロル炭酸ｐ−ニトロベンジルなどが挙げられ
る。クロル炭酸エステルの使用量は、スルホナート（II
I−１−２）１モルに対して、通常約１〜50モルであ
る。反応に用いられる塩基性物質としては、ピリジン、
トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエ
チルアニリンなどの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなどの金属水酸化物；水素化ナトリウムなど
の金属水素化物などが挙げられる。塩基性物質の使用量
は、用いる塩基性物質によっても異なるが、スルホナー
ト（III−１−２）１モルに対して、通常約１〜200モル
である。この際N,N−ジメチルアミノピリジン、ピロリ
ジノピリジンなどのエステル化触媒を共存させることも
可能である。このエステル化触媒の使用量は、スルホナ
ート（III−１−２）１モルに対して、通常約0.05〜0.2
モルである。反応は通常溶媒中で行なわれるが、塩基性
物質として使用する有機塩基を溶媒として用いることも
可能であり、又、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、
ジメチルスルホキシドなどの反応に悪影響を及ぼさない
溶媒を用いることも可能である。溶媒の使用量は、スル
ホナート（III−１−２）に対して、通常約５〜200倍重
量である。反応は、通常約−20〜100℃の範囲内の温度
で行なわれる。

この様にして得られたスルホナート（III−１−４）
の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応にお
いて行なわれている単離・精製方法と同様にして行なわ
れる。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエー
テルなどの有機溶媒で抽出し、冷希塩酸、水、重曹水、
食塩水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必
要に応じて再結晶・クロマトグラフィなどにより精製し
て、スルホナート（III−１−４）を得ることができ
る。

スルホナート（III−１−２）は、常法に従ってスル
ホナート（III−１−５）に変換することができる。例
えば、塩基性物質の存在下に、塩化三置換シリルと反応
させることにより行なわれる。使用される塩化三置換シ
リルとしては、塩化トリメチルシリル、塩化トリエチル
シリル、塩化トリイソプロピルシリル、塩化ｔ−ブチル
ジメチルシリルなどの塩化トリアルキルシリル；塩化ｔ
−ブチルジフェニルシリルなどの塩化ジアリールモノア
ルキルシリルなどが挙げられる。塩化三置換シリルの使
用量は、スルホナート（III−１−２）１モルに対し
て、通常約１〜50モルである。反応に用いられる塩基性
物質としては、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプ
ロピルエチルアミン、ジエチルアニリン、イミダゾール
などの有機塩基；水酸化ナトリウム、水酸化カリウムな
どの金属水酸化物；水素化ナトリウムなどの金属水素化
物などが挙げられる。塩基性物質の使用量は、使用する
塩基性物質によっても異なるが、スルホナート（III−
１−２）１モルに対して、通常約１〜200モルである。
反応は、通常溶媒中で行なわれるが、塩基性物質として
使用する有機塩基を溶媒として用いることも可能であ
り、又、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、アセトニトリルなどの反応に悪影響を及
ぼさない溶媒を使用することも可能である。溶媒の使用
量は、スルホナート（III−１−２）に対して、通常約
５〜200倍重量である。反応は、通常約−20〜100℃の範
囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたスルホナート（III−１−５）
の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応にお
いて行なわれている単離・精製法と同様にして行なわれ
る。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエーテ
ルなどの有機溶媒で抽出し、冷希塩酸・水・重曹水・食
塩水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必要
に応じて再結晶・クロマトグラフィなどにより精製し
て、スルホナート（III−１−５）を得ることができ
る。

スルホナート（III−１−２）からスルホナート（III
−１−６）への変換は、常法に従って行なわれる。例え
ば、塩基性物質の存在下にクロルメチルエーテルを作用
させるか、又は酸触媒下にビニルエーテルを作用させる
ことにより行なわれる。使用されるクロルメチルエーテ
ルとしては、クロルメチルメチルエーテル、塩化メトキ
シエトキシメチル、塩化ベンジルオキシエトキシメチ
ル、２−クロルテトラヒドロフランなどが挙げられる。
使用されるビニルエーテルとしては、エチルビニルエー
テル、メチルイソプロペニルエーテル、ジヒドロピラン
などが挙げられる。クロルメチルエーテル又はビニルエ
ーテルの使用量はスルホナート（III−１−２）に対し
て、通常約１〜50モルである。使用される塩基性物質と
しては、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピル
エチルアミン、ジエチルアニリン、イミダゾールなどの
有機塩基；水素化ナトリウムなどの金属水素化物などが
挙げられる。塩基性物質の使用量は、用いる塩基性物質
によっても異なるが、スルホナート（III−１−２）１
モルに対して、通常約0.9〜200モルである。使用される
酸触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファス
ルホン酸などのスルホン酸;p−トルエンスルホン酸ピリ
ジニウムなどのスルホン酸塩；塩酸、硫酸などの鉱酸；
酢酸、モノクロル酢酸、トリフルオロ酢酸などのカルボ
ン酸などが挙げられる。酸触媒の使用量は、スルホナー
ト（III−１−２）１モルに対して、通常約0.05〜0.2モ
ルである。反応は、通常溶媒中で行なわれ、使用する有
機塩基又はビニルエーテルを溶媒とすることも可能であ
り、又、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジエチル
ホルムアミド、アセトニトリルなどの反応に悪影響を及
ぼさない溶媒を用いることも可能である。溶媒の使用量
は、スルホナート（III−１−２）に対して、通常約５
〜200倍重量である。反応は、通常約−20〜100℃の範囲
内の温度で行なわれる。

この様にして得られた、スルホナート（III−１−
６）の反応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応
において行なわれている単離・精製法と同様にして行な
われる。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエ
ーテルなどの有機溶媒で抽出し、必要に応じて希塩酸で
洗浄し、重曹水、食塩水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して
粗生成物を得、必要に応じて再結晶・クロマトグラフィ
などにより精製してスルホナート（III−１−６）を得
ることができる。

スルホナート（III−１）は、スルホナートをハロゲ
ン化物に変換する一般的な方法に従って、ハロゲン化物
（III−２）に変換することができる。例えば、アセト
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ア
セトニトリル、エチルセロソルブなどの溶媒中で、ヨウ
化ナトリウム、臭化リチウム、塩化リチウムなどの塩を
作用させることにより行なわれる。溶媒の使用量はスル
ホナート（III−１）に対して、通常約５〜200倍重量で
ある。塩の使用量はスルホナート（III−１）１モルに
対して、通常約1.2〜20モルである。反応は、通常約20
〜100℃の範囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたハロゲン化物（III−２）の反
応混合物からの単離・精製は、通常の有機反応において
行なわれている単離・精製法と同様にして行なわれる。
例えば、反応混合物を水にあけ、ジエチルエーテルなど
の有機溶媒で抽出し、水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、
重曹水、食塩水で順次洗浄し、乾燥後濃縮して粗生成物
を得、必要に応じて再結晶・クロマトグラフィなどによ
り精製し、ハロゲン化物（III−２）を得ることができ
る。

一般式（Ｉ）で示される化合物、一般式（II）で示さ
れる化合物、一般式（Ｖ）で示される化合物及び一般式
（VI）で示される化合物は、例えば以下の方法で製造さ
れる。

（上記式中、R¹、R²、R³、R⁴、R¹¹、R²¹、R⁴¹及びＺは
前記定義の通りである） 一般式（IV）で示される化合物は、例えば、オイカワ
らの方法［オーガニック・シンセシス（Organic Synth
eses）63巻、198〜202ページ（1985年）参照］に従っ
て、以下のように製造することができる。

（上記式中、R³及びR⁴は前記定義の通りである） 上記一般式（Ｉ）で示される化合物、一般式（II）で
示される化合物、一般式（III）で示される化合物、一
般式（IV）で示される化合物、一般式（Ｖ）で示される
化合物及び一般式（VI）で示される化合物を以後それぞ
れ下記のように称することがある。

プレグナン誘導体（III）からステロイド誘導体
（Ｉ）への変換は、プレグナン誘導体（III）にβ−ケ
トエステル（IV）を塩基性物質存在下に作用させること
により行なわれる。β−ケトエステルの使用量は、プレ
グナン誘導体（III）１モルに対して、通常約１〜20モ
ルである。使用される塩基性物質としては、水素化ナト
リウム、水素化カリウムなどの金属水素化物；メチルリ
チウム、ブチルリチウム、フェニルリチウムなどの有機
金属化合物；リチウムアミド、ナトリウムアミド、リチ
ウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペ
ラジド、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウム
ヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラ
ジトなどの金属アミド；水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムなどの金属水酸化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリウ
ムなどの金属炭酸塩などが挙げられ、その使用量は、使
用する塩基性物質の性質によっても異なるが、β−ケト
エステル（IV）１モルに対して、通常0.8〜20モルであ
る。またこの際反応を促進させるために、β−ケトエス
テル（IV）１モルに対して約0.1〜20モルのヨウ化ナト
リウム、臭化リチウムなどの塩を共存させることも可能
である。反応は通常溶媒中で行なわれ、使用される溶媒
としては、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジ
エチルエーテル、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド、アセトン、ヘキサメチルホスホ
リックトリアミド及びそれらの混合溶媒などが挙げられ
る。また反応はヨウ化テトラブチルアンモニウム、臭化
ベンジルトリメチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチ
ルアンモニウムなどの相間移動触媒の存在下に、水−ベ
ンゼン、水−クロロホルムなどの２相系で行なうことも
できる。溶媒の使用量は、プレグナン誘導体（III）に
対して、通常約５〜200倍重量である。反応は、通常約
−30〜100℃の範囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたステロイド誘導体（Ｉ）の反応
混合物からの単離・精製は、通常の有機反応において行
なわれている単離・精製法と同様にして行なわれる。例
えば、反応混合物を水にあけ、ジエチルエーテル、塩化
メチレン、酢酸エチルなどの有機溶媒で抽出し、食塩水
で洗浄したのち、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必要に
応じて再結晶・クロマトグラフィなどにより精製して、
ステロイド誘導体（Ｉ）を得ることができる。

ステロイド誘導体（Ｉ）又はステロイド誘導体（Ｖ）
は、常法に従い、紫外線を照射したのちに、熱エネルギ
ーによる異性化を行なうことによりそれぞれセコステロ
イド誘導体（II）又はセコステロイド誘導体（VI）に変
換される。この反応において用いられる紫外線の波長と
しては、通常約200〜360nmの範囲であり、好ましくは約
260〜300nmの範囲である。この紫外線照射は、通常溶媒
中で行なわれ、使用される溶媒としては、ヘキサン、ヘ
プタン、シクロヘキサン、リグロイン、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの炭化水素系溶媒；ブロムベンゼ
ン、クロルベンゼン、四塩化炭素、1,2−ジクロルエタ
ン、1,2−ジブロムエタンなどのハロゲン化炭化水素系
溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、エチルセロソルブなどのエーテル系溶媒；メタノ
ール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶
媒などが挙げられる。反応は、通常約−20〜80℃の範囲
内の温度で行なわれる。熱エネルギーによる異性化反応
は、通常約20〜120℃の範囲内の温度で行なわれる。こ
の反応は、通常溶媒中で行なわれ、使用される溶媒とし
ては、前述の紫外線照射を行なう際に用いられた溶媒な
どが挙げられる。

この様にして得られたセコステロイド誘導体（II）又
はセコステロイド誘導体（VI）の反応混合物からの単離
・精製は、通常の有機反応において行なわれている単離
・精製法と同様にして行なわれる。例えば、減圧下に濃
縮した後、残渣を再結晶・クロマトグラフィにより精製
し、セコステロイド誘導体（II）又はセコステロイド誘
導体（VI）を得ることができる。

ステロイド誘導体（Ｉ）又はセコステロイド誘導体
（II）は、常法に従って脱アルコキシカルボニル化する
ことにより、それぞれステロイド誘導体（Ｖ）及びセコ
ステロイド誘導体（VI）へ変換される。この脱アルコキ
シカルボニル化反応としては、例えば、 エステルを加水分解した後、酸性条件下に加熱し、脱
炭酸させる方法、 ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキ
サメチルホスホリックトリアミドなどの極性非プロトン
性溶媒又はそれらの水との混合溶媒中で、塩化ナトリウ
ム、青酸ナトリウム、ヨウ化リチウム、塩化リチウムな
どの塩の存在下又は非存在下に加熱する方法、 R³がｔ−ブチル基、２−テトラヒドロピラニル基など
の場合、酸により処理する方法、 R³がベンジル基などの場合、加水素分解条件下で処理
する方法、及び R³が式 で示される基を表わし、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵が
それぞれ水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基
若しくはアリール基を表わすか、又はR³¹、R³²、R³³、R
³⁴及びR³⁵のうちのいずれか２つが一緒になってアルキ
レン基を表わす場合、酢酸パラジウムなどのパラジウム
化合物、トリフェニルホスフィンなどのリン化合物及び
ギ酸トリエチルアンモニウムなどのギ酸塩と、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどの溶媒中で処理する方法な
どが挙げられる。

上記において、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵がそれぞ
れ表わす低級アルキル基としては、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基などが挙げられ、低
級アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、２−プ
ロペン−２−イル基、１−プロペニル基、２−ブテニル
基、ジメチルアリル基などが挙げられ、アリール基とし
ては、フェニル基などが挙げられ、R³¹、R³²、R³³、R³⁴
及びR³⁵のうちのいずれか２つが一緒になって表わすア
ルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチ
レン基、ペンチレン基などが挙げられる。

セコステロイド誘導体（VI）は、例えば以下のように
して１α位に水酸基を有するビタミンD₃の誘導体に変換
される。

上記式中、R¹¹、R²¹及びR⁴¹はそれぞれ前記定義の通り
であり、R⁴⁴は式 で示される基を表わし、X¹⁴は水素原子若しくは水酸基
を表わし、かつX²⁴は水素原子若しくは式−CH₂X²⁵で示
される基を表わし、X²⁵は水素原子若しくは水酸基を表
わすか、又はX¹⁴とX²⁵は一緒になってメチレン基又はエ
チレン基を表わし、X³⁴は水素原子又は式−CH₂X³⁵で示
される基を表わし、X³⁵は水素原子又は水酸基を表わ
し、R⁷は低級アルキル基又はアリール基を表わす） 上記において、R⁷が表わす低級アルキル基としては、
メチル基、エチル基などが挙げられ、アリール基として
は、フェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基などが挙げ
られる。

上記において一般式（IX）で示される化合物、一般式
（Ｘ）で示される化合物及び一般式（XI）で示される化
合物を以後それぞれ下記のように称することがある。

セコステロイド誘導体（VI）は、常法に従って還元反
応に付することにより、アルコール（IX）に変換され
る。使用される還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素カリウム、水
素化ホウ素カルシウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化トリ
エチルホウ素リチウム、水素化アルミニウムリチウム、
水素化ビス（メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウ
ム、水素化トリsec−ブチルホウ素リチウム、水素化ト
リsec−ブチルホウ素カリウムなどの水素化金属錯体；
水素化アルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム
などの金属水素化物などが挙げられる。還元剤の使用量
は、セコステロイド誘導体（VI）１モルに対して、通常
約0.25〜20モルである。反応は、通常溶媒中で行なわ
れ、使用される溶媒は、用いる還元剤によっても異なる
が、エタノール、メタノールなどのアルコール系溶媒；
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエ
タンなどのエーテル系溶媒などが挙げられ、その使用量
はセコステロイド誘導体（VI）１モルに対して、通常約
５〜200倍重量である。反応は、通常約−30〜30℃の範
囲内の温度で行なわれる。

この様にして得られたアルコール（IX）の反応混合物
からの単離・精製は、通常の有機反応において行なわれ
ている単離・精製法と同様にして行なわれる。例えば、
反応混合物に冷却下、水、酢酸エチル、飽和硫酸ナトリ
ウム水溶液、希塩酸、メタノールなどを加え、過剰の還
元剤を分解した後、必要に応じて水で希釈し、濾過又は
抽出・洗浄などの操作により有機溶媒に不溶な物を除去
し、濃縮して粗生成物を得、必要に応じて再結晶・クロ
マトグラフィなどにより精製し、アルコール（IX）を得
ることができる。

アルコール（IX）は、アルコールをスルホナートに変
換する一般的な方法に従って、スルホナート（Ｘ）に変
換することができる。この変換は、例えば、三級アミン
の存在下にアルコール（IX）を塩化スルホニル化合物と
反応させることにより行なわれる。反応に用いられる塩
化スルホニル化合物としては、塩化メタンスルホニル、
塩化エタンスルホニルなどの塩化アルカンスルホニル；
塩化ベンゼンスルホニル、塩化ｐ−トルエンスルホニ
ル、塩化ｐ−ブロムベンゼンスルホニル、塩化ナフタレ
ンスルホニルなどの塩化アレーンスルホニルなどが挙げ
られ、その使用量はアルコール（IX）１モルに対して、
通常約1.0〜20モルである。使用される三級アミンとし
ては、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルア
ミン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられ、その使
用量は、塩化スルホニル化合物１モルに対して、通常約
1.5〜100モルである。この反応は、通常溶媒中で行なわ
れるが、使用する三級アミンを溶媒として用いることも
可能であり、また塩化メチレン、クロロホルムなど反応
に悪影響を及ぼさない溶媒を用いることもできる。溶媒
の使用量はアルコール（IX）に対して、通常約５〜200
倍重量である。反応は、通常−10〜30℃の範囲内の温度
で行なわれる。

この様にして得られたスルホナート（Ｘ）の反応混合
物からの単離・精製は、通常の有機反応において行なわ
れている単離・精製法と同様にして行なわれる。例え
ば、反応混合物を氷水にあけ、ジエチルエーテルなどの
有機溶媒で抽出し、冷希塩酸、重曹水、食塩水で順次洗
浄し、乾燥後濃縮して粗生成物を得、必要に応じて再結
晶・クロマトグラフィなどにより精製し、スルホナート
（Ｘ）を得ることができる。

スルホナート（Ｘ）は、常法に従って、スルホニルオ
キシ基を還元的に除去し、必要に応じて水酸基の脱保護
を行なうことにより、ビタミンD₃誘導体（XI）へ変換す
ることができる。この反応において用いられる還元剤と
しては、例えば、水素化アルミニウムリチウム、水素化
トリエチルホウ素ナトリウム、水素化ビス（メトキシエ
トキシ）アルミニウムナトリウムなどの水素化金属錯体
などが挙げられる。還元剤の使用量は、スルホナート
（Ｘ）１モルに対して、通常約0.25〜100モルである。
反応は、通常溶媒中で行なわれ、使用される溶媒として
は、エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメ
トキシエタンなどが挙げられる。溶媒の使用量は、スル
ホナート（Ｘ）に対して、通常約５〜200倍重量であ
る。反応は、通常約−20〜100℃の範囲内の温度で行な
われる。水酸基の脱保護は、常法に従って行なうことが
できる。

この様にして得られたビタミンD₃誘導体（XI）の反応
混合物からの単離・精製は、通常の有機反応において用
いられている単離・精製法と同様にして行なわれる。

［実施例］ 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
なお、これらの実施例中、核磁気共鳴（NMR）スペクト
ルは重クロロホルム中テトラメチルシランを内部標準と
して測定した。

参考例１ 20−メチル−１α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−
２−イルオキシ）−プレグナ−5,7−ジエン−21−オー
ル15.3gをピリジン250mlに溶解し、氷冷下撹拌した。塩
化ｐ−トルエンスルホニル8.5gを加え、室温で終夜撹拌
した。反応混合液を氷水にあけ、ジエチルエーテルで抽
出した。抽出液を、希塩酸、水、重曹水、食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下濃縮し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトにより精製し、20−メチル
−１α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキ
シ）−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレグナ−5,
7−ジエン16.9gを得た。

参考例２ 参考例１において塩化ｐ−トルエンスルホニル8.5gの
代わりに塩化メタンスルホニル3.5mlを用いる以外は同
様にして操作を行なうことにより、21−メタンスルホニ
ルオキシ−20−メチル−１α,3β−ビス（テトラヒドロ
ピラン−２−イルオキシ）プレグナ−5,7−ジエン15.1g
を得た。

参考例３ 20−メチル−１α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−
２−イルオキシ）−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシ
プレグナ−5,7−ジエン16.9gをメタノール300mlに溶解
し、ｐ−トルエンスルホン酸0.5gを加え、室温で４時間
撹拌した。重曹水を加え、減圧下メタノールを留去した
のち、水で希釈し、酢酸エチルで抽出した。抽出液を食
塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下濃
縮し、20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシ
プレグナ−5,7−ジエン−１α,3β−ジオール12.5gを粗
生成物として得た。

参考例４ 20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレ
グナ−5,7−ジエン−１α,3β−ジオール12.3gを塩化メ
チレン250mlに懸濁させ、ピリジン10ml及びジメチルア
ミノピリジン0.5gを加え、氷冷下撹拌した。クロル炭酸
メチル3.8mlを加え、30分間撹拌した。反応混合物を氷
水にあけ、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を希塩
酸、水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で
乾燥した。減圧下濃縮し、14.8gの粗生成物を得た。上
記粗生成物を塩化メチレン300mlに溶解し、ジイソプロ
ピルエチレアミン43ml及びジメチルアミノピリジン1.0g
を加え、氷冷下撹拌した。クロル炭酸メチル9.5mlを加
え、室温で５時間撹拌した。反応混合液を氷水にあけ、
ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を、希塩酸、水、
重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し
た。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィにより精製し、１α,3β−ビス（メトキシカルボ
ニルオキシ）−20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシプレグナ−5,7−ジエン14.0gを得た。

参考例５ 21−メタンスルホニルオキシ−20−メチル−１α,3β
−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）プレグ
ナ−5,7−ジエン14.5gをアセトン300mlに溶解し、ヨウ
化ナトリウム7.3gを加え、４時間加熱還流した。反応混
合液を減圧下濃縮し、残渣に水を加え、ジエチルエーテ
ルで抽出した。抽出液を、チオ硫酸ナトリウム水溶液、
水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥
した。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィにより精製して、21−ヨウド−20−メチル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
プレグナ−5,7−ジエン13.8gを得た。

参考例６ 21−ｐ−トルエンスルホニルオキシ−20−メチルプレ
グナ−5,7−ジエン−１α,3β−ジオール11.7gをピリジ
ン200mlに溶解し、ジメチルアミノピリジン0.5g及び無
水酢酸11.0mlを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合
液に氷水に加え、さらに30分間撹拌した。反応混合物を
水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を希
塩酸、水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥した。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィにより精製し、１α,3β−ジアセトキシ
−20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレ
グナ−5,7−ジエン13.0gを得た。

参考例７ 20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレ
グナ−5,7−ジエン−１α,3β−ジオール9.6gを塩化メ
チレン100mlに懸濁させ、イミダゾール13.1g及び塩化ｔ
−ブチルジメチルシリル14.5gを加え室温で20時間撹拌
した。反応混合液を氷水にあけ、ジエチルエーテルで抽
出した。抽出液を水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム
上で乾燥した。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィにより精製し、１α,3β−ビス（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−20−メチル−21−ｐ−
トルエンスルホニルオキシプレグナ−5,7−ジエン13.0g
を得た。

参考例８ １α,3β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−20−メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレ
グナ−5,7−ジエン12.2gをジメチルホルムアミド250ml
に溶解し、臭化リチウム7.4gを加え、50℃で７時間撹拌
した。反応混合液を水にあけ、ジエチルエーテルで抽出
した。抽出液を水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナト
リウム上で乾燥した。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィにより精製し、21−ブロム−１
α,3β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−20
−メチルプレグナ−5,7−ジエン8.7gを得た。

実施例１ １α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキ
シ）−21−ヨード−20−メチルプレグナ−5,7−ジエン8
2.4mgをジメチルホルムアミド1.5mlに溶解し、ジメチル
ホルムアミド5ml中で60％水素化ナトリウム121.5mg及び
イソブチリル酢酸エチル433mgより調製した溶液1.25ml
を加え、窒素雰囲気下50℃で８時間加熱撹拌した。反応
混合物を放冷後、水にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽
出液を水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し
た。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィにより精製し、23−エトキシカルボニル−１α,3
β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）コレ
スタ−5,7−ジエン−24−オン30.3mgを得た。¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.67（s,3H）,1.00
（s,3H）,2.85（sept,J＝6Hz,1H）,3.29〜3,91（6H）,
3.98〜4.43（3H）,4.67〜5.04（2H）,5.40（1H）,5.68
（1H） 実施例２ １α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキ
シ）−21−ヨード−20−メチルプレグナ−5,7−ジエン
1.38gをジメチルホルムアミド10mlに溶解し、ジメチル
ホルムアミド8ml中で60％水素化ナトリウム158.7mg及び
イソブチリル酢酸アリル788mgより調製した溶液を加
え、窒素雰囲気下50℃で４時間加熱撹拌した。反応混合
物を放冷後、水にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液
を水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。
減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィにより精製し、23−アリルオキシカルボニル−１α,3
β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）コレ
スタ−5,7−ジエン−24−オン1.90gを得た。¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.66（s,3H）,1.00
（s,3H）,2.87（m,1H）,3.33〜3.90（m,6H）,3.90〜4.2
0（m,1H）,4.6〜5.0（4H）,5.26（d,J＝9.9Hz,1H）,5.3
2（d,17.7Hz,1H）,5.40（1H）,5.66（1H）,5.94（ddt,1
H,J＝17.7,9.9＆4.5Hz,1H） 実施例３ １α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−20−
メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレグナ−
5,7−ジエン1.6g及びヨウ化ナトリウム0.45gをアセトン
15ml中５時間加熱還流した。上記反応混合物に、ジメチ
ルホルムアミド20ml中で60％水素化ナトリウム0.4g及び
イソブチリル酢酸アリル1.78gより調製した溶液11mlを
室温で加え、70℃で２時間加熱撹拌した。反応混合液を
希塩酸にあけ、酪酸エチルで抽出し、抽出液を食塩水で
洗浄した。硫酸ナトリウム上で乾燥後、濃縮し残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、23−ア
リルオキシカルボニル−１α,3β−ビス（メトキシカル
ボニルオキシ）コレクタ−5,7−ジエン−24−オン1.1g
を得た。¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.67（s,3H）,1.07
（s,3H）,1.10（s,3H）,1.17（s,3H）,3.76（s,3H）,3.
83（s,3H）,4.56〜4.98（m,4H）,5.19〜5.42（m,3H）,
5.65〜5.72（m,1H）,5.78〜6.16（m,1H） 実施例４ １α,3β−ジアセトキシ−20−メチル−21−ｐ−トル
エンスルホニルオキシプレグナ−5,7−ジエン1.52g及び
ヨウ化ナトリウム0.45gをジメチルホルアミド15mlに溶
解した。上記混合物に、ジメチルスルホキシド20ml中で
60％水素化ナトリウム0.4g及び４−メチル−３−オクソ
−４−ペンテン酸ｔ−ブチル1.79gより調製した溶液11m
lを室温で加え、70℃で５時間加熱撹拌した。反応混合
液を氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、抽出液を食塩水
で洗浄した。硫酸ナトリウム上で乾燥後、濃縮し残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、１
α,3β−ジアセトキシ−23−ｔ−ブチルオキシカルボニ
ルコレスタ−5,7,25−トリエン−24−オン0.98gを得
た。

実施例５ 21−ブロモ−20−メチル−１α,3β−ビス（ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ）プレグナ−5,7−ジエン1.66
g、３−シクロプロピル−３−オクソプロピオン酸プレ
ニル5.1g、ヨウ化ナトリウム0.8g及び炭酸カリウム1.8g
をアセトン30ml中で24時間加熱還流した。反応混合物を
減圧下濃縮した後、水を加え、ジエチルエーテルで抽出
した。抽出液をチオ硫酸ナトリウム水溶液、水、食塩水
で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。濃縮後、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、23
−プレニルオキシカルボニル−１α,3β−ビス（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−26,27−シクロコレスタ
−5,7−ジエン−24−オン1.23gを得た。

実施例６ 23−アリルオキシカルボニル−１α,3β−ビス（テト
ラヒドロピラン−２−イルオキシ）プレグナ−5,7−ジ
エン−24−オン1.90gをテトラヒドロフラン17mlに溶解
し、0.5N塩酸10mlを加え、室温で10時間撹拌した。反応
混合物に重曹水を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液
を水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。
濃縮し、23−アリルオキシカルボニルコレスタ−5,7−
ジエン−24−オン−１α,7β−ジオール1.54gを得た。

実施例７ 23−アリルオキシカルボニルコレスタ−5,7−ジエン
−24−オン−１α,7β−ジオール1.54gをピリジン4mlに
溶解し、無水酢酸1.3ml及び触媒量のジメチルアミノピ
リジンを加え、室温で３時間撹拌した。反応混合物を水
にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を硫酸銅水溶
液、水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で
乾燥した。濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
により精製し、１α,3β−ジアセトキシ−23−アリルオ
キシカルボニルコレスタ−5,7−ジエン−24−オン0.65g
を得た。¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.65（s,3H）,1.07
（s,3H）,2.10（s,3H）,2.14（s,3H）,2.84（sept,J＝
6.6Hz,1H）,3.70〜3.90（m,1H）,4.56〜4.74（2H）,4.8
0〜5.17（2H）,5.27（d,J＝10.5Hz,1H）,5.34（d,J＝1
8.0Hz,1H）,5.41（m,1H）,5.71（m,1H）,5.74〜6.18
（m,1H） 実施例８ 酢酸パラジウム42mg及びトリフェニルホスフィン90mg
を窒素雰囲気下テトラヒドロフラン3ml中で撹拌した。
上記の混合物にテトラヒドロフラン2ml中で蟻酸0.38ml
及びトリエチルアミン1.75mlより調製した混合物を加
え、激しく撹拌した。この溶液に１α,3β−ジアセトキ
シ−23−アリルオキシカルボニルコレスタ−5,7−ジエ
ン−24−オン0.65gをテトラヒドロフラン5mlに溶解して
調製した溶液を加え、室温で２時間撹拌した。反応混合
液を減圧下濃縮し、ジエチルエーテルを加え、フロリジ
リル及びシリカゲルを用いて濾過した。濃縮し、１α,3
β−ジアセトキシコレスタ−5,7−ジエン−24−オン0.4
2gを得た。¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.67（s,3H）,2.09
（s,3H）,2.15（s,3H）,2.26〜2.90（3H）,4.76〜5.25
（2H）,5.40（m,1H）,5.71（m,1H） 実施例９ 23−アリルオキシカルボニル−１α,3β−ビス（メト
キシカルボニルオキシ）コレスタ−5,7−ジエン−24−
オン1.1gをテトラヒドロフラン10mlに溶解し、蟻酸0.46
g及びトリエチルアミン1.2gを加え、さらに酢酸パラジ
ウム11mg及びトリフェニルホスフィン26mgを加え、室温
で１時間さらに40℃で30分間撹拌した。反応混合液を希
塩酸にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を食塩水で
洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。濃縮後、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し１α,3
β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）コレスタ−5,7
−ジエン−24−オン0.65gを得た。

融点 138〜139℃¹ H NMRスペクトル（90MHz） δ:0.67（s,3H）,0.96
（d,J＝6Hz,3H）,1.06（s,3H）,1.12（d,J＝7Hz,6H）,
3.76（s,3H）,3.82（s,3H）,4.62〜5.00（2H）,5.38
（m,1H）,5.65（m,1H） 実施例10 １α,3β−ジアセトキシ−23−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルコレスタ−5,7,25−トリエン−24−オン0.98gに
トリフルオロ酢酸5mlを加え、室温で３時間撹拌した。
反応混合物を水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出し
た。硫酸マグネシウム上で乾燥したのち、減圧下濃縮し
た。残渣にトルエン20ml加え、２時間加熱還流した。反
応混合物を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィにより精製し、１α,3β−ジアセトキシコ
レスタ−5,7,25−トリエン−24−オン0.67gを得た。

実施例11 実施例８において１α,3β−ジアセトキシ−23−アリ
ルオキシカルボニルコレスタ−5,7−ジエン−23−オン
0.65gの代わりに23−プレニルオキシカルボニル−１α,
3β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−26,27
−シクロコレスタ−5,7−ジエン−24−オン0.84gを用い
る以外は同様にして操作を行なうことにより、１α,3β
−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−26,27−
シクロコレスタ−5,7−ジエン−24−オン0.50gを得た。

実施例12 23−アリルオキシカルボニル−１α,3β−ビス（テト
ラヒドロピラン−２−イルオキシ）コレスタ−5,7−ジ
エン−24−オン350mgをエタノール400mlに溶解し、高圧
水銀灯を用いて３分間紫外線照射した。反応混合物をア
ルゴン雰囲気下２時間加熱還流した後、減圧下濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精
製し、23−アリルオキシカルボニル−１α,3β−ビス
（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）−9,10−セコ
コレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン41mgを得
た。

実施例13 窒素雰囲気下、酢酸パラジウム3mg及びトリフェニル
ホスフィン6mgをテトラヒドロフラン1ml中で撹拌した。
上記の混合物にテトラヒドロフラン0.5ml中で蟻酸30μ
ｌ及びトリエチルアミン120μｌより調製した混合物を
加え、激しく撹拌した。この溶液に23−アリルオキシカ
ルボニル−１α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−
イルオキシ）−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−ト
リエン−24−オン41mgをテトラヒドロフラン1mlに溶解
して調製した溶液を加え、、室温で３時間撹拌した。反
応混合液を減圧下濃縮し、ジエチルエーテルを加え、フ
ロリジル及びシリカゲルを用いて濾過した。濃縮し、１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−
オン25mgを得た。

実施例14 実施例12において23−アリルオキシカルボニル−１
α,3β−ビス（テトラヒトロピラン−２−イルオキシ）
コレスタ−5,7−ジエン−24−オン350mgの代わりに１
α,3β−ジアセトキシ−23−アリルオキシカルボニルコ
レスタ−5,7−ジエン−24−オン420mgを用いる以外は同
様にして操作を行なうことにより、１α,3β−ジアセト
キシ−23−アリルオキシカルボニル−9,10−セココレス
タ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン45mgを得た。

実施例15 実施例13において23−アリルオキシカルボニル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−
オン41mgの代わりに１α,3β−ジアセトキシ−23−アリ
ルオキシカルボニル−9,10−セココレスタ−5,7,10（1
9）−トリエン−24−オン45mgを用いる以外は同様にし
て操作を行ない、１α,3β−ジアセトキシ−9,10−セコ
コレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン25mgを得
た。

実施例16 実施例12において23−アリルオキシカルボニル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
コレスタ−5,7−ジエン−24−オン350mgの代わりに１
α,3β−ジアセトキシ−23−ｔ−ブチルオキシカルボニ
ルコレスタ−5,7,25−トリエン−24−オン480mgを用い
る以外は同様にして操作を行なうことにより、１α,3β
−ジアセトキシ−23−ｔ−ブチルオキシカルボニル−9,
10−セココレスタ−5,7,10（19）,25−テトラエン−24
−オン47mgを得た。

実施例17 １α,3β−ジアセトキシ−23−ｔ−ブチルオキシカル
ボニル−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）,25−テト
ラエン−24−オン47mgにトリフルオロ酢酸0.5mlを加
え、アルゴン雰囲気下室温で３時間撹拌した。反応混合
物を水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出した。硫酸マ
グネシウム上で乾燥したのち、減圧下濃縮した。残渣に
トルエン5mlを加え、アルゴン雰囲気下２時間加熱還流
した。反応混合物を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィにより精製し、１α,3β−ジアセ
トキシ−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）,25−テト
ラエン−24−オン19mgを得た。

実施例18 実施例12において23−アリルオキシカルボニル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
コレスタ−5,7−ジエン−24−オン350mgの代わりに１
α,3β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−23
−プレニルオキシカルボニル−26,27−シクロコレスタ
−5,7−ジエン−24−オン380mgを用いる以外は同様にし
て操作を行なうことにより、１α,3β−ビス（ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ）−23−プレニルオキシカルボ
ニル−9,10−セコ−26,27−シクロコレスタ−5,7,10（1
9）−トリエン−24−オン41mgを得た。

実施例19 実施例13において23−アリルオキシカルボニル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−
オン41mgの代わりに１α,3β−ビス（ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）−23−プレニルオキシカルボニル−9,
10−セコ−26,27−シクロコレスタ−5,7,10（19）−ト
リエン−24−オン41mgを用いる以外は同様にして操作を
行ない、１α,3β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）−9,10−セコ−26,27−シクロコレスタ−5,7,10
（19）−トリエン−24−オン22mgを得た。

参考例９ １α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）コレ
スタ−5,7−ジエン−24−オン1.0gをジエチルエーテル1
1に溶解し、アルゴンガスを吹き込みながら、高圧水銀
灯を用いて７分間紫外線照射した。反応混合物を減圧下
濃縮したのち、ヘプタン50mlを加え、アルゴン雰囲気下
2.5時間加熱還流した。反応混合物を減圧下濃縮し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、１α,3
β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−9,10−セココ
レスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン115mgを得
た。

シリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、
１α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−9,10−
セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン115m
gをエタノール2mlに溶解し、氷冷下撹拌した。水素化ホ
ウ素ナトリウム15mgを加え、さらに30分間撹拌した。反
応混合物に水を加え、減圧下エタノールを留去した。残
渣を酢酸エチルで抽出し、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウム上で乾燥した。減圧下濃縮して、１α,3β−ビス
（メトキシカルボニルオキシ）−9,10−セココレスタ−
5,7,10（19）−トリエン−24−オール104mgを得た。

１α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−9,
10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オー
ル104mgを塩化メチレン1mlに溶解し、トリエチルアミン
0.5mlを加え、−10℃で撹拌した。上記混合物に塩化メ
タンスルホニル0.1mlを加え、−10℃で30分間撹拌し
た。反応混合物をジエチルエーテルで希釈し、希塩酸、
水、重曹水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥
した。減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムを通して
半精製し、24−メタンスルホニルオキシ−１α,3β−ビ
ス（メトキシカルボニルオキシ）−9,10−セココレスタ
−5,7,10（19）−トリエン82mgを得た。

24−メタンスルホニルオキシ−１α,3β−ビス（メ
トキシカルボニルオキシ）−9,10−セココレスタ−5,7,
10（19）−トリエン82mgをテトラヒドロフラン1mlに溶
解し、氷冷下撹拌した。1M水素化トリエチルホウ素リチ
ウムテトラヒドロフラン溶液2mlを加え、氷冷下で２時
間撹拌した。反応混合液に水を加え、酢酸エチルで抽出
し、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減
圧下濃縮し、残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィに
より精製し、9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリ
エン−１α,3β−ジオール40mgを得た。このものの分析
値は、文献値と一致した。

実施例20 60％水素化ナトリウム642mgをジメチルホルムアミド3
0mlに懸濁させ、氷冷下に４−メチル−３−オキソ−５
−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ペンタン酸
2,6−ジメチルフェニル6.10gを加え、50℃で30分間撹拌
した。反応混合物を室温まで冷却し、20−メチル−１
α,3β−ビス（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）
−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレグナー5,7−
ジエン3.80g及びヨウ化ナトリウム850mgを加え、45℃で
３時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、水にあ
け、ジエイルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗
浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下濃縮し、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、
23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニル）−１
α,3β,26−トリス（テトラヒドロピラン−２−イルオ
キシ）コレスタ−5,7−ジエン−24−オン3.59gを得た。

実施例21 23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニル）−
１α,3β,26−トリス（テトラヒドロピラン−２−イル
オキシ）コレスタ−5,7−ジエン−24−オン1.20gをメタ
ノール10mlに溶解し、触媒量のｐ−トルエンスルホン酸
を加え、室温で６時間撹拌した。反応混合物に重曹水を
加え中和し、トルエン10mlを加え、減圧下メタノールを
留去した。残渣に水を加え、酢酸エチルで抽出し、食塩
水で洗浄した。硫酸ナトリウム上で乾燥し、減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精
製し、23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニ
ル）コレスタ−5,7−ジエン−24−オン−１α,3β,26−
トリオール585mgを得た。

実施例22 23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニル）コ
レスタ−5,7−ジエン−24−オン−１α,3β,26−トリオ
ール585mgをエタノール500mlに溶解し、アルゴンガスを
吹き込みながら、氷冷下、400W高圧水銀灯を用いて５分
間紫外線照射した。反応混合物をアルゴン雰囲気下２時
間加熱還流した。室温まで冷却したのち、減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精
製し、23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニ
ル）−9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−
24−オン−１α,3β,26−トリオール94mgを得た。

実施例23 23−（2,6−ジメチルフェニルオキシカルボニル）−
9,10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オ
ン−１α,3β,26−トリオール94mgをメタノール3mlに溶
解し、氷冷下に粉末状の水酸化カリウム50mgを加え、そ
のまま１時間撹拌した。12規定硫酸を炭酸ガスの発泡が
観察されなくなるまで加えたのち、50℃で30分間撹拌し
た。反応混合物を室温まで冷却し、水で希釈したのち、
酢酸エチルで抽出した。抽出液を重曹水、食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下濃縮後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、9,10−セ
ココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン−１
α,3β,26−トリオール35mgを得た。

実施例24 １α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−20−
メチル−21−ｐ−トルエンスルホニルオキシプレグナ−
5,7−ジエン850mgをアセトン15mlに溶解し、4,5−イソ
プロピリデンジオキシ−４−メチル−３−オクソペンタ
ン酸ベンジル2.01g、ヨウ化ナトリウム248mg及び炭酸カ
リウム1.9gを加え、アルゴン雰囲気下12時間加熱還流し
た。反応混合物を室温まで冷却したのち、減圧下アセト
ンを留去し、水を加え、ジエチルエーテルで抽出した。
抽出液をチオ硫酸ナトリウム水溶液、水、重曹水、食塩
水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥した。減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィにより精
製し、23−ベンジルオキシカルボニル−25,26−イソプ
ロピリデンジオキシ−１α,3β−ビス（メトキシカルボ
ニルオキシ）コレスタ−5,7−ジエン−24−オン691mgを
得た。

実施例25 23−ベンジルオキシカルボニル−25,26−イソプロピ
リデンジオキシ−１α,3β−ビス（メトキシカルボニル
オキシ）コレスタ−5,7−ジエン−24−オン691mgをエタ
ノール500mlに溶解し、アルゴンガスを吹き込みなが
ら、氷冷下、400W高圧水銀灯を用いて５分間紫外線照射
した。反応混合物をアルゴン雰囲気下２時間加熱還流し
た後、室温まで冷却し、減圧下濃縮した。残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、23−ベンジ
ルオキシカルボニル−25,26−イソプロピリデンジオキ
シ−１α,3β−ビス（メトキシカルボニルオキシ）−9,
10−セココレスタ−5,7,10（19）−トリエン−24−オン
104mgを得た。

［発明の効果］ 本発明により一般式（Ｉ）で示される24−オキソステ
ロイド誘導体及び一般式（II）で示される24−オキソ−
9,10−セコステロイド誘導体が提供され、また一般式
（Ｉ）で示される24−オキソステロイド誘導体、一般式
（Ｖ）で示される24−オキソステロイド誘導体及び一般
式（VI）で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド
誘導体を製造する方法が提供される。

本発明により提供される一般式（Ｉ）で示される24−
オキソステロイド誘導体及び一般式（II）で示される24
−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体はカルシウム代
謝の欠陥症の治療薬として有効なことが知られている１
α−ヒドロキシビタミンD₃を始めとする１α位に水酸基
を有するビタミンD₃誘導体の合成中間体として有用であ
る。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ａ６１Ｋ 31/59 ＡＤＦ Ａ６１Ｋ 31/59 ＡＤＦ ＡＤＴ ＡＤＴ ＡＥＧ ＡＥＧ

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 （式中、R¹及びR²はそれぞれ水素原子又は水酸基の保護
   基を表わし、R³は低級アルキル基、低級アルケニル基、
   アラルキル基又はアリール基を表わし、R⁴は式 で示される基を表わし、X¹は水素原子若しくは式−OY¹
   で示される基を表わし、かつX²は水素原子若しくは式−
   CH₂X²¹で示される基を表わし、X²¹は水素原子若しくは
   式−OY²で示される基を表わすか、又はX¹とX²は一緒に
   なってメチレン基又はエチレン基を表わし、X³は水素原
   子又は式−CH₂X³¹で示される基を表わし、X³¹は水素原
   子又は式−OY³で示される基を表わし、Y¹、Y²及びY³は
   それぞれ水素原子若しくは水酸基の保護基を表わすか、
   又はY¹とY²は一緒になってアルキリデン基を表わすか、
   又はY¹、Y²及びY³は一緒になって式 で示される基を表わし、R⁵は水素原子、低級アルキル
   基、又はアリール基を表わす） で示される24−オキソステロイド誘導体。
2. 【請求項２】R³が式 （式中、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵はそれぞれ水素原
   子、低級アルキル基、低級アルケニル基若しくはアリー
   ル基を表わすか、又はR³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵のう
   ちのいずれか２つが一緒になってアルキレン基を表わ
   す） で示される基を表わす請求項１記載の24−オキソステロ
   イド誘導体。
3. 【請求項３】一般式 （式中、R¹、R²、R³及びR⁴はそれぞれ請求項１記載の
   R¹、R²、R³及びR⁴と同じである） で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体。
4. 【請求項４】R³が式 （式中、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵はそれぞれ請求項
   ２記載のR³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵と同じである） で示される基を表わす請求項３記載の24−オキソ−9,10
   −セコステロイド誘導体。
5. 【請求項５】一般式 （式中、R¹及びR²はそれぞれ請求項１記載のR¹及びR²と
   同じであり、Ｚはハロゲン原子又は式−OSO₂R⁶で示され
   る基を表わし、R⁶は低級アルキル基又はアリール基を表
   わす） で示されるプレグナン誘導体と一般式 （式中、R³及びR⁴はそれぞれ請求項１記載のR³及びR⁴と
   同じである） で示されるβ−ケトエステルを塩基性物質の存在下に反
   応させることを特徴とする一般式 （式中、R¹、R²、R³及びR⁴はそれぞれ請求項１記載の
   R¹、R²、R³及びR⁴と同じである） で示される24−オキソステロイド誘導体の製造方法。
6. 【請求項６】一般式 （式中、R¹、R²、R³及びR⁴はそれぞれ請求項１記載の
   R¹、R²、R³及びR⁴と同じである） で示される24−オキソステロイド誘導体を脱アルコキシ
   カルボニル化することを特徴とする一般式 （式中、R¹¹及びR²¹はそれぞれ水素原子又は水酸基の保
   護基を表わし、R⁴¹は式 で示される基を表わし、X¹²は水素原子若しくは式−OY
   ¹²で示される基を表わし、かつX²²は水素原子若しくは
   式−CH₂X²³で示される基を表わし、X²³は水素原子若し
   くは式−OY²²で示される基を表わすか、又はX¹²とX²²は
   一緒になってメチレン基又はエチレン基を表わし、X³²
   は水素原子又は式−CH₂X³³で示される基を表わし、X³³
   は水素原子又は式−OY³²で示される基を表わし、Y¹²、Y
   ²²及びY³²はそれぞれ水素原子若しくは水酸基の保護基
   を表わすか、又はY¹²とY²²は一緒になってアルキリデン
   基を表わすか、又はY¹²、Y²²及びY³²は一緒になって式 で示される基を表わし、R⁵¹は水素原子、低級アルキル
   基又はアリール基を表わす） で示される24−オキソステロイド誘導体の製造方法。
7. 【請求項７】R³が式 （式中、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵はそれぞれ請求項
   ２記載のR³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵と同じである） で示される基を表わす請求項６記載の24−オキソステロ
   イド誘導体の製造方法。
8. 【請求項８】脱アルコキシカルボニル化をパラジウム化
   合物の存在下に行なうことを特徴とする請求項６記載の
   24−オキソステロイド誘導体の製造方法。
9. 【請求項９】一般式 （式中、R¹、R²、R³及びR⁴はそれぞれ請求項１記載の
   R¹、R²、R³及びR⁴と同じである） で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体を
   脱アルコキシカルボニル化することを特徴とする一般式 （式中、R¹¹、R²¹及びR⁴¹はそれぞれ請求項６記載の
   R¹¹、R²¹及びR⁴¹と同じである） で示される24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体の
   製造方法。
10. 【請求項１０】R³が式 （式中、R³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵はそれぞれ請求項
    ２記載のR³¹、R³²、R³³、R³⁴及びR³⁵と同じである） で示される基を表わす請求項９記載の24−オキソ−9,10
    −セコステロイド誘導体の製造方法。
11. 【請求項１１】脱アルコキシカルボニル化をパラジウム
    化合物の存在下に行なうことを特徴とする請求項10記載
    の24−オキソ−9,10−セコステロイド誘導体の製造方
    法。