JP2670796B2 - 金属めっきされたセラミックス成型体の製造方法 - Google Patents

金属めっきされたセラミックス成型体の製造方法

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    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、表面が金属めっきされたセラミックス成型
体の製造方法に関するものであり、本発明により製造さ
れる金属めっきされたセラミックス成型体の主な用途
は、各種センサー、プリント回路基板、高周波共振素子
及びコンデンサー等の電子部品の材料である。
〔従来の技術〕
セラミックス成型体は一般的には絶縁体であるが、近
年、各種セラミックス成型体の表面を導電性ペーストの
塗布、金属膜や蒸着や化学めっき等の表面加工処理を施
し、該表面に各種金属を付与することにより、導電性と
いう新しい機能を付与することが行われている。
セラミックス成型体表面に金属を付与する場合、付与
された金属を長期に亘り、安定に維持する為には、金属
がセラミックス成型体の表面に出来るだけ均一且つ強固
に付与されることが必要である。
又、セラミックス成型体の導電性を向上させるために
も表面に金属が出来るだけ均一且つ強固に付与されるこ
とが必要である。
従来、セラミックス成型体を化学めっきする方法とし
て最も一般的な方法は、例えば、「無電解めっき技術」
(神戸徳蔵著、(株)総合技術センター発行−昭和61年
−)に記載されている通り、セラミックス成型体を酸な
どでエッチングを行い表面を粗化した後に強酸性塩化第
一錫溶液に浸漬し、次いで、強酸性塩化パラジウム溶液
に浸漬して活性化処理を施した後、化学めっきする方法
及び銀又はパラジウムペーストをセラミックス成型体の
表面に塗布し、焼成した後化学めっきする方法である。
〔発明が解決しようとする課題〕
表面に均一且つ強固に金属が付与されたセラミックス
成型体は現在最も要求されているところであるが、前述
の公知方法による場合には、未だこれらの要求を満たす
ものではない。
即ち、前出の公知方法は、塩化第一錫と塩化パラジウ
ムの二つの浴を必要とし、お長いの液が混入するのを防
ぐために、各処理毎に水洗をしなければならないので工
程が非常に複雑である。しかも、化学めっきのための触
媒活性が低いので、2〜3度同じ処理を繰り返さなけれ
ば金属イオンの還元反応を惹起させるに充分なパラジウ
ムを付与することが出来ず、また、強酸によりセラミッ
クス成型体の面が劣化したり、溶解したりする為、化学
めっき処理の際の還元反応が妨げられ金属を均一且つ強
固に付与することが困難である。
他方、均一且つ強固に金属を付与する為の改良方法も
提案されている。例えば、米国特許3011920号公報に記
載の方法が提案されている。この方法は、被めっき物を
強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に接触させ、化学め
っきのための触媒作用を行うパラジウムを付与するもの
であるが、セラミックス成型体の表面に均一且つ、強固
に金属を付与することは、未だ、困難である。
この理由は、化学めっきの触媒として使用する強酸性
パラジウム−錫コロイドが調製後、凝集沈澱や触媒活性
の低下等の経時変化を生起しやすく不安定なものである
為であり、また、セラミックス成型体の表面に、化学め
っきの為の触媒として作用するパラジウム以外に触媒作
用の妨げとなる錫水酸化物までが多量に付与され、ま
た、強酸によりセラミックス成型体の表面が劣化した
り、溶解したりする為、化学めっき処理の際の還元反応
が妨げられる為である。
セラミックス成型体の表面から、触媒作用の妨げとな
る錫水酸化物等の不純物を除去する為、セラミックス成
型体を強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に浸漬した
後、更に、アルカリ溶液中で浸漬処理する方法も採られ
ているが、錫水酸化物等の不純物を完全に除去すること
は困難であり、しかも、工程が一層複雑化する。
また、強酸により表面が劣化したり、溶解するセラミ
ックス成型体を化学めっきする場合、Ag、Pd等の化学め
っきに対する触媒金属と有機物質とを混合して得られる
貴金属ペーストをセラミックス成型体表面に塗布し、焼
付する方法も提案されているが、材料、設備等の面で不
経済である。
上述した通り、セラミックス成型体の表面に極めて容
易に均一且つ強固にしかも経済的に金属を付与する方法
の確立が強く要望されている。
本発明者は、セラミックス成型体の表面に均一且つ強
固に金属を付与する方法について種々検討を重ね、化学
めっきの触媒として弱アルカリ性の超微粒子のパラジウ
ムコロイドを含有するヒドロゾルに着目し、該パラジウ
ムヒドロゾルがセラミックス成型体の表面に化学めっき
を施す場合の触媒として有効であることを見出すととも
に、、セラミックス成型体の表面を予め金属水酸化物ヒ
ドロゾル、アルカリ土類金属塩化物及び第4周期遷移金
属塩のいずれか一種又は二種の水溶液で前処理した後、
該前処理したセラミックス成型体をパラジウムコロイド
を含むヒドロゾル中に浸漬することにより、前記セラミ
ックス成型体の表面にパラジウムコロイドを吸着させ、
次いで、水洗した後、該パラジウムコロイドが吸着され
ているセラミックス成型体に金属を化学めっきすること
によって、セラミックス成型体の表面に均一且つ強固に
金属が付与されたセラミックス成型体を得ることに成功
し、特許出願を行っている(特願昭62−268785号)。
しかしながら、上記既出願の発明においては、予めセ
ラミックス成型体の表面を金属水酸化物ヒドロゾル、ア
ルカリ土類金属塩化物及び第4周期遷移金属塩のいずれ
か一種又は二種の水溶液で前処理しておく必要がある。
本発明は、上記前処理を施すことなくセラミックス成
型体の表面にパラジウムコロイドを均一且つ強固に吸着
させることによって、記前処理を施した場合に得られる
金属めっきされたセラミックス成型体と同等以上に均一
且つ強固に金属が付与されている金属めっきされたセラ
ミックス成型体を得ることを技術的課題とするものであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
前記技術的課題は、次の通りの技術的手段によって解
決できる。
即ち、セラミックス成型体を30〜60℃の下限臨界共溶
温度を有し、濃度が0.001〜0.05wt%の範囲である水溶
性高分子又は該水溶性高分子と陰イオン性界面活性剤、
非イオン性界面活性剤の一種又は二種とを含むパラジウ
ムヒドロゾル中、対象とする水溶性高分子の下限臨界共
溶温度よりも高温で且つ100℃以下の温度範囲下で浸漬
することにより、前記セラミックス成型体の表面にパラ
ジウムコロイドを吸着させ、次いで、水洗した後、該パ
ラジウムコロイドが吸着されているセラミックス成型体
に金属を化学めっきすることにより表面が金属めっきさ
れたセラミックス成型体を得ることを特徴とする金属め
っきされたセラミックス成型体の製造方法なる技術的手
段である。
〔作用〕
先ず、本発明において、最も重要な点は、、活性化処
理にあたり使用するパラジウムヒドロゾルが、30〜60℃
の下限臨界共溶温度を有する水溶性高分子又は該水溶性
高分子と陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤
の一種又は二種とを含むと同時に弱アルカリ性であり、
化学めっきの為の触媒作用の妨げとなる錫水酸化物等の
不純物を含有しておらず、しかも長期に亘り安定である
為、被めっき物であるセラミックス成型体の表面が溶け
ることなく、しかも、セラミックス成型体を、対象とす
る水溶性高分子の下限臨界共溶温度よりも高温で且つ10
0℃の温度範囲の少なくとも水溶性高分子を含むパラジ
ウムヒドロゾル水溶液中に浸漬することにより、ヒドロ
ゾル中に含有するパラジウムコロイドを覆っている水溶
性高分子の分子構造中の親水基に存在する水和層が脱着
し溶解性が低下することに起因して、パラジウムコロイ
ドのセラミックス成型体表面への吸着能が促進化され、
成型体の表面にパラジウムコロイドを均一且つ強固に吸
着させることができることによって、セラミックス成型
体の表面に均一且つ強固に化学めっきできる点である。
次に、本発明実施にあたっての諸条件について述べ
る。
本発明において、弱アルカリ性であり、且つ、触媒作
用の妨げとなるような不純物を含有しておらず、しか
も、長期に亘り安定であるパラジウムヒドロゾルは、パ
ラジウム(II)塩の水溶液を30〜60℃の下限臨界共溶温
度を有する水溶性高分子又は該水溶性高分子と陰イオン
性界面活性剤、非イオン性界面活性剤のいずれか一種又
は二種との存在下で、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラ
ジン等の還元剤で還元して得られる粒径が20〜50Åのパ
ラジウムコロイドを含む溶液を使用することができる。
ここで、水溶性高分子は、30〜60℃の下限臨界共溶温
度を有するものであれば使用することができる。好まし
くはヒドロキシプロピルセルロース、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアルコール等を使用することができる。
又、水溶性高分子のパラジウムヒドロゾル中での濃度
は0.001〜0.05wt%の範囲がよい。
30℃以下の下限臨界共溶温度を有する水溶性高分子を
用いた場合、長期に亘り分散安定なパラジウムヒドロゾ
ルが常温では調製できない。
一方、60℃以上の下限臨界共溶温度を有する水溶性高
分子を用いた場合、セラミックス成型体の表面に均一且
つ強固にパラジウムコロイドを吸着させるためには、沸
点付近のパラジウムヒドロゾル水溶液中にセラミックス
成型体を浸漬させる必要があり、実用的でなく好ましく
ない。
尚、本発明における下限臨界共溶温度とは、水溶性高
分子の水に対する溶解性が温度上昇につれて低下し、あ
る温度において相分離するものがあり、このように低温
側から温度を上昇させた場合、著しく溶解度が減少する
温度をいう。
界面活性剤は、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウ
ム等の陰イオン性界面活性剤、ポリエチレングリコール
−p−ノニルフェニルエーテル等の非イオン性界面活性
剤を用いることができる。
本発明におけるパラジウムコロイドの吸着量は、セラ
ミックス成型体の種類に応じて化学めっきの為に必要且
つ充分な量を付与することが必要である。
本発明におけるパラジウムコロイドの吸着速度は、パ
ラジウムコロイドを含むヒドロゾルの温度、濃度、水溶
性高分子の種類及び界面活性剤の種類等により異なる
為、目的に応じて適当な条件を設定すればよい。
セラミックス成型体の表面へのパラジウムコロイド吸
着温度条件は、対象とする水溶性高分子の下限臨界共溶
温度よりも高温で且つ100℃以下の温度範囲下で目的に
応じて自由に選定すればよく、温度が高くなる程パラジ
ウムコロイドの吸着速度は速くなる傾向にある。
この際の処理時間は、2分〜60分間、好ましくは15分
以上がよい。
下限臨界共溶温度以下の場合には、パラジウムヒドロ
ゾル中に存在するコロイド粒子を覆っている水溶性高分
子の溶解度が高くなりパラジウムコロイドの保護作用が
非常に強くなって、セラミックス成型体の表面にはパラ
ジウムコロイドが吸着され難くなる。
100℃を越える温度の場合には、パラジウムヒドロゾ
ルが沸騰し、水分の蒸発が激しくなり実用上好ましくな
い。
本発明においては、セラミックス成型体の表面への吸
着に関与しない余分のパラジウムコロイドが付着してい
る場合には、その後の化学めっきに際して、余分のパラ
ジウムコロイドが化学めっき中に単独分離して、その部
分でセラミックス成型体の表面とは別に化学めっきが生
起するので、セラミックス成型体の表面にパラジウムコ
ロイドを吸着させた後水洗、過し、必要により更に乾
燥することにより余分のパラジウムコロイドを除去して
おくことが好ましい。
本発明における化学めっきは常法により行うことがで
きる。即ち、パラジウムコロイドが吸着されたセラミッ
クス成型体を金属イオン及び還元剤を含む化学めっき液
中に浸漬することにより、セラミックス成型体の表面に
吸着されているパラジウムコロイド部分で金属イオンが
還元されて金属が析出するものである。
本発明における化学めっきの為の金属イオン溶液とし
ては、電気的性質を付与する為に通常使用される中性又
はアルカリ性のニッケル、コバルト銅、銀等の一種又は
二種以上を使用することができる。
本発明における化学めっきの為の還元剤としては、次
亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒド、ぶどう糖等を
使用することができる。
本発明におけるセラミックス成型体としては、酸化ア
ルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸鉛、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)窒化ホ
ウ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化
炭素、炭化ケイ素、酸化ジルコニウムから選ばれる成型
体のものが使用できる。
〔実施例〕
次に実施例並びに比較例により本発明を説明する。
表面抵抗は、MCP−TESTER・LORESTA低抵抗表面抵抗計
(三菱油化(株)製)により測定したものである。
めっきの密着性は、めっき終了1時間後にスコッチメ
ンディングテープ(住友スリーエム(株)製)をめっき
物表面上に強く貼り付けた後、これを引きはがすことに
より調べた。
〈パラジウムコロイドを含むヒドロゾルの調製〉 試料A〜E: 試料:A 塩化パラジウム(II)50μmolを塩化ナトリウム250μ
molを含む水溶液を2.5mlに溶解し、次いで純水で94mlに
希釈した。この溶液を激しく撹拌しながら、ヒドロキシ
プロピルセルロース10mgを含む水溶液1mlを加え、次い
で、水素化ホウ素ナトリウム200μmolを含む水溶液5ml
を滴下すると、溶液の色が急変し、pH8.7の黒褐色透明
なパラジウムヒドロゾルを得た。
試料:B 水溶性高分子としてポリビニルアルコールを使用した
以外は、試料Aと同様にしてpH8.5のパラジウムヒドロ
ゾルを得た。
試料:C 水溶性高分子としてポリ酢酸ビニルを使用した以外
は、試料Aと同様にしてpH8.5のパラジウムヒドロゾル
を得た。
試料:D 水溶性高分子としてポリビニルアルコール5mgと界面
活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム5m
gとを使用した以外は試料Aと同様にしてpH8.8のパラジ
ウムヒドロゾルを得た。
試料:E 水溶性高分子としてヒドロキシプロピルセルロース8m
gと界面活性剤としてポリエチレングリコール−P−ノ
ニルフェニルエーテル2mgとを使用した以外は試料Aと
同様にしてpH8.3のパラジウムヒドロゾルを得た。
〈化学めっき液の調製〉試料I〜II; 試料:I(ニッケルめっき液の調製) 硫酸ニッケル(6水塩)0.11mol、酢酸ナトリウム
(3水和物)0.29molクエン酸ナトリウム(3水和物)
0.29molクエン酸ナトリウム(3水和物)0.05mol、コハ
ク酸ナトリウム(6水和物)0.019mol、次亜リン酸ナト
リウム0.19molを水に溶解した後、少量の安定剤を加
え、硫酸を用いてpH4.5に調製し、水を加えて全容を1
にした。
試料:II(銅めっき液の調製) 0.8mol/のロッセル塩と、0.8mol/の水酸化ナトリ
ウムおよび0.5mol/の硫酸銅(II)5水塩を純水に溶
解して100mlとし、さらに35%ホルムアルデヒド溶液100
mlを加えて混合した。
〈セラミックス成型体の化学めっき〉 実施例1〜5; 実施例1 酸化アルミニウム板状成型体(2.5cm×1.0cm、厚さ0.
05cm)を試料Aのパラジウムヒドロゾル50mlに15分間、
50℃の温度で浸漬させた後、洗浄、乾燥した。
得られたパラジウムコロイドが吸着されたセラミック
ス成型体を試料Iのニッケル化学めっき液に90℃10min
浸漬した後、水洗、乾燥すると、表面が均一にニッケル
で被われた金属光沢を示すめっき膜厚4.5μmのセラミ
ックス成型体が得られた。このセラミックス成型体の表
面を実体顕微鏡観察した結果、セラミックス成型体の表
面に均一且つ強固にめっきされていることが確認され
た。
また、このセラミックス成型体の表面抵抗は、2Ω/
□であり、表面にメンディングテープを強く押しつけて
剥がしても全くニッケル被膜は剥離しなかった。
実施例2〜5 被めっき物であるセラミックス成型体の種類、パラジ
ウムコロイドを含むヒドロゾルの種類、セラミックス成
型体の浸漬処理温度及び化学めっき液の種類を種々変え
た以外は実施例1と同様にして金属めっきされたセラミ
ックス成型体を得た。この時の主要製造条件及び金属め
っきされたセラミックス成型体の諸特性を表1に示す。
また、実施例2〜5の各実施例で得られた金属めっき
されたセラミックス成型体は、いずれも実体顕微鏡観察
の結果、表面が均一且つ強固にめっきされていたことが
観察された。
また、これら金属めっきされたセラミックス成型体の
表面にメンディングテープを強く押しつけて剥がしても
全く金属被膜は剥離しなかった。
比較例1 実施例2と同一のセラミックス成型体のパラジウムヒ
ドロゾルへの浸漬処理温度を25℃とした以外は実施例2
と同様な処理を施した。
処理後のセラミックス成型体の表面には銅めっき被膜
が形成されていなかった。
〔効 果〕 本発明に係る金属めっきされたセラミックス成型体
は、前出実施例に示された通り、本発明において用いら
れるパラジウムコロイドを含むヒドロゾルが弱アルカリ
性であり、且つ、錫水酸化物等の化学めっきの触媒作用
を妨げる不純物を含有しておらず、しかも、長期に亘り
安定である為、被めっき物であるセラミックス成型体の
表面が溶けることなく、しかも、予め前処理を施すこと
なく、セラミックス成型体を少なくとも水溶性高分子を
含むパラジウムヒドロゾル中に、対象とする水溶性高分
子の下限臨界共溶温度よりも高温で且つ100℃以下の温
度範囲下で浸漬することにより、成型体表面にパラジウ
ムコロイドを均一且つ強固に吸着させることができるこ
とに起因して、均一且つ強固な化学めっきがされたもの
であり、従って、長期に亘り安定な金属めっきされた導
電性の優れたセラミックス成型体が得られるので、各種
センサー、プリント回路基板、高周波共振素子及びコン
デンサー等の電子部品の材料として好適である。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミックス成型体を30〜60℃の下限臨界
    共溶温度を有し、濃度が0.001〜0.05wt%の範囲である
    水溶性高分子又は該水溶性高分子と陰イオン性界面活性
    剤、非イオン性界面活性剤の一種又は二種とを含むパラ
    ジウムヒドロゾル中に、対象とする水溶性高分子の下限
    臨界共溶温度よりも高温で且つ10℃以下の温度範囲下で
    浸漬することにより、前記セラミックス成型体の表面に
    パラジウムコロイドを吸着させ、次いで、水洗した後、
    該パラジウムコロイドが吸着されているセラミックス成
    型体に金属を化学めっきすることにより表面が金属めっ
    きされたセラミックス成型体を得ることを特徴とする金
    属めっきされたセラミックス成型体の製造方法。
  2. 【請求項2】セラミックス成型体が、酸化アルミニウ
    ム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
    ン酸鉛、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)、窒化ホウ素、
    酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化炭素、
    炭化ケイ素、酸化ジルコニウムから選ばれる成型体であ
    る請求項1記載の金属めっきされたセラミックス成型体
    の製造方法。
  3. 【請求項3】水溶性高分子が、ヒドロキシプロピルセル
    ロース、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコールである
    請求項1又は2記載の金属めっきされたセラミックス成
    型体の製造方法。
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