JP2669495B2 - テルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の製造方法。 - Google Patents
テルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の製造方法。Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テルル、テルル化合物
及びテルルと硫化物複合体の製造方法に関するものであ
る。
及びテルルと硫化物複合体の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、テルルは、テルルソウェン鉱の
粉末を炭酸アルカリ、オリーブ油と混ぜ強熱し水で抽出
したのち抽出液に空気を吹き込むとテルルが沈殿するも
のであることは知られている。またテルル化合物は、金
属塩水溶液にテルル化アルカリを作用させて沈殿として
得るものであることが知られている。テルル(Te)等
のカルコゲン元素を主要成分とするカルコゲン化合物は
一般に半導体としての特性を有しており、電子材料とし
て広い応用分野がある。またカルコゲンガラスと総称さ
れるアモルファス半導体は光学ガラス、電子写真材料、
固体撮像素子として実用化されている。最近では光メモ
リ材料としても期待されている。また、硫化鉛(Pb
S)、テルル化鉛(PbTe)、テルル化錫(SnT
e)などの化合物半導体は光導電素子、赤外域光起電力
素子、レーザ材料などとして用いられている。
粉末を炭酸アルカリ、オリーブ油と混ぜ強熱し水で抽出
したのち抽出液に空気を吹き込むとテルルが沈殿するも
のであることは知られている。またテルル化合物は、金
属塩水溶液にテルル化アルカリを作用させて沈殿として
得るものであることが知られている。テルル(Te)等
のカルコゲン元素を主要成分とするカルコゲン化合物は
一般に半導体としての特性を有しており、電子材料とし
て広い応用分野がある。またカルコゲンガラスと総称さ
れるアモルファス半導体は光学ガラス、電子写真材料、
固体撮像素子として実用化されている。最近では光メモ
リ材料としても期待されている。また、硫化鉛(Pb
S)、テルル化鉛(PbTe)、テルル化錫(SnT
e)などの化合物半導体は光導電素子、赤外域光起電力
素子、レーザ材料などとして用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにテルル、
テルル化物は有用な特性を有するものであるが、従来の
技術では、超微粒子の粉末は得ることができず、粉末の
分散性が悪く凝集のないものを得ることができないとい
う問題があった。また、テルルと硫化物の複合体のよう
な2元複合系では良好な混合状態が得られないという問
題があった。そのため有用な特性である半導体として利
用する場合には、気相法によらねばならず、高価な設備
を必要とするものであった。本発明は、凝集しない分散
性のよい超微粒子の粉末で、かつ電気材料のペーストの
構成成分である有機溶媒や有機バインダーときわめてよ
い親和性を有するもので、また2元複合系では良好な混
合状態のテルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の
製造方法を提供するものである。
テルル化物は有用な特性を有するものであるが、従来の
技術では、超微粒子の粉末は得ることができず、粉末の
分散性が悪く凝集のないものを得ることができないとい
う問題があった。また、テルルと硫化物の複合体のよう
な2元複合系では良好な混合状態が得られないという問
題があった。そのため有用な特性である半導体として利
用する場合には、気相法によらねばならず、高価な設備
を必要とするものであった。本発明は、凝集しない分散
性のよい超微粒子の粉末で、かつ電気材料のペーストの
構成成分である有機溶媒や有機バインダーときわめてよ
い親和性を有するもので、また2元複合系では良好な混
合状態のテルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の
製造方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためのもので、テルルアルコキシド溶液に硫化水素
ガスを還流温度または室温でバブリングさせることによ
って反応させ、生成した沈殿物を乾燥することを特徴と
する超微粒子のテルルの製造方法である。また、テルル
アルコキシド溶液に金属アルコキシド溶液を混合し攪拌
還流し、反応させ、金属−テルルバイメタルエトキシド
微粒子を生成させることを特徴とする超微粒子のテルル
化物の製造方法である。さらにまた、テルルアルコキシ
ド溶液に金属アルコキシド溶液を混合し、反応により生
成した懸濁液に硫化水素ガスを還流温度または室温でバ
ブリングさせることによって反応させることを特徴とす
る超微粒子のテルル−硫化物複合体の製造方法であり、
ここで用いるテルルアルコキシド溶液が、アルコールに
溶解した塩化テルルとナトリウムアルコキシドによって
得られるものであることを特徴とするものである。
するためのもので、テルルアルコキシド溶液に硫化水素
ガスを還流温度または室温でバブリングさせることによ
って反応させ、生成した沈殿物を乾燥することを特徴と
する超微粒子のテルルの製造方法である。また、テルル
アルコキシド溶液に金属アルコキシド溶液を混合し攪拌
還流し、反応させ、金属−テルルバイメタルエトキシド
微粒子を生成させることを特徴とする超微粒子のテルル
化物の製造方法である。さらにまた、テルルアルコキシ
ド溶液に金属アルコキシド溶液を混合し、反応により生
成した懸濁液に硫化水素ガスを還流温度または室温でバ
ブリングさせることによって反応させることを特徴とす
る超微粒子のテルル−硫化物複合体の製造方法であり、
ここで用いるテルルアルコキシド溶液が、アルコールに
溶解した塩化テルルとナトリウムアルコキシドによって
得られるものであることを特徴とするものである。
【0005】本発明において、テルルアルコキシドとし
ては、テルルエトキシド、テルルメトキシド、テルルブ
トキシド、テルルプロポキシドが用いられる。テルルア
ルコキシド溶液の合成について、テルルエトキシド溶液
を例に説明すると、エタノールに溶解した塩化テルルと
ナトリウムエトキシドによって得られるものである。テ
ルルアルコキシド溶液に硫化水素を反応させることにつ
いては、テルルアルコキシド溶液に還流温度または室温
で硫化水素ガスをバブリングさせることによって行なう
ものである。そして生成した沈殿物は遠心分離、真空乾
燥して金属テルルをうるもので、これは粉末でえられ
る。なお、テルルアルコキシド溶液に硫化水素を反応さ
せるこの方法では、テルルの硫化物は生成しない。
ては、テルルエトキシド、テルルメトキシド、テルルブ
トキシド、テルルプロポキシドが用いられる。テルルア
ルコキシド溶液の合成について、テルルエトキシド溶液
を例に説明すると、エタノールに溶解した塩化テルルと
ナトリウムエトキシドによって得られるものである。テ
ルルアルコキシド溶液に硫化水素を反応させることにつ
いては、テルルアルコキシド溶液に還流温度または室温
で硫化水素ガスをバブリングさせることによって行なう
ものである。そして生成した沈殿物は遠心分離、真空乾
燥して金属テルルをうるもので、これは粉末でえられ
る。なお、テルルアルコキシド溶液に硫化水素を反応さ
せるこの方法では、テルルの硫化物は生成しない。
【0006】テルル化物の製造方法において、テルル化
物としては例えば、テルル化鉛、テルル化錫、テルル化
亜鉛がある。また金属アルコキシド溶液としては、鉛ア
ルコキシド溶液、錫アルコキシド溶液、亜鉛アルコキシ
ド溶液が用いられ、例えば、鉛エトキシド、鉛メトキシ
ド、鉛ブトキシド、鉛プロポキシド、錫エトキシド、錫
メトキシド、錫ブトキシド、錫プロポキシド、亜鉛エト
キシド、亜鉛メトキシド、亜鉛ブトキシド、亜鉛プロポ
キシドが用いられる。そしてこの金属アルコキシド溶液
の合成について、鉛エトキシド溶液を例に説明すると、
エタノールに溶解した酢酸鉛の溶液に、バリウムエトキ
シドを加え反応させて得られるものである。鉛エトキシ
ドにおいては酢酸鉛を出発物質としているが、錫、亜鉛
においては塩化錫、塩化亜鉛が好ましい。
物としては例えば、テルル化鉛、テルル化錫、テルル化
亜鉛がある。また金属アルコキシド溶液としては、鉛ア
ルコキシド溶液、錫アルコキシド溶液、亜鉛アルコキシ
ド溶液が用いられ、例えば、鉛エトキシド、鉛メトキシ
ド、鉛ブトキシド、鉛プロポキシド、錫エトキシド、錫
メトキシド、錫ブトキシド、錫プロポキシド、亜鉛エト
キシド、亜鉛メトキシド、亜鉛ブトキシド、亜鉛プロポ
キシドが用いられる。そしてこの金属アルコキシド溶液
の合成について、鉛エトキシド溶液を例に説明すると、
エタノールに溶解した酢酸鉛の溶液に、バリウムエトキ
シドを加え反応させて得られるものである。鉛エトキシ
ドにおいては酢酸鉛を出発物質としているが、錫、亜鉛
においては塩化錫、塩化亜鉛が好ましい。
【0007】テルルアルコキシド溶液と金属アルコキシ
ド溶液の混合は、金属のモル数が同量にしても、またテ
ルル化物の状態を考慮して定めることができる。混合し
反応させ、金属−テルルバイメタルエトキシド微粒子を
生成させることについては、混合して生じた懸濁液をエ
バポレーションにより脱溶媒し、のち真空乾燥しテルル
化物をうるもので、これは粉末でえられる。そしてこの
粉末を400℃または600℃で仮焼する。なお600
℃で仮焼した場合は粉末は溶融してしまうことがある。
ド溶液の混合は、金属のモル数が同量にしても、またテ
ルル化物の状態を考慮して定めることができる。混合し
反応させ、金属−テルルバイメタルエトキシド微粒子を
生成させることについては、混合して生じた懸濁液をエ
バポレーションにより脱溶媒し、のち真空乾燥しテルル
化物をうるもので、これは粉末でえられる。そしてこの
粉末を400℃または600℃で仮焼する。なお600
℃で仮焼した場合は粉末は溶融してしまうことがある。
【0008】テルル―硫化物複合体の製造方法におい
て、硫化物としては硫化鉛、硫化錫、硫化亜鉛が用いら
れ、また鉄、コバルト、マンガンも用いられる。即ちテ
ルル―硫化鉛複合体、テルル―硫化錫複合体、テルル―
硫化亜鉛複合体などのテルル―硫化物複合体が製造され
るものである。また、テルルアルコキシド溶液と金属ア
ルコキシド溶液の混合において、テルルと金属のモル比
は適宜に定めることができるものである。これはテルル
―硫化物複合体としてのテルルと金属の割合をどのよう
にするかによって適宜に定めることになる。テルルアル
コキシド溶液と金属アルコキシド溶液の混合物に硫化水
素を反応させることについては、混合し得られた懸濁液
に還流下で硫化水素ガスをバブリングし遠心分離により
沈殿物を取り出し、真空乾燥によりテルル―硫化物複合
体の粉末が得られるものである。
て、硫化物としては硫化鉛、硫化錫、硫化亜鉛が用いら
れ、また鉄、コバルト、マンガンも用いられる。即ちテ
ルル―硫化鉛複合体、テルル―硫化錫複合体、テルル―
硫化亜鉛複合体などのテルル―硫化物複合体が製造され
るものである。また、テルルアルコキシド溶液と金属ア
ルコキシド溶液の混合において、テルルと金属のモル比
は適宜に定めることができるものである。これはテルル
―硫化物複合体としてのテルルと金属の割合をどのよう
にするかによって適宜に定めることになる。テルルアル
コキシド溶液と金属アルコキシド溶液の混合物に硫化水
素を反応させることについては、混合し得られた懸濁液
に還流下で硫化水素ガスをバブリングし遠心分離により
沈殿物を取り出し、真空乾燥によりテルル―硫化物複合
体の粉末が得られるものである。
【0009】
【作用】本発明においては、テルル(Te)の出発物質
としてテルルアルコキシド溶液を用いるものであるか
ら、得られるテルル、テルル化物、テルル―硫化物複合
体が超微粒子粉末の状態で生成される。また超微粒子粉
末が分散性のよい凝集のない状態で得られるものであ
る。また、テルル化物、テルル―硫化物複合体を構成す
る他の成分についても金属アルコキシド溶液を混合し反
応させるので、超微粒子粉末の状態で分散性のよい凝集
のないものが得られ、また液相からの同時析出で得られ
るので良好な混合状態のものが得られるものである。
としてテルルアルコキシド溶液を用いるものであるか
ら、得られるテルル、テルル化物、テルル―硫化物複合
体が超微粒子粉末の状態で生成される。また超微粒子粉
末が分散性のよい凝集のない状態で得られるものであ
る。また、テルル化物、テルル―硫化物複合体を構成す
る他の成分についても金属アルコキシド溶液を混合し反
応させるので、超微粒子粉末の状態で分散性のよい凝集
のないものが得られ、また液相からの同時析出で得られ
るので良好な混合状態のものが得られるものである。
【0010】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。 [実施例1]本発明の第1の実施例について図1及び図
2で説明する。図1は、テルルの製造フローチアートを
示す図であり、図2は、この実施例で製造されたテルル
のX線回折結果を示す図である。図1に示すように、無
水塩化テルル(TeCl4)をテルルの出発物質とし、
これをエタノール(EtOH)に入れ、還流(refl
ux)して溶解し、塩化テルルエタノール溶液を調製す
る。この場合、無水塩化テルル3.0247gを200
mlのエタノールを用いて溶解する。
する。 [実施例1]本発明の第1の実施例について図1及び図
2で説明する。図1は、テルルの製造フローチアートを
示す図であり、図2は、この実施例で製造されたテルル
のX線回折結果を示す図である。図1に示すように、無
水塩化テルル(TeCl4)をテルルの出発物質とし、
これをエタノール(EtOH)に入れ、還流(refl
ux)して溶解し、塩化テルルエタノール溶液を調製す
る。この場合、無水塩化テルル3.0247gを200
mlのエタノールを用いて溶解する。
【0011】次に、図に示すようにNaを導入する。N
aについて、この実施例ではナトリウムエトキシドエタ
ノール溶液の状態で用いる。このナトリウムエトキシド
エタノール溶液は、別にナトリウム1.0334gをエ
タノール200mlに溶かし、2時間攪拌還流してナトリ
ウムエトキシドエタノール溶液を調製するものである。
なお、Naを元素の形で投入しても、塩化テルルエタノ
ール溶液のエタノールと反応し、ナトリウムエトキシド
のエタノール溶液を生成するものである。別に調製した
ナトリウムエトキシドエタノール溶液を塩化テルルエタ
ノール溶液に導入し、2時間攪拌還流反応させた。この
反応によって、塩化ナトリウムの沈殿とテルルアルコキ
シドエタノール溶液が生成する。
aについて、この実施例ではナトリウムエトキシドエタ
ノール溶液の状態で用いる。このナトリウムエトキシド
エタノール溶液は、別にナトリウム1.0334gをエ
タノール200mlに溶かし、2時間攪拌還流してナトリ
ウムエトキシドエタノール溶液を調製するものである。
なお、Naを元素の形で投入しても、塩化テルルエタノ
ール溶液のエタノールと反応し、ナトリウムエトキシド
のエタノール溶液を生成するものである。別に調製した
ナトリウムエトキシドエタノール溶液を塩化テルルエタ
ノール溶液に導入し、2時間攪拌還流反応させた。この
反応によって、塩化ナトリウムの沈殿とテルルアルコキ
シドエタノール溶液が生成する。
【0012】この攪拌還流反応させたのち、室温に冷却
し、デカンテーションにより、沈殿の塩化ナトリウムと
テルルアルコキシドエタノール溶液を分離する。次に、
塩化ナトリウムの沈殿を分離して得られたテルルエトキ
シドエタノール溶液に、攪拌還流しながら硫化水素をバ
ブリングする。これによって、金属テルルが生成され
る。攪拌還流による反応後、H2Sを除くためエバポレ
ーションし、次いで遠心分離、真空乾燥を行い金属テル
ルの粉末が得られた。
し、デカンテーションにより、沈殿の塩化ナトリウムと
テルルアルコキシドエタノール溶液を分離する。次に、
塩化ナトリウムの沈殿を分離して得られたテルルエトキ
シドエタノール溶液に、攪拌還流しながら硫化水素をバ
ブリングする。これによって、金属テルルが生成され
る。攪拌還流による反応後、H2Sを除くためエバポレ
ーションし、次いで遠心分離、真空乾燥を行い金属テル
ルの粉末が得られた。
【0013】このようにして得られた金属テルルについ
て、X線回折の結果を図2(a)に示す。図2(s)は
テルルのX線回折の標準パターンを示すもので、この図
で線が描かれているところにテルルの標準X線回折結果
が出ることを示すものである。図2(a)のX線回折パ
ターンを比較してみると、明らかにテルルであることが
同定できる。なお、この図において、X線回折の光源と
して銅のKα(CuKα)の線を用いたもので、横軸は
回折角(2θ)度を示し、縦軸は回折強度(任意目盛り
で1秒間にX線の量子が幾つデイテクターによって検出
されるかを示すものである、以下に示す図4、図6にお
いても同様である)を示している。
て、X線回折の結果を図2(a)に示す。図2(s)は
テルルのX線回折の標準パターンを示すもので、この図
で線が描かれているところにテルルの標準X線回折結果
が出ることを示すものである。図2(a)のX線回折パ
ターンを比較してみると、明らかにテルルであることが
同定できる。なお、この図において、X線回折の光源と
して銅のKα(CuKα)の線を用いたもので、横軸は
回折角(2θ)度を示し、縦軸は回折強度(任意目盛り
で1秒間にX線の量子が幾つデイテクターによって検出
されるかを示すものである、以下に示す図4、図6にお
いても同様である)を示している。
【0014】[実施例2]本発明の第2の実施例につい
て図3及び図4で説明する。図3はテルル化物としての
テルル化鉛の製造フローチャートを示す図であり、図4
はこの実施例で製造されたテルル化鉛のX線回折結果を
示す図である。まず、図3のフローチャートにそって説
明する。鉛成分の出発物質としてPb(CH3COO)2
・3H2O(酢酸鉛3水和物)を用い、この酢酸鉛3水
和物7.8661gをEtOH(エタノール)400ml
に溶かし、これにトルエンを加え、共沸脱水(refl
ux、dehydration)する。これによって酢
酸鉛3水和物が無水にされる。別に、バリウム2.86
35gをエタノール400mlに溶かし、2時間攪拌還流
し、バリウムエトキシド溶液を調製した。
て図3及び図4で説明する。図3はテルル化物としての
テルル化鉛の製造フローチャートを示す図であり、図4
はこの実施例で製造されたテルル化鉛のX線回折結果を
示す図である。まず、図3のフローチャートにそって説
明する。鉛成分の出発物質としてPb(CH3COO)2
・3H2O(酢酸鉛3水和物)を用い、この酢酸鉛3水
和物7.8661gをEtOH(エタノール)400ml
に溶かし、これにトルエンを加え、共沸脱水(refl
ux、dehydration)する。これによって酢
酸鉛3水和物が無水にされる。別に、バリウム2.86
35gをエタノール400mlに溶かし、2時間攪拌還流
し、バリウムエトキシド溶液を調製した。
【0015】このバリウムエトキシド溶液を上記酢酸鉛
溶液に加え、2時間攪拌還流し、反応を行わせた。これ
によって、次のような反応が生じた。 Pb(CH3COO)2 +2BaOEt →Pb(OEt)2 +Ba(CH3COO)2 これを室温に冷却し、遠心分離にかけ沈殿の酢酸バリウ
ムと鉛エトキシドエタノール溶液に分離した。このよう
にして、沈殿酢酸バリウムを分離した鉛エトキシドエタ
ノール溶液にテルルエトキシドエタノール溶液を金属の
モル数が同じとなるように混合し、室温で反応させる。
溶液に加え、2時間攪拌還流し、反応を行わせた。これ
によって、次のような反応が生じた。 Pb(CH3COO)2 +2BaOEt →Pb(OEt)2 +Ba(CH3COO)2 これを室温に冷却し、遠心分離にかけ沈殿の酢酸バリウ
ムと鉛エトキシドエタノール溶液に分離した。このよう
にして、沈殿酢酸バリウムを分離した鉛エトキシドエタ
ノール溶液にテルルエトキシドエタノール溶液を金属の
モル数が同じとなるように混合し、室温で反応させる。
【0016】このテルルエトキシドエタノール溶液(T
e(OEt)4)は、上記実施例1に示したと同様に、無
水塩化テルル(TeCl4)を出発物質とし、これをエ
タノール(EtOH)に溶解し、塩化テルルエタノール
溶液を調製する。次に、ナトリウムエトキシドエタノー
ル溶液と塩化テルルエタノール溶液を攪拌還流反応さ
せ、塩化ナトリウムの沈殿とテルルエトキシドエタノー
ル溶液を生成する。そして沈殿の塩化ナトリウムを分離
し、テルルエトキシドエタノール溶液を得るものであ
る。
e(OEt)4)は、上記実施例1に示したと同様に、無
水塩化テルル(TeCl4)を出発物質とし、これをエ
タノール(EtOH)に溶解し、塩化テルルエタノール
溶液を調製する。次に、ナトリウムエトキシドエタノー
ル溶液と塩化テルルエタノール溶液を攪拌還流反応さ
せ、塩化ナトリウムの沈殿とテルルエトキシドエタノー
ル溶液を生成する。そして沈殿の塩化ナトリウムを分離
し、テルルエトキシドエタノール溶液を得るものであ
る。
【0017】鉛エトキシドエタノール溶液と、テルルエ
トキシドエタノール溶液の反応によって、 Te(OEt)4 +Pb(OEt)2 →PbTe(OE
t)n ↓ が行われ、鉛テルルバイメタルエトキシド微粒子が懸濁
状態で生成する。この懸濁液をエバポレーションにより
脱溶媒したのち、真空乾燥を行ない、そして鉛テルルバ
イメタルアルコキシド粉末が得られる。これを400℃
で仮焼しテルル化鉛粉末を得た。
トキシドエタノール溶液の反応によって、 Te(OEt)4 +Pb(OEt)2 →PbTe(OE
t)n ↓ が行われ、鉛テルルバイメタルエトキシド微粒子が懸濁
状態で生成する。この懸濁液をエバポレーションにより
脱溶媒したのち、真空乾燥を行ない、そして鉛テルルバ
イメタルアルコキシド粉末が得られる。これを400℃
で仮焼しテルル化鉛粉末を得た。
【0018】上記、製造法によって得られたテルル化鉛
粉末について、X線回折を行った結果を図4(a)に示
す。図4(s)はテルル化鉛のX線回折の標準パターン
を示すもので、この図の線が描かれているところにテル
ル化鉛の標準X線回折結果が出ることを示すもので、図
4(a)のX線回折パターンを比較してみると、明らか
にテルル化鉛であることが同定できる。
粉末について、X線回折を行った結果を図4(a)に示
す。図4(s)はテルル化鉛のX線回折の標準パターン
を示すもので、この図の線が描かれているところにテル
ル化鉛の標準X線回折結果が出ることを示すもので、図
4(a)のX線回折パターンを比較してみると、明らか
にテルル化鉛であることが同定できる。
【0019】[実施例3]本発明の第3の実施例につい
て図5及び図6で説明する。図5は、テルル−硫化物複
合体として、テルル−硫化鉛複合体の製造フローチャー
トを示す図であり、図4はこの実施例で製造されたテル
ル−硫化鉛複合体のX線回折結果を示す図である。ま
ず、図5のフローチャートにそって説明する。鉛成分の
出発物質としてPb(CH3COO)2・3H2O(酢酸
鉛3水和物)を用い、適量の酢酸鉛3水和物をEtOH
(エタノール)400mlに溶かし、これにトルエンを加
え、共沸脱水する。これによって酢酸鉛3水和物が無水
にされ、酢酸鉛溶液が生成される。
て図5及び図6で説明する。図5は、テルル−硫化物複
合体として、テルル−硫化鉛複合体の製造フローチャー
トを示す図であり、図4はこの実施例で製造されたテル
ル−硫化鉛複合体のX線回折結果を示す図である。ま
ず、図5のフローチャートにそって説明する。鉛成分の
出発物質としてPb(CH3COO)2・3H2O(酢酸
鉛3水和物)を用い、適量の酢酸鉛3水和物をEtOH
(エタノール)400mlに溶かし、これにトルエンを加
え、共沸脱水する。これによって酢酸鉛3水和物が無水
にされ、酢酸鉛溶液が生成される。
【0020】別に、これと当モルのバリウム2.863
5gをエタノール400mlに溶かし、2時間攪拌還流
し、バリウムエトキシドエタノール溶液を調製した。こ
のバリウムエトキシドエタノール溶液を上記酢酸鉛溶液
に加え、2時間攪拌還流したのち、室温に冷却し、遠心
分離によって沈殿の酢酸バリウムと鉛エトキシドエタノ
ール溶液に分離した。このようにして、酢酸バリウムを
分離した鉛エトキシドエタノール溶液と、実施例1と同
様に調製されたテルルエトキシドエタノール溶液とを混
合した。この混合は金属モル比で、Pb:Teが10:
1、10:2、10:3、……………10:10、と所
定のモル比で混合した。
5gをエタノール400mlに溶かし、2時間攪拌還流
し、バリウムエトキシドエタノール溶液を調製した。こ
のバリウムエトキシドエタノール溶液を上記酢酸鉛溶液
に加え、2時間攪拌還流したのち、室温に冷却し、遠心
分離によって沈殿の酢酸バリウムと鉛エトキシドエタノ
ール溶液に分離した。このようにして、酢酸バリウムを
分離した鉛エトキシドエタノール溶液と、実施例1と同
様に調製されたテルルエトキシドエタノール溶液とを混
合した。この混合は金属モル比で、Pb:Teが10:
1、10:2、10:3、……………10:10、と所
定のモル比で混合した。
【0021】この混合した懸濁液を加熱、攪拌状態にし
た。ここへ硫化水素ガスを40ml/minで15分間
バブリングしたのち、遠心分離により沈殿物を分離し、
真空乾燥を行いテルル―硫化鉛複合体粉が得られた。得
られた粉末は全てのモル比においてテルルと硫化鉛の混
合物からなっていた。このテルル―硫化鉛(Pb:Te
が10:10)のX線回折の結果を図6(a)に示す。
図6(s)はテルル―硫化鉛(Pb:Teが10:1
0)のX線回折の標準パターンを示すもので、この図の
線が描かれているところにテルル―硫化鉛の標準X線回
折結果が出ることを示すもので、図6(a)のX線回折
パターンを比較してみると、明らかにテルル―硫化鉛の
複合体であることが同定できる。
た。ここへ硫化水素ガスを40ml/minで15分間
バブリングしたのち、遠心分離により沈殿物を分離し、
真空乾燥を行いテルル―硫化鉛複合体粉が得られた。得
られた粉末は全てのモル比においてテルルと硫化鉛の混
合物からなっていた。このテルル―硫化鉛(Pb:Te
が10:10)のX線回折の結果を図6(a)に示す。
図6(s)はテルル―硫化鉛(Pb:Teが10:1
0)のX線回折の標準パターンを示すもので、この図の
線が描かれているところにテルル―硫化鉛の標準X線回
折結果が出ることを示すもので、図6(a)のX線回折
パターンを比較してみると、明らかにテルル―硫化鉛の
複合体であることが同定できる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属テルル、テルル化物、及びテルル―硫化物複合体の
いずれもが、超微粒子粉末の状態で生成されかつ、この
超微粒子粉末が分散性のよい凝集のない状態で得られ
る。また一般的な電子ペーストの構成部分である有機溶
媒や有機バインダーときわめてよい親和性をもってい
る。さらにテルル化物、及びテルル―硫化物複合体の2
元複合系は液相からの同時析出で得られるので、従来の
機械混合では得られない良好な混合状態が実現されると
いう効果を奏するものである。そのため従来より、金属
テルル、テルル化物、またはテルル―硫化物複合体が利
用されている光導電素子、赤外域光起電力素子、レーザ
ー材料などの化合物半導体が、気相法で得られる薄膜に
匹敵する膜厚の薄膜を印刷法によって製作することがで
きるという効果を奏するものである。
金属テルル、テルル化物、及びテルル―硫化物複合体の
いずれもが、超微粒子粉末の状態で生成されかつ、この
超微粒子粉末が分散性のよい凝集のない状態で得られ
る。また一般的な電子ペーストの構成部分である有機溶
媒や有機バインダーときわめてよい親和性をもってい
る。さらにテルル化物、及びテルル―硫化物複合体の2
元複合系は液相からの同時析出で得られるので、従来の
機械混合では得られない良好な混合状態が実現されると
いう効果を奏するものである。そのため従来より、金属
テルル、テルル化物、またはテルル―硫化物複合体が利
用されている光導電素子、赤外域光起電力素子、レーザ
ー材料などの化合物半導体が、気相法で得られる薄膜に
匹敵する膜厚の薄膜を印刷法によって製作することがで
きるという効果を奏するものである。
図1.本発明の第1の実施例のテルルの製造フローチャ
ートを示す図。 図2.本発明の第1の実施例のテルルのX線回折図。 図3.本発明の第2の実施例のテルル化鉛の製造フロー
チャートを示す図。 図4.本発明の第2の実施例のテルル化鉛のX線回折
図。 図5.本発明の第3の実施例のテルル−硫化鉛複合体の
製造フローチャートを示す図。 図6.本発明の第3の実施例のテルル−硫化鉛のX線回
折図。
ートを示す図。 図2.本発明の第1の実施例のテルルのX線回折図。 図3.本発明の第2の実施例のテルル化鉛の製造フロー
チャートを示す図。 図4.本発明の第2の実施例のテルル化鉛のX線回折
図。 図5.本発明の第3の実施例のテルル−硫化鉛複合体の
製造フローチャートを示す図。 図6.本発明の第3の実施例のテルル−硫化鉛のX線回
折図。
Claims (3)
- 【請求項1】 テルルアルコキシド溶液に硫化水素ガス
を還流温度または室温でバブリングさせることによって
反応させ、生成した沈殿物を乾燥することを特徴とする
超微粒子のテルルの製造方法。 - 【請求項2】 テルルアルコキシド溶液に金属アルコキ
シド溶液を混合し攪拌還流し、反応させ、金属−テルル
バイメタルエトキシド微粒子を生成させることを特徴と
する超微粒子のテルル化物の製造方法。 - 【請求項3】 テルルアルコキシド溶液に金属アルコキ
シド溶液を混合し、反応により生成した混濁液に硫化水
素ガスを還流温度または室温でバブリングさせることに
よって反応させることを特徴とするテルルと金属硫化物
の複合体である超微粒子のテルル―硫化物複合体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8380794A JP2669495B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | テルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8380794A JP2669495B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | テルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の製造方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07268505A JPH07268505A (ja) | 1995-10-17 |
JP2669495B2 true JP2669495B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=13812945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8380794A Expired - Lifetime JP2669495B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | テルル、テルル化物、テルル−硫化物複合体の製造方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2669495B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4865210B2 (ja) * | 2004-05-06 | 2012-02-01 | 学校法人東京理科大学 | テルルナノ粒子の製造方法及びテルル化ビスマスナノ粒子の製造方法 |
US8148580B2 (en) * | 2009-04-15 | 2012-04-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium |
US8697486B2 (en) | 2009-04-15 | 2014-04-15 | Micro Technology, Inc. | Methods of forming phase change materials and methods of forming phase change memory circuitry |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8380794A patent/JP2669495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07268505A (ja) | 1995-10-17 |
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