JP2664389B2 - Manufacturing method of semiconductor laser - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor laserInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は、III−Ｖ族の多元系材料からなり、活性層
とクラッド層との間に光ガイド層を介挿してなる半導体
レーザの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (A) Industrial application field The present invention relates to a semiconductor laser comprising a group III-V multi-element material and having an optical guide layer interposed between an active layer and a cladding layer. It relates to a manufacturing method.
（ロ） 従来の技術 現在、高出力化を目的として、In1-xGaxP、In1-xAlx
P、（AlxGa1-X）YIn1-YP等のIII−Ｖ族の多元系材料を
用い、かつ活性層とクラッド層との間に光ガイド層を介
挿してなる半導体レーザが提案されている 第７図は、ELECTRONICS LETTERS 6th November 1986
Vol.22 No.23 P1265−1266に開示されたこの種半導体レ
ーザを示し、（１）はｎ型GaAsからなる基板、（２）は
該基板上に形成されたバッファ層であり、ｎ型GaAsから
なる。（３）はバッファ層（２）上に形成された第１ク
ラッド層であり、ｎ型Al0.5In0.5Ｐからなる。（４）は
第１クラッド層（３）上に形成された第１光ガイド層で
あり、ｎ型（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐからなる。（５）
は第１光ガイド層（４）上に積層された活性層であり、
ｎ型（Al0.15Ga0.85）0.5In0.5Ｐからなる。（６）は活
性層（５）上に形成された第２光ガイド層であり、ｐ型
（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐからなる。（７）は第２光ガ
イド層（６）上に形成された第２クラッド層であり、ｐ
型Al0.5In0.5Ｐからなる。（８）は第２クラッド層
（７）上に形成されたキャップ層であり、ｐ型GaAsから
なる。また、上記各層（２）〜（８）は例えば有機金属
気相成長（MOCVD）法により連続的に形成される。(B) Conventional technology At present, In 1-x GaxP, In 1-x Alx
P, is proposed a semiconductor laser comprising interposed light guide layer between the (AlxGa 1-X) using a Y In 1-Y multi-component materials or the like III-V Group P, and the active layer and the cladding layer Figure 7 shows ELECTRONICS LETTERS 6th November 1986
Vol.22 No.23 shows a semiconductor laser disclosed in P1265-1266, wherein (1) is a substrate made of n-type GaAs, (2) is a buffer layer formed on the substrate, and n-type GaAs is formed. Consists of (3) is a first cladding layer formed on the buffer layer (2) consists of n-type Al 0.5 In 0.5 P. (4) is a first optical guide layer formed on the first cladding layer (3) on, made of n-type (Al 0.6 Ga 0.4) 0.5 In 0.5 P. (5)
Is an active layer laminated on the first light guide layer (4),
It is made of n-type (Al 0.15 Ga 0.85 ) 0.5 In 0.5 P. (6) is a second optical guide layer formed on the active layer (5), made of p-type (Al 0.6 Ga 0.4) 0.5 In 0.5 P. (7) is a second cladding layer formed on the second light guide layer (6),
Type Al 0.5 In 0.5 P. (8) is a cap layer formed on the second cladding layer (7) and is made of p-type GaAs. Each of the layers (2) to (8) is continuously formed by, for example, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method.
（９）（10）は紙面垂直方向に延在する溝部であり、
該溝部は共にキャップ層（８）及び第２クラッド層
（７）を選択的にエッチングすることにより形成する。
（11）はリッジ部であり、該リッジ部は上記溝部（９）
（10）の形成により、斯る溝部（９）（10）間に残った
第２クラッド層（７）とキャップ層（８）とで構成され
る。（12）はSiO2からなる絶縁膜であり、該膜はリッジ
部（11）表面を除くキャップ層（８）表面及び各溝
（９）（10）内面に形成される。（13）はAu−Crからな
る第１電極であり、該電極はリッジ部（11）の最表層と
なるキャップ層（８）表面及び絶縁層（12）上に形成さ
れる。（14）はAu−Ge−Niからなる第２電極であり、該
電極は基板（１）裏面に形成される。(9) and (10) are grooves extending in the direction perpendicular to the paper surface.
The grooves are formed by selectively etching the cap layer (8) and the second clad layer (7).
(11) is a ridge, and the ridge is the groove (9).
By the formation of (10), the second clad layer (7) and the cap layer (8) remaining between the grooves (9) and (10) are formed. (12) is an insulating film made of SiO 2 , which is formed on the surface of the cap layer (8) except for the surface of the ridge portion (11) and on the inner surfaces of the grooves (9) and (10). (13) is a first electrode made of Au-Cr, and this electrode is formed on the surface of the cap layer (8), which is the outermost layer of the ridge portion (11), and on the insulating layer (12). (14) is a second electrode made of Au-Ge-Ni, which is formed on the back surface of the substrate (1).
斯る半導体レーザでは、各層のバンドギャップの関係
が第１、第２クラッド層（３）（７）＞第１、第２光ガ
イド層（４）（６）＞活性層（５）となり、また各層の
屈折率の関係が第１、第２クラッド層（３）（７）＜第
１、第２光ガイド層（４）（６）＜活性層（５）となっ
ている。In such a semiconductor laser, the relationship between the band gaps of the respective layers is such that the first and second clad layers (3) and (7)> the first and second optical guide layers (4) and (6)> the active layer (5); The relationship between the refractive indices of the layers is such that the first and second cladding layers (3) and (7) <the first and second light guide layers (4) and (6) <the active layer (5).
従って、第１、第２電極（13）（14）間に順方向バイ
アスを印加すると、リッジ部（11）直下の活性層（５）
中に正孔及び電子が集中し、斯る部分で正孔と電子との
再結合により光が生じる。また、斯る再結合光は第１、
第２光ガイド層（４）（６）と活性層（５）とからなる
導波路を紙面垂直方向に往復することによりレーザ光と
なって出射される。Therefore, when a forward bias is applied between the first and second electrodes (13) (14), the active layer (5) immediately below the ridge (11)
Holes and electrons are concentrated therein, and light is generated by recombination of holes and electrons in such portions. Also, such recombination light is first,
Laser light is emitted by reciprocating in a direction perpendicular to the plane of the drawing of the waveguide composed of the second light guide layers (4) and (6) and the active layer (5).
（ハ） 発明が解決しようとする課題 この種レーザの各層は上述した如く、MOCVD法により
形成される。従って、第７図に示したレーザのように一
層毎に組成が異なる場合、各層毎に成長用の原料ガスの
流量を調整する必要がある。(C) Problems to be Solved by the Invention Each layer of this type of laser is formed by the MOCVD method as described above. Therefore, when the composition differs for each layer as in the laser shown in FIG. 7, it is necessary to adjust the flow rate of the source gas for growth for each layer.
然るに、このような流量調整を行なったとしても反応
管内のガス成分は瞬時に変わるものではない。従って斯
る調整後しばらくの間、反応管中のガス成分は不安定な
ものとなり、その結果、各層間の界面に不所望な組成を
有する層が成長してしまうという問題があった。However, even if such a flow rate adjustment is performed, the gas components in the reaction tube do not change instantaneously. Therefore, for a while after the adjustment, the gas components in the reaction tube become unstable, and as a result, there is a problem that a layer having an undesired composition grows at the interface between the layers.
また、このような不所望な層の多くは上記所定の各層
（２）〜（８）と格子定数が異なるため、半導体レーザ
内に格子ミスマッチングによる結晶歪が発生する原因と
なっていた。Further, since many of these undesired layers have different lattice constants from the above-mentioned predetermined layers (2) to (8), they cause crystal distortion due to lattice mismatch in the semiconductor laser.
（ニ） 課題を解決するための手段 本発明は、III−Ｖ族の多元系材料からなり、活性層
とクラッド層との間に該クラッド層と屈折率の異なる光
ガイド層を介挿してなる半導体レーザの製造方法であっ
て、上記光ガイド層と上記クラッド層とは、これらに屈
折率差を生じせしめるように互いに異なる成長温度で成
長させることにより形成することを特徴とする。(D) Means for Solving the Problems The present invention is made of a group III-V multicomponent material, and has an optical guide layer having a different refractive index from that of the clad layer interposed between the active layer and the clad layer. A method of manufacturing a semiconductor laser, wherein the light guide layer and the clad layer are formed by growing them at different growth temperatures so as to cause a difference in refractive index between them.
特に、上記光ガイド層と上記クラッド層は、同一の組
成の材料からなることを特徴とする。In particular, the light guide layer and the clad layer are made of materials having the same composition.
（ホ） 作用 一例として第６図にIn0.5Al0.5ＰのMOCVDでの成長温
度と屈折率との関係を示すように、III−Ｖ族の多元系
材料はその成長温度により屈折率が異なる。(E) Function As an example, as shown in FIG. 6 showing the relationship between the growth temperature and the refractive index in MOCVD of In 0.5 Al 0.5 P, the refractive index of the III-V group material differs depending on the growth temperature.
（ヘ） 実施例 第１図は本発明の実施例に用いた結晶成長装置を示
し、（21）は石英製の反応管、（22）は該反応管の周壁
に形成された流水路であり、該流水路に冷却水を流すこ
とにより反応管（21）自身の熱的破壊を防止する。（2
3）はガス導入口であり、該導入口は反応管（21）の上
部に形成されている。（24）はガイド排気口であり、該
排気口は反応管（21）の底部に形成されている。（25）
は高周波加熱用のワークコイルであり、該コイルは反応
管（21）の周囲に巻回されている。（26）はカーボン製
のサセプタであり、該サセプタは反応管（21）内に配さ
れている。（27）は成長用の基板であり、該基板はサセ
プタ（26）上に載置される。（28）は反応管（21）に形
成された採光用窓であり、該窓は基板（27）表面を反応
管（21）外部より照光可能な様に上記基板（27）と対向
する位置に形成されている。（29）は赤外線加熱用ラン
プであり、該ランプは窓（28）と対向する反応管（21）
外に設置されている。（30）はランプ（29）点灯用の電
源、（31）はランプ（29）の点灯及び消灯を行なうため
のスイッチ、（32）は反射鏡、（33）は窓（28）とラン
プ（29）との間に配された集光用レンズであり、該レン
ズ及び反射鏡（32）によりランプ（29）から出た赤外線
は効率良く基板（27）表面に照射される。(F) Example FIG. 1 shows a crystal growth apparatus used in an example of the present invention, in which (21) is a reaction tube made of quartz, and (22) is a flowing water channel formed on a peripheral wall of the reaction tube. By flowing cooling water through the water channel, thermal destruction of the reaction tube (21) itself is prevented. (2
3) is a gas inlet, which is formed at the upper part of the reaction tube (21). (24) is a guide exhaust port, which is formed at the bottom of the reaction tube (21). (twenty five)
Is a work coil for high-frequency heating, which coil is wound around the reaction tube (21). (26) is a carbon susceptor, which is disposed in the reaction tube (21). (27) is a substrate for growth, which is mounted on the susceptor (26). (28) is a daylighting window formed in the reaction tube (21). The window is located at a position facing the substrate (27) so that the surface of the substrate (27) can be illuminated from outside the reaction tube (21). Is formed. (29) is an infrared heating lamp, which is a reaction tube (21) facing the window (28).
Installed outside. (30) is a power supply for lighting the lamp (29), (31) is a switch for turning on and off the lamp (29), (32) is a reflecting mirror, (33) is a window (28) and a lamp (29). ), And infrared rays emitted from the lamp (29) by the lens and the reflecting mirror (32) are efficiently radiated to the surface of the substrate (27).
次に、斯る装置を用いて、第２図（ａ）に示す如き半
導体レーザを作製する場合につき説明する。尚、第２図
（ａ）中、（41）はｎ型GaAs基板、（42）はｎ型GaAsか
らなるバッファ層、（43）はｎ型In0.5Al0.5Ｐからなる
第１クラッド層、（44）はｎ型In0.5Al0.5Ｐからなる光
ガイド層、（45）はIn0.5Ga0.5Ｐからなる活性層、（4
6）はｐ型In0.5Al0.5Ｐからなる第２クラッド層、（4
7）はｐ型GaAsからなるキャップ層であり、上記各層（4
2）〜（47）はこの順に基板（41）上に積層される。ま
た、上記各層（42）〜（47）の層厚は夫々３μｍ、1.5
μｍ、0.7μｍ、0.08μｍ、1.5μｍ、0.5μｍである。Next, a case where a semiconductor laser as shown in FIG. 2A is manufactured by using such an apparatus will be described. In FIG. 2A, (41) is an n-type GaAs substrate, (42) is a buffer layer made of n-type GaAs, (43) is a first clad layer made of n-type In 0.5 Al 0.5 P, 44) is a light guide layer made of n-type In 0.5 Al 0.5 P, (45) is an active layer made of In 0.5 Ga 0.5 P, (4)
6) is a second cladding layer made of p-type In 0.5 Al 0.5 P, (4)
7) is a cap layer made of p-type GaAs.
2) to (47) are laminated on the substrate (41) in this order. The thickness of each of the layers (42) to (47) is 3 μm and 1.5 μm, respectively.
μm, 0.7 μm, 0.08 μm, 1.5 μm, and 0.5 μm.
上記各層（42）〜（47）の成長はサセプタ（26）上に
載置された基板（41）をワークコイル（25）及び加熱用
ランプ（29）で加熱しながら、ガス導入口（23）よりTM
Ga（トリメチルガリウム）、TMAl（トリメチルアルミニ
ウム）、TMIn（トリメチルインジウム）、AsH3（アルシ
ン）、PH3（フォスフィン）、H2Se（セレン化水素）、C
p2Mg（シクロペンタジェルマグネシウム）等の原料ガス
を選択的に供給することにより行なう。The above layers (42) to (47) are grown by heating the substrate (41) mounted on the susceptor (26) with the work coil (25) and the heating lamp (29) while heating the substrate (41). More TM
Ga (trimethylgallium), TMAl (trimethyl aluminum), TMIn (trimethyl indium), AsH 3 (arsine), PH 3 (phosphine), H 2 Se (hydrogen selenide), C
This is performed by selectively supplying a source gas such as p 2 Mg (cyclopentagel magnesium).
第３図に、上記各層（42）〜（47）の成長時に反応管
（21）に供給される原料ガスの供給量を示す。尚、第３
図中、各数値の単位はsccmであり、また、H2SeはH2ベー
ス100ppmのものを使用する。FIG. 3 shows the supply amount of the source gas supplied to the reaction tube (21) during the growth of each of the layers (42) to (47). The third
In the figure, the unit of each numerical value is sccm, and H 2 Se uses H 2 base 100 ppm.
また、上記各層（42）〜（47）の温度プログラムを第
４図に示す。第４図より明らかな如く、各層（42）〜
（47）の成長は、まず基板（41）を780℃に昇温させた
状態でバッファ層（42）及び第１クラッド層（43）を順
次成長させ、次いで成長温度を680℃に降温し、光ガイ
ド層（44）及び活性層（45）を順次成長させる。その
後、成長温度を再び780℃に戻し、第２クラッド層（4
6）及びキャップ層（47）を順次成長させる。尚、成長
温度を780℃に設定する際にはワークコイル（25）と加
熱用ランプ（29）とを用いて基板（41）を加熱させ、ま
た成長温度を680℃に設定する際にはワークコイル（2
5）のみを用いて加熱させる。FIG. 4 shows a temperature program of each of the layers (42) to (47). As is clear from FIG. 4, each layer (42)-
In the growth of (47), first, the buffer layer (42) and the first cladding layer (43) are sequentially grown with the substrate (41) heated to 780 ° C., and then the growth temperature is lowered to 680 ° C. A light guide layer (44) and an active layer (45) are sequentially grown. Thereafter, the growth temperature was returned to 780 ° C., and the second clad layer (4
6) and a cap layer (47) are sequentially grown. When the growth temperature is set to 780 ° C., the substrate (41) is heated using the work coil (25) and the heating lamp (29), and when the growth temperature is set to 680 ° C. Coil (2
Heat using only 5).
更に、各層（42）〜（47）を上述した如き層厚とする
には、上記各層（42）〜（47）の成長時間を夫々40分、
70分、35分、４分、70分、70分とすれば良い。Further, in order to make each of the layers (42) to (47) have the above-mentioned layer thickness, the growth time of each of the layers (42) to (47) is set to 40 minutes, respectively.
70 minutes, 35 minutes, 4 minutes, 70 minutes, and 70 minutes may be used.
斯る条件下で得られた半導体レーザの第１、第２クラ
ッド層（43）（46）、光ガイド層（44）及び活性層（4
5）の屈折率は第２図（ｂ）に示す如く、第１、第２ク
ラッド層（43）（46）＜光ガイド層（44）＜活性層（4
5）となる。具体的には第１、第２クラッド層（43）（4
6）のそれが3.20、光ガイド層（44）のそれが3.22、ま
た活性層（45）のそれぞれが3.6である。また、活性層
（45）のバンドギャップは第１、第２クラッド層（43）
（46）や光ガイド層（44）に較べて小である。The first and second cladding layers (43) and (46), the light guide layer (44) and the active layer (4) of the semiconductor laser obtained under such conditions.
As shown in FIG. 2 (b), the refractive index of (5) is the first and second clad layers (43) and (46) <the light guide layer (44) <the active layer (4).
5) Specifically, the first and second cladding layers (43) (4)
6) is 3.20, that of the light guide layer (44) is 3.22, and each of the active layers (45) is 3.6. The band gap of the active layer (45) is the first and second cladding layers (43).
(46) and smaller than the light guide layer (44).
従って、第２図（ａ）に示した半導体レーザにおいて
基板（41）とキャップ層（47）との間に順方向バイアス
を印加すると、正孔及び電子が活性層（45）中において
再結合を起こし、光を生じる。また斯る再結合光は活性
層（45）と光ガイド層（44）とからなる導波路を通りレ
ーザ光として出射される。Therefore, when a forward bias is applied between the substrate (41) and the cap layer (47) in the semiconductor laser shown in FIG. 2A, holes and electrons recombine in the active layer (45). Wake up, producing light. The recombined light is emitted as laser light through a waveguide composed of the active layer (45) and the light guide layer (44).
また、本実施例では第１クラッド層（43）と光ガイド
層（44）とを共に同一組成のｎ型In0.5Al0.5Ｐで構成し
ているので、第１クラッド層（43）形成後、光ガイド層
（44）を形成するに際して、原料ガスの流量を変更させ
る必要はなく、単に加熱ランプ（29）を消灯し、基板の
成長温度を680℃に降温させるだけで行なえる。従っ
て、第１クラッド層（43）の成長から光ガイド層（44）
の成長に移行する過程で反応管（21）中に不所望なガス
成分が存在することなく、その結果上記両層（43）（4
4）の界面に格子ミスマッチングを生じるような層の発
生はない。尚、上記加熱ランプ（29）消灯後、成長温度
が680℃にまで降温するのに要する時間は数秒と短いた
め、第１クラッド層（43）と光ガイド層（44）との間の
屈折率変化は第２図（ｂ）に示す如く急峻なものとな
る。Further, in this embodiment, since both the first cladding layer (43) and the light guide layer (44) are made of n-type In 0.5 Al 0.5 P having the same composition, after forming the first cladding layer (43), In forming the light guide layer (44), it is not necessary to change the flow rate of the source gas, and it is possible to simply turn off the heating lamp (29) and lower the growth temperature of the substrate to 680 ° C. Therefore, from the growth of the first cladding layer (43), the light guide layer (44)
In the process of shifting to the growth of undesired gas, there is no undesired gas component in the reaction tube (21), and as a result, the two layers (43) (4
There is no layer that causes lattice mismatch at the interface of 4). Since the time required for the growth temperature to fall to 680 ° C. after turning off the heating lamp (29) is as short as several seconds, the refractive index between the first cladding layer (43) and the light guide layer (44) is small. The change becomes steep as shown in FIG. 2 (b).
このように、本実施例によれば、少なくとも第１クラ
ッド層（43）と光ガイド層（44）との間には格子ミスマ
ッチングを生じさせるような不所望な層は成長しないの
で、各層間にこのような不所望な層が発生する従来の方
法に較べて結晶歪の発生を抑止できる。As described above, according to the present embodiment, an undesired layer that causes lattice mismatch does not grow between at least the first cladding layer (43) and the light guide layer (44). In addition, generation of crystal distortion can be suppressed as compared with the conventional method in which such an undesired layer is generated.
第５図は、第２図（ａ）に示した本実施例方法により
作製された半導体レーザの第２クラッド層（46）及びキ
ャップ層（47）を選択的にエッチングし、第７図に示し
た従来例と同様に上記両層（46）（47）をリッジ部とな
した際の電流−出力特性（図中、実線Ａ）と第７図に示
した従来例の電流−出力特性（図中、実線Ｂ）とを示し
たものである。尚、上記リッジ部の幅は共に４μｍとし
た。また、上記各特性はパルス幅200nsecのパルスを1kH
zの繰返し周期で印加することにより測定した。FIG. 5 selectively etches the second cladding layer (46) and the cap layer (47) of the semiconductor laser manufactured by the method of the present embodiment shown in FIG. In the same manner as in the conventional example, the current-output characteristics when the two layers (46) and (47) are formed as ridge portions (solid line A in the figure) and the current-output characteristics of the conventional example shown in FIG. And a solid line B). The width of each of the ridges was 4 μm. In addition, each of the above characteristics applies a pulse with a pulse width of 200 nsec to 1
It was measured by applying at a z-cycle.
第５図より明らかな如く、本実施例の半導体レーザの
方が高出力レーザ光を発振可能である。これは上述した
如く、本実施例方法により作製された半導体レーザでは
結晶歪の発生を従来に比して低減できるためである。As is clear from FIG. 5, the semiconductor laser of this embodiment can oscillate high-power laser light. This is because, as described above, the occurrence of crystal distortion can be reduced in the semiconductor laser manufactured by the method of the present embodiment as compared with the related art.
尚、本実施例方法により作製した半導体レーザでは活
性層（45）と第２クラッド層（46）との間に光ガイド層
を設けていないが、斯る層を設けても良いことは明らか
である。また、その場合、成長用の原料ガス流量は第２
クラッド層（46）の成長時と同一とし、かつ成長温度を
680℃として成長させることにより第２クラッド層（4
6）との間に格子ミズマッチングを生じる様な不所望な
層が生じることを防止できる。In the semiconductor laser manufactured by the method of the present embodiment, no light guide layer is provided between the active layer (45) and the second clad layer (46). However, it is obvious that such a layer may be provided. is there. In this case, the flow rate of the source gas for growth is the second.
The same as when growing the cladding layer (46), and the growth temperature
The second clad layer (4
6) can be prevented from forming an undesired layer that causes lattice mismatching.
（ト） 発明の効果 本発明によれば、従来に較べて結晶歪の発生が少ない
半導体レーザを製造することができる。(G) Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to manufacture a semiconductor laser with less occurrence of crystal distortion as compared with the related art.
第１図は本発明の実施例で用いた成長装置を示す模式
図、第２図（ａ）は本実施例方法により作製された半導
体レーザを示す断面図、同図（ｂ）は斯る半導体レーザ
の屈折率を示す特性図、第３図は本実施例における各層
成長時に供給される原料ガスの流量を示す図、第４図は
本実施例の温度プログラムを示す模式図、第５図は電流
−出力特性を示す特性図、第６図はIn0.5Al0.5Ｐの成長
温度と屈折率との関係を示す特性図、第７図は従来の半
導体レーザを示す断面図である。 （43）……第１クラッド層、（44）……光ガイド層、
（45）……活性層FIG. 1 is a schematic view showing a growth apparatus used in an embodiment of the present invention, FIG. 2 (a) is a cross-sectional view showing a semiconductor laser manufactured by the method of this embodiment, and FIG. FIG. 3 is a characteristic diagram showing a refractive index of a laser, FIG. 3 is a diagram showing a flow rate of a source gas supplied during growth of each layer in this embodiment, FIG. 4 is a schematic diagram showing a temperature program in this embodiment, and FIG. FIG. 6 is a characteristic diagram showing a current-output characteristic, FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between a growth temperature of In 0.5 Al 0.5 P and a refractive index, and FIG. 7 is a sectional view showing a conventional semiconductor laser. (43)... First cladding layer, (44).
(45) Active layer
Claims (2)
とクラッド層との間に該クラッド層と屈折率の異なる光
ガイド層を介挿してなる半導体レーザの製造方法であっ
て、 上記光ガイド層と上記クラッド層とは、これらに屈折率
差を生じせしめるように互いに異なる成長温度で成長さ
せることにより形成することを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor laser comprising a group III-V multicomponent material, wherein an optical guide layer having a different refractive index from the cladding layer is interposed between an active layer and a cladding layer. A method of manufacturing a semiconductor laser, wherein the light guide layer and the clad layer are formed by growing them at different growth temperatures so as to cause a difference in refractive index between them.
の組成の材料からなることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the light guide layer and the clad layer are made of materials having the same composition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010006A JP2664389B2 (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010006A JP2664389B2 (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184981A JPH01184981A (en) | 1989-07-24 |
| JP2664389B2 true JP2664389B2 (en) | 1997-10-15 |
Family
ID=11738319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010006A Expired - Lifetime JP2664389B2 (en) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664389B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243667A (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Heat treatment equipment |
| JP5710393B2 (en) * | 2011-06-17 | 2015-04-30 | パイオニア株式会社 | Photoconductive substrate and electromagnetic wave generation detection apparatus using the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541741A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63010006A patent/JP2664389B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ ５０［１１］（１９８７）Ｐ．６７３−６７５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01184981A (en) | 1989-07-24 |
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