JP2659645B2 - リード端子平坦度測定方法 - Google Patents
リード端子平坦度測定方法Info
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- JP2659645B2 JP2659645B2 JP3354760A JP35476091A JP2659645B2 JP 2659645 B2 JP2659645 B2 JP 2659645B2 JP 3354760 A JP3354760 A JP 3354760A JP 35476091 A JP35476091 A JP 35476091A JP 2659645 B2 JP2659645 B2 JP 2659645B2
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に用いられ
るリード端子の平坦度の測定方法に関するものである。
るリード端子の平坦度の測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、測定ステージの基準平面を利用
した従来の半導体装置のリード端子の平坦度（以下、コ
プラナリティとも言う）の測定方法を示す側面図であ
り、図５において、１は被測定半導体装置（以下、被測
定ＩＣと称す）であり、１ａはそのモールド部、１ｂは
リードを示す。２は被測定ＩＣ１をその上に搭載して測
定を行うための測定ステージ、３は被測定ＩＣ１のリー
ド１ｂの画像を取り込むカメラ、４ａは被測定ＩＣを、
カメラ３と対向する方向から照射する照射光である。ま
た図６は、被測定ＩＣ１に照射光４ａを当てたときのカ
メラ３が取り込む画像を示す図で、１ｃはリード１ｂの
影であり、ここでは４本分のリードの影が示されてい
る。２ａは基準平面となる測定ステージ２の影、５は測
定されるコプラナリティ値（平坦度）である。
した従来の半導体装置のリード端子の平坦度（以下、コ
プラナリティとも言う）の測定方法を示す側面図であ
り、図５において、１は被測定半導体装置（以下、被測
定ＩＣと称す）であり、１ａはそのモールド部、１ｂは
リードを示す。２は被測定ＩＣ１をその上に搭載して測
定を行うための測定ステージ、３は被測定ＩＣ１のリー
ド１ｂの画像を取り込むカメラ、４ａは被測定ＩＣを、
カメラ３と対向する方向から照射する照射光である。ま
た図６は、被測定ＩＣ１に照射光４ａを当てたときのカ
メラ３が取り込む画像を示す図で、１ｃはリード１ｂの
影であり、ここでは４本分のリードの影が示されてい
る。２ａは基準平面となる測定ステージ２の影、５は測
定されるコプラナリティ値（平坦度）である。
【０００３】次に測定方法について説明する。測定ステ
ージ２上に被測定ＩＣ１を載せ、被測定ＩＣ１のリード
端子１ｂの、カメラ３と対向する方向から照射光４ａを
照射する。すると図６のように、被測定ＩＣ１のリード
の影１ｃと測定ステージの基準面の影２ａができる。そ
して、同時にこの画像をカメラ３が取り込み、２値処理
を行い、リード１ｂのコプラナリティ値５を算出する。
ージ２上に被測定ＩＣ１を載せ、被測定ＩＣ１のリード
端子１ｂの、カメラ３と対向する方向から照射光４ａを
照射する。すると図６のように、被測定ＩＣ１のリード
の影１ｃと測定ステージの基準面の影２ａができる。そ
して、同時にこの画像をカメラ３が取り込み、２値処理
を行い、リード１ｂのコプラナリティ値５を算出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のリード端子平坦
度測定方法は以上のように構成されているので、リード
端子と測定ステージとの空隙が小さく、つまりコプラナ
リティ値が小さければ、照射光の干渉やカメラへの透過
光量の不足により、コプラナリティ値を測定すべき部分
が暗くなり、誤測定を起こすという問題があった。
度測定方法は以上のように構成されているので、リード
端子と測定ステージとの空隙が小さく、つまりコプラナ
リティ値が小さければ、照射光の干渉やカメラへの透過
光量の不足により、コプラナリティ値を測定すべき部分
が暗くなり、誤測定を起こすという問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、コプラナリティ測定における測
定精度を向上できるリード端子平坦度測定方法を提供す
ることを目的とする。
ためになされたもので、コプラナリティ測定における測
定精度を向上できるリード端子平坦度測定方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るリード端
子平坦度測定方法は、測定ステージの基準平面の画像を
得る第１の工程と、上記測定ステージ上に被測定半導体
装置を搭載して該半導体装置のリード端子のみの画像を
得る第２の工程と、上記第１及び第２の工程で得られた
それぞれの画像を合成し、該合成した画像の上記測定ス
テージの基準平面と上記リード端子間の空隙から上記リ
ード端子の平坦度を測定する第３の工程とを備えたもの
である。
子平坦度測定方法は、測定ステージの基準平面の画像を
得る第１の工程と、上記測定ステージ上に被測定半導体
装置を搭載して該半導体装置のリード端子のみの画像を
得る第２の工程と、上記第１及び第２の工程で得られた
それぞれの画像を合成し、該合成した画像の上記測定ス
テージの基準平面と上記リード端子間の空隙から上記リ
ード端子の平坦度を測定する第３の工程とを備えたもの
である。
【０００７】
【作用】この発明においては、基準平面となる測定ステ
ージの像と、被測定半導体装置のリード端子の像とを別
々に撮像し、これら２つの画像を合成して得られた画像
の、上記測定ステージの基準平面と上記リード端子間の
空隙を測定してリード端子の平坦度を求めるようにした
から、測定ステージの基準平面と上記リード端子間の空
隙が小さくても光の干渉や透過不足によって基準平面と
リード端子との間が暗くなることがない。
ージの像と、被測定半導体装置のリード端子の像とを別
々に撮像し、これら２つの画像を合成して得られた画像
の、上記測定ステージの基準平面と上記リード端子間の
空隙を測定してリード端子の平坦度を求めるようにした
から、測定ステージの基準平面と上記リード端子間の空
隙が小さくても光の干渉や透過不足によって基準平面と
リード端子との間が暗くなることがない。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例によるリード端子
平坦度測定方法を図について説明する。図１において、
図５と同一符号は同一または相当部分を示し、６は被測
定ＩＣ１を載せて測定を行うための光透過性を有するガ
ラス製等の測定ステージ、７は基準平面の画像を取り込
むために、測定ステージ６の上方より光を照射するため
の光源である。また図２は第１の測定段階として、基準
平面の影を取り込む際の方法を説明するための図であ
り、図において、７ａは光源７から、被測定ＩＣ１を搭
載した測定ステージ６に対して垂直に照射される照射光
である。また図３は第２の測定段階として、被測定ＩＣ
のリード１ｂの像を取り込む方法を説明するための図で
ある。
平坦度測定方法を図について説明する。図１において、
図５と同一符号は同一または相当部分を示し、６は被測
定ＩＣ１を載せて測定を行うための光透過性を有するガ
ラス製等の測定ステージ、７は基準平面の画像を取り込
むために、測定ステージ６の上方より光を照射するため
の光源である。また図２は第１の測定段階として、基準
平面の影を取り込む際の方法を説明するための図であ
り、図において、７ａは光源７から、被測定ＩＣ１を搭
載した測定ステージ６に対して垂直に照射される照射光
である。また図３は第２の測定段階として、被測定ＩＣ
のリード１ｂの像を取り込む方法を説明するための図で
ある。
【０００９】さらに図４は上記２段階の測定において得
られた被測定ＩＣ１の画像を処理してコプラナリティを
算出するための信号処理を説明するための図である。図
において、８は得られた基準平面の画像、９は基準平面
の画像８の白黒を反転させ、基準平面部を黒くした基準
平面の反転画像、１０は得られた被測定ＩＣ１のリード
１ｂの画像、１１は基準平面の反転画像９と被測定ＩＣ
１のリード１ｂを合成させてコプラナリティ値５を得る
ための合成画像である。
られた被測定ＩＣ１の画像を処理してコプラナリティを
算出するための信号処理を説明するための図である。図
において、８は得られた基準平面の画像、９は基準平面
の画像８の白黒を反転させ、基準平面部を黒くした基準
平面の反転画像、１０は得られた被測定ＩＣ１のリード
１ｂの画像、１１は基準平面の反転画像９と被測定ＩＣ
１のリード１ｂを合成させてコプラナリティ値５を得る
ための合成画像である。
【００１０】次に測定方法について説明する。まず、図
２のように被測定ＩＣ１を測定ステージ６に搭載する前
に測定ステージ６上方より照射光７ａを照射し、側方よ
りカメラ３で測定ステージ６の画像を得る（第１の測定
段階）。ここで、周りは暗くしており、また測定ステー
ジ６はガラスでできているため、ここで得られる画像は
図４の基準平面の画像８のように測定ステージ６部は明
るく、その周辺部分は暗くなる。次に、図３に示すよう
に、測定ステージ６上に被測定ＩＣ１を載せ、被測定Ｉ
Ｃ１のリード１ｂに、カメラ３と対向する方向から照射
光４ａを照射する。そして再びカメラ３で、側方より被
測定ＩＣ６のリード１ｂの画像を取る（第２の測定段
階）。このとき図４の被測定ＩＣ６のリード１ｂの画像
１０のようにリード１ｂが存在する部分は照射光が遮ら
れるため暗くなる。
２のように被測定ＩＣ１を測定ステージ６に搭載する前
に測定ステージ６上方より照射光７ａを照射し、側方よ
りカメラ３で測定ステージ６の画像を得る（第１の測定
段階）。ここで、周りは暗くしており、また測定ステー
ジ６はガラスでできているため、ここで得られる画像は
図４の基準平面の画像８のように測定ステージ６部は明
るく、その周辺部分は暗くなる。次に、図３に示すよう
に、測定ステージ６上に被測定ＩＣ１を載せ、被測定Ｉ
Ｃ１のリード１ｂに、カメラ３と対向する方向から照射
光４ａを照射する。そして再びカメラ３で、側方より被
測定ＩＣ６のリード１ｂの画像を取る（第２の測定段
階）。このとき図４の被測定ＩＣ６のリード１ｂの画像
１０のようにリード１ｂが存在する部分は照射光が遮ら
れるため暗くなる。
【００１１】最後に、以上のようにして得られた基準平
面の画像８の明暗を反転させて基準平面の反転画像９と
し、これと第２の測定段階で得られた被測定リードの画
像１０とを合成し（図４の１１参照）、コプラナリティ
値５を求める。
面の画像８の明暗を反転させて基準平面の反転画像９と
し、これと第２の測定段階で得られた被測定リードの画
像１０とを合成し（図４の１１参照）、コプラナリティ
値５を求める。
【００１２】このように本実施例によれば、第１の測定
段階として、被測定ＩＣ１を搭載する前に、測定ステー
ジ６上方から照射光７ａを照射して測定ステージ６の基
準平面の画像をカメラ３で撮影し、これを明暗反転させ
て基準平面の反転画像９とし、第２の測定段階として、
測定ステージ６に被測定ＩＣ１を搭載し、側面より照射
光４ａを照射してリード１ｂの画像１０を得て、この画
像１０と上記基準平面の反転画像９とを合成して得られ
た画像１１からコプラナリティ値５を求めるようにした
から、測定ステージ６とリード１ｂとの間隔が小さくて
も光の干渉の発生や、またカメラ３に入射する透過光量
が少なくなってコプラナリティを測定すべき部分が暗く
なることがなく、精度の高い測定を行うことができる。
段階として、被測定ＩＣ１を搭載する前に、測定ステー
ジ６上方から照射光７ａを照射して測定ステージ６の基
準平面の画像をカメラ３で撮影し、これを明暗反転させ
て基準平面の反転画像９とし、第２の測定段階として、
測定ステージ６に被測定ＩＣ１を搭載し、側面より照射
光４ａを照射してリード１ｂの画像１０を得て、この画
像１０と上記基準平面の反転画像９とを合成して得られ
た画像１１からコプラナリティ値５を求めるようにした
から、測定ステージ６とリード１ｂとの間隔が小さくて
も光の干渉の発生や、またカメラ３に入射する透過光量
が少なくなってコプラナリティを測定すべき部分が暗く
なることがなく、精度の高い測定を行うことができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るリード端
子平坦度測定方法によれば、基準平面となる測定ステー
ジの像と、被測定半導体装置のリード端子の像とを別々
に撮像し、これら２つの画像を合成して得られた画像
の、上記測定ステージの基準平面と上記リード端子間の
空隙を測定してリード端子の平坦度を求めるようにした
ので、光の干渉や透過不足によって基準平面と被測定半
導体装置のリード端子との間が暗くなることがなく、そ
の結果、誤測定を防ぎ、高い精度でもってリード端子の
測定を行うことができるという効果がある。
子平坦度測定方法によれば、基準平面となる測定ステー
ジの像と、被測定半導体装置のリード端子の像とを別々
に撮像し、これら２つの画像を合成して得られた画像
の、上記測定ステージの基準平面と上記リード端子間の
空隙を測定してリード端子の平坦度を求めるようにした
ので、光の干渉や透過不足によって基準平面と被測定半
導体装置のリード端子との間が暗くなることがなく、そ
の結果、誤測定を防ぎ、高い精度でもってリード端子の
測定を行うことができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるリード端子平坦度測
定方法を用いてコプラナリティの測定を行う際の各種機
材の配置を示す図。
定方法を用いてコプラナリティの測定を行う際の各種機
材の配置を示す図。
【図２】上記方法により基準平面画像を取り込む際の方
法を示す図。
法を示す図。
【図３】上記方法により被測定ＩＣのリードの画像を取
り込む際の方法を示す図。
り込む際の方法を示す図。
【図４】上記方法により得られた各画像を処理してコプ
ラナリティを求める方法を説明するための図。
ラナリティを求める方法を説明するための図。
【図５】従来のリード端子平坦度測定方法によりコプラ
ナリティを測定する際の各種機材の配置を示す図。
ナリティを測定する際の各種機材の配置を示す図。
【図６】従来のリード端子平坦度測定方法により、カメ
ラが取り込む被測定ＩＣのリードの画像を示す図。
ラが取り込む被測定ＩＣのリードの画像を示す図。
１ 被測定ＩＣ １ａ モールド部 １ｂ リード部 １ｃ リードの影 ３ 画像取り込み用カメラ ４ 測定ステージ側方よりの照射光源 ４ａ 照射光源４から照射される光 ５ コプラナリティ値 ６ 光透過性測定ステージ ７ 測定ステージ上方よりの照射光源 ７ａ 照射光源７よりの照射光 ８ 基準平面の画像 ９ 基準平面の画像の反転画像 １０ リード１ｂの画像 １１ 基準平面の反転画像９とリード１ｂの画像との合
成画像
成画像
Claims (1)
- 【請求項１】 測定ステージ上に被測定半導体装置を搭
載し、所定方向から光を照射して上記被測定半導体装置
のリード端子の影を撮像し、前記リード端子と上記測定
ステージ表面の基準平面との間の空隙から上記リード端
子の平坦度を測定する方法において、 上記測定ステージとして光透過性のものを用い、被測定
半導体装置を搭載する前に光を照射して該ステージ表面
の基準平面の画像を得る第１の工程と、 上記ステージに被測定半導体装置を搭載し、所定方向か
ら光を照射してリード端子のみの画像を得る第２の工程
と、 上記第１の工程で得られた測定ステージの基準平面の画
像と、上記第２の工程で得られたリード端子のみの画像
とを合成し、該画像から得られた上記リード端子と上記
基準平面との間の空隙からリード端子の平坦度を測定す
る第３の工程とを含むことを特徴とするリード端子平坦
度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354760A JP2659645B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | リード端子平坦度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354760A JP2659645B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | リード端子平坦度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166907A JPH05166907A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2659645B2 true JP2659645B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=18439722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3354760A Expired - Lifetime JP2659645B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | リード端子平坦度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659645B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102486819B1 (ko) * | 2022-06-07 | 2023-01-10 | 주식회사 트윔 | 빛샘 데이터를 이용한 제품 검사 방법 및 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111537518B (zh) * | 2020-05-25 | 2024-05-28 | 珠海格力智能装备有限公司 | 电容端子的瑕疵的检测方法、装置、存储介质和处理器 |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP3354760A patent/JP2659645B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102486819B1 (ko) * | 2022-06-07 | 2023-01-10 | 주식회사 트윔 | 빛샘 데이터를 이용한 제품 검사 방법 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166907A (ja) | 1993-07-02 |
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