JP2645368B2 - 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法 - Google Patents
電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法Info
- Publication number
- JP2645368B2 JP2645368B2 JP15954287A JP15954287A JP2645368B2 JP 2645368 B2 JP2645368 B2 JP 2645368B2 JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP 2645368 B2 JP2645368 B2 JP 2645368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- integrated circuit
- program
- time
- rom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路の一部を構成する電気的にプログ
ラム可能なROMにデータをプログラムする方法に関す
る。
ラム可能なROMにデータをプログラムする方法に関す
る。
本明細書においては特に、「メモリ付カード(ICカー
ド)」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含む
集積回路を備えるカードへの応用を考えている。
ド)」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含む
集積回路を備えるカードへの応用を考えている。
従来の技術 「電気的にプログラム可能なROM」とは、適当な電気
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力することに
よりデータの記憶が可能なメモリのことである。このデ
ータは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこのメ
モリ中に記憶されたままになっている。この期間は保持
期間と呼ばれ、数年にわたることがある。
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力することに
よりデータの記憶が可能なメモリのことである。このデ
ータは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこのメ
モリ中に記憶されたままになっている。この期間は保持
期間と呼ばれ、数年にわたることがある。
メモリ付カードを応用することのできる多くの分野に
おいて、このようなカードを大量に生産する必要があ
る。また、各カードは多数のビット、例えば8Kビットの
容量を備えていることが好ましい。
おいて、このようなカードを大量に生産する必要があ
る。また、各カードは多数のビット、例えば8Kビットの
容量を備えていることが好ましい。
各ビットのプログラムを行うには、あるいはバイトご
とにプログラムする場合には、短いとはいえ無視できな
い有限の時間がかかる。
とにプログラムする場合には、短いとはいえ無視できな
い有限の時間がかかる。
例えば、1バイトのプログラムを行うためにまず考え
られた方法では、プログラム電圧VPPを50ミリ秒にわた
って印加することが必要である。このプログラム電圧印
加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い。
しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大丈夫
なように安全を見込んだ長さである。
られた方法では、プログラム電圧VPPを50ミリ秒にわた
って印加することが必要である。このプログラム電圧印
加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い。
しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大丈夫
なように安全を見込んだ長さである。
このプログラム電圧印加時間を短くするために提案さ
れているのは、メモリを構成しているトランジスが十分
な電荷を浮け取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を2ミリ秒の間行い、その結果を
(数マイクロ秒で)読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを4ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合に
は、再び最初からプログラムをやり直す。
れているのは、メモリを構成しているトランジスが十分
な電荷を浮け取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を2ミリ秒の間行い、その結果を
(数マイクロ秒で)読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを4ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合に
は、再び最初からプログラムをやり直す。
発明が解決しようとする問題点 しかし、何100万枚ものカードにプログラムする必要
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからであ
る。
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからであ
る。
このようなわけで、プログラム操作を(カード製造業
者の代わりに)使用者の側に押しつけることが考えられ
ている。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカ
ードの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でな
くなる。
者の代わりに)使用者の側に押しつけることが考えられ
ている。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカ
ードの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でな
くなる。
しかし、記憶させるデータが秘密データで、絶対にカ
ード製造業者が記憶させなければならない場合等はこの
解決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使
用者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記
憶させるわけにはいかない。
ード製造業者が記憶させなければならない場合等はこの
解決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使
用者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記
憶させるわけにはいかない。
問題点を解決するための手段 プログラム時間に関する上記問題点を解決するため、
本発明では以下の2段階の操作からなる簡単なプログラ
ム法を提供する。まず第1段階においては、カード製造
業者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時
間は、次の第2段階までこのデータを保持しておくには
十分な長さである。続く第2段階においては、カード製
造業者ではなく使用者が関与する。この第2段階では、
第1段階でプログラムされたメモリに再プログラムされ
る。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の
入力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモ
リ内にプログラムされているデータが再プログラムされ
る。しかし、その際、プログラムされているデータを読
出すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセ
スすることはできない。さらに、このデータを外部から
変更することもできない。この第2段階では、所望の最
終保持期間(例えば10年間)を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。
本発明では以下の2段階の操作からなる簡単なプログラ
ム法を提供する。まず第1段階においては、カード製造
業者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時
間は、次の第2段階までこのデータを保持しておくには
十分な長さである。続く第2段階においては、カード製
造業者ではなく使用者が関与する。この第2段階では、
第1段階でプログラムされたメモリに再プログラムされ
る。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の
入力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモ
リ内にプログラムされているデータが再プログラムされ
る。しかし、その際、プログラムされているデータを読
出すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセ
スすることはできない。さらに、このデータを外部から
変更することもできない。この第2段階では、所望の最
終保持期間(例えば10年間)を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。
さらに詳しく説明すると、本発明により、集積回路の
一部を構成する電気的にプログラム可能なROMをプログ
ラムする方法であって、 第1段階として、このROMに書込むデータを上記集積
回路の入力に入力し、各データをプログラムするにあた
っては、このデータを最終的に保持しておくのに必要な
時間の理論値よりもはるかに短いが、以下の第2段階ま
でデータを保持しておくには十分な時間にわたってプロ
グラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておく
のに十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加す
ることにより各データを機械的に再プログラムし、この
再プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からも
この集積回路の入力にデータを入力することなく、上記
ROM内のデータの読出し、再書込みを行う、集積回路内
に備えられた内部プログラム手段を用いて行うことを特
徴とする方法が提供される。
一部を構成する電気的にプログラム可能なROMをプログ
ラムする方法であって、 第1段階として、このROMに書込むデータを上記集積
回路の入力に入力し、各データをプログラムするにあた
っては、このデータを最終的に保持しておくのに必要な
時間の理論値よりもはるかに短いが、以下の第2段階ま
でデータを保持しておくには十分な時間にわたってプロ
グラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておく
のに十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加す
ることにより各データを機械的に再プログラムし、この
再プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からも
この集積回路の入力にデータを入力することなく、上記
ROM内のデータの読出し、再書込みを行う、集積回路内
に備えられた内部プログラム手段を用いて行うことを特
徴とする方法が提供される。
実施例 本発明の方法が特定のメモリや特定の集積回路のみに
限定されることはない。本発明は一般に、(少なくとも
ある程度の範囲内では)プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。
限定されることはない。本発明は一般に、(少なくとも
ある程度の範囲内では)プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。
電荷が局所的にトラップされるという形でデータが記
憶されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこの
ことがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例え
ばフローティングゲートや、2つの絶縁層間である。
憶されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこの
ことがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例え
ばフローティングゲートや、2つの絶縁層間である。
本発明の一実施例によれば、集積回路に含まれる主な
素子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続される
データ処理用の少数の特殊な回路(例えば、比較器、カ
ウンタ、加算器)である。
素子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続される
データ処理用の少数の特殊な回路(例えば、比較器、カ
ウンタ、加算器)である。
この場合、本発明の方法を適用するために、プログラ
ムの第2段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ
書込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書
込用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとま
たはワードごとに連続的に読出し、この読出したデータ
の値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この
書込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリ
ガして作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、
集積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされた
データとは無関係に読出用オートマトンとメモリが接続
される。
ムの第2段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ
書込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書
込用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとま
たはワードごとに連続的に読出し、この読出したデータ
の値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この
書込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリ
ガして作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、
集積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされた
データとは無関係に読出用オートマトンとメモリが接続
される。
本発明の別の実施例によると、集積回路にはマイクロ
プロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわ
ち、論理信号として入力された命令により定義される様
々な機能を実行することのできる回路のことである。入
力された命令列により一連のジョブが決定され、マイク
ロプロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令
列はプログラム用のROMに記憶される(たいていの場合
はマスクによりプログラムされる)。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。
プロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわ
ち、論理信号として入力された命令により定義される様
々な機能を実行することのできる回路のことである。入
力された命令列により一連のジョブが決定され、マイク
ロプロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令
列はプログラム用のROMに記憶される(たいていの場合
はマスクによりプログラムされる)。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。
この場合、プログラム用ROMには、電気的にプログラ
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ1つごとに実
行させる命令列を記憶させることが考えられる。この命
令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイク
ロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、こ
の命令列を実行している間は、マイクロプロセッサによ
りメモリから読出されて再書込みされたデータは集積回
路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命令
実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データバス
が、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能なメ
モリの間に設けられている。
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ1つごとに実
行させる命令列を記憶させることが考えられる。この命
令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイク
ロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、こ
の命令列を実行している間は、マイクロプロセッサによ
りメモリから読出されて再書込みされたデータは集積回
路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命令
実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データバス
が、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能なメ
モリの間に設けられている。
集積回路がマイクロプロセッサを備えているかいない
かに応じて、上記のプログラミング2段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作(すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信
号)を与えるかを決めることができる。
かに応じて、上記のプログラミング2段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作(すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信
号)を与えるかを決めることができる。
例えば、上記の集積回路が現金の引出しカードに組込
まれていると、このカードが再生された場合にはカード
読取り装置が適当なトリガ信号を発生することになろ
う。
まれていると、このカードが再生された場合にはカード
読取り装置が適当なトリガ信号を発生することになろ
う。
メモリが参照ビットを備えており、この参照ビットの
保持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短
い場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すこと
により、プログラムの第2段階を開始させることができ
る。
保持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短
い場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すこと
により、プログラムの第2段階を開始させることができ
る。
Claims (1)
- 【請求項1】集積回路の一部を構成する電気的にプログ
ラム可能なROMをプログラムする方法であって、 第1段階として、このROMに書込むデータを上記集積回
路の入力に入力し、各データをプログラムするにあたっ
ては、このデータを最終的に保持しておくのに必要な時
間の理論値よりもはるかに短いが、以下の第2段階まで
データを保持しておくには十分な時間にわたってプログ
ラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力にデータを入力することなく上記ROM
内のデータの読出し、再書込みを行う、集積回路内に備
えられた内部プログラム手段を用いて行うことを特徴と
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8609355A FR2600810A1 (fr) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Procede de programmation de donnees dans une memoire morte programmable electriquement |
FR8609355 | 1986-06-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325893A JPS6325893A (ja) | 1988-02-03 |
JP2645368B2 true JP2645368B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=9336800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15954287A Expired - Lifetime JP2645368B2 (ja) | 1986-06-27 | 1987-06-26 | 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4870574A (ja) |
EP (1) | EP0251889B1 (ja) |
JP (1) | JP2645368B2 (ja) |
DE (1) | DE3765470D1 (ja) |
FR (1) | FR2600810A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5095344A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
US5043940A (en) * | 1988-06-08 | 1991-08-27 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells |
US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5268319A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5293560A (en) * | 1988-06-08 | 1994-03-08 | Eliyahou Harari | Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods |
EP0617363B1 (en) | 1989-04-13 | 2000-01-26 | SanDisk Corporation | Defective cell substitution in EEprom array |
FR2660465B1 (fr) * | 1990-04-02 | 1992-06-12 | Gemplus Card Int | Carte securite associant un support d'informations a haute densite de stockage et un microcircuit, et son utilisation dans un lecteur de cartes. |
FR2667715A1 (fr) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif pour accroitre la protection d'une carte a memoire. |
JP2938732B2 (ja) | 1993-11-10 | 1999-08-25 | 松下電送システム株式会社 | メモリ管理装置とこれを用いたファクシミリ装置 |
US5751629A (en) * | 1995-04-25 | 1998-05-12 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US5741462A (en) * | 1995-04-25 | 1998-04-21 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US6331273B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-18 | Discovery Partners International | Remotely programmable matrices with memories |
US5874214A (en) * | 1995-04-25 | 1999-02-23 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US6017496A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Irori | Matrices with memories and uses thereof |
US6329139B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-11 | Discovery Partners International | Automated sorting system for matrices with memory |
US6416714B1 (en) | 1995-04-25 | 2002-07-09 | Discovery Partners International, Inc. | Remotely programmable matrices with memories |
DE19607724A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung für einen programmierbaren nichtflüchtigen Speicher |
US6210016B1 (en) * | 1997-01-27 | 2001-04-03 | Frank J Prineppi | Christmas tree lighting |
DE10335612B3 (de) * | 2003-08-04 | 2005-01-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Speichern von Daten in einem nicht-flüchtigen Speicher eines tragbaren Datenträgers |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4173791A (en) * | 1977-09-16 | 1979-11-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Insulated gate field-effect transistor read-only memory array |
DE2910891C2 (de) * | 1979-03-16 | 1980-09-11 | Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf | Elektronische Steuervorrichtung für eine programmabhängige, Einzelschritte ausführende Maschine |
US4412310A (en) * | 1980-10-14 | 1983-10-25 | Intel Corporation | EPROM Cell with reduced programming voltage and method of fabrication |
NL8400225A (nl) * | 1984-01-25 | 1985-08-16 | Philips Nv | Schakeling voor het opwekken van de programmeerspanning van een uitwisbaar leesgeheugen. |
NL8400326A (nl) * | 1984-02-03 | 1985-09-02 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling met veldeffecttransistoren en een programmeerbaar leesgeheugen. |
JPS6154585A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Toppan Printing Co Ltd | Icカ−ドのデ−タ書込方式 |
-
1986
- 1986-06-27 FR FR8609355A patent/FR2600810A1/fr not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-06-23 DE DE8787401432T patent/DE3765470D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-23 EP EP87401432A patent/EP0251889B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 US US07/065,554 patent/US4870574A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-26 JP JP15954287A patent/JP2645368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NEW ELECTRONICS 15[3](1982−2)P.46−50 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0251889B1 (fr) | 1990-10-10 |
DE3765470D1 (de) | 1990-11-15 |
FR2600810A1 (fr) | 1987-12-31 |
EP0251889A1 (fr) | 1988-01-07 |
JPS6325893A (ja) | 1988-02-03 |
US4870574A (en) | 1989-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2645368B2 (ja) | 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法 | |
JP3234331B2 (ja) | 複数の通信プロトコルを備えるpcカード | |
JP2682700B2 (ja) | Icカード | |
EP0991081B1 (en) | Emulated EEPROM memory device and corresponding method | |
US4920518A (en) | Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory | |
EP0664046B1 (en) | Remotely re-programmable program memory for a microcontroller | |
US5991197A (en) | Semiconductor memory device having data protection feature | |
US20010053090A1 (en) | Semiconductor storage device | |
KR20010070149A (ko) | 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리를 구비하는마이크로컨트롤러 | |
JPH11203204A (ja) | 読出しおよび/または書込み保護可能領域を含む電気的に消去再書込み可能な不揮発性メモリ、ならびにこのメモリを内蔵した電子システム | |
JPH06231317A (ja) | データ及びプログラムを経年変化から保護したicカード | |
US5039850A (en) | IC card | |
US5159183A (en) | Ic card | |
US5517460A (en) | Semiconductor integrated circuit and IC card using the same | |
US6584540B1 (en) | Flash memory rewriting circuit for microcontroller | |
KR950010304B1 (ko) | 불휘발성 기억소자를 구비한 반도체 집적회로장치 | |
JPS59107483A (ja) | Icカ−ドへの書込み処理方法 | |
US5261110A (en) | System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time | |
JP4138291B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 | |
JPS61249156A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2833621B2 (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
JPH0435780B2 (ja) | ||
JP3168572B2 (ja) | Cpu暴走検知機能付きicカード | |
JPH09231329A (ja) | メモリカード | |
JP3357240B2 (ja) | 集積回路メモリの書込保護方法及び対応する集積回路 |