JP2643396B2 - セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 - Google Patents
セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線Info
- Publication number
- JP2643396B2 JP2643396B2 JP63317171A JP31717188A JP2643396B2 JP 2643396 B2 JP2643396 B2 JP 2643396B2 JP 63317171 A JP63317171 A JP 63317171A JP 31717188 A JP31717188 A JP 31717188A JP 2643396 B2 JP2643396 B2 JP 2643396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- copper
- ceramic capacitor
- plate
- soldered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミックコンデンサに半田接合される板状
のリード線に関し、特に、高温部で使用されるセラミッ
クコンデンサとリード線の接合部の信頼性を向上したセ
ラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線に
関する。
のリード線に関し、特に、高温部で使用されるセラミッ
クコンデンサとリード線の接合部の信頼性を向上したセ
ラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線に
関する。
［従来の技術］ 従来のセラミックコンデンサ用リード線として、例え
ば、第３図に示されるものがある。２はセラミックコン
デンサであり、１は銅に半田めっきが施されたセラミッ
クコンデンサ２のリード線である。リード線１はセラミ
ックコンデンサ２に半田付けによって接合されている。
ば、第３図に示されるものがある。２はセラミックコン
デンサであり、１は銅に半田めっきが施されたセラミッ
クコンデンサ２のリード線である。リード線１はセラミ
ックコンデンサ２に半田付けによって接合されている。
セラミックコンデンサは自動車のエンジン周辺等の高
温部で使用される場合があるため、最近ではセラミック
コンデンサのリード線として、以下のようなことが要求
されている。
温部で使用される場合があるため、最近ではセラミック
コンデンサのリード線として、以下のようなことが要求
されている。
（１） 本体稼働時に発生する熱を速やかに拡散するよ
うに熱伝導性が良好であり、また、本体とリード間の熱
応力を抑えるように、本体とリードの熱膨張係数を整合
状態に保たなくてはならない。即ち、本体とリード線の
熱膨張係数に差がでると、その応力によって本体とリー
ド線の半田接合部が剥離し、その信頼性が低下する。
うに熱伝導性が良好であり、また、本体とリード間の熱
応力を抑えるように、本体とリードの熱膨張係数を整合
状態に保たなくてはならない。即ち、本体とリード線の
熱膨張係数に差がでると、その応力によって本体とリー
ド線の半田接合部が剥離し、その信頼性が低下する。
（２） リード線として加工性が良く、適度な耐熱性と
強度を有していること。
強度を有していること。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のセラミックコンデンサ用リード線によ
ると、これらの要求を満足できないという不都合があ
る。即ち、本体のセラミックの熱膨張係数が7.0×10-6/
℃であるのに対してリード線の銅の熱膨張係数が16.5×
10-6/℃と差が大きいため、セラミックコンデンサの温
度が高温（150℃〜300℃）になると、半田が熱疲労を起
こし、半田付け部が剥離してしまう。このため、半田付
け部の信頼性を低下させることになる。
ると、これらの要求を満足できないという不都合があ
る。即ち、本体のセラミックの熱膨張係数が7.0×10-6/
℃であるのに対してリード線の銅の熱膨張係数が16.5×
10-6/℃と差が大きいため、セラミックコンデンサの温
度が高温（150℃〜300℃）になると、半田が熱疲労を起
こし、半田付け部が剥離してしまう。このため、半田付
け部の信頼性を低下させることになる。
従って、本発明の目的は高温部で使用されるセラミッ
クコンデンサとリード線の熱膨張係数を整合して半田付
け部の剥離を防止し、これによって半田付け部の信頼性
を向上することができるセラミックコンデンサ用リード
線を提供することである。
クコンデンサとリード線の熱膨張係数を整合して半田付
け部の剥離を防止し、これによって半田付け部の信頼性
を向上することができるセラミックコンデンサ用リード
線を提供することである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は以上述べた目的を実現するため、高温部で使
用されるセラミックコンデンサに接合するリード線とし
て、銅／インバー／銅，銅／コバール／銅，銅/42アロ
イ／銅等からなる断面積比率が1:1:1の３層構造のクラ
ッド板材を使用するようにした板状のセラミックコンデ
ンサ用リード線を提供するものである。
用されるセラミックコンデンサに接合するリード線とし
て、銅／インバー／銅，銅／コバール／銅，銅/42アロ
イ／銅等からなる断面積比率が1:1:1の３層構造のクラ
ッド板材を使用するようにした板状のセラミックコンデ
ンサ用リード線を提供するものである。
即ち、本発明のセラミックコンデンサ用リード線は、
高温部で使用される電子部品用のリード線に、銅／イン
バー銅，銅／コバール／銅，銅/42アロイ／銅等からな
る断面積比率が1:1:1の３層構造の低膨張クラッドリー
ド線を用い、セラミックの熱膨張係数に整合させてい
る。このため、高温状態（150℃以上）でも接合部の剥
離を防止することができ、信頼性を向上することができ
る。尚、実開昭61−119355号公報によって複合線材の提
案が行われているが、高温部で使用されるセラミックコ
ンデンサのリード線に適用することができない。
高温部で使用される電子部品用のリード線に、銅／イン
バー銅，銅／コバール／銅，銅/42アロイ／銅等からな
る断面積比率が1:1:1の３層構造の低膨張クラッドリー
ド線を用い、セラミックの熱膨張係数に整合させてい
る。このため、高温状態（150℃以上）でも接合部の剥
離を防止することができ、信頼性を向上することができ
る。尚、実開昭61−119355号公報によって複合線材の提
案が行われているが、高温部で使用されるセラミックコ
ンデンサのリード線に適用することができない。
［実施例］ 以下、本発明のセラミックコンデンサ用板状リード線
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、セラミックコンデ
ンサ２に低膨張クラッドリード線３が、半田付けによっ
て接合されている。
ンサ２に低膨張クラッドリード線３が、半田付けによっ
て接合されている。
第２図（ａ）は本発明の低膨張クラッドリード線３を
示し、低膨張クラッドリード線３は銅４の間にインバー
５を介在した銅／インバー／銅の３層構造になってお
り、インバー５には熱膨張係数が低いFe−36％Ni合金を
使用している（1.5×10-6/℃）。また、銅４は熱伝達の
良好な無酸素銅を用いることが好ましいが、耐熱性の良
いSn入り銅、Ag入り銅等の銅合金を用いても良い。この
３層クラッド材の構成比は略1:1:1になっており、放散
性に優れたものになっている。尚、銅４の間に介在され
るインバー５の代わりにコバール,42アロイ（Fe−42％N
i合金）用いても良い。
示し、低膨張クラッドリード線３は銅４の間にインバー
５を介在した銅／インバー／銅の３層構造になってお
り、インバー５には熱膨張係数が低いFe−36％Ni合金を
使用している（1.5×10-6/℃）。また、銅４は熱伝達の
良好な無酸素銅を用いることが好ましいが、耐熱性の良
いSn入り銅、Ag入り銅等の銅合金を用いても良い。この
３層クラッド材の構成比は略1:1:1になっており、放散
性に優れたものになっている。尚、銅４の間に介在され
るインバー５の代わりにコバール,42アロイ（Fe−42％N
i合金）用いても良い。
以上の構成において、低膨張クラッドリード線３をセ
ラミックコンデンサ２に接続する場合は、第２図（ｂ）
に示すように、銅４の部分を略直角に曲げて接合面に密
着させ、半田接合によって接合する。
ラミックコンデンサ２に接続する場合は、第２図（ｂ）
に示すように、銅４の部分を略直角に曲げて接合面に密
着させ、半田接合によって接合する。
このように、高温部で使用されるセラミックコンデン
サ用のリード線に銅と熱膨張係数の低いインバー，コバ
ール,42アロイを組み合わせた複合材料を使用すること
によりリード線の熱膨張係数をセラミックコンデンサの
熱膨張係数に接合させることができ、高温によって半田
付け部等の接合部が剥離することができなくなる。
サ用のリード線に銅と熱膨張係数の低いインバー，コバ
ール,42アロイを組み合わせた複合材料を使用すること
によりリード線の熱膨張係数をセラミックコンデンサの
熱膨張係数に接合させることができ、高温によって半田
付け部等の接合部が剥離することができなくなる。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明のセラミックコンデンサ用
リード線によると、高温部で使用されるセラミックコン
デンサに接合するリード線として、銅／インバー／銅，
銅／コバール／銅，銅/42アロイ／銅等からなる３層構
造のクラッド材を使用し、かつ、その断面積比を1:1:1
にするようにしたため、リード線の熱膨張係数を低くす
ることができ、これによってセラミックコンデンサの熱
膨張係数に接合させることができる。これによって高温
による半田接合部の剥離が防止され、高信頼性、高寿命
化を図ることができる。特に、クラッド材の構成比を1:
1:1にすることにより、セラミックコンデンサの有する
特性に合わせることができ、相互部材の特性のマッチン
グが向上して従来にない特性効果と信頼性を得ることが
できる。
リード線によると、高温部で使用されるセラミックコン
デンサに接合するリード線として、銅／インバー／銅，
銅／コバール／銅，銅/42アロイ／銅等からなる３層構
造のクラッド材を使用し、かつ、その断面積比を1:1:1
にするようにしたため、リード線の熱膨張係数を低くす
ることができ、これによってセラミックコンデンサの熱
膨張係数に接合させることができる。これによって高温
による半田接合部の剥離が防止され、高信頼性、高寿命
化を図ることができる。特に、クラッド材の構成比を1:
1:1にすることにより、セラミックコンデンサの有する
特性に合わせることができ、相互部材の特性のマッチン
グが向上して従来にない特性効果と信頼性を得ることが
できる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図
（ａ）、（ｂ）は低膨張クラッドリード線を示す説明
図、第３図は従来のセラミックコンデンサ用リード線を
示す説明図。 符号の説明 １……リード線、２……セラミックコンデンサ ３……低膨張クラッドリード線 ４……銅、５……インバー
（ａ）、（ｂ）は低膨張クラッドリード線を示す説明
図、第３図は従来のセラミックコンデンサ用リード線を
示す説明図。 符号の説明 １……リード線、２……セラミックコンデンサ ３……低膨張クラッドリード線 ４……銅、５……インバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−118620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−252457（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−206053（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−284716（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−100208（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−77327（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−16423（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−186016（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭56−32780（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】高温部で使用されるセラミックコンデンサ
の接合面に略直角に曲げて半田接合される板状のリード
線であって、前記リード線はその全体が銅／インバー／
銅、銅／コバルト／銅、銅/42アロイ／銅からなる３層
構造の板状クラッド材から構成され、各層材料の断面積
比が略1:1:1に構成されていることを特徴とするセラミ
ックコンデンサに半田接合される板状のリード線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317171A JP2643396B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317171A JP2643396B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161711A JPH02161711A (ja) | 1990-06-21 |
| JP2643396B2 true JP2643396B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=18085251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63317171A Expired - Lifetime JP2643396B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643396B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4792713B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2011-10-12 | 日立電線株式会社 | リード線及びその製造方法並びに太陽電池アセンブリ |
| DE102015102866B4 (de) * | 2015-02-27 | 2023-02-02 | Tdk Electronics Ag | Keramisches Bauelement, Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements |
| DE102015213085A1 (de) * | 2015-07-13 | 2016-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungsmodul sowie Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls |
| JP6657947B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-03-04 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| DE102016107931A1 (de) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements |
| DE102016110742A1 (de) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | Epcos Ag | Filterbauelement zur Filterung eines Störsignals |
| JP6898560B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-07-07 | 富士通株式会社 | 電子部品接合基板 |
| JP6863016B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-04-21 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| JP6440794B1 (ja) * | 2017-09-22 | 2018-12-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632780A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Semiconductor Res Found | Gallium phosphide light emitting device |
| JPS57118620A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Sumitomo Electric Industries | Connecting cap for electronic part |
| JPH061800B2 (ja) * | 1984-03-29 | 1994-01-05 | 株式会社東芝 | リ−ドフレ−ム |
| JPS6316423U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-03 | ||
| JPS6377327U (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | ||
| JPH0795575B2 (ja) * | 1987-04-09 | 1995-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体整流素子 |
| JPS63284716A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ジユメツト線 |
| JPS63186016U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | ||
| JPH02100208A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Fujikura Ltd | 巻線用耐熱素線 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP63317171A patent/JP2643396B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02161711A (ja) | 1990-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3879666B2 (ja) | 太陽電池接続用リード線 | |
| JPS60257160A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2643396B2 (ja) | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 | |
| JPH0936186A (ja) | パワー半導体モジュール及びその実装方法 | |
| JPS58119663A (ja) | 接続ピンの結合方法 | |
| JP2566341B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05347469A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP2003168770A (ja) | 窒化ケイ素回路基板 | |
| JP4085563B2 (ja) | パワー半導体モジュールの製造方法 | |
| JPH08102570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH10107058A (ja) | 厚膜回路基板及びそのワイヤボンディング電極形成方法 | |
| JPH0412028B2 (ja) | ||
| JP2005019694A (ja) | パワーモジュール | |
| JP2619159B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP3250635B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004204257A (ja) | はんだめっき複合平角導体 | |
| JPH0420269B2 (ja) | ||
| JP3624740B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2000349351A (ja) | 熱電モジュール | |
| JP2846181B2 (ja) | 複合リードフレームの製造方法 | |
| JP2922914B2 (ja) | 酸化物超電導体端子 | |
| JP3015491B2 (ja) | ＡｌＮ基板 | |
| JP3056889B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPS58151039A (ja) | 混成集積回路基板 | |
| JP3325804B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |