JP2639962B2 - Thin film magnetic head - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は高密度の磁気記録、再生に好適な薄膜磁気ヘ
ッドに関する。The present invention relates to a thin-film magnetic head suitable for high-density magnetic recording and reproduction.

（ロ） 従来の技術 従来、この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、特
開昭62−46416号公報（G11B5/31）等に開示されている
ものがある。(B) Conventional technology Conventionally, as this type of thin film magnetic head, there is one disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-46416 (G11B5 / 31).

第10図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。 FIG. 10 is a sectional view of a main part of a conventional thin film magnetic head.

図中、（１）はフェライト、結晶化ガラス等の材料よ
りなる基板で、該基板（１）上にはセンダスト、パーマ
ロイ、Co系アモルファス磁性金属等よりなる下部磁性層
（２）、SiO₂等からなるギャップスペーサ（３）、Cu等
からなる導体コイル層（４）、SiO₂等からなる層間絶縁
層（５）、及び前記下部磁性層（２）と同じ材料よりな
る上部磁性層（６）が夫々形成されている。（７）はTi
酸Ba等のセラミック材料よりなる保護板で、低融点ガラ
ス（８）等により上部磁性層（６）に接合されている。In the figure, (1) is a substrate made of a material such as ferrite or crystallized glass. On the substrate (1), a lower magnetic layer (2) made of Sendust, Permalloy, Co-based amorphous magnetic metal, etc., SiO _2, etc. , A conductor coil layer made of Cu or the like, an interlayer insulating layer made of SiO ₂ or the like, and an upper magnetic layer made of the same material as the lower magnetic layer. Are formed respectively. (7) is Ti
A protective plate made of a ceramic material such as acid Ba, which is joined to the upper magnetic layer (6) by a low-melting glass (8) or the like.

一般に、磁性体を交流磁界により磁化したり、磁界中
で移動させると、磁界の周波数や運動速度に比例して前
記磁性体内に起動力が誘導される。前記磁性体の導電率
が大きければ、この誘導起電力により磁性体内に渦電流
が生じる。そして、この渦電流によって生じる磁束は、
元の磁束を打ち消し、磁性体の中心部ほど磁束が流れに
くくなる所謂表皮効果が起こる。この表皮効果の表皮深
さ（表層より磁束が流れる深さ）δは 但し、f:周波数（Hz） μ_o:真空透磁率（４π×10^-7） μ_i:比透磁率（直流による初透磁率） ρ：比抵抗（Ω・ｍ） で表わされる。Generally, when a magnetic body is magnetized by an AC magnetic field or moved in a magnetic field, a starting force is induced in the magnetic body in proportion to the frequency and the movement speed of the magnetic field. If the conductivity of the magnetic material is high, the induced electromotive force generates an eddy current in the magnetic material. And the magnetic flux generated by this eddy current is
A so-called skin effect occurs in which the original magnetic flux is canceled out and the magnetic flux is less likely to flow toward the center of the magnetic body. The skin depth of this skin effect (the depth at which magnetic flux flows from the surface layer) δ is Where f: frequency (Hz) μ _o : vacuum magnetic permeability (4π × 10 ⁻⁷ ) μ _i : specific magnetic permeability (initial magnetic permeability by direct current) ρ: specific resistance (Ω · m)

この（１）式から判るように高周波領域では、表皮深
さδは小さくなり、極表層部にしか磁束は流れない。As can be seen from the equation (1), in the high frequency region, the skin depth δ becomes small, and the magnetic flux flows only to the extreme surface layer.

従って、上述のような従来の薄膜磁気ヘッドを高周波
領域で使用すると、下部磁性層（２）及び上部磁性層
（６）に渦電流が生じ、前記磁性層（２）（６）の極表
層の部分にしか磁束は流れず、前記磁性層（２）（６）
の透磁率μは低下する。即ち、この従来の薄膜磁気ヘッ
ドは、高周波領域では良好な記録再生を行うことが出来
なかった。Therefore, when the above-mentioned conventional thin-film magnetic head is used in a high-frequency region, an eddy current is generated in the lower magnetic layer (2) and the upper magnetic layer (6), and the outermost layers of the magnetic layers (2) and (6) are formed. The magnetic flux flows only to the portions, and the magnetic layers (2) and (6)
Has a decreased magnetic permeability μ. That is, this conventional thin-film magnetic head could not perform good recording / reproducing in a high frequency region.

（ハ） 発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたものであ
り、高周波領域においても透磁率μが低下せず、良好な
記録再生を行うことが出来、且つ擬似ギャップによる悪
影響を防止した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。(C) Problems to be Solved by the Invention The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the conventional example. Even in a high frequency region, the magnetic permeability μ does not decrease, good recording and reproduction can be performed, and pseudo It is an object of the present invention to provide a thin-film magnetic head in which an adverse effect due to a gap is prevented.

（ニ） 課題を解決するための手段 本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層及び上部磁性
層を、トラック幅方向と略直交する方向に延在する分離
層によりトラック幅方向の厚みが導体コイル層を流れる
信号の上限周波数における表皮深さの２倍以下である複
数の層に分離したことを特徴とする。(D) Means for Solving the Problems In the thin-film magnetic head of the present invention, the thickness of the lower magnetic layer and the upper magnetic layer in the track width direction is increased by a separation layer extending in a direction substantially orthogonal to the track width direction. It is characterized in that the signal is separated into a plurality of layers which are not more than twice the skin depth at the upper limit frequency of the signal flowing through the layers.

（ホ） 作用 上記構成に依れば、下部磁性層及び上部磁性層は磁束
が流れる導体コイル層のまわりでは、強磁性金属材料が
表皮深さの２倍以下の間隔で分離されているので表皮効
果による透磁率μの低下は起こらず、しかもフロントギ
ャップ部では前記下部及び上部磁性層が単層構造、若し
くは分離層がトラック幅方向と直交する方向に延在して
いるので擬似ギャップは発生しない。(E) Function According to the above configuration, the lower magnetic layer and the upper magnetic layer are separated from the conductor coil layer through which the magnetic flux flows by the ferromagnetic metal material at an interval of not more than twice the skin depth. No reduction in magnetic permeability μ occurs due to the effect, and no pseudo gap occurs in the front gap portion because the lower and upper magnetic layers have a single-layer structure or the separation layer extends in a direction perpendicular to the track width direction. .

（ヘ） 実 施 例 以下、図面を参照しつつ本発明の第１実施例を詳細に
説明する。尚、本発明の具体的な実施例の構成は、後述
する第２実施例に示すものであり、第１実施例は本発明
の薄膜磁気ヘッドの原理的な説明をするためのものであ
る。(F) Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The configuration of a specific embodiment of the present invention is shown in a second embodiment described later, and the first embodiment is for describing the principle of the thin-film magnetic head of the present invention.

第１図は第１実施例の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２
図はそのａ−ａ′断面図であり、第10図と同一部分には
同一符号を付し、その説明は第10図の説明を援用する。FIG. 1 is a perspective view of the thin-film magnetic head of the first embodiment, and FIG.
The figure is a sectional view taken along the line aa ', and the same parts as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is referred to the description of FIG.

図中、（９）は下部磁性層、（10）は上部磁性層であ
る。前記下部磁性層（９）センダスト、パーマロイ、Co
系アモルファス磁性金属層等からなり、フロントギャッ
プ部（9a）及びバックギャップ部（9b）以外は導体コイ
ル層（４）に流れる記録再生信号の上限周波数における
表皮深さδの２倍以下の間隔ｍで、SiO₂等よりなる絶縁
層（11）（11）が多数形成された多層膜積層構造であ
る。前記上部磁性層（10）は前記下部磁性層（９）と同
じ材料からなり、フロントギャップ部（10a）以外は前
述の表皮深さδの２倍以下の間隔ｎでSiO₂等の絶縁層
（12）（12）が層間絶縁層（５）に沿って多数形成され
た多層膜積層構造である。In the figure, (9) is a lower magnetic layer, and (10) is an upper magnetic layer. The lower magnetic layer (9) Sendust, Permalloy, Co
And a gap m less than twice the skin depth δ at the upper limit frequency of the recording / reproducing signal flowing through the conductor coil layer (4) except for the front gap portion (9a) and the back gap portion (9b). This is a multilayer film laminated structure in which a large number of insulating layers (11) (11) made of SiO ₂ or the like are formed. The upper magnetic layer (10) is made of the same material as the lower magnetic layer (9). Except for the front gap portion (10a), an insulating layer (such as SiO ₂₎ is formed at an interval n of twice or less the skin depth δ described above. 12) and (12) are multilayer film laminated structures formed in large numbers along the interlayer insulating layer (5).

次に、この第１実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。Next, a method of manufacturing the thin-film magnetic head of the first embodiment will be described.

先ず、第３図に示すように所定形状に切り出されたフ
ェライト、結晶化ガラス等の材料よりなる基板（１）を
用意する。First, as shown in FIG. 3, a substrate (1) made of a material such as ferrite or crystallized glass cut into a predetermined shape is prepared.

次に、第４図に示すように前記基板（１）の媒体摺接
面（1a）側の上面にセンダスト等の強磁性金属薄膜（1
3）を膜厚が前述の表皮深さδの２倍以下になるように
スパッタリング或いは蒸着により被着形成し、更に、そ
の上からフロントギャップ部（9a）及びバックギャップ
部（9b）以外の部分にSiO₂Al₂O₃等の膜厚0.05〜0.2mmの
絶縁層（11）をスパッタリング及びイオンビームエッチ
ングにより形成する。Next, as shown in FIG. 4, a ferromagnetic metal thin film (1) such as sendust is formed on the upper surface of the substrate (1) on the side of the medium sliding contact surface (1a).
3) is formed by sputtering or vapor deposition so that the film thickness is not more than twice the above-mentioned skin depth δ, and further, from thereover, portions other than the front gap portion (9a) and the back gap portion (9b). An insulating layer (11) of 0.05 to 0.2 mm in thickness such as SiO ₂ Al ₂ O _{3 is} formed by sputtering and ion beam etching.

そして、この絶縁層（11）の上面に前述の強磁性金属
薄膜（13）の形成及び絶縁層（11）の形成を繰り返すこ
とにより第５図に示すように強磁性金属薄膜（13）と絶
縁層（11）との多層膜積層構造の下部磁性層（９）を形
成する。次にこの下部磁性（９）のうち絶縁層（11）が
形成されていないフロントギャップ部（9a）の上面にSi
O₂等よりなる所定厚ｇのギャップスペーサ（３）を形成
し、バックギャップ部（9b）のまわりにCu等よりなる導
体コイル層（４）をフォトリソグラフィー技術を用いて
形成する。（4a）は前記導体コイル層（４）の引出し部
である。Then, the formation of the ferromagnetic metal thin film (13) and the formation of the insulating layer (11) on the upper surface of the insulating layer (11) are repeated to insulate the ferromagnetic metal thin film (13) as shown in FIG. A lower magnetic layer (9) having a multilayered structure with the layer (11) is formed. Next, of the lower magnetism (9), an Si layer is formed on the upper surface of the front gap portion (9a) where the insulating layer (11) is not formed.
A gap spacer (3) made of O ₂ or the like having a predetermined thickness g is formed, and a conductor coil layer (4) made of Cu or the like is formed around the back gap portion (9b) by using a photolithography technique. (4a) is a lead portion of the conductor coil layer (4).

次に、第６図に示すように前記下部磁性層（９）の上
面に前記導体コイル層（４）の巻回部（4b）を覆うよう
にSiO₂等よりなる層間絶縁層（５）を被着形成する。
尚、この時、前記ギャップスペーサ（３）上及バックギ
ャップ部（9b）上には前記層間絶縁層（５）は被着され
ない。Next, as shown in FIG. 6, an interlayer insulating layer (5) made of SiO ₂ or the like is formed on the upper surface of the lower magnetic layer (9) so as to cover the winding part (4b) of the conductor coil layer (4). To form a coating.
At this time, the interlayer insulating layer (5) is not deposited on the gap spacer (3) and the back gap (9b).

次に、第７図に示すように、前記ギャップスペーサ
（３）、層間絶縁層（５）、及びバックギャップ部（9
b）上に前述の下部磁性層（９）と同様にセンダスト等
の強磁性金属薄膜（14）を被着形成し、その上面のギャ
ップスペーサ（３）以外の部分にSiO₂、Al₂O₃等の絶縁
層（12）を被着形成する。そして、この動作を繰り返す
ことにより、第８図に示すような多層膜積層構造の上部
磁性層（10）を形成する。前記強磁性金属薄膜（14）の
膜厚は前述の表皮深さδの２倍以下である。Next, as shown in FIG. 7, the gap spacer (3), the interlayer insulating layer (5), and the back gap portion (9
b) A ferromagnetic metal thin film (14) such as sendust is deposited on the lower magnetic layer (9) in the same manner as the above-described lower magnetic layer (9), and SiO ₂ and Al ₂ O _{3 are} formed on the upper surface except for the gap spacer (3). An insulating layer (12) such as is deposited. Then, by repeating this operation, an upper magnetic layer (10) having a multilayer structure as shown in FIG. 8 is formed. The thickness of the ferromagnetic metal thin film (14) is not more than twice the skin depth δ described above.

そして最後に、前記上部磁性層（10）の上面にTi酸Ba
等のセラミック材料よりなる保護板（７）を低融点ガラ
ス（８）等により接合して、第１図に示す本実施例の薄
膜磁気ヘッドが完成する。Finally, the top surface of the upper magnetic layer (10) is coated with Ti acid Ba.
A protective plate (7) made of such a ceramic material as described above is joined with a low-melting glass (8) or the like to complete the thin-film magnetic head of this embodiment shown in FIG.

例えば、前記強磁性金属薄膜（13）（14）がセンダス
トよりなる場合、その比透磁率μｉは約1400、比抵抗ρ
は85×10^-2μΩ・ｍ程度であり、前述の（１）式より周
波数ｆ＝50MHzにおける表比深さδは となる。従って、本実施例において記録、再生信号の周
波数の上限が50MHzの場合、下部磁性層（９）及び上部
磁性層（10）の強磁性金属薄膜（13）（14）は ２δ＝２×1.75×10^-6（ｍ）＝3.5（μｍ） 以下の間隔で絶縁層（11）（12）により区切られる。
尚、この表比深さδと周波数ｆとの関係は第９図に示す
通りである。For example, when the ferromagnetic metal thin films (13) and (14) are made of sendust, the relative magnetic permeability μi is about 1400, and the specific resistance ρ
Is about 85 × 10 ^-2 μΩ · m. From the above-mentioned equation (1), the table specific depth δ at the frequency f = 50 MHz is Becomes Therefore, when the upper limit of the frequency of the recording / reproducing signal is 50 MHz in this embodiment, the ferromagnetic metal thin films (13) and (14) of the lower magnetic layer (9) and the upper magnetic layer (10) have 2δ = 2 × 1.75 × It is separated by the insulating layers (11) and (12) at an interval of 10 ⁻⁶ (m) = 3.5 (μm) or less.
The relationship between the table specific depth δ and the frequency f is as shown in FIG.

上述のような第１実施例の薄膜磁気ヘッドでは、導体
コイル層（４）を覆っている層間絶縁層（５）の周辺の
下部磁性層（９）及び上部磁性層（10）は強磁性金属薄
膜（13）（14）が導体コイル層（４）に流れる記録・再
生信号の上限周波数における表皮深さδの２倍以下の間
隔ｍ、ｎで絶縁層（11）（12）により区切られているの
で、渦電流による磁束の表皮効果は起こらず、透磁率μ
は劣化しない。しかも、前記絶縁層（11）（12）は前記
層間絶縁層（５）に沿って平行に形成されており、記録
・再生用の磁束は前記絶縁層（11）（12）を横切らな
い。また、前記下部磁性層（９）及び上部磁性層（10）
のフロントギャップ部（9a）（10a）は単層構造である
ので、絶縁層（11）（12）による擬似ギャップは発生し
ない。更に、前記下部磁性層（9a）のバックギャップ部
（9b）は単層構造であるので、記録・再生用の磁束は前
記絶縁用（11）を横切らない。In the thin-film magnetic head of the first embodiment as described above, the lower magnetic layer (9) and the upper magnetic layer (10) around the interlayer insulating layer (5) covering the conductor coil layer (4) are made of a ferromagnetic metal. The thin films (13) and (14) are separated by insulating layers (11) and (12) at intervals m and n which are not more than twice the skin depth δ at the upper limit frequency of the recording / reproducing signal flowing through the conductor coil layer (4). Therefore, the skin effect of the magnetic flux due to the eddy current does not occur and the permeability μ
Does not deteriorate. Moreover, the insulating layers (11) and (12) are formed in parallel along the interlayer insulating layer (5), and the magnetic flux for recording / reproducing does not cross the insulating layers (11) and (12). The lower magnetic layer (9) and the upper magnetic layer (10)
Since the front gap portions (9a) and (10a) have a single-layer structure, no pseudo gap occurs due to the insulating layers (11) and (12). Further, since the back gap portion (9b) of the lower magnetic layer (9a) has a single-layer structure, the magnetic flux for recording / reproducing does not cross the insulating (11).

次に、本発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドについて
詳細に説明する。Next, a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention will be described in detail.

第11図は第２実施例の薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を
示す図である。FIG. 11 is a view showing a medium sliding contact surface of the thin film magnetic head of the second embodiment.

図中、（15）は下部磁性層、（16）は上部磁性層であ
る。前記下部磁性層（15）は台形状の第１層（19a）と
反台形状の第２層（19b）とからなり、該第１層（19a）
と第２層（19b）との間には界面（分離層）（17）が形
成されている。また、上記上部磁性層（16）も前記下部
磁性層（15）と同様に台形状の第１層（20a）と反台形
状の第２層（20b）とからなり、該第１層（20a）と第２
層（20b）との間には界面（分離層）（18）が形成され
ている。In the figure, (15) is a lower magnetic layer, and (16) is an upper magnetic layer. The lower magnetic layer (15) includes a trapezoidal first layer (19a) and an anti-trapezoidal second layer (19b).
An interface (separation layer) (17) is formed between the first layer and the second layer (19b). The upper magnetic layer (16) also includes a trapezoidal first layer (20a) and an anti-trapezoidal second layer (20b), like the lower magnetic layer (15). ) And the second
An interface (separation layer) (18) is formed between the layer (20b).

次に、上記第２実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。Next, a method of manufacturing the thin-film magnetic head of the second embodiment will be described.

先ず第12図に示すようにフェライト、結晶化ガラス等
の材料よりなる基板（１）の上面にセンダスト等の強磁
性金属薄膜（19）をスパッタリング或いは蒸着等により
５〜10μｍ厚被着形成した後、該強磁性金属薄膜（19）
上に幅ａが第１実施例で示した表皮深さδの２倍よりも
少許小さいレジストマスク（21）を前記表皮深さδの２
倍の間隔ｂをあけて形成する。First, as shown in FIG. 12, a ferromagnetic metal thin film (19) such as sendust is formed on the upper surface of a substrate (1) made of a material such as ferrite or crystallized glass by sputtering or vapor deposition to a thickness of 5 to 10 μm. , The ferromagnetic metal thin film (19)
A resist mask (21) whose width a is slightly smaller than twice the skin depth δ shown in the first embodiment is formed on the resist mask (21).
It is formed with a double interval b.

次に、第13図に示すように前記強磁性金属薄膜（19）
にイオンビームエッチング等のドライエッチング、或い
はウェットエッチングを施すことにより強磁性金属材料
よりなる台形状の第１層（19a）を形成し、その上に強
磁性金属薄膜をリフトオフ法により被着して前記第１層
（19a）（19a）間及び前記レジストマスク（21）上に、
強磁性金属材料よりなる反台形状の第２層（19b）、第
３層（19c）を夫々形成する。この時、第１層（19a）と
第２層（19b）との間には界面（17）が形成される。Next, as shown in FIG. 13, the ferromagnetic metal thin film (19)
A trapezoidal first layer (19a) made of a ferromagnetic metal material is formed by performing dry etching such as ion beam etching or wet etching on the substrate, and a ferromagnetic metal thin film is deposited thereon by a lift-off method. Between the first layers (19a) and (19a) and on the resist mask (21),
An anti-trapezoidal second layer (19b) and a third layer (19c) made of a ferromagnetic metal material are respectively formed. At this time, an interface (17) is formed between the first layer (19a) and the second layer (19b).

次に、前記第３層（19c）及び前記レジストマスク（2
1）をはがして第14図に示すように第１層（19a）と第２
層（19b）とその間に形成された界面（17）とからなる
下部磁性層（15）を形成する。尚、この時、第１層（19
a）と第２層（19b）の横方向（トラック幅方向）の最も
大きい部分の厚みは前述の表皮深さの２倍にほぼ等し
い。Next, the third layer (19c) and the resist mask (2
1), peel off the first layer (19a) and the second layer as shown in FIG.
A lower magnetic layer (15) comprising a layer (19b) and an interface (17) formed therebetween is formed. At this time, the first layer (19
The thickness of the largest portion in the lateral direction (track width direction) of the first layer (a) and the second layer (19b) is almost equal to twice the above-mentioned skin depth.

次に、前記下部磁性層（15）の上面に鏡面研磨を施し
た後、該下部磁性層（15）の上面に第15図に示すように
SiO₂等のギャップスペーサ（３）及び導体コイル層（図
示せず）を被着形成する。Next, after the upper surface of the lower magnetic layer (15) is mirror-polished, as shown in FIG.
A gap spacer (3) such as SiO ₂ and a conductor coil layer (not shown) are deposited.

次に、第16図に示すように前記ギャップスペーサ
（３）の上面に第12図と同様にして10〜20μｍ厚の強磁
性金属薄膜（20）を被着形成した後、該強磁性金属薄膜
（20）の上面に幅ｃが表皮深さδの２倍よりも少許小さ
いレジストマスク（22）を表皮深さの２倍の間隔ｄをあ
けて形成する。Next, as shown in FIG. 16, a ferromagnetic metal thin film (20) having a thickness of 10 to 20 μm is formed on the upper surface of the gap spacer (3) in the same manner as in FIG. On the upper surface of (20), a resist mask (22) having a width c slightly smaller than twice the skin depth δ is formed at an interval d twice the skin depth.

次に、第17図に示すように前記強磁性金属薄膜（20）
に第13図と同様にしてエッチングを施すことにより強磁
性金属材料よりなる台形状の第１層（20a）を形成し、
その時に強磁性金属薄膜を被着して前記第１層（20a）
（20a）間と前記レジストマスク（22）上とた強磁性金
属材料よりなる反台形状の第２層（20b）、第３層（20
c）を夫々形成する。尚、この時も第１層（20a）と第２
層（20b）との間には界面が形成されている。Next, as shown in FIG. 17, the ferromagnetic metal thin film (20)
By performing etching in the same manner as in FIG. 13, a trapezoidal first layer (20a) made of a ferromagnetic metal material is formed.
At this time, a ferromagnetic metal thin film is applied to the first layer (20a).
(20a) The anti-trapezoidal second layer (20b) and the third layer (20) made of a ferromagnetic metal material between and on the resist mask (22).
c) is formed respectively. At this time, the first layer (20a) and the second layer
An interface is formed between the layer (20b).

そして最後に、前述と同様に前記第３層（20c）及び
前記レジストマスク（22）を除去して第１層（20a）と
第２層（20b）とその間に形成された界面（18）とから
なる上部磁性層（16）を形成し、該上部磁性層（16）上
にSiO₂等よりなる保護層（23）を形成し、その上に低融
点ガラス（８）により保護板（７）を接合して第11図に
示す第２実施例の薄膜磁気ヘッドが完成する。Finally, the third layer (20c) and the resist mask (22) are removed as described above to remove the first layer (20a), the second layer (20b), and the interface (18) formed therebetween. An upper magnetic layer (16) made of, a protective layer (23) made of SiO ₂ or the like is formed on the upper magnetic layer (16), and a protective plate (7) made of a low-melting glass (8) is formed thereon. To complete the thin-film magnetic head of the second embodiment shown in FIG.

上述のような第２実施例の薄膜磁気ヘッドでは、下部
磁性層（15）及び上記磁性層（16）がトラック幅方向に
おいて表皮深さの２倍の間隔で界面（17）（18）により
区切られているので、渦電流による磁束の表皮効果は起
こらず、透磁率μは劣化しない。しかも、前記界面（1
7）（18）はトラック幅方向に対して略直交しているの
で、前記界面（17）（18）が擬似ギャップとして働く虞
れは全くない。In the thin-film magnetic head of the second embodiment as described above, the lower magnetic layer (15) and the magnetic layer (16) are separated by the interfaces (17) and (18) at an interval of twice the skin depth in the track width direction. Therefore, the skin effect of the magnetic flux due to the eddy current does not occur, and the magnetic permeability μ does not deteriorate. Moreover, the interface (1
Since (7) and (18) are substantially perpendicular to the track width direction, there is no possibility that the interfaces (17) and (18) function as pseudo gaps.

また、前述の製造方法において、第１層（19a）（20
a）を形成した後、SiO₂等の絶縁層を形成し、その後第
２層（19b）（20b）及び第３層（19c）（20c）を形成す
ることにより、前記界面（17）（18）の部分にSiO₂等の
絶縁層（分離層）を形成してもよい。これによれば、第
１層（19a）（20a）と第２層（19b）（20b）とは確実に
非磁性材料によって分離されるので、渦電流による高周
波特性の劣化はより一層防止される。In the above-described manufacturing method, the first layer (19a) (20
After forming a), an insulating layer such as SiO ₂ is formed, and then the second layers (19b) and (20b) and the third layers (19c) and (20c) are formed. ) May be formed with an insulating layer (separation layer) such as SiO ₂ . According to this, since the first layers (19a) (20a) and the second layers (19b) (20b) are reliably separated by the non-magnetic material, deterioration of the high frequency characteristics due to eddy current is further prevented. .

また、上述の第２実施例の薄膜磁気ヘッドでは、下部
磁性層（15）及び上記磁性層（16）、第１層（19a）（2
0a）、第２層（19b）（20b）の横方向（トラック幅方
向）の最も大きい部分の厚みが表皮深さの２倍にほぼ等
しいが、それよりも小さくても渦電流を防止出来ること
は言い及ばない。また、前記界面（17）（18）はトラッ
ク幅方向と直交する方向に少許傾いているが、直交して
もよいことは当然である。In the thin-film magnetic head of the second embodiment, the lower magnetic layer (15), the magnetic layer (16), the first layer (19a) (2
0a) The thickness of the largest part in the lateral direction (track width direction) of the second layers (19b) and (20b) is almost equal to twice the skin depth, but it is possible to prevent eddy current even if it is smaller than that. Can not say. Further, the interfaces (17) and (18) are slightly inclined in a direction perpendicular to the track width direction, but may be perpendicular to the track width direction.

（ト） 発明の効果 本発明は依れば、高周波領域においても擬似ギャップ
による悪影響無しに下部磁性層及び上部磁性層の透磁率
μの低下を防止し、良好な記録再生を行うことが出来る
薄膜磁気ヘッドを提供し得る。(G) Effects of the Invention According to the present invention, a thin film capable of preventing a lowering of the magnetic permeability μ of the lower magnetic layer and the upper magnetic layer without adverse effects due to a pseudo gap even in a high frequency region and capable of performing good recording / reproducing. A magnetic head may be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図乃至第８図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第２図はそのａ
−ａ′断面図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７
図及び第８図は夫々薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図
である。第９図は表皮深さδと周波数ｆとの関係を示す
図である。第10図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部断面図
である。第11図乃至第17図は本発明の第２実施例に係
り、第11図は薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図、第
12図、第13図、第14図、第15図、第16図及び第17図は夫
々薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。 （１）……基板、（３）……ギャップスペーサ、（４）
……導体コイル層、（５）……層間絶縁層、（９）……
下部磁性層、（10）……上部磁性層、（9a）（10a）…
…フロントギャップ部、、（11）（12）……絶縁層、
（13）（14）……強磁性金属薄膜、（15）……下部磁性
層、（16）……上部磁性層、（19a）（20a）……第１
層、（19b）（20b）……第２層、（17）（18）……界面
（分離層）。1 to 8 relate to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a thin-film magnetic head, and FIG.
-A 'sectional view, FIG. 3, FIG. 4, FIG. 5, FIG. 6, FIG.
FIG. 8 and FIG. 8 are views showing a method of manufacturing a thin film magnetic head. FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the skin depth δ and the frequency f. FIG. 10 is a sectional view of a main part of a conventional thin film magnetic head. 11 to 17 relate to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a view showing a medium sliding contact surface of a thin film magnetic head.
FIG. 12, FIG. 13, FIG. 14, FIG. 15, FIG. 16, and FIG. 17 are views showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head. (1) ... substrate, (3) ... gap spacer, (4)
... conductor coil layer, (5) ... interlayer insulating layer, (9) ...
Lower magnetic layer, (10) ... Upper magnetic layer, (9a) (10a) ...
... front gap, (11) (12) ... insulating layer,
(13) (14) ... ferromagnetic metal thin film, (15) ... lower magnetic layer, (16) ... upper magnetic layer, (19a) (20a) ... first
Layer (19b) (20b)... Second layer, (17) (18)... Interface (separation layer).

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】基板上に下部磁性層を被着形成し、該下部
磁性層上に層間絶縁層により被覆された導体コイル層及
びギャップスペーサを被着形成し、前記層間絶縁層及び
前記ギャップスペーサ上に上部磁性層を被着形成した薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性層及び前記上部磁
性層を、トラック幅方向と略直交する方向に延在する分
離層によりトラック幅方向の厚みが前記導体コイル層を
流れる信号の上限周波数における表皮深さの２倍以下で
ある複数の層に分離したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。A lower magnetic layer formed on the substrate; a conductive coil layer and a gap spacer covered with an interlayer insulating layer formed on the lower magnetic layer; the interlayer insulating layer and the gap spacer; In a thin-film magnetic head having an upper magnetic layer adhered thereon, the lower magnetic layer and the upper magnetic layer are separated by a conductor layer having a thickness in the track width direction by a separation layer extending in a direction substantially perpendicular to the track width direction. A thin-film magnetic head, wherein the thin-film magnetic head is separated into a plurality of layers which are not more than twice the skin depth at the upper limit frequency of a signal flowing through the layers. 【請求項２】前記分離層が界面であることを特徴とする
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said separation layer is an interface. 【請求項３】前記分離層が絶縁層であることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said separation layer is an insulating layer.