JP2636761B2 - フィルムキャリアテープ - Google Patents
フィルムキャリアテープInfo
- Publication number
- JP2636761B2 JP2636761B2 JP6305275A JP30527594A JP2636761B2 JP 2636761 B2 JP2636761 B2 JP 2636761B2 JP 6305275 A JP6305275 A JP 6305275A JP 30527594 A JP30527594 A JP 30527594A JP 2636761 B2 JP2636761 B2 JP 2636761B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- carrier tape
- film carrier
- ilb
- corner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いるフ
ィルムキャリアテープに係わり、特にインナリード接続
工程におけるリード剥れを防止したフィルムキャリアテ
ープに関する。
ィルムキャリアテープに係わり、特にインナリード接続
工程におけるリード剥れを防止したフィルムキャリアテ
ープに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路チップ(以下、I
Cチップと称する)の高集積化、多機能化に伴って入出
力端子の多端子化が進んでおり、これらのICチップを
実装する場合はDIP(Dual In−line P
ackage)が標準的に用いられていたが、端子数、
実装方法、強度および価格等の制約から実装上困難な場
合があり、種々のパッケージまたは実装方法が開発され
てきた。その中の1つにフィルムキャリアテープがあ
り、このテープによるICチップ搭載の実装技術が実用
化されている。
Cチップと称する)の高集積化、多機能化に伴って入出
力端子の多端子化が進んでおり、これらのICチップを
実装する場合はDIP(Dual In−line P
ackage)が標準的に用いられていたが、端子数、
実装方法、強度および価格等の制約から実装上困難な場
合があり、種々のパッケージまたは実装方法が開発され
てきた。その中の1つにフィルムキャリアテープがあ
り、このテープによるICチップ搭載の実装技術が実用
化されている。
【0003】このフイルムキャリアテープによる実装
は、多端子、小型化、プリント基板装着時の自動化、チ
ップおよびリードのボンディング工程の自動化に適合し
たパッケージとして民生用機器の分野を中心に用いられ
てきた。すなわち、リードを形成したポリミイドフイル
ムにICチップを自動的にボンディングしてリードを接
着したものであり、これらのICチップはテープ上に多
数搭載された状態で実装される装置の自動実装機に装填
されて、プリント基板等に他の電子部品とともに実装さ
れるので、薄型化された機器の実装に適しているばかり
でなく、大量生産にも適している。
は、多端子、小型化、プリント基板装着時の自動化、チ
ップおよびリードのボンディング工程の自動化に適合し
たパッケージとして民生用機器の分野を中心に用いられ
てきた。すなわち、リードを形成したポリミイドフイル
ムにICチップを自動的にボンディングしてリードを接
着したものであり、これらのICチップはテープ上に多
数搭載された状態で実装される装置の自動実装機に装填
されて、プリント基板等に他の電子部品とともに実装さ
れるので、薄型化された機器の実装に適しているばかり
でなく、大量生産にも適している。
【0004】上述した従来のフィルムキャリアテープに
ついてさらに具体的に説明すると、従来のパッケージが
ICチップの電極とケースのリードとの接続が1点1点
のワイヤボンディング接続で行なわれていたため自動実
装に不向であったのに対し、フイルムキャリァテープの
場合は、これらの端子接続が高精度に一括ボンディング
により行なわれるので、自動化に適していることと、加
工精度の向上、組立工程の能率向上に寄与する。
ついてさらに具体的に説明すると、従来のパッケージが
ICチップの電極とケースのリードとの接続が1点1点
のワイヤボンディング接続で行なわれていたため自動実
装に不向であったのに対し、フイルムキャリァテープの
場合は、これらの端子接続が高精度に一括ボンディング
により行なわれるので、自動化に適していることと、加
工精度の向上、組立工程の能率向上に寄与する。
【0005】このフィルムキャリアテープは、ポリイミ
ド等の絶縁フィルムテープをベースフィルムとし、これ
に搬送および位置決め用のスプロケットホールとIC素
子が入るデバイスホールをそれぞれ開口し、かつこのベ
ースフィルム上にCu等の金属箔を接着し、かつこれを
ホトエッチングしてベースフィルム上に所望の形状のリ
ードフレームと電気的選別のためのパッドとを形成して
いる。そして、IC素子の電極端子上に形成してある金
属突起物(バンプ)を前記リードに熱圧着法等により一
括ボンディングすることによって接続する。このICチ
ップをベースフイルム上のリードフレーム内側(ICチ
ップ側)のインナリード部にボンディングする工程をイ
ンナリードボンディング(ILB)と称している。
ド等の絶縁フィルムテープをベースフィルムとし、これ
に搬送および位置決め用のスプロケットホールとIC素
子が入るデバイスホールをそれぞれ開口し、かつこのベ
ースフィルム上にCu等の金属箔を接着し、かつこれを
ホトエッチングしてベースフィルム上に所望の形状のリ
ードフレームと電気的選別のためのパッドとを形成して
いる。そして、IC素子の電極端子上に形成してある金
属突起物(バンプ)を前記リードに熱圧着法等により一
括ボンディングすることによって接続する。このICチ
ップをベースフイルム上のリードフレーム内側(ICチ
ップ側)のインナリード部にボンディングする工程をイ
ンナリードボンディング(ILB)と称している。
【0006】なお、搭載後は、フィルムキャリアテープ
の状態で選別用のパッドに外部から電気的接続を行って
ICチップの電気的特性選別およびバーインテスト(B
T試験)を実施する。次にリードを所望の長さに切断す
る。このときリードの数が多い多数ピンの場合は、リー
ドフレームの外側(外部回路に接続される側)のアウタ
リード部のばらけを防止するために、ベースフィルムを
アウタリードの外端に残す方法が用いられることが多
い。
の状態で選別用のパッドに外部から電気的接続を行って
ICチップの電気的特性選別およびバーインテスト(B
T試験)を実施する。次にリードを所望の長さに切断す
る。このときリードの数が多い多数ピンの場合は、リー
ドフレームの外側(外部回路に接続される側)のアウタ
リード部のばらけを防止するために、ベースフィルムを
アウタリードの外端に残す方法が用いられることが多
い。
【0007】上述したように形成されたフィルムキャリ
アテープによる半導体装置のアウタリード部は、プリン
ト基板または一般リードフレーム上のパッドにボンディ
ングするアウタリードボンディング(OLB)が行わ
れ、その実装が完成される。
アテープによる半導体装置のアウタリード部は、プリン
ト基板または一般リードフレーム上のパッドにボンディ
ングするアウタリードボンディング(OLB)が行わ
れ、その実装が完成される。
【0008】上述したフィルムキャリアテープによる実
装では、ILBおよびOLBはリードの数と無関係にそ
れぞれ一括ボンディングが可能であるためボンディング
スピードを速くでき、またボンディング等の組立と電気
的特性選別作業の自動化が図れ、かつ量産性が優れてい
る等の利点を有している。
装では、ILBおよびOLBはリードの数と無関係にそ
れぞれ一括ボンディングが可能であるためボンディング
スピードを速くでき、またボンディング等の組立と電気
的特性選別作業の自動化が図れ、かつ量産性が優れてい
る等の利点を有している。
【0009】前述したように、ICチップの高集積化、
多機能化に伴って入出力端子の多端子化が進んでおり、
例えば10〜15mm平方のICチップに約300〜6
00ピンの入出力端子を有するものもある。フィルムキ
ャリアテープにILBされたICチップは、OLBによ
ってプリント基板に実装されるが、約300〜600ピ
ンという多ピンのICチップになると、OLBの高精度
化が必要となりOLBが難しくなってくる。
多機能化に伴って入出力端子の多端子化が進んでおり、
例えば10〜15mm平方のICチップに約300〜6
00ピンの入出力端子を有するものもある。フィルムキ
ャリアテープにILBされたICチップは、OLBによ
ってプリント基板に実装されるが、約300〜600ピ
ンという多ピンのICチップになると、OLBの高精度
化が必要となりOLBが難しくなってくる。
【0010】そこでこのようなOLBの高精度化による
困難さを解決するための一例が特開平2−137345
号公報に記載されている。同公報記載のフィルムキャリ
アテープの平面図を示した図5(a)、同図の切断線B
−B′における断面図を示した図5(b)を参照する
と、このフィルムキャリアテープは、ベースフィルム1
と、このフィルム上に開口されICチップ8が配置され
る矩形状のデバイスホール2と、このフィルム上に金属
箔を接着してエッチングすることによって形成されたI
LBリード部12と、OLBリード部13と、このベー
スフィルムの送り出しおよび静止位置を決めるスプロケ
ットホール11とを含んで構成される。
困難さを解決するための一例が特開平2−137345
号公報に記載されている。同公報記載のフィルムキャリ
アテープの平面図を示した図5(a)、同図の切断線B
−B′における断面図を示した図5(b)を参照する
と、このフィルムキャリアテープは、ベースフィルム1
と、このフィルム上に開口されICチップ8が配置され
る矩形状のデバイスホール2と、このフィルム上に金属
箔を接着してエッチングすることによって形成されたI
LBリード部12と、OLBリード部13と、このベー
スフィルムの送り出しおよび静止位置を決めるスプロケ
ットホール11とを含んで構成される。
【0011】その各辺のリード群において、リード列の
両端に位置するリードのOLBリード部13は、その幅
が他のリード群のリード幅よりもその外側のリード辺が
広く形成されている。
両端に位置するリードのOLBリード部13は、その幅
が他のリード群のリード幅よりもその外側のリード辺が
広く形成されている。
【0012】この各辺の両端部のOLBリード部13の
幅を広くしたことにより、ボンディング時におけるリー
ドの変形を防止することが可能で、かつOLBの高精度
化が保たれ高密度のOLBが可能とされている。
幅を広くしたことにより、ボンディング時におけるリー
ドの変形を防止することが可能で、かつOLBの高精度
化が保たれ高密度のOLBが可能とされている。
【0013】しかしながら、多ピン化になると両端部の
リード以外のリード間ピッチも高精度が必要となる。そ
のため、ICチップ8が搭載されたフィルムキャリアテ
ープ1が実装基板16へ実装された状態の断面図を示し
た図5(c)を参照すると、基板への実装は、フィルム
キャリアテープ1に搭載されたICチップ8が基板16
の所定位置に接着剤17により固定され、OLBツール
14によりOLBリード部13がOLBパッド15に対
して熱圧着でOLBされる(ギャングボンディング
法)。このとき、OLBリード部13はリード群のうち
の両端部リードのみリード幅が他のリードより広いとツ
ールの圧力が不均一になるので、均一にOLBされにく
いという問題点があった。
リード以外のリード間ピッチも高精度が必要となる。そ
のため、ICチップ8が搭載されたフィルムキャリアテ
ープ1が実装基板16へ実装された状態の断面図を示し
た図5(c)を参照すると、基板への実装は、フィルム
キャリアテープ1に搭載されたICチップ8が基板16
の所定位置に接着剤17により固定され、OLBツール
14によりOLBリード部13がOLBパッド15に対
して熱圧着でOLBされる(ギャングボンディング
法)。このとき、OLBリード部13はリード群のうち
の両端部リードのみリード幅が他のリードより広いとツ
ールの圧力が不均一になるので、均一にOLBされにく
いという問題点があった。
【0014】そこで、この問題点に対処するための他の
従来例は、ILBリード部12とOLBリード部13の
間にサスペンダー5を有するフィルムキャリアテープの
平面図を示した図6(a)および同図の切断線C−C′
における断面図を示した図6(b)を参照すると、フィ
ルムキャリアテープは、デバイスホール2の外側にアウ
タリードホール(以下、OLBホールと称す)3が開口
され、このOLBホール3とデバイスホール2とに挟ま
れた領域をサスペンダ5とし、ILBリード部12とO
LBリード部13の間をこのサスペンダ5に接着するこ
とによって、リードのばらけを防止することも一般的に
行なわれている。
従来例は、ILBリード部12とOLBリード部13の
間にサスペンダー5を有するフィルムキャリアテープの
平面図を示した図6(a)および同図の切断線C−C′
における断面図を示した図6(b)を参照すると、フィ
ルムキャリアテープは、デバイスホール2の外側にアウ
タリードホール(以下、OLBホールと称す)3が開口
され、このOLBホール3とデバイスホール2とに挟ま
れた領域をサスペンダ5とし、ILBリード部12とO
LBリード部13の間をこのサスペンダ5に接着するこ
とによって、リードのばらけを防止することも一般的に
行なわれている。
【0015】上述したサスペンダー5を有する構造とな
っているために、ILBリード部12とOLBリード部
13はそれぞれ外部応力が加わっても変形しにくいた
め、リード幅は端部リードのみ広くする必要がなく、実
装基板へギャングボンディングによりOLBされても各
リード共に均一にOLBされるという特徴がある。
っているために、ILBリード部12とOLBリード部
13はそれぞれ外部応力が加わっても変形しにくいた
め、リード幅は端部リードのみ広くする必要がなく、実
装基板へギャングボンディングによりOLBされても各
リード共に均一にOLBされるという特徴がある。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述した他の従来例の
フィルムキャリアテープの場合は、ICチップ8の表面
電極側を配線パターン側に向けて配置してリード接続を
するフェイスダン方式でILBされており、そのICチ
ップが実装基板に実装された状態を示した図6(c)を
参照すると、ICチップ8は基板16に直接接着される
ことなくOLBリード13だけで基板に熱圧着して保持
され、ICチップ表面側と基板16の部品面とは所定の
空間を生じるようになっている。このような実装形態は
ICチップの特性および実装状態での放熱特性等を考慮
して使われる場合がある。
フィルムキャリアテープの場合は、ICチップ8の表面
電極側を配線パターン側に向けて配置してリード接続を
するフェイスダン方式でILBされており、そのICチ
ップが実装基板に実装された状態を示した図6(c)を
参照すると、ICチップ8は基板16に直接接着される
ことなくOLBリード13だけで基板に熱圧着して保持
され、ICチップ表面側と基板16の部品面とは所定の
空間を生じるようになっている。このような実装形態は
ICチップの特性および実装状態での放熱特性等を考慮
して使われる場合がある。
【0017】このILB形態を得るためのILB工程
は、その工程のうち、ILBツール9とボンディングス
テージ10の間にICチップ8とベースフィルム1をセ
ットした状態を示す図7(a)、ILBツール9により
熱圧着した状態の断面図を示す図7(b)、ICチップ
8がベースフィルム1にフェイスダウンで搭載された状
態の断面図を示した図7(c)を参照すると、ICチッ
プ8の表面とILBリード部12の下面とは距離d1
(約50〜150μm)を保つよう制御される。その理
由はILB後にICチップ8の表面エッヂとILBリー
ド部12との接触、いわゆるエッヂタッチによるショー
ト不良を防止するためである。
は、その工程のうち、ILBツール9とボンディングス
テージ10の間にICチップ8とベースフィルム1をセ
ットした状態を示す図7(a)、ILBツール9により
熱圧着した状態の断面図を示す図7(b)、ICチップ
8がベースフィルム1にフェイスダウンで搭載された状
態の断面図を示した図7(c)を参照すると、ICチッ
プ8の表面とILBリード部12の下面とは距離d1
(約50〜150μm)を保つよう制御される。その理
由はILB後にICチップ8の表面エッヂとILBリー
ド部12との接触、いわゆるエッヂタッチによるショー
ト不良を防止するためである。
【0018】この状態で図7(b)に示すようにILB
ツール9が下降し、熱(約450〜530℃)と圧力を
加えることにより、熱圧着によってICチップ8の表面
上の電極にILBリード部12の接続、つまりILB実
装工程が完了する。
ツール9が下降し、熱(約450〜530℃)と圧力を
加えることにより、熱圧着によってICチップ8の表面
上の電極にILBリード部12の接続、つまりILB実
装工程が完了する。
【0019】このとき図7(b)に示すように、ILB
リード部12を下方へ引っぱる応力F2と、サスペンダ
ー5を上方へ引っぱる応力F1が発生する。応力F2は
ILBツール9が下方へ下降してILBリード部12を
下方へ押し下げる力であり、応力F1はILBツール9
の熱によりサスペンダー5が膨張し上方へ伸びる力であ
る。
リード部12を下方へ引っぱる応力F2と、サスペンダ
ー5を上方へ引っぱる応力F1が発生する。応力F2は
ILBツール9が下方へ下降してILBリード部12を
下方へ押し下げる力であり、応力F1はILBツール9
の熱によりサスペンダー5が膨張し上方へ伸びる力であ
る。
【0020】これらの応力F1,F2の発生により、図
7(c)に示すようにILB完了後、ILBリード部1
2がサスペンダ5から剥離することがある。これは多ピ
ンになりILBリード幅が狭くなるに従って増加し、特
にILBリードピッチが100μm以下になると著しく
発生しやすくなる。
7(c)に示すようにILB完了後、ILBリード部1
2がサスペンダ5から剥離することがある。これは多ピ
ンになりILBリード幅が狭くなるに従って増加し、特
にILBリードピッチが100μm以下になると著しく
発生しやすくなる。
【0021】この現象が発生すると、サスペンダー5に
よるリードのばらけを防止する意味が無くなり、図5に
示した従来例と同様にOLB作業が困難になるという問
題点があり、量産性も劣っていた。
よるリードのばらけを防止する意味が無くなり、図5に
示した従来例と同様にOLB作業が困難になるという問
題点があり、量産性も劣っていた。
【0022】本発明の目的は、上述した問題点に鑑みな
されたものであり、搭載するICチップにILBリード
部をボンディング接続する工程で、ILB用リード部が
サスペンダから剥離することを防止することによって、
実装作業性がよく、量産性に優れた信頼性の高い多ピン
用のフィルムキャリアテープを提供することにある。
されたものであり、搭載するICチップにILBリード
部をボンディング接続する工程で、ILB用リード部が
サスペンダから剥離することを防止することによって、
実装作業性がよく、量産性に優れた信頼性の高い多ピン
用のフィルムキャリアテープを提供することにある。
【0023】
【作用】上述した目的を達成するために、本発明によれ
ば、フィルムキャリアテープのサスペンダー部上の範囲
内またはアウタリードホール外周部の絶縁フィルム上の
所定の第2の範囲内であって、少なくとも各コーナー部
両端に位置するリードの幅が他のリードの幅よりも広く
形成されることにより、これら幅の広い補強パターンと
サスペンダまたはアウタリードホール外周部の絶縁性フ
イルム上にさらに補強して接着されるようにした。
ば、フィルムキャリアテープのサスペンダー部上の範囲
内またはアウタリードホール外周部の絶縁フィルム上の
所定の第2の範囲内であって、少なくとも各コーナー部
両端に位置するリードの幅が他のリードの幅よりも広く
形成されることにより、これら幅の広い補強パターンと
サスペンダまたはアウタリードホール外周部の絶縁性フ
イルム上にさらに補強して接着されるようにした。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アテープの特徴は、テープ状の絶縁フィルムからなり、
この絶縁フィルムの送り出しおよび静止位置を決めるス
プロケットホールと、半導体チップが配置される矩形状
のデバイスホールと、このホールの各々の縁端部と平行
に所定の大きさで開口されたアウタリードホールと、前
記絶縁フィルム上に金属箔を接着してエッチングするこ
とによって形成された所定の形状のリード群と、前記ア
ウタリードホールおよび前記デバイスホールに挟まれた
領域であり、前記リード群を支持するサスペンダとを含
むフィルムキャリアテープであって、前記リード群が等
間隔に配置され、かつ各コーナーを挟む両端の前記リー
ド群が、前記サスペンダ上の第1の範囲内と前記アウタ
リードホール外周部の前記絶縁フィルム上の所定の第2
の範囲内との少なくとも一方で他の前記リード群よりも
所定の大きさだけ幅広く形成され、各コーナー近傍の両
辺の複数の前記リード群が、前記第1の範囲内または前
記第2の範囲内のいずれか一方でそれぞれの前記範囲内
の他の前記リード群よりも所定の大きさだけ幅広く形成
されるフィルムキャリアテープにおいて、幅広く形成さ
れる前記各コーナー近傍の両辺の複数の前記リード群の
ピッチは、前記コーナー側に最も近い両端のリードから
順次に狭くなり、かつそれぞれのピッチに対応して前記
幅広の部分が形成されることにある。
アテープの特徴は、テープ状の絶縁フィルムからなり、
この絶縁フィルムの送り出しおよび静止位置を決めるス
プロケットホールと、半導体チップが配置される矩形状
のデバイスホールと、このホールの各々の縁端部と平行
に所定の大きさで開口されたアウタリードホールと、前
記絶縁フィルム上に金属箔を接着してエッチングするこ
とによって形成された所定の形状のリード群と、前記ア
ウタリードホールおよび前記デバイスホールに挟まれた
領域であり、前記リード群を支持するサスペンダとを含
むフィルムキャリアテープであって、前記リード群が等
間隔に配置され、かつ各コーナーを挟む両端の前記リー
ド群が、前記サスペンダ上の第1の範囲内と前記アウタ
リードホール外周部の前記絶縁フィルム上の所定の第2
の範囲内との少なくとも一方で他の前記リード群よりも
所定の大きさだけ幅広く形成され、各コーナー近傍の両
辺の複数の前記リード群が、前記第1の範囲内または前
記第2の範囲内のいずれか一方でそれぞれの前記範囲内
の他の前記リード群よりも所定の大きさだけ幅広く形成
されるフィルムキャリアテープにおいて、幅広く形成さ
れる前記各コーナー近傍の両辺の複数の前記リード群の
ピッチは、前記コーナー側に最も近い両端のリードから
順次に狭くなり、かつそれぞれのピッチに対応して前記
幅広の部分が形成されることにある。
【0025】また、前記第1または前記第2の範囲内の
いずれか一方の前記幅広く形成される複数のリードのう
ち、前記コーナーを挟む両端のリードのみ前記幅広くし
た部分を前記サスペンダに沿って前記コーナー方向に互
に延長し電気的に接続するように形成される。
いずれか一方の前記幅広く形成される複数のリードのう
ち、前記コーナーを挟む両端のリードのみ前記幅広くし
た部分を前記サスペンダに沿って前記コーナー方向に互
に延長し電気的に接続するように形成される。
【0026】さらに、前記第1の範囲内および前記第2
の範囲内の両方の前記幅広く形成される複数のリードの
うち、前記コーナーを挟む両端のリードのみそれぞれ前
記幅広くした部分を前記アウタリードホールに沿って前
記コーナー方向に互に延長し電気的に接続するように形
成されてもよい。
の範囲内の両方の前記幅広く形成される複数のリードの
うち、前記コーナーを挟む両端のリードのみそれぞれ前
記幅広くした部分を前記アウタリードホールに沿って前
記コーナー方向に互に延長し電気的に接続するように形
成されてもよい。
【0027】
【0028】
【0029】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【0030】図1(a)は、本発明の第1の実施例の要
部を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)の切断
線A−A′における断面図である。なお、これらの平面
図および断面図は説明を容易にするため1つのコーナー
部分を拡大して示したものであり、その他の部分は容易
に類推できるからここでは省略してある。
部を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)の切断
線A−A′における断面図である。なお、これらの平面
図および断面図は説明を容易にするため1つのコーナー
部分を拡大して示したものであり、その他の部分は容易
に類推できるからここでは省略してある。
【0031】図1(a)および同図(b)を参照する
と、このフィルムキャリアテープは、ベースフィルム1
と、ICチップが配置される矩形状のデバイスホール2
と、このホール2の各々の縁端部と平行に所定の大きさ
で開口されたOLBホール3と、ベースフィルム1上に
金属箔を接着してエッチングすることによって等ピッチ
で形成された所定の幅のILBリード部4a(4a1〜4
a6〜)および4a′、OLBリード部4b (4b1〜4b6
〜)および4b′とからなるリード群4と、OLBホー
ル3およびデバイスホール2に挟まれた領域であってI
LBリード4を支持するサスペンダ5と、このテープの
送り出しおよび静止位置を決めるスプロケットホール
(図示せず)とからなる。
と、このフィルムキャリアテープは、ベースフィルム1
と、ICチップが配置される矩形状のデバイスホール2
と、このホール2の各々の縁端部と平行に所定の大きさ
で開口されたOLBホール3と、ベースフィルム1上に
金属箔を接着してエッチングすることによって等ピッチ
で形成された所定の幅のILBリード部4a(4a1〜4
a6〜)および4a′、OLBリード部4b (4b1〜4b6
〜)および4b′とからなるリード群4と、OLBホー
ル3およびデバイスホール2に挟まれた領域であってI
LBリード4を支持するサスペンダ5と、このテープの
送り出しおよび静止位置を決めるスプロケットホール
(図示せず)とからなる。
【0032】リード群4のうち、コーナー部を挟む端部
に形成されたILBリード部4a1および4a1′は、サス
ペンダ5の上に位置する部分にのみ補強パターン6が設
けられ、同様にOLBホール3の外縁部のベースフィル
ム1の上に位置する4b1′部分にのみ補強パターン7
(点線で図示)が設けられ、それぞれサスペンダ5およ
びベースフィルム1に接着されてリード群4がICチッ
プ8に接着される工程時または工程後に剥離しないよう
に補強する。
に形成されたILBリード部4a1および4a1′は、サス
ペンダ5の上に位置する部分にのみ補強パターン6が設
けられ、同様にOLBホール3の外縁部のベースフィル
ム1の上に位置する4b1′部分にのみ補強パターン7
(点線で図示)が設けられ、それぞれサスペンダ5およ
びベースフィルム1に接着されてリード群4がICチッ
プ8に接着される工程時または工程後に剥離しないよう
に補強する。
【0033】ここで、ILBリード部4のILBリード
ピッチP1、ILBリード幅W、サスペンダ5のサスペ
ンダ幅L1、補強パターン6のリードに平行方向の幅L
2、リードに垂角方向の長さL3、補強パターン7のリ
ードに平行方向の幅L4、リードに垂角方向の長さL5
とするとき、 P1>W,L2≦L1,L2≦L3,L3>W,L4≧
L5>W の関係式が成立するように形成される。
ピッチP1、ILBリード幅W、サスペンダ5のサスペ
ンダ幅L1、補強パターン6のリードに平行方向の幅L
2、リードに垂角方向の長さL3、補強パターン7のリ
ードに平行方向の幅L4、リードに垂角方向の長さL5
とするとき、 P1>W,L2≦L1,L2≦L3,L3>W,L4≧
L5>W の関係式が成立するように形成される。
【0034】上述した構造のフィルムキャリアテープ
は、公知技術である通常の3レイヤー1メタル構成によ
るテープの製造方法でも、2レンヤー1メタル,2レイ
ヤー2メタル構成のテープの製造方法でも製造すること
ができる。
は、公知技術である通常の3レイヤー1メタル構成によ
るテープの製造方法でも、2レンヤー1メタル,2レイ
ヤー2メタル構成のテープの製造方法でも製造すること
ができる。
【0035】ここで、例えば、ILBリードピッチP1
が140μmのとき、ILBリード幅Wは70μm、サ
スペンダー幅L1は0.5mm、補強パターン6の幅お
よび長さL2およびL3は共に0.35mm、補強パタ
ーン7の幅および長さL5およびL4は共に0.5mm
で形成される。
が140μmのとき、ILBリード幅Wは70μm、サ
スペンダー幅L1は0.5mm、補強パターン6の幅お
よび長さL2およびL3は共に0.35mm、補強パタ
ーン7の幅および長さL5およびL4は共に0.5mm
で形成される。
【0036】このフィルムキャリアテープを用いてIL
Bする工程は、その工程のうち、ILBツール9とボン
ディングステージ10の間にICチップ8とベースフィ
ルム1をセットした状態を示す図2(a)、ILBツー
ル9により熱圧着した状態の断面図を示す図2(b)、
ICチップ8がベースフィルム1にフェイスダウンで搭
載された状態の断面図を示した図2(c)を参照する
と、前述した図7(a),(b)と同様に、ツール9が
下降し、熱(約450〜530℃)と圧力を加えること
により、熱圧着によってICチップ8の表面上の電極に
ILB用リード部4の接続、つまりILB実装工程が完
了する。
Bする工程は、その工程のうち、ILBツール9とボン
ディングステージ10の間にICチップ8とベースフィ
ルム1をセットした状態を示す図2(a)、ILBツー
ル9により熱圧着した状態の断面図を示す図2(b)、
ICチップ8がベースフィルム1にフェイスダウンで搭
載された状態の断面図を示した図2(c)を参照する
と、前述した図7(a),(b)と同様に、ツール9が
下降し、熱(約450〜530℃)と圧力を加えること
により、熱圧着によってICチップ8の表面上の電極に
ILB用リード部4の接続、つまりILB実装工程が完
了する。
【0037】このとき、ILBリード部4aを下方へ引
張る応力F22と、サスペンダー5を上方へ引張る応力
F11が発生するが、サスペンダ5上に補強パターン6
があるためにILBリード部4aとサスペンダ5とが剥
離することはない。
張る応力F22と、サスペンダー5を上方へ引張る応力
F11が発生するが、サスペンダ5上に補強パターン6
があるためにILBリード部4aとサスペンダ5とが剥
離することはない。
【0038】これにより300〜600ピンという多ピ
ンのフィルムキャリアテープの実装、つまりOLB作業
は従来のOLBボンダーを使用して安定して実施するこ
とが可能となる。
ンのフィルムキャリアテープの実装、つまりOLB作業
は従来のOLBボンダーを使用して安定して実施するこ
とが可能となる。
【0039】なお補強パターンは補強パターン6のみで
も十分効果があるが、補強パターン7を追加して形成し
ておけばOLBリードのトータルピッチも安定し、より
量産性を向上できる。
も十分効果があるが、補強パターン7を追加して形成し
ておけばOLBリードのトータルピッチも安定し、より
量産性を向上できる。
【0040】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。第2の実施例を平面図で示した図3を参照する
と、第1の実施例との相違点は、コーナー部を挟んで位
置し、サスペンダ5上にあるコーナー部に最も近いIL
Bリード4a1および4a1′の補強パターン6とをそれぞ
れサスペンダ4に沿ってコーナー部方向に互に延長し接
続したことである。
する。第2の実施例を平面図で示した図3を参照する
と、第1の実施例との相違点は、コーナー部を挟んで位
置し、サスペンダ5上にあるコーナー部に最も近いIL
Bリード4a1および4a1′の補強パターン6とをそれぞ
れサスペンダ4に沿ってコーナー部方向に互に延長し接
続したことである。
【0041】各コーナー部のILBリード部も同様に接
続してある。その他の構成要素は第1の実施例と同一で
あるので、同一構成要素には同一の符号を付してその説
明は省略する。
続してある。その他の構成要素は第1の実施例と同一で
あるので、同一構成要素には同一の符号を付してその説
明は省略する。
【0042】このフィルムキャリアテープは、例えばサ
スペンダ5のサスペンダ幅L1、補強パターン6のリー
ド幅L2、補強パターン7のリードに平行方向の幅L
4、リードに垂角方向の長さL5とするとき、W<L2
≦L1の関係式が成立するように形成し、かつ、上述し
たように補強パターン6が近接するILBリードの対向
リード部まで接続されるように形成される。
スペンダ5のサスペンダ幅L1、補強パターン6のリー
ド幅L2、補強パターン7のリードに平行方向の幅L
4、リードに垂角方向の長さL5とするとき、W<L2
≦L1の関係式が成立するように形成し、かつ、上述し
たように補強パターン6が近接するILBリードの対向
リード部まで接続されるように形成される。
【0043】つまり、コーナー部を挟んで対向するそれ
ぞれのILBリード4a1は補強パターン6により連結さ
れる。この連結された補強パターン6が、サスペンダ5
上の各コーナ部に形成されることにより、ILBリード
部4とサスペンダ5との接着力が補強されるので、IL
B工程時に加えられる熱および圧力による、サスペンダ
5とILBリード4aの剥離が防止できる。
ぞれのILBリード4a1は補強パターン6により連結さ
れる。この連結された補強パターン6が、サスペンダ5
上の各コーナ部に形成されることにより、ILBリード
部4とサスペンダ5との接着力が補強されるので、IL
B工程時に加えられる熱および圧力による、サスペンダ
5とILBリード4aの剥離が防止できる。
【0044】また各コーナー部のILBリード4a1が、
例えば接地電位あるいは電源電位に接続されて接地線あ
るいは電源線として用いる場合は、ILBリード4a1の
電気的特性、つまり、インダクタンスL,容量C,抵抗
Rも低減できるフィルムキャリアテープとすることがで
きる。
例えば接地電位あるいは電源電位に接続されて接地線あ
るいは電源線として用いる場合は、ILBリード4a1の
電気的特性、つまり、インダクタンスL,容量C,抵抗
Rも低減できるフィルムキャリアテープとすることがで
きる。
【0045】なお、コーナー部を挟んで位置し、フィル
ムベース1上にあるコーナー部に最も近いOLBリード
4b1の補強パターン7をそれぞれOLBホール3に沿っ
て互に延長し接続しても同様の効果を得ることができ
る。
ムベース1上にあるコーナー部に最も近いOLBリード
4b1の補強パターン7をそれぞれOLBホール3に沿っ
て互に延長し接続しても同様の効果を得ることができ
る。
【0046】これら補強パターン6および7の各連結
は、どちらか一方でもよいが、両方を実施すればさらに
補強を強化することができる。
は、どちらか一方でもよいが、両方を実施すればさらに
補強を強化することができる。
【0047】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。第3の実施例を平面図で示した図4を参照する
と、第1の実施例との相違点は、補強パターン6および
7を各コーナーに最も近いILBリード部4a1のみに設
けるのではなく、例えば各コーナーから3番目までのそ
れぞれのコーナー部に近い複数本のILBリードにも形
成したことである。すなわち、各コーナー部のILBリ
ード部4a1,4a2,4a3、4a1′,4a2′,4a3′は、
サスペンダ5の上に位置する部分にのみ補強パターン6
a,6b,6c,6a′,6b′,6c′が設けられ、
同様にOLBホール3の外縁部のベースフィルム1の上
に位置する部分にのみ補強パターン7a,7b,7c,
7a′,7b′,7c′が設けられ(点線で図示)、そ
れぞれサスペンダ5およびベースフィルム1に接着され
てリード群4がICチップ8に熱圧着される工程時また
は工程後に剥離しないように補強する。
する。第3の実施例を平面図で示した図4を参照する
と、第1の実施例との相違点は、補強パターン6および
7を各コーナーに最も近いILBリード部4a1のみに設
けるのではなく、例えば各コーナーから3番目までのそ
れぞれのコーナー部に近い複数本のILBリードにも形
成したことである。すなわち、各コーナー部のILBリ
ード部4a1,4a2,4a3、4a1′,4a2′,4a3′は、
サスペンダ5の上に位置する部分にのみ補強パターン6
a,6b,6c,6a′,6b′,6c′が設けられ、
同様にOLBホール3の外縁部のベースフィルム1の上
に位置する部分にのみ補強パターン7a,7b,7c,
7a′,7b′,7c′が設けられ(点線で図示)、そ
れぞれサスペンダ5およびベースフィルム1に接着され
てリード群4がICチップ8に熱圧着される工程時また
は工程後に剥離しないように補強する。
【0048】その他の構成要素は第1の実施例と同一で
あるので、同一構成要素には同一の符号を付してその説
明は省略する。
あるので、同一構成要素には同一の符号を付してその説
明は省略する。
【0049】このフィルムキャリアテープは、例えば、
ILBリード部4aのILBリード部4a5および4a4間
のリードピッチP1、4a4および4a3間のリードピッチ
P2、4a3および4a2間のリードピッチP2、4a2およ
び4a1間のリードピッチP3、ILBリード幅W、サス
ペンダ5のサスペンダ幅L1、補強パターン6a,6
b,6cのリードに平行方向の幅L2、リードに垂角方
向の長さL3、補強パターン7a,7b,7cのリード
に平行方向の幅L4、リードに垂角方向の長さL5とす
るとき、 L1>L3>L6>L7,L3≧L2,P3>P2>P
1>W の関係式が成立するように形成される。
ILBリード部4aのILBリード部4a5および4a4間
のリードピッチP1、4a4および4a3間のリードピッチ
P2、4a3および4a2間のリードピッチP2、4a2およ
び4a1間のリードピッチP3、ILBリード幅W、サス
ペンダ5のサスペンダ幅L1、補強パターン6a,6
b,6cのリードに平行方向の幅L2、リードに垂角方
向の長さL3、補強パターン7a,7b,7cのリード
に平行方向の幅L4、リードに垂角方向の長さL5とす
るとき、 L1>L3>L6>L7,L3≧L2,P3>P2>P
1>W の関係式が成立するように形成される。
【0050】上述した構造のフィルムキャリアテープ
は、第1の実施例と同様に、通常の3レイヤー1メタル
構成によるテープの製造方法でも、2レンヤー1メタ
ル,2レイヤー2メタル構成のテープの製造方法でも製
造することができる。
は、第1の実施例と同様に、通常の3レイヤー1メタル
構成によるテープの製造方法でも、2レンヤー1メタ
ル,2レイヤー2メタル構成のテープの製造方法でも製
造することができる。
【0051】ここでも、例えば、ILBリードピッチP
1が140μmのとき、ILBリード幅Wは70μm、
サスペンダー幅L1は0.5mm、補強パターン6の幅
および長さL2およびL3は共に0.35mm、長さL
6は0.13mm、長さL7は0.06mm、および補
強パターン7の幅L5は0.50mm、長さL4は0.
50mm、長さL6は0.13mm、長さL7は0.0
6mmで形成される。
1が140μmのとき、ILBリード幅Wは70μm、
サスペンダー幅L1は0.5mm、補強パターン6の幅
および長さL2およびL3は共に0.35mm、長さL
6は0.13mm、長さL7は0.06mm、および補
強パターン7の幅L5は0.50mm、長さL4は0.
50mm、長さL6は0.13mm、長さL7は0.0
6mmで形成される。
【0052】この場合もILB実装工程においては、I
LBリード4を下方へ引張る応力F22と、サスペンダ
ー5を上方へ引張る応力F11が発生するが、サスペン
ダ5上に補強パターン6a,6b,6cおよび補強パタ
ーン7a,7b,7cがあるためにILBリード部4a
とOLBリード部4bとサスペンダ5とがさらに強力に
接着され剥離することはなく、OLB作業は従来のOL
Bボンダーを使用して安定して実施することが可能とな
る。
LBリード4を下方へ引張る応力F22と、サスペンダ
ー5を上方へ引張る応力F11が発生するが、サスペン
ダ5上に補強パターン6a,6b,6cおよび補強パタ
ーン7a,7b,7cがあるためにILBリード部4a
とOLBリード部4bとサスペンダ5とがさらに強力に
接着され剥離することはなく、OLB作業は従来のOL
Bボンダーを使用して安定して実施することが可能とな
る。
【0053】なお補強パターンは補強パターン6a,6
b,6c,6a′,6b′,6c′のみでも十分効果が
あるが、補強パターン7a,7b,7c,7a′,7
b′,7c′を追加して形成しておけばOLBリードの
トータルピッチもさらに安定し、より量産性を向上させ
ることができる。
b,6c,6a′,6b′,6c′のみでも十分効果が
あるが、補強パターン7a,7b,7c,7a′,7
b′,7c′を追加して形成しておけばOLBリードの
トータルピッチもさらに安定し、より量産性を向上させ
ることができる。
【0054】また、上述の説明ではこれらの補強パター
ンは、その長さをL1>L3>L6>L7,L3≧L
2,P3>P2>P1>Wの式を満足するように設定し
たが、L1>L3=L6=L7,P3=P2=P1でも
よいことは自明であり、この場合も当然接着力が向上す
る。
ンは、その長さをL1>L3>L6>L7,L3≧L
2,P3>P2>P1>Wの式を満足するように設定し
たが、L1>L3=L6=L7,P3=P2=P1でも
よいことは自明であり、この場合も当然接着力が向上す
る。
【0055】さらにまた、補強パターンはリード群4の
うちのそれぞれ3本のに設けた例で説明したが、必要に
応じて増減してもよいことは明らかであるが、実用上は
最も応力のかかるコーナー部の3本に設けてあれば十分
である。
うちのそれぞれ3本のに設けた例で説明したが、必要に
応じて増減してもよいことは明らかであるが、実用上は
最も応力のかかるコーナー部の3本に設けてあれば十分
である。
【0056】本実施例によればILB時の温度がより高
温状態になっても、従来のようなILBによりサスペン
ダ5からILBリード部が剥離してOLB工程が不可能
になる不具合を防止することができる。
温状態になっても、従来のようなILBによりサスペン
ダ5からILBリード部が剥離してOLB工程が不可能
になる不具合を防止することができる。
【0057】上述した複数の実施例の説明では、これら
の実施例がベースフィルム上の各コーナー部で適用され
た例を述べたが、これに限定されるものではなく、対向
する2個所のコーナー部ごとに実施してもよいことは明
白である。
の実施例がベースフィルム上の各コーナー部で適用され
た例を述べたが、これに限定されるものではなく、対向
する2個所のコーナー部ごとに実施してもよいことは明
白である。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリアテープは、サスペンダー部上のベースフィルム
のコーナー部を挟む両端部に形成されたILBリード部
が、サスペンダの上に位置する部分にのみ補強パターン
が設けられ、同様にOLBホールの外縁部のベースフィ
ルムの上に位置する部分にのみ補強パターンが設けら
れ、それぞれサスペンダおよびベースフィルムに接着さ
れたリード群がICチップに接着される工程時または工
程後に剥離しないように補強すべく形成されたものであ
るので、以下の効果を有する。
キャリアテープは、サスペンダー部上のベースフィルム
のコーナー部を挟む両端部に形成されたILBリード部
が、サスペンダの上に位置する部分にのみ補強パターン
が設けられ、同様にOLBホールの外縁部のベースフィ
ルムの上に位置する部分にのみ補強パターンが設けら
れ、それぞれサスペンダおよびベースフィルムに接着さ
れたリード群がICチップに接着される工程時または工
程後に剥離しないように補強すべく形成されたものであ
るので、以下の効果を有する。
【0059】(1)ILB工程の実施中にILB時の温
度がより高温状態になっても、従来のようなILBによ
りサスペンダからILBリードが剥離してOLB工程が
不可能になる不具合を防止することができる。
度がより高温状態になっても、従来のようなILBによ
りサスペンダからILBリードが剥離してOLB工程が
不可能になる不具合を防止することができる。
【0060】(2)多ピンのフィルムキャリアテープの
OLB作業は従来のOLBボンダーを使用して安定して
実施することが可能となり、OLBリードのトータルピ
ッチも安定し、より量産性を向上できる。
OLB作業は従来のOLBボンダーを使用して安定して
実施することが可能となり、OLBリードのトータルピ
ッチも安定し、より量産性を向上できる。
【図1】(a)第1の実施例の要部を示す平面図であ
る。 (b)図1(a)の切断線A−A′における断面図であ
る。
る。 (b)図1(a)の切断線A−A′における断面図であ
る。
【図2】(a)ILBツール9とボンディングステージ
10の間にICチップ8とベースフィルム1をセットし
た状態を示すILB工程の図である。 (b)ILBツール9により熱圧着した状態の断面図を
示すILB工程の図である。 (c)ICチップ8がベースフィルム1にフェイスダウ
ンで搭載された状態の断面図を示したILB工程の図で
ある。
10の間にICチップ8とベースフィルム1をセットし
た状態を示すILB工程の図である。 (b)ILBツール9により熱圧着した状態の断面図を
示すILB工程の図である。 (c)ICチップ8がベースフィルム1にフェイスダウ
ンで搭載された状態の断面図を示したILB工程の図で
ある。
【図3】第2の実施例の要部を示す平面図である。
【図4】第3の実施例の要部を示す平面図である。
【図5】(a)従来のフィルムキャリアテープを示した
平面図である。 (b)図5(a)の切断線B−B′における断面図であ
る。 (c)ICチップ8が搭載されたフィルムキャリアテー
プ1が実装基板16へ実装された状態の断面図である。
平面図である。 (b)図5(a)の切断線B−B′における断面図であ
る。 (c)ICチップ8が搭載されたフィルムキャリアテー
プ1が実装基板16へ実装された状態の断面図である。
【図6】(a)ILBリード12とOLBリード13の
間にサスペンダー5を有するフィルムキャリアテープの
平面図である。 (b)図6(a)同図の切断線C−C′における断面図
である。 (c)ICチップが実装基板に実装された状態を示した
平面図である。
間にサスペンダー5を有するフィルムキャリアテープの
平面図である。 (b)図6(a)同図の切断線C−C′における断面図
である。 (c)ICチップが実装基板に実装された状態を示した
平面図である。
【図7】(a)従来例におけるILBツール9とボンデ
ィングステージ10の間にICチップ8とベースフィル
ム1をセットした状態を示すILB工程の図である。 (b)従来例におけるILBツール9により熱圧着した
状態の断面図を示すILB工程の図である。 (c)従来例におけるICチップ8がベースフィルム1
にフェイスダウンで搭載されILBリード部が剥離した
状態の断面図を示したILB工程の図である。
ィングステージ10の間にICチップ8とベースフィル
ム1をセットした状態を示すILB工程の図である。 (b)従来例におけるILBツール9により熱圧着した
状態の断面図を示すILB工程の図である。 (c)従来例におけるICチップ8がベースフィルム1
にフェイスダウンで搭載されILBリード部が剥離した
状態の断面図を示したILB工程の図である。
1 ベースフィルム 2 デバイスホール 3 OLBホール 4 リード群 4a,4a1〜4a6,12 ILBリード部 4b,4b1〜4b6,13 OLBリード部 5 サスペンダ 6a,6b,6c,6a′,6b′,6c′7a,7
b,7c,7a′,7b′,7c′ 補強パターン 8 ICチップ 9 ILBツール 10 ボンディングステージ 11 スプロケットホール 14 OLBツール 15 OLBパット 16 基板 17 接着剤
b,7c,7a′,7b′,7c′ 補強パターン 8 ICチップ 9 ILBツール 10 ボンディングステージ 11 スプロケットホール 14 OLBツール 15 OLBパット 16 基板 17 接着剤
Claims (3)
- 【請求項1】 テープ状の絶縁フィルムからなり、この
絶縁フィルムの送り出しおよび静止位置を決めるスプロ
ケットホールと、半導体チップが配置される矩形状のデ
バイスホールと、このホールの各々の縁端部と平行に所
定の大きさで開口されたアウタリードホールと、前記絶
縁フィルム上に金属箔を接着してエッチングすることに
よって形成された所定の形状のリード群と、前記アウタ
リードホールおよび前記デバイスホールに挟まれた領域
であり、前記リード群を支持するサスペンダとを含むフ
ィルムキャリアテープあって、前記リード群が等間隔に
配置され、かつ各コーナーを挟む両端の前記リード群
が、前記サスペンダ上の第1の範囲内と前記アウタリー
ドホール外周部の前記絶縁フィルム上の所定の第2の範
囲内との少なくとも一方で他の前記リード群よりも所定
の大きさだけ幅広く形成され、各コーナー近傍の両辺の
複数の前記リード群が、前記第1の範囲内または前記第
2の範囲内のいずれか一方でそれぞれの前記範囲内の他
の前記リード群よりも所定の大きさだけ幅広く形成され
るフィルムキャリアテープにおいて、幅広く形成される
前記各コーナー近傍の両辺の複数の前記リード群のピッ
チは、前記コーナー側に最も近い両端のリードから順次
に狭くなり、かつそれぞれのピッチに対応して前記幅広
の部分が形成されることを特徴とするフィルムキャリア
テープ。 - 【請求項2】 前記第1または前記第2の範囲内のいず
れか一方の前記幅広く形成される複数のリードのうち、
前記コーナーを挟む両端のリードのみ前記幅広くした部
分を前記サスペンダに沿って前記コーナー方向に互に延
長し電気的に接続するように形成される請求項1記載の
フィルムキャリアテープ。 - 【請求項3】 前記第1の範囲内および前記第2の範囲
内の両方の前記幅広く形成される複数のリードのうち、
前記コーナーを挟む両端のリードのみそれぞれ前記幅広
くした部分を前記アウタリードホールに沿って前記コー
ナー方向に互に延長し電気的に接続するように形成され
る請求項1記載のフィルムキャリアテープ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6305275A JP2636761B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | フィルムキャリアテープ |
EP95119238A EP0716446A3 (en) | 1994-12-09 | 1995-12-06 | Support tape for semiconductor devices |
KR1019950048082A KR0180332B1 (ko) | 1994-12-09 | 1995-12-09 | 반도체장치용 필름 캐리어 테이프 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6305275A JP2636761B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | フィルムキャリアテープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162603A JPH08162603A (ja) | 1996-06-21 |
JP2636761B2 true JP2636761B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=17943144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6305275A Expired - Lifetime JP2636761B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | フィルムキャリアテープ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0716446A3 (ja) |
JP (1) | JP2636761B2 (ja) |
KR (1) | KR0180332B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197573A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0777228B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1995-08-16 | 三菱電機株式会社 | テ−プキヤリア |
JPH02137345A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | Tab型半導体装置 |
JP2819825B2 (ja) * | 1990-11-21 | 1998-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | Tab内蔵型半導体装置 |
JPH0828394B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH04275443A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH04354344A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Nippon Steel Corp | フィルムテープ |
US5289032A (en) * | 1991-08-16 | 1994-02-22 | Motorola, Inc. | Tape automated bonding(tab)semiconductor device and method for making the same |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6305275A patent/JP2636761B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-12-06 EP EP95119238A patent/EP0716446A3/en not_active Withdrawn
- 1995-12-09 KR KR1019950048082A patent/KR0180332B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08162603A (ja) | 1996-06-21 |
EP0716446A2 (en) | 1996-06-12 |
KR0180332B1 (ko) | 1999-04-15 |
EP0716446A3 (en) | 1997-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7329597B2 (en) | Semiconductor chip and tab package having the same | |
US5994768A (en) | Multi-layer lead frame | |
US6440770B1 (en) | Integrated circuit package | |
US6670701B2 (en) | Semiconductor module and electronic component | |
US6849945B2 (en) | Multi-layered semiconductor device and method for producing the same | |
US5606199A (en) | Resin-molded type semiconductor device with tape carrier connection between chip electrodes and inner leads of lead frame | |
US6677219B2 (en) | Method of forming a ball grid array package | |
US5787575A (en) | Method for plating a bond finger of an intergrated circuit package | |
US5442229A (en) | Metal lead-film carrier assembly having a plurality of film carriers, and film carrier-semiconductor chip assembly and semiconductor device containing such metal lead-film carrier assembly | |
US20050167817A1 (en) | Microelectronic adaptors, assemblies and methods | |
KR950014677B1 (ko) | Ic 실장장치 | |
JPH0794555A (ja) | 半導体パッケージ用フィルムキャリアテ−プ及びこれを用いた半導体装置 | |
KR100198682B1 (ko) | 반도체 디바이스 제조방법 | |
JP2904123B2 (ja) | 多層フィルムキャリアの製造方法 | |
JP2636761B2 (ja) | フィルムキャリアテープ | |
JP2803656B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20000028840A (ko) | 필름 기판을 사용한 반도체 장치 제조 방법 | |
KR0134646B1 (ko) | 역적층 초박형 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2774179B2 (ja) | 半導体装置および電子装置 | |
JP3855627B2 (ja) | 半導体装置及び電子装置ならびにその製造方法 | |
JP2953125B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置 | |
JPH0982752A (ja) | 半導体装置 | |
JP2503754B2 (ja) | フィルムキャリアテ―プ | |
JP2556204B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置の実装方法 | |
JP2643898B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970311 |