JP2629814B2 - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感放射線性樹脂組成物Info
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- JP2629814B2 JP2629814B2 JP63110379A JP11037988A JP2629814B2 JP 2629814 B2 JP2629814 B2 JP 2629814B2 JP 63110379 A JP63110379 A JP 63110379A JP 11037988 A JP11037988 A JP 11037988A JP 2629814 B2 JP2629814 B2 JP 2629814B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。さら
に詳しくはアルカリ可溶性樹脂と特定の1,2−キノンジ
アジド化合物を含有してなる、紫外線、遠紫外線、X
線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プ
ロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回路作製
のためのレジストとして好適に使用できるポジ型感放射
線性樹脂組成物に関する。
に詳しくはアルカリ可溶性樹脂と特定の1,2−キノンジ
アジド化合物を含有してなる、紫外線、遠紫外線、X
線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プ
ロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回路作製
のためのレジストとして好適に使用できるポジ型感放射
線性樹脂組成物に関する。
[従来の技術] アルカリ可溶性樹脂と1,2−キノンジアジド化合物と
からなるポジ型レジストでは、放射線照射部分の1,2−
キノンジアジド化合物はインデンカルボン酸に変化して
アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解するが、レジス
トパターンとなる放射線未照射部分の1,2−キノンジア
ジド化合物は変化しないので該現像液に溶解しない。そ
して未照射部分は変形が非常に少なく、マスクに忠実
で、高い解像度のレジストパターンを与える。
からなるポジ型レジストでは、放射線照射部分の1,2−
キノンジアジド化合物はインデンカルボン酸に変化して
アルカリ性水溶液からなる現像液に溶解するが、レジス
トパターンとなる放射線未照射部分の1,2−キノンジア
ジド化合物は変化しないので該現像液に溶解しない。そ
して未照射部分は変形が非常に少なく、マスクに忠実
で、高い解像度のレジストパターンを与える。
集積回路の高集積度化が要求される近年は、上記のよ
うなポジ型レジストが多く用いられているが、集積回路
の高集積度化の向上に伴い、レジストの解像度、耐熱
性、現像性、感度等の向上がさらに要望されている。
うなポジ型レジストが多く用いられているが、集積回路
の高集積度化の向上に伴い、レジストの解像度、耐熱
性、現像性、感度等の向上がさらに要望されている。
従来、上記のようなポジ型レジストとしてアルカリ可
溶性ノボラツク樹脂と1,2−キノンジアジド化合物とか
らなるポジ型ホトレジストが知られている(例えば特開
昭58−149042号公報、特開昭58−182633号公報、特開昭
58−150948号公報等)。
溶性ノボラツク樹脂と1,2−キノンジアジド化合物とか
らなるポジ型ホトレジストが知られている(例えば特開
昭58−149042号公報、特開昭58−182633号公報、特開昭
58−150948号公報等)。
特開昭58−149042号および特開昭58−182633号公報に
は該レジストの感度を向上させる目的で増感剤を添加す
る方法が開示されており、また特開昭58−150948号公報
にはベンゾフエノン核のカルボニル基に隣接する2位及
び2′位が水酸基で置換されたポリヒドロキシベンゾフ
エノンの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−スルホン
酸エステル化合物を用いる方法が開示されている。
は該レジストの感度を向上させる目的で増感剤を添加す
る方法が開示されており、また特開昭58−150948号公報
にはベンゾフエノン核のカルボニル基に隣接する2位及
び2′位が水酸基で置換されたポリヒドロキシベンゾフ
エノンの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−スルホン
酸エステル化合物を用いる方法が開示されている。
また、特公昭62−28457号公報には、下記式 ここで、Dはナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スル
ホニルまたはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スル
ホニルである、 で表わされる化合物を含む感光成分を、アルカリ可溶性
樹脂に配合したポジ型ホトレジスト組成物が開示されて
いる。
ホニルまたはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スル
ホニルである、 で表わされる化合物を含む感光成分を、アルカリ可溶性
樹脂に配合したポジ型ホトレジスト組成物が開示されて
いる。
さらに、本願出願人と同一出願人の出願にかかる特開
昭62−280737号公報には、テトラヒドロキシベンゾフエ
ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルを10〜8
0重量%で含有する、アルカリ可溶性樹脂と該キノンジ
アジドスルホン酸エステルのポジ型感放射線性樹脂組成
物が開示されている。
昭62−280737号公報には、テトラヒドロキシベンゾフエ
ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルを10〜8
0重量%で含有する、アルカリ可溶性樹脂と該キノンジ
アジドスルホン酸エステルのポジ型感放射線性樹脂組成
物が開示されている。
しかしながら、上記いずれの公開公報にも、2,2′,3,
4−テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステル(モノ,ジ,トリおよびテトラ
エステルの混合物)から主としてなる1,2−キノンジア
ジド化合物を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物は具
体的に記載されていない。
4−テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステル(モノ,ジ,トリおよびテトラ
エステルの混合物)から主としてなる1,2−キノンジア
ジド化合物を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物は具
体的に記載されていない。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、新規な組成のポジ型感放射線性樹脂
組成物を提供することにある。
組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、高感度、高解像度、高残膜率で
かつ現像性に優れたポジ型レジストに好適な感放射線性
樹脂組成物を提供することにある。
かつ現像性に優れたポジ型レジストに好適な感放射線性
樹脂組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から
明らかとなろう。
明らかとなろう。
(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、 (A) アルカリ可溶性樹脂および (B) 2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから主とし
てなる1,2−キノンジアジド化合物 を含有し、かつ該1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルはモノエステルが0〜10重量%、ジエステルが0〜
30重量%、トリエステルが20〜70重量%およびテトラエ
ステルが5〜70重量%からなるものであることを特徴と
するポジ型感放射線性樹脂組成物によって達成される。
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから主とし
てなる1,2−キノンジアジド化合物 を含有し、かつ該1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルはモノエステルが0〜10重量%、ジエステルが0〜
30重量%、トリエステルが20〜70重量%およびテトラエ
ステルが5〜70重量%からなるものであることを特徴と
するポジ型感放射線性樹脂組成物によって達成される。
本発明において用いられる1,2−キノンジアジド化合
物(B)は、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから主
としてなる。
物(B)は、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから主
としてなる。
かかる1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルとし
ては、例えば2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン−1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル等が
挙げられる。
ては、例えば2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン−1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル等が
挙げられる。
これらの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルと
しては、例えばモノエステル、ジエステル、トリエステ
ル、テトラエステルの2種以上のエステルの混合物を挙
げることができ、それぞれの割合としては、モノエステ
ルが0〜10重量%、ジエステルが0〜30重量%、トリエ
ステルが20〜70重量%、テトラエステルが5〜70重量%
である。
しては、例えばモノエステル、ジエステル、トリエステ
ル、テトラエステルの2種以上のエステルの混合物を挙
げることができ、それぞれの割合としては、モノエステ
ルが0〜10重量%、ジエステルが0〜30重量%、トリエ
ステルが20〜70重量%、テトラエステルが5〜70重量%
である。
1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルは、例えば
2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノンと1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド、1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸クロリドの如
き1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドの1種また
は数種とを、塩基性触媒の存在下に縮合反応させること
により得られる。
2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノンと1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド、1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸クロリドの如
き1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドの1種また
は数種とを、塩基性触媒の存在下に縮合反応させること
により得られる。
塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、トリ
エチルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドの如きアミン類および
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの
如き無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒
の使用量は、使用する1,2−キノンジアジドスルホン酸
ハライド1モルに対して、通常、0.8〜2モル、好まし
くは1〜1.5モルである。縮合反応は、通常、溶媒の存
在下において行われる。この際用いられる溶媒として
は、例えば水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ−ブ
チロラクトン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、炭酸エチ
レン、炭酸プロピレン等が挙げられる。これらの溶媒の
使用量は、通常、反応原料100重量部に対して100〜1,00
0重量部である。
エチルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドの如きアミン類および
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの
如き無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒
の使用量は、使用する1,2−キノンジアジドスルホン酸
ハライド1モルに対して、通常、0.8〜2モル、好まし
くは1〜1.5モルである。縮合反応は、通常、溶媒の存
在下において行われる。この際用いられる溶媒として
は、例えば水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ−ブ
チロラクトン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、炭酸エチ
レン、炭酸プロピレン等が挙げられる。これらの溶媒の
使用量は、通常、反応原料100重量部に対して100〜1,00
0重量部である。
縮合反応の温度は、使用する溶媒により異なるが、通
常、−20〜60℃、好ましくは0〜40℃である。
常、−20〜60℃、好ましくは0〜40℃である。
縮合反応後の精製法としては、副成した塩酸塩を濾過
するか、または水を添加して塩酸塩を溶解させた後、大
量の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、
乾燥する方法を例示することができる。
するか、または水を添加して塩酸塩を溶解させた後、大
量の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、
乾燥する方法を例示することができる。
これらの反応においては、通常、2,2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフエノンのモノスルホン酸エステルか
ら、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノンに含
まれる水酸基の全てが反応したテトラスルホン酸エステ
ルが生成する。
ヒドロキシベンゾフエノンのモノスルホン酸エステルか
ら、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノンに含
まれる水酸基の全てが反応したテトラスルホン酸エステ
ルが生成する。
本発明において、1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステルは、例えば、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対
して、好ましくは5〜100重量部、より好ましくは10〜5
0重量部で用いられる。
ステルは、例えば、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対
して、好ましくは5〜100重量部、より好ましくは10〜5
0重量部で用いられる。
この配合量が5重量部未満の場合には1,2−キノンジ
アジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量
が少ないため、パターニングが困難となり易く、一方、
100重量部を越える場合には、短時間の放射線照射では
加えた1,2−キノンジアジド化合物の全てを分解するこ
とが困難となり、アルカリ性水溶液からなる現像液によ
る現像が困難となる。
アジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量
が少ないため、パターニングが困難となり易く、一方、
100重量部を越える場合には、短時間の放射線照射では
加えた1,2−キノンジアジド化合物の全てを分解するこ
とが困難となり、アルカリ性水溶液からなる現像液によ
る現像が困難となる。
本発明に用いられる2,2′,3,4−テトラヒドロキシベ
ンゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルは必要に応じて、例えば特開昭62−178562号公報に述
べられている方法等により、性能を損ねない程度にアシ
ル化又はスルホニル化変性して用いることもできる。
ンゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルは必要に応じて、例えば特開昭62−178562号公報に述
べられている方法等により、性能を損ねない程度にアシ
ル化又はスルホニル化変性して用いることもできる。
本発明の組成物は、上記の如く、1,2−キノンジアジ
ド化合物(B)として、2,2′,3,4−テトラヒドロキシ
ベンゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルより主としてなる。すなわち、該1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルを単独で使用できるのはもちろ
んのこと、該1,2−ジアジドスルホン酸エステルとその
他の1,2−キノンジアジド化合物とを併用することがで
きる。
ド化合物(B)として、2,2′,3,4−テトラヒドロキシ
ベンゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルより主としてなる。すなわち、該1,2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルを単独で使用できるのはもちろ
んのこと、該1,2−ジアジドスルホン酸エステルとその
他の1,2−キノンジアジド化合物とを併用することがで
きる。
併用する際には、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル1
00重量部に対して100重量部以下、好ましくは40重量部
以下で、他の1,2−キノンジアジド化合物が用いられ
る。この際用いられる他の1,2−キノンジアジド化合物
としては、例えばp−クレゾール、レゾルシノール、ピ
ロガロール、の如き(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルお
よび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル;2,4−ジヒドロキシフエニル−プロピルケトン、2,
4−ジヒドロキシフエニル−n−ヘキシルケトン、2,4−
ジヒドロキシベンゾフエノン、2,3,4−トリヒドロキシ
フエニル−n−ヘキシルケトン、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフエノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、2,
3,4,4′−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベンゾフ
エノン、2,2′,3,4−テトラヒドロキシ−4′−メチル
ベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシベ
ンゾフエノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシベ
ンゾフエノン、2,4,6,2′,4′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン、2,4,6,2′,5′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,4,6,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,4,6,3′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,5,2′−ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,5,3′−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、
2,3,4,5,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,3′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,3′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,3′,4′−ヘプタヒドロキシベンゾフエノン、
2,3,4,5,3′,4′,5′−ヘプタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,5,2′,4′,6′−ヘプタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メチ
ルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ
−5−エチルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタ
ヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−n−ブチルベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ−5−メチ
ルベンゾフエノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ
−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−
ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,6′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メ
チルベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキ
シ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,3′,5′
−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,5′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキ
サヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′,6′−
ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−5−n−プロピルベ
ンゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペン
タヒドロキシ−4−エトキシベンゾフエノン、2,3,2′,
3′,4′−ペンタヒドロキシ−4−n−プロポキシベン
ゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−4
−n−ブトキシベンゾフエノン、2,3,3′,4′,5′−ペ
ンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,
3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−4−n−プロポキシ
ベンゾフエノン、2,3,2′,4′,6′−ペンタヒドロキシ
−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,2′,4′,6′−ペ
ンタヒドロキシ−4−n−プロポキシベンゾフエノン、
2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−クロロベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ブ
ロモベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シ−5−クロロベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペン
タヒドロキシ−5−ブロモベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−クロロベンゾフエノ
ン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ブロ
モベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ
−5−シアノベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘ
キサヒドロキシ−5−シアノベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ニトロベンゾフエノ
ン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ニト
ロベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−ペンタヒドロキ
シ−5−アセチルベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−
ペンタヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフエノン、2,
3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−アセチルベ
ンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ
−5−ベンゾイルベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−
ペンタヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンジルベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,4,6,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,5,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,5,2′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,5,3′,4′,5′−ヘプタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メ
チルベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−
ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,
3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−クロロベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサ
ヒドロキシ−5−アセチルベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−メチルベンゾフエノン、2,3,3′,4′,5′−ペンタヒ
ドロキシ−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフ
エノンの如き(ポリ)ヒドロキシフエニルアルキルケト
ンまたは(ポリ)ヒドロキシフエニルアリールケトンの
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル:ビス(p−ヒドロキシフエニル)メタン、
ビス(2,4−ジヒドロキシフエニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフエニル)メタン、2,2−ビス(p
−ヒドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2,4−ジ
ヒドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシフエニル)プロパンの如きビス[(ポリ)
ヒドロキシフエニル]アルカンの1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル;3,5−ジヒド
ロキシ安息香酸ラウリル、2,3,4−トリヒドロキシ安息
香酸フエニル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピ
ル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸フエニルの如き
(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは
(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリールエステルの1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよ
び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル;ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビ
ス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、p−ビ
ス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビ
ス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p
−ビス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン
の如きビス[(ポリ)ヒドロキシベンゾイル]アルカン
またはビス−[(ポリ)ヒドロキシベンゾイル]ベンゼ
ンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル;エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコール−ジ
(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)の如き(ポ
リ)エチレングリコール−ジ[(ポリ)ヒドロキシベン
ゾエート]の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル等が挙げられる。これらの化合物
の他に、J.Kosar著“Light−Sensitive Systems"339〜3
52(1965)、John Wile & Sons社(New York)やW.S.D
eForest著“Photoresist"50,(1975)、McGraw−Hill I
nc.,(New York)に掲載されている1,2−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
ゾフエノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル1
00重量部に対して100重量部以下、好ましくは40重量部
以下で、他の1,2−キノンジアジド化合物が用いられ
る。この際用いられる他の1,2−キノンジアジド化合物
としては、例えばp−クレゾール、レゾルシノール、ピ
ロガロール、の如き(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルお
よび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル;2,4−ジヒドロキシフエニル−プロピルケトン、2,
4−ジヒドロキシフエニル−n−ヘキシルケトン、2,4−
ジヒドロキシベンゾフエノン、2,3,4−トリヒドロキシ
フエニル−n−ヘキシルケトン、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフエノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノン、2,
3,4,4′−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベンゾフ
エノン、2,2′,3,4−テトラヒドロキシ−4′−メチル
ベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシベ
ンゾフエノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシベ
ンゾフエノン、2,4,6,2′,4′−ペンタヒドロキシベン
ゾフエノン、2,4,6,2′,5′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,4,6,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,4,6,3′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,5,2′−ペンタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,5,3′−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、
2,3,4,5,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,3′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,3′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、2,3,
4,5,2′,3′,4′−ヘプタヒドロキシベンゾフエノン、
2,3,4,5,3′,4′,5′−ヘプタヒドロキシベンゾフエノ
ン、2,3,4,5,2′,4′,6′−ヘプタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メチ
ルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ
−5−エチルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタ
ヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−n−ブチルベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ−5−メチ
ルベンゾフエノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ
−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−
ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,6′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メ
チルベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキ
シ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,3′,5′
−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,5′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキ
サヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−n−プロピルベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′,6′−
ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−5−n−プロピルベ
ンゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペン
タヒドロキシ−4−エトキシベンゾフエノン、2,3,2′,
3′,4′−ペンタヒドロキシ−4−n−プロポキシベン
ゾフエノン、2,3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−4
−n−ブトキシベンゾフエノン、2,3,3′,4′,5′−ペ
ンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,
3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−4−n−プロポキシ
ベンゾフエノン、2,3,2′,4′,6′−ペンタヒドロキシ
−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,2′,4′,6′−ペ
ンタヒドロキシ−4−n−プロポキシベンゾフエノン、
2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−クロロベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ブ
ロモベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シ−5−クロロベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペン
タヒドロキシ−5−ブロモベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−クロロベンゾフエノ
ン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ブロ
モベンゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ
−5−シアノベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘ
キサヒドロキシ−5−シアノベンゾフエノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ニトロベンゾフエノ
ン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ニト
ロベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−ペンタヒドロキ
シ−5−アセチルベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−
ペンタヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフエノン、2,
3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−アセチルベ
ンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ
−5−ベンゾイルベンゾフエノン、2,4,3′,4′,5′−
ペンタヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフエノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンジルベン
ゾフエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,4,6,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,5,4′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,5,2′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,5,3′,4′,5′−ヘプタヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メ
チルベンゾフエノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−
ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフエノン、2,3,
3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−クロロベンゾフエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサ
ヒドロキシ−5−アセチルベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフ
エノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフ
エノン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5
−メチルベンゾフエノン、2,3,3′,4′,5′−ペンタヒ
ドロキシ−4−メトキシベンゾフエノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフ
エノンの如き(ポリ)ヒドロキシフエニルアルキルケト
ンまたは(ポリ)ヒドロキシフエニルアリールケトンの
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル:ビス(p−ヒドロキシフエニル)メタン、
ビス(2,4−ジヒドロキシフエニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフエニル)メタン、2,2−ビス(p
−ヒドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2,4−ジ
ヒドロキシフエニル)プロパン、2,2−ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシフエニル)プロパンの如きビス[(ポリ)
ヒドロキシフエニル]アルカンの1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル;3,5−ジヒド
ロキシ安息香酸ラウリル、2,3,4−トリヒドロキシ安息
香酸フエニル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピ
ル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸フエニルの如き
(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは
(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリールエステルの1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよ
び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル;ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビ
ス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、p−ビ
ス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビ
ス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p
−ビス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン
の如きビス[(ポリ)ヒドロキシベンゾイル]アルカン
またはビス−[(ポリ)ヒドロキシベンゾイル]ベンゼ
ンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル;エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコール−ジ
(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)の如き(ポ
リ)エチレングリコール−ジ[(ポリ)ヒドロキシベン
ゾエート]の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル等が挙げられる。これらの化合物
の他に、J.Kosar著“Light−Sensitive Systems"339〜3
52(1965)、John Wile & Sons社(New York)やW.S.D
eForest著“Photoresist"50,(1975)、McGraw−Hill I
nc.,(New York)に掲載されている1,2−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
これらの他の1,2−キノンジアジド化合物も、例えば
特開昭62−178562号公報に記載された方法等によってア
シル化またはスルホニル化変性して使用することもでき
る。
特開昭62−178562号公報に記載された方法等によってア
シル化またはスルホニル化変性して使用することもでき
る。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂(A)として
は、代表的なものとしてアルカリ可溶性ノボラツク樹脂
(以下、単に「ノボラツク樹脂」という)が挙げられ
る。ノボラツク樹脂は、フエノール類とアルデヒド類と
を酸触媒の存在下に重縮合して得られる。
は、代表的なものとしてアルカリ可溶性ノボラツク樹脂
(以下、単に「ノボラツク樹脂」という)が挙げられ
る。ノボラツク樹脂は、フエノール類とアルデヒド類と
を酸触媒の存在下に重縮合して得られる。
フエノール類としては、例えばフエノール、o−クレ
ゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチル
フエノール、m−エチルフエノール、p−エチルフエノ
ール、o−ブチルフエノール、m−ブチルフエノール、
p−ブチルフエノール、2,3−キシレノール、2,4−キシ
レノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,
5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフエノール、p−
フエニルフエノール、ヒドロキノン、カテコール、レゾ
ルシノール、2−メチルレゾルシノール、ピロガロー
ル、α−ナフトール、ビスフエノールA、ジヒドロキシ
安息香酸エステル、没食子酸エステル等が用いられる。
これらのフエノール類のうちフエノール、o−クレゾー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノ
ール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフエノー
ル、レゾルシノール、2−メチルレゾルシノールおよび
ビスフエノールAが好ましい。これらのフエノール類
は、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
ゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチル
フエノール、m−エチルフエノール、p−エチルフエノ
ール、o−ブチルフエノール、m−ブチルフエノール、
p−ブチルフエノール、2,3−キシレノール、2,4−キシ
レノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,
5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフエノール、p−
フエニルフエノール、ヒドロキノン、カテコール、レゾ
ルシノール、2−メチルレゾルシノール、ピロガロー
ル、α−ナフトール、ビスフエノールA、ジヒドロキシ
安息香酸エステル、没食子酸エステル等が用いられる。
これらのフエノール類のうちフエノール、o−クレゾー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノ
ール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフエノー
ル、レゾルシノール、2−メチルレゾルシノールおよび
ビスフエノールAが好ましい。これらのフエノール類
は、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パ
ラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアル
デヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセトアルデヒ
ド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フエニルプ
ロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、
m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロ
ロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o
−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベンズア
ルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベ
ンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n
−ブチルベンズアルデヒド等が用いられる。これらの化
合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよび
ベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類
は、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
ラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアル
デヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセトアルデヒ
ド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フエニルプ
ロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、
m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロ
ロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o
−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒ
ド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベンズア
ルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベ
ンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−n
−ブチルベンズアルデヒド等が用いられる。これらの化
合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよび
ベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類
は、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
アルデヒド類はフエノール類1モル当たり、好ましく
は0.7〜3モル、特に好ましくは0.7〜2モルの割合で使
用される。
は0.7〜3モル、特に好ましくは0.7〜2モルの割合で使
用される。
酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸の如き無機
酸、または蟻酸、酸、酢酸の如き有機酸が用いられ
る。これらの酸触媒の使用量は、フエノール類1モル当
たり、1×10-4〜5×10-1モルが好ましい。
酸、または蟻酸、酸、酢酸の如き有機酸が用いられ
る。これらの酸触媒の使用量は、フエノール類1モル当
たり、1×10-4〜5×10-1モルが好ましい。
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が用い
られるが、縮合反応に用いられるフエノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノールの如きア
ルコール類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサンの
如き環状エーエル類が挙げられる。これらの反応媒質の
使用量は、通常、反応原料100重量部当たり、20〜1000
重量部である。
られるが、縮合反応に用いられるフエノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノールの如きア
ルコール類、またはテトラヒドロフラン、ジオキサンの
如き環状エーエル類が挙げられる。これらの反応媒質の
使用量は、通常、反応原料100重量部当たり、20〜1000
重量部である。
縮合反応の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適
宜調整することができるが、通常、10〜200℃、好まし
くは70〜150℃である。
宜調整することができるが、通常、10〜200℃、好まし
くは70〜150℃である。
縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒
および反応媒質を除去するため、一般的には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去して回収す
る。
および反応媒質を除去するため、一般的には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去して回収す
る。
また縮合反応終了後に、前記親水性溶媒に反応混合物
を溶解し、水、n−ヘキサン、n−ヘプタンの如き沈殿
剤に添加することにより、ノボラツク樹脂を析出させ、
析出物を分離して回収することもできる。
を溶解し、水、n−ヘキサン、n−ヘプタンの如き沈殿
剤に添加することにより、ノボラツク樹脂を析出させ、
析出物を分離して回収することもできる。
本発明に用いられるノボラツク樹脂以外のアルカリ可
溶性樹脂(A)としては、例えばポリヒドロキシスチレ
ンまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル
基含有メタアクリル系樹脂等が挙げられる。
溶性樹脂(A)としては、例えばポリヒドロキシスチレ
ンまたはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル
基含有メタアクリル系樹脂等が挙げられる。
これらのアルカリ可溶性樹脂(A)は単独でまたは2
種以上混合して用いられる。
種以上混合して用いられる。
本発明の組成物には、レジストとしての感度を向上さ
せるため、増感剤を配合することができる。増感剤とし
ては、例えば2H−ピリド[3,2−b]−1,4−オキサジン
−3[4H]オン類、10H−ピリド[3,2−b][1,4]−
ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バ
ルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等を
挙げることができる。増感剤の配合量は、1,2−キノン
ジアジド化合物100重量部に対し、通常、1〜100重量
部、好ましくは4〜60重量部である。
せるため、増感剤を配合することができる。増感剤とし
ては、例えば2H−ピリド[3,2−b]−1,4−オキサジン
−3[4H]オン類、10H−ピリド[3,2−b][1,4]−
ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バ
ルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等を
挙げることができる。増感剤の配合量は、1,2−キノン
ジアジド化合物100重量部に対し、通常、1〜100重量
部、好ましくは4〜60重量部である。
さらに本発明の組成物には、塗布性、例えばストリエ
ーシヨンや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改
良するため界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオ
キシエチレンオレイルエーテルの如きポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフ
エノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノー
ルエーテルの如きポリオキシエチレンアルキルフエノー
ルエーテル類;およびポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレートの如きポ
リエチレングリコールジアルキルエーテル類(ノニオン
系界面活性剤);エフトツプEF301、EF303、EF352(新
秋田化成(株)製)、メガフアツクF171、F−172、F17
3(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、FC431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サ
ーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC10
5、SC106(旭硝子(株)製)の如きフツ素系界面活性
剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業
(株)製)やアクリル酸系またはメタクリル酸系(共)
重合体ポリフローNo.75、No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等が用いられる。界面活性剤の配合量は、本
発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂(A)および1,2
−キノンジアジド化合物(B)100重量部当たり、通
常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
ーシヨンや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改
良するため界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオ
キシエチレンオレイルエーテルの如きポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフ
エノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノー
ルエーテルの如きポリオキシエチレンアルキルフエノー
ルエーテル類;およびポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレートの如きポ
リエチレングリコールジアルキルエーテル類(ノニオン
系界面活性剤);エフトツプEF301、EF303、EF352(新
秋田化成(株)製)、メガフアツクF171、F−172、F17
3(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、FC431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サ
ーフロンS−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC10
5、SC106(旭硝子(株)製)の如きフツ素系界面活性
剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業
(株)製)やアクリル酸系またはメタクリル酸系(共)
重合体ポリフローNo.75、No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等が用いられる。界面活性剤の配合量は、本
発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂(A)および1,2
−キノンジアジド化合物(B)100重量部当たり、通
常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
さらに本発明の組成物には、必要に応じて着色剤、接
着助剤、保存安定剤、消泡剤等も配合することができ
る。
着助剤、保存安定剤、消泡剤等も配合することができ
る。
本発明の組成物は、溶剤に前記アルカリ可溶性樹脂
(A)、前記1,2−キノンジアジド化合物(B)および
前記の各種配合剤を所定量ずつ溶解させ、例えば孔径0.
2μm程度のフイルタで濾過することにより、調製され
る。
(A)、前記1,2−キノンジアジド化合物(B)および
前記の各種配合剤を所定量ずつ溶解させ、例えば孔径0.
2μm程度のフイルタで濾過することにより、調製され
る。
この際に用いられる溶剤といて、例えばエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテルの如きエチ
レングリコールアルキルエーテル類;ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、
ジエチレングリコールジブチルエーテルの如きジエチレ
ングリコールジアルキルエーテル類;メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテートの如きエチレ
ングリコールアルキルアセテート類;プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールプロピルエーテルアセテートの如きプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシ
レンの如き芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンの如きケトン類;2−ヒドロキシプロピオ
ン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−
ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ
酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−
メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−
メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチ
ル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸
ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチルの如きエ
ステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ドの如きアミド類を用いることができる。これらの溶剤
は1種単独でまたは2種以上混合して使用することもで
きる。さらにベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセ
トン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オク
タノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸
ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイ
ン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、フエニルセロソルブアセテートの如き高
沸点溶剤を添加することができる。
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテルの如きエチ
レングリコールアルキルエーテル類;ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、
ジエチレングリコールジブチルエーテルの如きジエチレ
ングリコールジアルキルエーテル類;メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテートの如きエチレ
ングリコールアルキルアセテート類;プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールプロピルエーテルアセテートの如きプロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシ
レンの如き芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンの如きケトン類;2−ヒドロキシプロピオ
ン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−
ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ
酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−
メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−
メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチ
ル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸
ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチルの如きエ
ステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ドの如きアミド類を用いることができる。これらの溶剤
は1種単独でまたは2種以上混合して使用することもで
きる。さらにベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセ
トン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オク
タノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸
ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイ
ン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、フエニルセロソルブアセテートの如き高
沸点溶剤を添加することができる。
また、本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を可
視化させたり、放射線照射時のハレーシヨンの影響を少
なくするために着色剤を、また接着性を改良するために
接着助剤を、さらに必要に応じて消泡剤等を配合するこ
ともできる。
視化させたり、放射線照射時のハレーシヨンの影響を少
なくするために着色剤を、また接着性を改良するために
接着助剤を、さらに必要に応じて消泡剤等を配合するこ
ともできる。
本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリ
ウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンの如き第1
級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
の如き第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミンの如き第3級アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミンの如きアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−ヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシドの如き第4級アンモ
ニウム塩、または、ピロール、ピペリジン、1,8−ジア
ザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビ
シクロ(4,3,0)−5−ノナンの如き環状アミン類を溶
解してなるアルカリ性水溶液が使用される。
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリ
ウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンの如き第1
級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
の如き第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミンの如き第3級アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミンの如きアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−ヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシドの如き第4級アンモ
ニウム塩、または、ピロール、ピペリジン、1,8−ジア
ザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビ
シクロ(4,3,0)−5−ノナンの如き環状アミン類を溶
解してなるアルカリ性水溶液が使用される。
また前記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノー
ル、エタノールの如きアルコール類や界面活性剤を適量
添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
ル、エタノールの如きアルコール類や界面活性剤を適量
添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
以下実施例により本発明を詳述する。
[実施例] 実施例1 (1) 遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を
備えたフラスコに、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフエノン12.3gおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド47.0g[1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド/2,2′,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフエノン=3(モル比)に相当]に仕込み、
さらにジオキサン277gを加え、撹拌しながら溶解させ
た。別に滴下ロートにトリエチルアミン19.5gを仕込
み、前記セパラブルフラスコを30℃に保持した水浴に浸
し、内温が30℃一定となった時点で、ゆっくりとトリエ
チルアミンを滴下した。内温が35℃を越えないようにト
リエチルアミンを添加した後、析出したトリエチルアミ
ン塩酸塩に水を添加して溶解し、濾液を大量の希塩酸中
に注入して1,2−キノンジアジド化合物を析出させた。
これを濾過し、回収後40℃で一昼夜真空乾燥した。乾燥
重量を測定して得た収率は98%であった。
備えたフラスコに、2,2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフエノン12.3gおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド47.0g[1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド/2,2′,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフエノン=3(モル比)に相当]に仕込み、
さらにジオキサン277gを加え、撹拌しながら溶解させ
た。別に滴下ロートにトリエチルアミン19.5gを仕込
み、前記セパラブルフラスコを30℃に保持した水浴に浸
し、内温が30℃一定となった時点で、ゆっくりとトリエ
チルアミンを滴下した。内温が35℃を越えないようにト
リエチルアミンを添加した後、析出したトリエチルアミ
ン塩酸塩に水を添加して溶解し、濾液を大量の希塩酸中
に注入して1,2−キノンジアジド化合物を析出させた。
これを濾過し、回収後40℃で一昼夜真空乾燥した。乾燥
重量を測定して得た収率は98%であった。
このようにして得られた1,2−キノンジアジド化合物
の組成分析の結果、トリエステルの割合は66重量%、テ
トラエステルの割合は29重量%、ジエステルの割合は4
重量%、モノエステルの割合は1重量%であった。
の組成分析の結果、トリエステルの割合は66重量%、テ
トラエステルの割合は29重量%、ジエステルの割合は4
重量%、モノエステルの割合は1重量%であった。
なお、1,2−キノンジアジド化合物の組成分布は、ゲ
ルパーミエイシヨンクロマトグラフイー(以下、「GP
C」という)により測定した。GPCの測定条件は次のとお
りである。
ルパーミエイシヨンクロマトグラフイー(以下、「GP
C」という)により測定した。GPCの測定条件は次のとお
りである。
分離カラム:平均孔径が7Åのポリスチレンゲルを充填
した内径20mm、長さ60cmのカラム 溶離液:テトラヒドロフラン 流速:2ml/分 検出器:昭和電工社製示差屈折計ShodexRISE−31型 分離カラム温度:25℃ 試料注入量:約1.0重量%のテトラドロフラン溶液を100
μl (2) 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコ
にm−クレゾール54g(0.5モル)、3,5−キシレノール2
44g(2.0モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液385g
およびシュウ酸0.22gを仕込んだ後、このフラスコを油
浴に浸し、内温を100℃に保ちながら1時間反応させ
た。その後さらにm−クレゾール216g(2.0モル)、3,5
−キシレノール61g(0.5gモル)を反応の進行とともに
連続的にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで
該ノボラツク樹脂をメタノールに溶解させ、これに水を
徐々に添加し、ノボラツク樹脂を沈澱させ、該沈澱物を
乾燥させてノボラツク樹脂を得た。
した内径20mm、長さ60cmのカラム 溶離液:テトラヒドロフラン 流速:2ml/分 検出器:昭和電工社製示差屈折計ShodexRISE−31型 分離カラム温度:25℃ 試料注入量:約1.0重量%のテトラドロフラン溶液を100
μl (2) 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコ
にm−クレゾール54g(0.5モル)、3,5−キシレノール2
44g(2.0モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液385g
およびシュウ酸0.22gを仕込んだ後、このフラスコを油
浴に浸し、内温を100℃に保ちながら1時間反応させ
た。その後さらにm−クレゾール216g(2.0モル)、3,5
−キシレノール61g(0.5gモル)を反応の進行とともに
連続的にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで
該ノボラツク樹脂をメタノールに溶解させ、これに水を
徐々に添加し、ノボラツク樹脂を沈澱させ、該沈澱物を
乾燥させてノボラツク樹脂を得た。
(3) (2)で得られたノボラツク樹脂20g、(1)
で得られた1,2−キノンジアジド化合物6gおよびエチル
セロソルブアセテート60gを室温でよく撹拌して溶解
後、孔径0.2μmのメンブランフイルタで濾過し、本発
明の組成物の溶液を調製した。この溶液をシリコンウエ
ーハ上にスピンナーで塗布後、90℃、2分間プレベーク
して、1.2μm厚のレジスト層を形成させた。次いで、
ステツパー(日本光学工業(株)製NSR1505G4D)にて露
光し、25℃の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で60秒間現像し、水でリンスしてレジス
トパターンを形成した。ここでレジストパターンが、1.
2μm以上のラインアンドスペースパターンを正確に形
成する露光時間(以下、これを「感度」という)を求め
たところ0.29秒と良好で、放射線照射部分には、スカム
(レジスト残渣)は全く認められず、線幅0.55μmのレ
ジストパターンが解像できた。また、残膜率(現像後の
レジスト膜厚/現像前のレジスト膜厚×100%)も98%
と優れたものであった。
で得られた1,2−キノンジアジド化合物6gおよびエチル
セロソルブアセテート60gを室温でよく撹拌して溶解
後、孔径0.2μmのメンブランフイルタで濾過し、本発
明の組成物の溶液を調製した。この溶液をシリコンウエ
ーハ上にスピンナーで塗布後、90℃、2分間プレベーク
して、1.2μm厚のレジスト層を形成させた。次いで、
ステツパー(日本光学工業(株)製NSR1505G4D)にて露
光し、25℃の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で60秒間現像し、水でリンスしてレジス
トパターンを形成した。ここでレジストパターンが、1.
2μm以上のラインアンドスペースパターンを正確に形
成する露光時間(以下、これを「感度」という)を求め
たところ0.29秒と良好で、放射線照射部分には、スカム
(レジスト残渣)は全く認められず、線幅0.55μmのレ
ジストパターンが解像できた。また、残膜率(現像後の
レジスト膜厚/現像前のレジスト膜厚×100%)も98%
と優れたものであった。
実施例2〜3 遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えた
フラスコに、第1表に示す化合物を第1表に示す割合で
使用し、実施例1(1)と同様にして1,2−キノンジア
ジド化合物を得た。
フラスコに、第1表に示す化合物を第1表に示す割合で
使用し、実施例1(1)と同様にして1,2−キノンジア
ジド化合物を得た。
このようにして得られた1,2−キノンジアジド化合物
のGPCによる組成分析結果を第1表に示す。
のGPCによる組成分析結果を第1表に示す。
次に実施例1(2)で得られたノボラツク樹脂と、前
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にして本発明の組成物の溶液を調製し
た。
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にして本発明の組成物の溶液を調製し
た。
次いで実施例1(3)と同様に露光し現像しリンスし
て、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
て、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
比較例1 実施例1(1)において、2,2′,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフエノンを11.5g用い、1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリドの使用量を34.9gとし、トリ
エチルアミンの使用量を14.5gとし、その他は実施例1
(1)と同様にして1,2−キノンジアジド化合物を得
た。
キシベンゾフエノンの代りに2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフエノンを11.5g用い、1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリドの使用量を34.9gとし、トリ
エチルアミンの使用量を14.5gとし、その他は実施例1
(1)と同様にして1,2−キノンジアジド化合物を得
た。
次に実施例1(2)で得られたノボラツク樹脂と、前
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調製し
た。
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調製し
た。
次いで実施例1(3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
比較例2 実施例1(1)において、2,2′,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフエノンの代りに、2,3,4,4′−テトラヒド
ロキシベンゾフエノンを12.3gとする他は実施例1
(1)と同様にして1,2−キノンジアジド化合物を得
た。
キシベンゾフエノンの代りに、2,3,4,4′−テトラヒド
ロキシベンゾフエノンを12.3gとする他は実施例1
(1)と同様にして1,2−キノンジアジド化合物を得
た。
次に実施例1(2)で得られたノボラツク樹脂と、前
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調製し
た。
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実施
例1(3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調製し
た。
次いで実施例1(3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
実施例4〜5 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、第
3表に示す混合比のフエノール類、37重量%ホルムアル
デヒド水溶液385gおよびシュウ酸0.22gを仕込んだ後、
このフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保ちながら
1時間反応させた。その後さらに第3表に示す追加のフ
エノール類を反応の進行とともに連続的にフラスコに仕
込み2時間反応させた。次いで該ノボラツク樹脂をメタ
ノールに溶解させ、これに水を徐々に添加し、ノボラツ
ク樹脂を樹脂を沈殿させ、該沈殿物を乾燥させてノボラ
ツク樹脂を得た。次に前記ノボラツク樹脂と、実施例1
(1)で得られた1,2−キノンジアジド化合物とを用
い、その他は実施例1(3)と同様にして本発明の組成
物の溶液を調製した。
3表に示す混合比のフエノール類、37重量%ホルムアル
デヒド水溶液385gおよびシュウ酸0.22gを仕込んだ後、
このフラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保ちながら
1時間反応させた。その後さらに第3表に示す追加のフ
エノール類を反応の進行とともに連続的にフラスコに仕
込み2時間反応させた。次いで該ノボラツク樹脂をメタ
ノールに溶解させ、これに水を徐々に添加し、ノボラツ
ク樹脂を樹脂を沈殿させ、該沈殿物を乾燥させてノボラ
ツク樹脂を得た。次に前記ノボラツク樹脂と、実施例1
(1)で得られた1,2−キノンジアジド化合物とを用
い、その他は実施例1(3)と同様にして本発明の組成
物の溶液を調製した。
次いで実施例1(3)と同様に露光し現像しリンスし
て、レジストパターンを形成した。結果を第2表に示
す。
て、レジストパターンを形成した。結果を第2表に示
す。
(発明の効果) 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は高感度、高解
像度、高残膜率でかつ現像性に優れたものであり、紫外
線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロ
トロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応し、集
積回路作製用レジスト、特に高集積度用ポジ型レジスト
として好適なものである。
像度、高残膜率でかつ現像性に優れたものであり、紫外
線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロ
トロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応し、集
積回路作製用レジスト、特に高集積度用ポジ型レジスト
として好適なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本 合成ゴム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−180947(JP,A) 特開 昭62−280737(JP,A) 特開 昭58−150948(JP,A) 特開 昭57−135947(JP,A) 特開 昭62−150245(JP,A) 特開 昭62−153950(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】(A) アルカリ可溶性樹脂および (B) 2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフエノン
の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから主とし
てなる1,2−キノンジアジド化合物 を含有し、かつ該1,2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルはモノエステルが0〜10重量%、ジエステルが0〜
30重量%、トリエステルが20〜70重量%およびテトラエ
ステルが5〜70重量%からなるものであることを特徴と
するポジ型感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110379A JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110379A JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01281445A JPH01281445A (ja) | 1989-11-13 |
JP2629814B2 true JP2629814B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=14534316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63110379A Expired - Fee Related JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2629814B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2742631A1 (de) * | 1977-09-22 | 1979-04-05 | Hoechst Ag | Lichtempfindliche kopiermasse |
DE3100077A1 (de) * | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
JPS58150948A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-07 | Dainippon Ink & Chem Inc | 感光性組成物 |
JPH0654381B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-07-20 | 日本合成ゴム株式会社 | 集積回路作製用ポジ型レジスト |
JPS62153950A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63110379A patent/JP2629814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01281445A (ja) | 1989-11-13 |
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